CN112707631B - 一种THz玻璃绝缘子的烧制组件及烧制方法 - Google Patents

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Abstract

一种THz玻璃绝缘子的烧制组件，包括上定位工装和下定位工装、玻璃绝缘子，上定位工装的下侧设有第一孔、第二孔、第三孔，第一孔直径0.127mm，第二孔直径0.7mm，第三孔直径1.1mm，下定位工装的上侧设有第四孔、第五孔、第六孔，第四孔直径等于第三孔，第五孔直径等于第二孔，第六孔直径等于第一孔，所有孔均共轴线且轴向均为竖直向。烧制方法步骤如下：室温加热40min到T1，保温5～6min，再加热20min到T2，保温9～10min，再加热20min到T3，保温5min，降温至T4，保温5～6min，降温至T5，保温9～10min，最后冷却至室温取出即可。本工装结构简单，烧结后产品合格率高。

Description

一种THz玻璃绝缘子的烧制组件及烧制方法
技术领域
本发明涉及一种THz玻璃绝缘子的烧制组件及烧制方法。
背景技术
射频玻璃绝缘子是气密封电子器件中常见的元件，承载器件内外的电信号，随着5G等技术的普及，需要的带宽更大，电信号的频率也随之提升，目前已有THz信号传输的需求。因为电信号的特性，随着截止频率的提高，所对应的绝缘子及连接器的体积越小。
现阶段玻璃绝缘子是通过一种通用的，在玻璃粉的工作温度下保温制成的，且烧结的定位工装没有适配THz玻璃绝缘子这种极微型产品，烧结后产品的合格率低。
发明内容
本发明所要解决的第一个技术问题是提供一种THz玻璃绝缘子的烧制组件其结构简单，可以适配THz玻璃绝缘子这种极微型产品。
本发明所要解决的第二个技术问题是提供上述一种THz玻璃绝缘子的烧制组件的烧制方法，该方法步骤简单，烧结后产品合格率高。
为解决上述第一个技术问题，本发明提供了一种THz玻璃绝缘子的烧制组件，包括上定位工装、下定位工装和THz玻璃绝缘子，上定位工装的下侧设有上下布置的第一孔、第二孔、第三孔，第一孔直径为0.127mm，第二孔直径为0.7mm，第三孔直径为1.1mm，下定位工装的上侧设有上下布置的第四孔、第五孔、第六孔，第四孔直径与第三孔相同，第五孔直径与第二孔相同，第六孔直径与第一孔相同，第一孔、第二孔、第三孔、第四孔、第五孔、第六孔共轴线且轴向均为竖直向，所述的玻璃绝缘子包括内导体、外导体、玻璃坯，内导体、外导体内外布置，玻璃坯设于内导体与外导体之间，其中内导体的直径与第一孔、第六孔相匹配，玻璃坯的外径与第二孔、第五孔相匹配，外导体的外径与第三孔、第四孔相匹配，上定位工装、下定位工装配合状态下，玻璃坯的轴向长度小于第二孔上侧与第五孔下侧之间的轴向距离。
为简单说明问题起见，以下对本发明所述的一种THz玻璃绝缘子的烧制组件均简称为本组件。
本组件的优点：烧结定位工装内增加多段变径结构，即第二孔和第五孔，让开玻璃坯，抵消因玻璃坯熔融状态下的表面张力造成的外壳浮动，提高玻璃绝缘子上下面玻璃的一致性，保证了物理尺寸，同时提高了绝缘子的电性能。本工装结构简单，可以适配THz玻璃绝缘子这种极微型产品。
为解决上述第二个技术问题，本发明提供了一种THz玻璃绝缘子的烧制组件的烧制方法，包括以下步骤：
(1)将玻璃坯设于内导体与外导体之间，装入下定位工装中，然后盖上上定位工装，使得内导体下部位于第六孔内，外导体下部位于第四孔内，内导体上部位于第一孔内、外导体上部位于第三孔内；
(2)开始烧制，先从室温加热40min升温到T1，保温5～6min，T1为410～430℃；
(3)再加热20min从T1升温到T2，保温9～10min，T2为620～640℃；
(4)再加热20min从T2升温到T3，保温5min，T3为970℃；
(5)自然降温至T4，保温5～6min，T4为740℃；
