CN112713110A - 半导体清洗设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种半导体清洗设备。该半导体清洗设备包括：清洗槽和注液组件，其中，清洗槽用于容纳清洗液以对待清洗件进行清洗；注液组件包括设置于清洗槽底部的至少一个注液管，注液管与清洗液的供给源连接，注液管上均设置有沿注液管周向间隔设置的第一出液部及第二出液部，第一出液部与第二出液部在注液管的径向截面上的投影与注液管的径向截面的圆心的连线呈第一预设夹角；注液管内还设置有与注液管同轴设置的遮挡管，遮挡管用于控制清洗液选择性由第一出液部或第二出液部导出至清洗槽。本申请实施例实现了避免在清洗过程中造成晶圆的清洗肓区，从而大幅提高晶圆的清洗效果及良率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体清洗设备。
背景技术
目前，在晶圆湿法槽式清洗工艺中，连接两种不同药液槽之间的为水槽，该水槽的作用是置换前一药液槽残留在晶圆上的药液和反应产物，避免直接进入下一药液槽，从而发生药液间的反应或交叉污染。对于经过稀氢氟酸(Dilute HF，DHF)或缓冲氧化物刻蚀液(Buffer Oxide Etch，BOE)处理后的晶圆表面会具有疏水特性，现有技术中清洗工艺会导致具有疏水特性的晶圆表面与水或空气中的氧气(O2)反应从而形成水痕，因此会造成晶圆良率降低或报废。
为了避免上述情况发生一般会采用溢流水槽(Overflow Rinse，OFR)方式来对晶圆进行处理，由于溢流水槽内注入的水流方向始终固定，在工艺过程中容易造成晶圆的清洗肓区，由于该区域流速始终较低水流始终难以覆盖，在应用于上述晶圆时使得晶圆的ζ电位为负，从而易于吸附中性介质中的颗粒(二氧化硅(SiO2)及氮化硅(SiN)在中性介质中ζ电位为正)等污染物，造成晶圆局部区域出现被称作为特定形状的(Special Map)的颗粒聚集分布。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体清洗设备，用以解决现有技术存的晶圆在清洗过程中局部易吸附颗粒的技术问题，从而提高晶圆清洗的良率。
第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体清洗设备，用于对待清洗件进行清洗，包括：清洗槽和注液组件，其中，所述清洗槽用于容纳清洗液以对所述待清洗件进行清洗；所述注液组件包括设置于所述清洗槽底部的至少一个注液管，所述注液管与所述清洗液的供给源连接，所述注液管上均设置有沿所述注液管周向间隔设置的第一出液部及第二出液部，所述第一出液部与所述第二出液部在所述注液管的径向截面上的投影与所述注液管的径向截面的圆心的连线呈第一预设夹角；所述注液管内还设置有与所述注液管同轴设置的遮挡管，所述遮挡管用于控制所述清洗液选择性由所述第一出液部或所述第二出液部导出至所述清洗槽。
于本申请的一实施例中，所述遮挡管上设置有开口部，所述遮挡管可旋转的嵌套于所述注液管内，所述遮挡管用于通过自旋转以将所述开口部与所述第一出液部或所述第二出液部重合。
于本申请的一实施例中，所述开口部为沿所述遮挡管轴向设置的开口，构成所述开口部的两侧边在所述遮挡管的径向截面上的两端点与所述遮挡管的径向截面所在圆的圆心的连线呈第二预设夹角，所述第二预设夹角小于第一预设夹角。
于本申请的一实施例中，所述第一预设夹角的角度大于125度且小于180度，所述第二预设夹角的角度为10度以上。
于本申请的一实施例中，所述遮挡管的内壁上设置有涡旋结构，所述涡旋结构用于使所述清洗液流经所述遮挡管时，使得遮挡管在清洗液作用下自旋转。
于本申请的一实施例中，所述涡旋结构为形成于所述遮挡管内壁上的凸块，所述凸块沿所述遮挡管呈螺旋状。
于本申请的一实施例中，所述涡旋结构的螺矩长度与所述遮挡管的长度具有一预设比值，所述预设比值为1:10或者1:20。
于本申请的一实施例中，所述第一出液部包括沿所述注液管轴线设置的多个第一出液口，所述第二出液部包括沿所述注液管轴线设置的多个第二出液口，且所述第一出液口的出液方向以及所述第二出液口的出液方向均与所述清洗槽的轴向呈角度。
于本申请的一实施例中，所述半导体清洗设备还包括设置在所述清洗槽内的匀流板，所述匀流板将所述清洗槽分隔为自上至下设置的清洗腔及注液腔，所述注液组件设置于所述注液腔内。
于本申请的一实施例中，所述注液管由耐磨损材质制备。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
