CN112746264A - 一种防指纹镀膜方法、防指纹镀膜结构及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及镀膜技术领域，公开了一种防指纹镀膜方法、防指纹镀膜结构及显示装置。该防指纹镀膜方法包括步骤：将基板放置在真空镀膜室，对真空镀膜室进行抽低真空；对基板进行等离子清洗，对真空镀膜室进行抽高真空；用等离子方式在基板上制备无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空；蒸发防指纹药丸，在无机硅膜层上形成防指纹层。通过等离子方式加入气态硅油，形成二氧化硅，后蒸发防指纹药丸，硅的成膜速率快，结构简单，产品生产面积大，生产效率高。本发明中，通过等离子方式加入气态硅油，通过化学沉积形成无机硅膜层，后蒸发防指纹药丸，无机硅膜层的成膜速率快，产品生产面积大，生产效率高。

Description

一种防指纹镀膜方法、防指纹镀膜结构及显示装置
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种防指纹镀膜方法、防指纹镀膜结构及显示装置。
背景技术
防污防指纹玻璃是根据荷叶原理，在玻璃外表面涂制一层纳米化学材料，将玻璃表面张力降至最低，灰尘与玻璃表面接触面积减少90％，使其具有较强的疏水、抗油污、抗指纹能力；使视屏玻璃面板长期保持着光洁亮丽的效果。
常规的防指纹镀膜工艺有两种：一是用电子枪镀膜硅，形成二氧化硅后，热蒸发防指纹药丸，此工艺电子枪需要的一定的角度才能镀膜，所以其生产产品面积少，产能低；第二种是利用磁控溅射原理溅射硅，形成二氧化硅，后蒸发防指纹药丸，硅用溅射的方式成膜速率低，还有硅靶的使用成本高，功率高后容易出现硅靶的开裂，产品稳定性差。
因此，亟需设计一种新的防指纹镀膜方法，使得成膜速率快，生产效率高。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种防指纹镀膜方法、防指纹镀膜结构及显示装置，通过等离子方式加入气态硅油，通过化学沉积形成无机硅膜层，后蒸发防指纹药丸，无机硅膜层的成膜速率快，产品生产面积大，生产效率高。
本发明提供的技术方案如下：
一种防指纹镀膜方法，包括步骤：
将基板放置在真空镀膜室，对真空镀膜室进行抽低真空；
对基板进行等离子清洗，对真空镀膜室进行抽高真空；
用等离子方式在基板上制备无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空；
蒸发防指纹药丸，在无机硅膜层上形成防指纹层。
本技术方案中，将在前序工序中处理好的基板放置在真空镀膜室中，采用等离子去除基板表面的杂质，以提高镀膜效果；通过等离子方式加入气态硅油，通过化学沉积形成无机硅膜层，无机硅膜层的制备是为了增强防指纹层和基板的结合力，增加基板表面的耐磨性；在无机硅膜层的表面蒸发防指纹药丸形成防***层，无机硅膜层的成膜速率快，产品生产面积大，生产效率高。
进一步优选地，所述的用等离子方式在基板上制备无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空，具体包括：
气态的硅油和氩气进入电弧环境的真空镀膜室内，以高压离子方式轰击在基板上形成无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空，将残余气体及生成物排出真空镀膜室。
本实施例中，在中频电源产生的电源环境下，气态的硅油和氩气进入真空镀膜室内，用高压离子方式打到基板的上面，形成无机硅膜层附着在基板的表面，起到防止氧化的作用，此方式成膜速率快，产品生产面积大，生产效率高。
进一步优选地，所述硅油为甲基硅油、乙基硅油、苯基硅油、甲基含氢硅油、乙基含氢硅油、羟基含氢硅油中的至少一种或多种的组合。
进一步优选地，
所述硅油为六甲基二甲硅醚，所述无机硅膜层为SiOx。
进一步优选地，所述真空镀膜机的真空度为1.0x10-2-3.0x10-2torr，离子源的电源电压为3200V-3800V，离子源的流量为450SCCM-550SCCM，持续时间为90s-150s。
进一步优选地，在步骤所述的将基板放置在真空镀膜室，对真空镀膜室进行抽低真空之前，还包括步骤：
在基板的表面制备过渡层，在过渡层的表面制备硬化层。
本技术方案中，通过该方法制备的防***硬度更高，抗擦伤性更好，显著提升了防***的性能，具有优异的膜层精度、硬度、抗擦伤性和附着性、天然的无残余应力特性、优越的加工稳定性、均匀性和重复性。
进一步优选地，所述真空镀膜室包括真空镀膜室本体以及设置在所述真空镀膜室本体的内部的两个离子源发射机构、两个电弧发射棒；
其中，两个所述离子源发射机构设置在所述真空镀膜室本体的内部两侧，两个所述离子源发射机构分别与流量器连接，通过所述流量器控制离子源的流量；
