CN112713174A - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板和显示装置,显示面板包括:至少一显示感光像素,显示感光像素设置在显示面板的阵列基板与封装层之间,其中,每个显示感光像素包括:显示元件和感光元件;显示元件包括发光层,用于发光显示图像;感光元件用于接收光信号以进行成像;其中,显示元件和感光元件在阵列基板上的投影相互间隔排列。通过上述方式,本申请能够不破坏的显示面板的显示完整性,同时具有感光成像功能。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,特别是涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,公众对于高屏占比屏幕的要求越来越高。全面屏不仅具有良好的外观,而且具有更高的屏幕利用率,可显示更多的屏幕内容。全面屏大大提高了用户体验效果,已成为屏幕的发展趋势。但是,对于类似手机等便携设备而言,需要在其显示面放置前置摄像头,以实现自拍或视频通话等前置摄像功能。然而,前置摄像头需要从便携设备的出光面采光,这会影响屏幕的屏占比,成为了制约全面屏的关键因素。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种显示面板和显示装置,能够不破坏的显示面板的显示完整性,同时具有感光成像功能。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种显示面板,显示面板包括:至少一显示感光像素,显示感光像素设置在显示面板的阵列基板与封装层之间,其中,每个显示感光像素包括:显示元件和感光元件;显示元件包括发光层,用于发光显示图像;感光元件用于接收光信号以进行成像;其中,显示元件和感光元件在阵列基板上的投影相互间隔排列。
其中,显示面板进一步包括:至少一显示像素,每个显示像素分别包括显示元件,所述显示元件用于发光显示图像,其中,显示感光像素和显示像素在阵列基板的投影呈矩阵排列。
其中,感光元件位于其所在感光显示像素的显示元件与相邻的显示感光像素的显示元件或显示像素的显示元件之间。
其中,感光元件包括:感光层、第一电极和第二电极。感光层用于接收光信号并且将光信号转换为电信号;第一电极设置于感光层朝向封装层的一侧;第二电极设置于感光层朝向阵列基板的一侧;其中,第一电极与第二电极分别与感光层电连接,用于向感光层施加复位电压。
其中,感光层包括层叠设置的P型半导体层,I型半导体层和N型半导体层;其中,I型半导体层位于P型半导体层和N型半导体层之间,并且,P型半导体层位于I型半导体层朝向封装层的一侧。
其中,第一电极包括透明导电材料;优选的,第一电极包括氧化铟锡。
其中,显示面板还包括:传导电路;传导电路与第一电极或第二电极电连接,用于传导感光层产生的电信号。
其中,感光元件还包括:阻挡层和绝缘层。阻挡层设置于第二电极与阵列基板之间,用于阻挡阵列基板对感光层的干扰;优选的,感光元件还包括绝缘层设置于阻挡层与第二电极之间;优选的,阻挡层包括金属材料。优选的,绝缘层包括氮化硅、氧化硅或聚四氟乙烯。
其中,显示面板还包括:像素定义层,像素定义层包括像素定义结构和多个位于相邻像素定义结构之间的开口;其中,开口分别用于容纳显示元件与感光元件;或其中,显示元件位于开口内,感光元件位于像素定义结构远离阵列基板的一侧。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示设备,包括上述任一项的显示面板和处理器;处理器与显示面板电连接,用于接收感光元件产生的电信号并将电信号处理成图像。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请将感光元件与显示元件设置在同一个像素单元中,使得每一个显示感光像素均可以实现即能够感光成像,又能够显示成像。从而实现了显示面板的全面屏显示,同时又能够进行摄像。感光元件与显示元件间隔设置,显示元件不会遮挡感光元件接受光信号,从而感光元件能够接收到更多的外界光线,以形成高质量图像。并且,由于感光元件是直接设置在显示面板上,因此显示面板无需配置特殊的透明区域,从而,针对前置摄像,显示面板制备过程中无需进行拼接或组装等复杂的制备工艺。
附图说明
图1是一显示面板截面结构示意图;
图2是根据本申请一实施方式的显示面板俯视示意图;
图3是根据本申请另一实施方式的显示面板俯视示意图;
图4是根据本申请又一实施方式的显示面板俯视示意图;
图5是根据本申请一实施方式的显示面板第一显示区的俯视结构示意图;
图6是根据本申请一实施方式的显示面板第一显示区截面结构示意图;
图7是根据本申请一实施方式的感光元件截面结构示意图;
图8是根据本申请一实施方式的显示设备结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。