本申请实施例通过在清洗槽的底部设置有注液组件，使得清洗槽可以采用溢流方式对待清洗件进行清洗，从而避免待清洗件表面形成水痕，尤其适用于具有疏水特性的待清洗件表面。进一步的，注液管的周向上具有并列设置的第一出液部及第二出液部，通过遮挡管来选择性切换清洗液由第一出液部或第二出液部导出，以使得清洗槽内的清洗液呈周期性流动，从而避免在清洗过程中造成待清洗件的清洗肓区，从而大幅提高待清洗件的清洗效果及良率。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种半导体清洗设备的第一出液部出液状态示意图；
图2为本申请实施例提供的一种半导体清洗设备的第二出液部出液状态示意图；
图3为本申请实施例提供的一种注液组件的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的另一种注液组件的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种遮挡管的立体示意图；
图6为本申请实施例提供的一种遮挡管的俯视示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种半导体清洗设备，用于对待清洗件进行清洗，该半导体清洗设备的结构示意图如图1至图3所示，包括：清洗槽1及注液组件3；清洗槽1用于容纳清洗液以对待清洗件100进行清洗；注液组件3包括设置于清洗槽1底部的至少一个注液管31，注液管31与清洗液的供给源(图中未示出)连接，注液管31上均设置有沿注液管31周向间隔设置的第一出液部311及第二出液部312，第一出液部311与第二出液部312的在注液管31的径向截面上的投影与注液管31的径向载面的圆心连线呈第一预设夹角A1；注液管31内还设置有与注液管31同轴设置的遮挡管32，遮挡管32用于控制清洗液选择性由第一出液部311或第二出液部312导出至清洗槽1。
如图1至图3所示，清洗槽1具体可以是提供超纯水或者去离子水等清洗液的水槽，清洗槽1具体可以设置于两个药液槽之间，当待清洗件100由前一药液槽内清洗完成后，再进入该清洗槽1内以用于置换前一药液槽的药液及反应产物，之后待清洗件100再进入后一药液槽内进行清洗，待清洗件100例如可以是晶圆，但是本申请实施例并不以此为限。待清洗件100具体可以设置于一承载座2内，然后将承载有待加工件100的承载座2置入清洗槽1内，此时注液组件3位于承载座2的下方，以使得清洗槽1可以采用溢流方式对待清洗件100清洗，以避免待清洗件100表面形成水痕，从而大幅提高待清洗件100的清洗效果。注液组件3具体包括设置于清洗槽1底部的至少一个注液管31，该注液管31可以与一供给源连接，用于向清洗槽1内注入清洗液。注液管31沿周向上间隔设置有第一出液部311及第二出液部312。第一出液部311与第二出液部312在注液管31的径向截面上的投影与注液管31的径向截面的圆心的连线呈第一预设夹角A1，即第一出液部311与第二出液部312的出液方向之间具有一预设夹角，第一出液部311及第二出液部312用于分别由两个方向朝清洗槽1内注入清洗液。注液管31内还设置有遮挡管32，遮挡管32用于控制注液管31内的清洗液选择性由第一出液部311或第二出液部312导出至清洗槽1内，以使得清洗槽1内的清洗液的流动方向呈周期性流动，避免在清洗过程中造成待清洗件100的清洗肓区，从而提高待清洗件100的清洗效果，防止待清洗件在清洗过程中吸附颗粒等污染物，进而提高待清洗件100的良率。
本申请实施例通过在清洗槽的底部设置有注液组件，使得清洗槽可以采用溢流方式对待清洗件进行清洗，从而避免待清洗件表面形成水痕，尤其适用于具有疏水特性的待清洗件表面。进一步的，注液管的周向上具有并列设置的第一出液部及第二出液部，通过遮挡管来选择性切换清洗液由第一出液部或第二出液部中的一者导出，以使得清洗槽内的清洗液呈周期性流动，从而避免在清洗过程中造成待清洗件的清洗肓区，从而大幅提高待清洗件的清洗效果及良率。
需要说明的是，本申请实施例并不限定清洗槽1的具体类型，例如清洗槽1也可以是用于提供各种药液的药液槽，同样能达到避免待清洗件100出现清洗肓区以提高待清洗件100的清洗效果及良率。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1及图5所示，遮挡管32上设置有开口部321，遮挡管32可旋转的嵌套于注液管31内，遮挡管32用于通过自旋转以将开口部321与第一出液部311及第二出液部312中的任意一者重合。