两个所述电弧发射棒均设置在两个所述离子源发射机构之间，两个所述电弧发射棒分别与电源控制器连接，用于发射电弧，所述基板设置在两个所述电弧发射棒之间。
本发明提供的另一技术方案如下：
一种防指纹镀膜结构，使用上述中任意一项所述的防指纹镀膜方法制得，其包括：基板、设置在所述基板上的无机硅膜层以及设置在所述无机硅膜层上的防指纹层。
本发明提供的另一技术方案如下：
一种显示装置，包括上述中所述的防指纹镀膜结构。
与现有技术相比，本发明的防指纹镀膜方法、防指纹镀膜结构及显示装置有益效果在于：
本发明中，将在前序工序中处理好的基板放置在真空镀膜室中，采用等离子去除基板表面的杂质，以提高镀膜效果；通过等离子方式加入气态硅油，通过化学沉积形成无机硅膜层，无机硅膜层的制备是为了增强防指纹层和基板的结合力，增加基板表面的耐磨性；在无机硅膜层的表面蒸发防指纹药丸形成防***层，无机硅膜层的成膜速率快，产品生产面积大，生产效率高。
附图说明
下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。
图1是本发明一具体实施例防指纹镀膜方法的流程图；
图2是本发明另一具体实施例真空镀膜室的结构示意图。
附图标号说明：
1.真空镀膜室，2.离子源发射机构，3.电弧发射棒，4.流量器，5.电源控制器，6.基板。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定***结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其他实施例中也可以实现本申请。在其他情况中，省略对众所周知的***、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所述描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或集合的存在或添加。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
在附图所示的实施例中，方向的指示(诸如上、下、左、右、前和后)用以解释本发明的各种组件的结构和运动不是绝对的而是相对的。当这些组件处于附图所示的位置时，这些说明是合适的。如果这些组件的位置的说明发生改变时，则这些方向的指示也相应地改变。
另外，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
作为一个具体实施例，如图1所示，本实施例提供了一种防指纹镀膜方法，包括步骤：
S100、将基板放置在真空镀膜室，对真空镀膜室进行抽低真空；
S200、对基板进行等离子清洗，对真空镀膜室进行抽高真空；
具体地，利用等离子清洗基板表面，能清洁基板表面的细小粉尘及静电，活化基板表面特性，为后续的镀膜工序做准备。
S300、用等离子方式在基板上制备无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空；
具体地，气态的硅油和氩气进入电弧环境的真空镀膜室内，以高压离子方式轰击在基板上形成无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空，将残余气体及生成物排出真空镀膜室。在中频电源产生的电源环境下，气态的硅油和氩气进入真空镀膜室内，用高压离子方式打到基板的上面，形成无机硅膜层附着在基板的表面，起到防止氧化的作用，此方式成膜速率快，产品生产面积大，生产效率高。
S400、蒸发防指纹药丸，在无机硅膜层上形成防指纹层。
具体地，防指纹药是由特殊结构的氟硅树脂配制而成的一种含氟涂料，在化学专家的口头术语一般是十七氟葵基三乙氧基硅烷，是根据产品的分子结构组合命名的。超硬防***层具有防水防油防污、防潮、绝缘、耐酸、防指纹、耐磨抗刮痕、高附着力、透光率强等优越性能，镀制了超硬防***层的材料不易附着指纹、油污等污染物，便于清洁打理。主要应用在手机，照相机，触屛电脑和电视等高端数码产品的保护玻璃，以及陶瓷卫浴、五金洁具等高端产品的防水防污防指纹处理。
本实施例中，将在前序工序中处理好的基板放置在真空镀膜室中，采用等离子去除基板表面的杂质，以提高镀膜效果。通过等离子方式加入气态硅油，通过化学沉积形成无机硅膜层，无机硅膜层的成膜速率快，产品生产面积大，生产效率高。无机硅膜层的制备是为了增强防指纹层和基板的结合力，增加基板表面的耐磨性，在无机硅膜层的表面蒸发防指纹药丸形成防***层。
在上述实施例中，硅油为甲基硅油、乙基硅油、苯基硅油、甲基含氢硅油、乙基含氢硅油、羟基含氢硅油中的至少一种或多种的组合。优选地，硅油为六甲基二甲硅醚，无机硅膜层为SiOx。通过采用高压离子方式输入六甲基二甲硅醚、氩气的混合物，或输入六甲基二甲硅醚、氩气、氧气的混合物进行反应，在基板的表面化学沉积形成SiOx膜层。