为了实现显示面板的全面屏显示效果,显示面板的结构可以参阅图1。图1是一显示面板截面结构示意图。显示面板10可以分为透光区域A和显示区域B。其中,光线可以通过透光区域A的至少部分区域透过显示面板10,照射到透过区域A下方所设置的摄像装置20。具体的,显示面板10的透光区域A包括透光盖板11a、阴极12a、有机发光层13a、阳极14a以及透光基板215a。透光区域A的至少部分材料为具有较高透明度的材料。显示区域B同样包含盖板11b、阴极12b、有机发光层13b、阳极14b以及基板15b,显示区域B中至少部分材料可以采用与透光区域A不同的材料,即不透光材料。在该显示面板10的制备过程中,透光区域A和显示区域B需要采用拼接或组装等工艺使得两个区域固定连接在一起。显示面板10不同材料的拼接或组装是具有一定复杂度以及实施难度的工艺,容易出现显示面板10的品质问题。
为解决上述技术问题,本申请提供一种显示面板,该显示面板包括至少一显示感光像素,分别设置在显示面板的阵列基板与封装层之间,其中,每个显示感光像素分别包括:显示元件和感光元件。显示元件用于发光显示图像;感光元件用于接收光信号以进行成像;其中,显示元件和感光元件相互间隔地设置在阵列基板和封装层之间。以下进行详细阐述。
参阅图2-4,图2是根据本申请一实施方式的显示面板俯视示意图。图3是根据本申请另一实施方式的显示面板俯视示意图。图4是根据本申请又一实施方式的显示面板俯视示意图。
显示面板30定义有第一显示区C和第二显示区D。第一显示区C和第二显示区D均可以用于显示图像。此外,第一显示区C还可以用于接受光信号成像。第一显示区C与第二显示区D之间的位置关系可以为多种,在此不做限定。例如,如图2或3所示,第一显示区C可以被第二显示区D包围,第一显示区C可以位于第二显示区D一侧的中间区域,也可以位于第二显示区D的中心位置。又例如,如图4所示,第一显示区C可以与第二显示区D平行并列设置,第一显示区C位于第二显示区D的一侧。第一显示区C和第二显示区D的同一层结构可以采用相同的材料制成。也可以理解为,第一显示区C和第二显示区D无需进行拼接组装。
参阅图5,图5是根据本申请一实施方式的显示面板第一显示区的俯视结构示意图。
显示面板的第一显示区C包括至少一显示感光像素300,分别设置在显示面板的阵列基板与封装层之间。顾名思义,显示感光像素300可以是指既可以显示图像,又可以具有感光成像的像素单元。
其中,每个显示感光像素300分别包括:显示元件310和感光元件320。显示元件310用于发光显示图像;感光元件320用于接收光信号以进行成像。显示元件310可以是任意能够发光显示图像的元件,例如,OLED、LED或LCD等。感光元件320可以接受外界光信号,并将光信号进行转化,以进行成像。感光元件320感应不同颜色,不同亮度的光信号,并将这些不同的光信号转换为不同的相应的电信号。感光元件320可以用于摄影成像。
其中,显示元件310和感光元件320在阵列基板上的投影相互间隔排列。显示元件310与感光元件320相互间隔设置,是指在显示面板的出光面一侧,显示元件310与感光元件320之间不会相互遮挡。具体的,显示元件310不会遮挡感光元件320从出光面方向接受光信号,感光元件320也不会遮挡显示元件310发出的光线自出光面发出。感光元件320与显示元件310可以是位于同一层的,或者也可以是位于不同层的。进一步的,感光元件320可以位于显示元件310的同层或比显示元件310更靠近显示面板出光面的一层。从而,光线从出光面照射到感光元件320无需经过太长的距离,避免光线照射到感光元件320之前被其他元件所吸收或影响。
将感光元件与显示元件设置在同一个像素单元中,使得每一个显示感光像素均可以实现即能够感光成像,又能够显示成像。从而实现了显示面板的全面屏显示,同时又能够进行摄像。感光元件与显示元件间隔设置,显示元件不会遮挡感光元件接受光信号,从而感光元件能够接收到更多的外界光线,以形成高质量图像。并且,由于感光元件是直接设置在显示面板上,因此显示面板无需配置特殊的透明区域,显示面板的第一显示区与第二显示区同一层结构无需使用不同的材料。从而,针对前置摄像,显示面板制备过程中无需进行拼接或组装等复杂的制备工艺。
本申请的显示面板在具体使用过程中,显示面板可以具有两种状态:显示状态和摄像状态。在显示状态时,第一显示区的显示元件正常发光,显示图像;感光元件不进行工作。在摄像状态时,第一显示区的显示元件关闭,不发光;感光元件接受光信号并将光信号转换为电信号。在摄像状态下,显示元件断电关闭,可以有效避免显示元件发出的光线影响感光元件接受并分辨外界的光信号。
显示面板的第一显示区C可以是每一个像素单元均为显示感光像素300,或者也可以是部分像素单元为显示感光像素300。在一实施例中,显示面板第一显示区C进一步包括:至少一显示像素400。每个显示像素400分别包括显示元件310以发光显示图像,其中,显示感光像素300和显示像素400在阵列基板的投影呈矩阵排列。即,第一显示区C既包括显示感光像素300也包括显示像素400。并且,可以根据实际的应用需求调节显示像素400与显示感光像素300的比例以及排列间隔方式。例如,可以是一排(列)显示像素400加一排(列)显示感光像素300的排列方式。或者也可以是两排(列)显示像素400加一排(列)显示感光像素300的排列方式。此种实施方式可以进一步提高第一显示区C的显示效果。