如图3及图5所示，遮挡管32具体采用工程塑料制成的管状结构，例如采用聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene，PTFE)或乙烯三氟氯乙烯共聚物(Ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer，ETCFE)等材质制成，但是本申请实施例并不以此为限。遮挡管32上设置有开口部321，遮挡管32嵌套于注液管31内，并且遮挡管32的外壁与注液管31的内壁之间可以间隙配合，以使得遮挡管32可以相对于注液管31自旋转。进一步的，由于采用上述摩擦系数较低及耐磨损的材料制成，使得遮挡管32的旋转更为顺畅，从而大幅降低本申请实施例的故障率及延长使用寿命。在实际应用时，遮挡管32内通入清洗液，遮挡管32通过自旋转以使开口部321选择性与第一出液部311或第二出液部312重合导通，以使得清洗液由第一出液部311或第二出液部312导出至清洗槽1内，从而使得清洗液在清洗槽1内呈周期性流动，进而避免在清洗过程中造成待清洗件100的清洗肓区。
需要说明的是，本申请实施例并不限定遮挡管32的具体材质，例如遮挡管32还可以采用其它摩擦系数较低及耐磨损的材料制成。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图3至图5所示，开口部321为沿遮挡管32轴向设置的开口，通过轴向设置的开口，使得遮挡管32的径向截面的两个端点a和b与遮挡管32的径向截面的圆心o的连线呈第二预设夹角A2，第二预设夹角A2小于第一预设夹角A1，以使开口部321与第一出液部311或第二出液部312导通。具体来说，开口部321具体为沿遮挡管32轴向延伸的开口，以使遮挡管32的径向截面可以呈圆弧状，此时构成开口部321的两侧边在遮挡管32径向截面上的两个端点a和b与遮挡管32径向截面所在圆的圆心o之间连线呈第二预设夹角A2，为了使得清洗液仅由第一出液部311或仅由第二出液部312导出至清洗槽1内，因此第二预设夹角A2小于第一预设夹角A1，以使得开口部321在同一时间内仅能导通第一出液部312或者仅能导通第二出液部312，从而进一步提高扰流效果。换言之，第一出液口311与第二出液部312在注液管31的周向上间距为两段长度不等的圆弧，而开口部321沿挡管32周向上具有虚拟圆弧，开口部321的虚拟圆弧长度小于第一出液部311与第二出液部312之间长度较小的圆弧。采用上述设计，使得本申请实施例结构简单，从而大幅降低应用及维护成本。
于本申请的一实施例中，如图3至图5所示，第一预设夹角A1的角度大于125度且小于180度，第二预设夹角A2的角度为10度以上。具体来说，第一出液部311的出液方向与第二出液部312出液方向之间形成有第一预设夹角A1，并且该第一预设夹角A1的角度具体为130度、145度、160度或170度等。采用上述设计能大幅提高本申请实施例的适用性及适用范围。第二预设夹角A2具体可以大于10度，并且小于第一预设夹角A1，便于遮挡管32的开口部321选择性导通第一出液部311或第二出液部312，以使得清洗液仅能从第一出液部311以及第二出液部312中的一者导出，从而使得清洗槽1内的清洗液能够实现周期性流动。采用上述设计，使得本申请实施例在确保待清洗件100清洗效果的同时，还能大幅降低应用及维护成本。
于本申请的一实施例中，如图5及图6所示，遮挡管32的内壁上设置有涡旋结构322，涡旋结构322用于使清洗液流经遮挡管32时，使得遮挡管32在清洗液作用下产生自旋转。具体来说，遮挡管32的内壁上设置有涡旋结构322，当清洗液通过遮挡管32时，涡旋结构322在受到清洗液流动作用力从而带动遮挡管32自旋转，以使得遮挡管32的开口部321依次导通第一出液部311及第二出液部312，从而实现清洗液在清洗槽1内呈周期性流动。采用上述设计，由于在遮挡管32内设置有涡旋结构322，使得本申请实施例无需采用驱动装置即可以实现遮挡管32旋转，从而大幅降低了应用及维护成本。
需要说明的是，本申请实施例并不限定遮挡管32内必须包括涡旋结构322，在一些其它实施例中遮挡管32也可以采用电机来驱动旋转。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图5及图6所示，涡旋结构322为形成于遮挡管32内壁上的凸块，凸块沿遮挡管呈螺旋状。
如图5及图6所示，由于遮挡管32具体可以采用工程塑料，因此涡旋结构322具体可以是一体形成于遮挡管32内壁上的凸块，以使得本申请实施例结构简单，从而大幅降低加工及制造成本。凸块沿遮挡管32的周向呈右螺旋状，并且沿遮挡管32的轴向延伸设置，当清洗液的流动方向为图5中黑色箭头所示方向时，凸块沿遮挡管32的周向呈右螺旋状能使得遮挡管32整体沿顺时针方向旋转。但是本申请实施例并不限定涡旋结构322具体的螺旋方向以及清洗液的流动方向，例如涡旋结构322还可以是沿遮挡管32的周向呈左旋转状，以使遮挡管32整体沿逆时针方向旋转，同样能达到上述技术效果。