在另一实施例中，如图1所示，在上述实施例的基础上，本实施例提供了一种防指纹镀膜方法。其中，在步骤S100之前还包括步骤：在基板的表面制备过渡层，在过渡层的表面制备硬化层。
具体地，在基板的表面制备氧化铝膜层，形成过渡层；在过渡层的表面制备氮化硅或碳化硅膜层，形成硬化层。通过该方法制备的防***硬度更高，抗擦伤性更好，显著提升了防***的性能，具有优异的膜层精度、硬度、抗擦伤性和附着性、天然的无残余应力特性、优越的加工稳定性、均匀性和重复性。
在步骤S200中，真空镀膜机的真空度达到6x10-3-7x10-3pa时，对基板表面进行离子轰击，充入流量为25sccm的中频氩气、流量为40sccm的离子源，离子源的电源电压为500V，工作压强为2.5x10-1pa，时间持续150s。采用等离子体清洗基板表面，去除附着在基板表面的无机物和杂质。
在步骤S300中，真空镀膜机的真空度为1.0x10-2-3.0x10-2torr，离子源的电源电压为3200V-3800V，离子源的流量为450-550sccm，持续时间为90s-150s。
如图2所示，在上述实施例中，真空镀膜室1包括真空镀膜室本体以及设置在真空镀膜室本体的内部的两个离子源发射机构2、两个电弧发射棒3。其中，两个离子源发射机构2设置在真空镀膜室本体的内部两侧，两个离子源发射机构2分别与流量器4连接，通过流量器4控制离子源的流量。两个电弧发射棒3均设置在两个离子源发射机构2之间，两个电弧发射棒3分别与电源控制器5连接，用于发射电弧，电源控制器5为中频电源控制器。基板6设置在两个电弧发射棒3之间，通过等离子方式加入气态硅油和氩气，通过化学沉积在基板6上形成无机硅膜层。
在另一实施例中，本实施例提供了一种防指纹镀膜结构，使用上述实施例中所述的防指纹镀膜方法制得。防指纹镀膜结构包括：基板、设置在基板上的无机硅膜层以及设置在无机硅膜层上的防指纹层。
在另一实施例中，本实施例提供了一种显示装置，包括上述实施例中所述的防指纹镀膜结构。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述或记载的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种防指纹镀膜方法，其特征在于，包括步骤：
将基板放置在真空镀膜室，对真空镀膜室进行抽低真空；
对基板进行等离子清洗，对真空镀膜室进行抽高真空；
用等离子方式在基板上制备无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空；
蒸发防指纹药丸，在无机硅膜层上形成防指纹层。
2.根据权利要求1所述的防指纹镀膜方法，其特征在于，所述的用等离子方式在基板上制备无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空，具体包括：
气态的硅油和氩气进入电弧环境的真空镀膜室内，以高压离子方式轰击在基板上形成无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空，将残余气体及生成物排出真空镀膜室。
3.根据权利要求2所述的防指纹镀膜方法，其特征在于：
所述硅油为甲基硅油、乙基硅油、苯基硅油、甲基含氢硅油、乙基含氢硅油、羟基含氢硅油中的至少一种或多种的组合。
4.根据权利要求3所述的防指纹镀膜方法，其特征在于：
所述硅油为六甲基二甲硅醚，所述无机硅膜层为SiOx。
5.根据权利要求2所述的防指纹镀膜方法，其特征在于：
所述真空镀膜机的真空度为1.0x10-2-3.0x10-2torr，离子源的电源电压为3200V-3800V，离子源的流量为450SCCM-550SCCM，持续时间为90s-150s。
6.根据权利要求1所述的防指纹镀膜方法，其特征在于，在步骤所述的将基板放置在真空镀膜室，对真空镀膜室进行抽低真空之前，还包括步骤：
在基板的表面制备过渡层，在过渡层的表面制备硬化层。
7.根据权利要求1所述的防指纹镀膜方法，其特征在于：
所述真空镀膜室包括真空镀膜室本体以及设置在所述真空镀膜室本体的内部的两个离子源发射机构、两个电弧发射棒；
其中，两个所述离子源发射机构设置在所述真空镀膜室本体的内部两侧，两个所述离子源发射机构分别与流量器连接，通过所述流量器控制离子源的流量；
两个所述电弧发射棒均设置在两个所述离子源发射机构之间，两个所述电弧发射棒分别与电源控制器连接，用于发射电弧，所述基板设置在两个所述电弧发射棒之间。
8.一种防指纹镀膜结构，其特征在于，使用权利要求1-7中任意一项所述的防指纹镀膜方法制得，其包括：基板、设置在所述基板上的无机硅膜层以及设置在所述无机硅膜层上的防指纹层。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的防指纹镀膜结构。
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