在一实施例中,感光元件320位于显示元件310与相邻的显示感光像素300的显示元件310或显示像素400的显示元件310之间。即,每一个感光元件320位于两个显示元件310之间。从而,在第一显示区C中两个相邻的显示元件310之间的具体不会太大,影响显示效果。此种排布方式,可以保证感光元件320均匀的排列在第一显示区C中,并且能够保证第一显示区C具有良好的显示效果。
第一显示区所包括的具体结构层可以参阅图6,图6是根据本申请一实施方式的显示面板第一显示区截面结构示意图。
显示面板30包括阵列基板100和封装层200。感光元件320与显示元件310均设置在阵列基板100与封装层200之间。阵列基板100具体包括基板110和阵列层120,其中阵列层120包括多个薄膜晶体管。薄膜晶体管可以为相应的显示元件310供电,使得显示元件310发光。感光元件320也可以与薄膜晶体管相连接,利用薄膜晶体管向感光元件320供电。每个显示感光像素300中的显示元件310与感光元件320可以被同一个薄膜晶体管控制,也可以被不同的薄膜晶体管单独控制。
显示面板30还包括像素定义层600,像素定义层600包括像素定义结构和多个位于相邻像素定义结构之间的开口。显示元件310位于相邻像素定义结构之间的开口内,而感光元件320可以位于其他开口内,也可以位于像素定义结构上。在一实施例中,开口分别用于容纳显示元件310与感光元件320。在一实施例中,显示元件310位于开口内,感光元件320位于像素定义结构远离阵列基板100的一侧。即,感光元件320位于显示元件310的同层或靠近出光面的一层。此种实施方式,可以无需另外增加其他结构即可以实现感光元件320与显示元件310的分隔设置。
在一实施例中,显示元件310为OLED器件,具体的,显示元件310可以包括阴极层321、电子传输层(ETL)322、发光层(EML)323、空穴传输层(HTL)324、空穴注入层(HIL)325以及阳极层326。
在一实施例中,感光元件320包括感光层312、第一电极311和第二电极313。感光层312用于接收光信号并且将光信号转换为电信号;第一电极311设置于感光层312朝向封装层200的一侧;第二电极313设置于感光层312朝向阵列基板100的一侧。其中,第一电极311与第二电极313分别与感光层312电连接,用于向感光层312施加复位电压。感光层312可以包括任意适用的能够将光信号转换为电信号的材料。第一电极311和第二电极313分别设置在感光层312两侧,并且与感光层312电连接,可以在感光层312将光信号转换为电信号后,向感光层312施加复位电压,使得感光层312恢复原始结构状态。显示面板还包括复位电路,与第一电极311和第二电极313电连接,用于向第一电极和第二电极提供复位电压。
具体地,感光层312可以是半导体结构,参阅图7。图7是根据本申请一实施方式的感光元件截面结构示意图。在一实施例中,感光层312包括层叠设置的P型半导体层3121,I型半导体层3122和N型半导体层3123;其中,I型半导体层3122位于P型半导体层3121和N型半导体层3123之间,并且,P型半导体层3121位于I型半导体层3122朝向封装层的一侧。即,感光层312可以包括PIN光电二极管,即在PN结中间掺入一层I型半导体。掺入的I型半导体掺杂浓度较低,近乎本征半导体。I型半导体层3122的厚度可以是比P型半导体层3121的厚度和N型半导体层3123的厚度较大,从而大部分的入射光在I型半导体层3122内被吸收并产生大量的电子-空穴对,即实现了将光信号转化为电信号。
第一电极311和第二电极313为导电材料。在一实施例中,第一电极311包括透明导电材料。第一电极311位于感光层312朝向出光面的一侧,从而第一电极311需要具有良好的透光性能,以使得光线能够照射到感光层312。进一步地,第一电极311包括氧化铟锡材料(ITO)。第二电极313位于感光层312朝向阵列基板的一侧,因此第二电极313可以不是透明材料。第二电极313可以为任意金属材料。
感光层312所产生的电信号可以通过第一电极311或第二电极313传出。在一实施例中,显示面板还包括:传导电路,与第一电极311或第二电极313电连接,用于传导感光层312产生的电信号。传导电路可以位于阵列基板,也可以与第二电极313同层设置。
请继续参阅图6。在一实施例中,感光元件还包括:阻挡层314和绝缘层315,
阻挡层314设置于第二电极313与阵列基板100之间,用于阻挡阵列基板100对感光层312的干扰。阵列基板100会产生电场,电场会对感光层312造成干扰,影响感光层312的正常工作。在感光层312与阵列基板100之间设置阻挡层314可以有效的防止阵列基板100对感光层312造成干扰。阻挡层314还可以用于遮光,防止光线照射到阵列基板100,对阵列基板100上的器件造成影响。进一步地,阻挡层314包括金属材料。