在实际应用过程中，涡旋结构322与遮挡管32为一体成型，通过清洗液流动以推动遮挡管32，以使得遮挡管32在注液管31内进行周期性旋转。通过调整清洗液的流速可以改变遮挡管32旋转的周期，即通过遮挡管32内的清洗液流速差异形成对涡旋结构322能量传导速率的差异，导致遮挡管32的转速发生改变。进一步的，由于清洗槽1内的清洗液在注液组件3的作用下形成周期可变及流场可变的流体，这样的交变流场减少了在工艺过程中存在肓区的范围和存在时间，尤其在具有疏水特性的待清洗件的条件下，待清洗件100的ζ电位为负，从而不易于吸附中性介质中的颗粒(二氧化硅(SiO2)及氮化硅(SiN)在中性介质中ζ电位为正)等污染物，进而大幅提高应用本申请实施例的待清洗件100的清洗效率及良率。
于本申请的一实施例中，如图5及图6所示，涡旋结构322的螺矩长度与遮挡管32的长度具有一预设比值，预设比值为1:10或者1:20。具体来说，涡旋结构322的螺矩可以与遮挡管32的长度对应设置，并且两者之间具有一预设比值，该预设比值具体可以设置为1:10或者1:20，以使得本申请实施例的设计灵活易用，从而大幅提高适用性及适用范围。但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据遮挡管32的长度尺寸以及清洗槽1的具体类型对应设置。
于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，第一出液部311包括沿注液管31轴线设置的多个第一出液口，第二出液部312包括沿注液管31轴线设置的多个第二出液口，且第一出液口的出液方向以及第二出液口的出液方向均与清洗槽1的轴向呈角度。
如图1及图2所示，第一出液部311包括沿注液管31轴线设置的多个第一出液口，多个第一出液口具体为贯穿于注液管31周壁上的通孔，并且沿注液管31的轴线均匀排布，第一出液口的形状可以设置为圆形、矩形或条形等形状，但是本申请实施例并不以此为限。第二出液部312包括沿注液管31轴线设置的多个第二出液口，多个第二出液口具体为贯穿于注液管31周壁上的通孔，并且沿注液管31的轴线均匀排布，第二出液口的形状可以设置为圆形、矩形或条形等形状，但是本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，使得本申请实施例结构简单，从而大幅降低加工及制造成本，并且还能大幅降低故障率从而延长使用寿命。第一出液口及第二出液口的出液方向分别朝向清洗槽1的左右两侧壁设置，即第一出液口与第二出液口的出液方向均与清洗槽1的轴向呈角度，但是本申请实施例并不限定该角度的具体数值。采用上述设置可以进一步提高清洗槽1内清洗液的流动均匀性，以进一步减少待清洗件100在清洗过程中产生肓区，从而进一步提高待清洗件100的清洗效果及良率。但是本申请实施例并不以此为限，第一出液口及第二出液口的出液方向还可以根据需求进行设置，因此本申请实施例对于两个出液口的出液方向并不进行限定。
于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，半导体清洗设备还包括设置在清洗槽1内的匀流板12，匀流板12将清洗槽1分隔为自上至下设置的清洗腔13及注液腔14，注液组件3设置于注液腔14内。
如图1及图2所示，清洗槽1具体可以采用金属材料或工程塑料制成的立方体结构。匀流板12具体可以为金属材料或工程塑料制成的板状结构，并且匀流板12开设有多个均匀设置的匀流孔。匀流板12具体设置于清洗槽1靠近底部的位置，以将清洗槽1的内部空间分割为清洗腔13及注液腔14，承载座2可以设置于清洗腔13内，并且可以放置于匀流板12上，但是本申请实施例并不以此为限。注液组件3可以设置于注液腔14内，注液组件3持续向注液腔14内注入清洗液，并且匀流板12可以对清洗液进行匀流，从而进一步提高清洗液的流动均匀性，从而进一步提高待清洗件100的清洗效果。需要说明的是，本申请实施例并不限定清洗槽1及匀流板12的具体结构，本领域技术人员可以实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，注液管31由耐磨损材质制备。具体来说，注液管31具体采用工程塑料制成的管状结构，例如采用聚四氟乙烯(Poly tetrafluoroethylene，PTFE)或乙烯三氟氯乙烯共聚物(Ethylene-chlorotrifluoroethylenecopolymer，ETCFE)等材质制成，但是本申请实施例并不以此为限。