绝缘层315设置于阻挡层314与第二电极313之间。由于第二电极313和阻挡层314均包括金属材料,在第二电极313和阻挡层314之间设置绝缘层315可以使得第二电极313与阻挡层314之间相互不导电,避免阻挡层314对第二电极313产生影响。进一步地,绝缘层315包括氮化硅、氧化硅或聚四氟乙烯等。
本申请还提供了一种显示设备,请参阅图8。图8是根据本申请一实施方式的显示设备结构示意图。该显示设置包括显示面板30和处理器40。其中显示面板30为上述实施例中所公开的显示面板30。处理器40与显示面板30电连接,用于接收感光元件产生的电信号并将电信号处理成图像。
本申请提供的显示设置,通过在显示面板的设置显示感光像素,使得显示面板的显示面既可以显示图像又能够感光成像。通过将感光元件直接设置在显示面板上,在显示面板的出光面直接感光成像。从而无需在显示面板上设置透明区域,显示面板可以采用整体相同的材料制成,无需另外拼接或组装。
以上仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
至少一显示感光像素,所述显示感光像素设置在所述显示面板的阵列基板与封装层之间,其中,每个所述显示感光像素包括:
显示元件,包括发光层,用于发光显示图像;
感光元件,用于接收光信号以进行成像;
其中,所述显示元件和所述感光元件在阵列基板上的投影相互间隔排列。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板进一步包括:
至少一显示像素,每个所述显示像素包括显示元件,所述显示元件用于发光显示图像,
其中,所述显示感光像素和所述显示像素在阵列基板的投影呈矩阵排列。
3.根据权利要求1或者2所述的显示面板,其特征在于,所述感光元件位于其所在显示感光像素的显示元件与相邻的所述显示感光像素的显示元件或所述显示像素的显示元件之间。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述感光元件包括:
感光层,用于接收所述光信号并且将所述光信号转换为电信号;
第一电极,设置于所述感光层朝向所述封装层的一侧;
第二电极,设置于所述感光层朝向所述阵列基板的一侧;其中,所述第一电极与所述第二电极分别与所述感光层电连接,用于向所述感光层施加复位电压。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述感光层包括层叠设置的P型半导体层,I型半导体层和N型半导体层;
其中,所述I型半导体层位于所述P型半导体层和所述N型半导体层之间,并且,所述P型半导体层位于所述I型半导体层朝向所述封装层的一侧。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极包括透明导电材料;
优选的,所述第一电极包括氧化铟锡。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,还包括:
传导电路,与所述第一电极或所述第二电极电连接,用于传导所述感光层产生的所述电信号。
8.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述感光元件还包括:
阻挡层,设置于所述第二电极与所述阵列基板之间,用于阻挡所述阵列基板对所述感光层的干扰;
优选的,所述感光元件还包括绝缘层,设置于所述阻挡层与所述第二电极之间;
优选的,所述阻挡层包括金属材料。
优选的,所述绝缘层包括氮化硅、氧化硅或聚四氟乙烯。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
像素定义层,包括像素定义结构和多个位于相邻所述像素定义结构之间的开口;
其中,所述开口分别用于容纳所述显示元件与所述感光元件;或
其中,所述显示元件位于所述开口内,所述感光元件位于所述像素定义结构远离所述阵列基板的一侧。
10.一种显示设备,其特征在于,包括
权利要求1-9任一项所述的显示面板;
处理器,与所述显示面板电连接,用于接收所述感光元件产生的所述电信号并将所述电信号处理成图像。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114141835A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-03-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN114203062A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-18 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组、显示屏组件、电子设备及摄像方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017216169A1 (de) * | 2016-09-14 | 2018-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigesystem und elektronische Vorrichtung |
WO2018086353A1 (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示设备 |
CN108964762A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可见光通信装置及其驱动方法、门锁和可见光通信方法 |
CN109256047A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-01-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及其驱动方法 |
CN109858398A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置和指纹识别方法 |
CN110444570A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及电子装置 |
CN111029381A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
CN112017549A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-12-01 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置及其控制方法 |
-
2020
- 2020-12-11 CN CN202011459721.0A patent/CN112713174A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017216169A1 (de) * | 2016-09-14 | 2018-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigesystem und elektronische Vorrichtung |
WO2018086353A1 (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示设备 |
CN108964762A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可见光通信装置及其驱动方法、门锁和可见光通信方法 |
CN109256047A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-01-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及其驱动方法 |
CN109858398A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置和指纹识别方法 |
CN110444570A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及电子装置 |
CN111029381A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
CN112017549A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-12-01 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置及其控制方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114141835A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-03-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN114203062A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-18 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组、显示屏组件、电子设备及摄像方法 |
WO2023093290A1 (zh) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组、显示屏组件、电子设备及摄像方法 |
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