于本申请的一具体实施例中，承载座2上可以承载有多个待清洗件100，并且多个待清洗件100可以沿清洗槽1的长度方向排布于承载座2上，而两个注液管31则可以沿清洗槽1的宽度方向并列排布，第一出液部311或者第二出液部312的多个出液口沿清洗槽1的长度方向排布，由此可以实现多个出液口可以分别对应多个待清洗件100进行清洗，从而进一步提高清洗槽1内清洗液的流动均匀性，进而进一步提高待清洗件100的清洗效果及良率。但是本申请实施例并不限定注液管31的具体数量，本领域技术人员可以根据清洗槽1及待清洗件100的规格自行调整设置。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
本申请实施例通过在清洗槽的底部设置有注液组件，使得清洗槽可以采用溢流方式对待清洗件进行清洗，从而避免待清洗件表面形成水痕，尤其适用于具有疏水特性的待清洗件表面。进一步的，注液管的周向上具有并列设置的第一出液部及第二出液部，通过遮挡管来选择性切换清洗液由第一出液部或第二出液部导出，以使得清洗槽内的清洗液呈周期性流动，从而避免在清洗过程中造成待清洗件的清洗肓区，从而大幅提高待清洗件的清洗效果及良率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种半导体清洗设备，用于对待清洗件进行清洗，其特征在于，包括：清洗槽和注液组件，其中，
所述清洗槽用于容纳清洗液以对所述待清洗件进行清洗；
所述注液组件包括设置于所述清洗槽底部的至少一个注液管，所述注液管与所述清洗液的供给源连接，所述注液管上均设置有沿所述注液管周向间隔设置的第一出液部及第二出液部，所述第一出液部与所述第二出液部在所述注液管的径向截面上的投影与所述注液管的径向截面的圆心的连线呈第一预设夹角；
所述注液管内还设置有与所述注液管同轴设置的遮挡管，所述遮挡管用于控制所述清洗液选择性由所述第一出液部或所述第二出液部导出至所述清洗槽。
2.如权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述遮挡管上设置有开口部，所述遮挡管可旋转的嵌套于所述注液管内，所述遮挡管用于通过自旋转以将所述开口部与所述第一出液部或所述第二出液部重合。
3.如权利要求2所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述开口部为沿所述遮挡管轴向设置的开口，构成所述开口部的两侧边在所述遮挡管的径向截面上的两端点与所述遮挡管的径向截面所在圆的圆心的连线呈第二预设夹角，所述第二预设夹角小于第一预设夹角。
4.如权利要求3所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述第一预设夹角的角度大于125度且小于180度，所述第二预设夹角的角度为10度以上。
5.如权利要求2所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述遮挡管的内壁上设置有涡旋结构，所述涡旋结构用于使所述清洗液流经所述遮挡管时，使得遮挡管在清洗液作用下自旋转。
6.如权利要求5所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述涡旋结构为形成于所述遮挡管内壁上的凸块，所述凸块沿所述遮挡管呈螺旋状。
7.如权利要求6所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述涡旋结构的螺矩长度与所述遮挡管的长度具有一预设比值，所述预设比值为1:10或者1:20。
8.如权利要求1至7的任一所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述第一出液部包括沿所述注液管轴线设置的多个第一出液口，所述第二出液部包括沿所述注液管轴线设置的多个第二出液口，且所述第一出液口的出液方向以及所述第二出液口的出液方向均与所述清洗槽的轴向呈角度。
9.如权利要求1至7的任一所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述半导体清洗设备还包括设置在所述清洗槽内的匀流板，所述匀流板将所述清洗槽分隔为自上至下设置的清洗腔及注液腔，所述注液组件设置于所述注液腔内。
10.如权利要求1至7的任一所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述注液管由耐磨损材质制备。
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