(6)自然降温至T5，保温9～10min，T5为330～350℃，最后冷却至室温取出即可。
为简单说明问题起见，以下对本发明所述的一种THz玻璃绝缘子的烧制组件的烧制方法均简称为本方法。
本方法的优点：相比于现有技术通过增加T1、T2、T5来降低玻璃的内应力，提高玻璃表面的平整性，减少玻璃沿内导体的爬高，提高绝缘子的电性能。本方法步骤简单，烧结后产品合格率高。
附图说明
图1是本工装的结构示意图。
图2是本工装使用状态示意图。
图3是本方法的烧制曲线图。
具体实施方式
实施例一：
参见图1、图2，一种THz玻璃绝缘子的烧制组件，包括上定位工装1和下定位工装2和THz玻璃绝缘子，上定位工装1的下侧设有上下布置的第一孔11、第二孔12、第三孔13，第一孔11直径为0.127mm，第二孔12直径为0.7mm，第三孔13直径为1.1mm，下定位工装2的上侧设有上下布置的第四孔21、第五孔22、第六孔23，第四孔21直径与第三孔13相同，第五孔22直径与第二孔12相同，第六孔23直径与第一孔11相同，第一孔11、第二孔12、第三孔13、第四孔21、第五孔22、第六孔23共轴线且轴向均为竖直向，其中内导体3的直径与第一孔11、第六孔23相匹配，玻璃坯5的外径与第二孔12、第五孔22相匹配，外导体4的外径与第三孔13、第四孔21相匹配，上定位工装1、下定位工装2配合状态下，玻璃坯5的轴向长度小于第二孔12上侧与第五孔22下侧之间的轴向距离。
实施例二：
参见图1～图3，一种THz玻璃绝缘子的烧制组件的烧制方法，包括以下步骤：
(1)将玻璃坯5设于内导体3与外导体4之间，装入下定位工装2中，然后盖上上定位工装1，使得内导体3下部位于第六孔23内，外导体4下部位于第四孔21内，内导体3上部位于第一孔11内、外导体4上部位于第三孔13内；
(2)开始烧制，先从室温加热40min升温到T1，保温5min，T1为410℃；
(3)再加热20min从T1升温到T2，保温9min，T2为620℃；
(4)再加热20min从T2升温到T3，保温5min，T3为970℃；
(5)自然降温至T4，保温5min，T4为740℃；
(6)自然降温至T5，保温9min，T5为330℃，最后冷却至室温取出即可。
实施例三：
参见图1～图3，一种THz玻璃绝缘子的烧制组件的烧制方法，包括以下步骤：
(1)将玻璃坯5设于内导体3与外导体4之间，装入下定位工装2中，然后盖上上定位工装1，使得内导体3下部位于第六孔23内，外导体4下部位于第四孔21内，内导体3上部位于第一孔11内、外导体4上部位于第三孔13内；
(2)开始烧制，先从室温加热40min升温到T1，保温5.5min，T1为420℃；
(3)再加热20min从T1升温到T2，保温9.5min，T2为630℃；
(4)再加热20min从T2升温到T3，保温5min，T3为970℃；
(5)自然降温至T4，保温5.5min，T4为740℃；
(6)自然降温至T5，保温9.5min，T5为340℃，最后冷却至室温取出即可。
实施例四：
参见图1～图3，一种THz玻璃绝缘子的烧制组件的烧制方法，包括以下步骤：
(1)将玻璃坯5设于内导体3与外导体4之间，装入下定位工装2中，然后盖上上定位工装1，使得内导体3下部位于第六孔23内，外导体4下部位于第四孔21内，内导体3上部位于第一孔11内、外导体4上部位于第三孔13内；
(2)开始烧制，先从室温加热40min升温到T1，保温6min，T1为430℃；
(3)再加热20min从T1升温到T2，保温10min，T2为640℃；
(4)再加热20min从T2升温到T3，保温5min，T3为970℃；
(5)自然降温至T4，保温6min，T4为740℃；
(6)自然降温至T5，保温10min，T5为350℃，最后冷却至室温取出即可。

Claims (2)

1.一种THz玻璃绝缘子的烧制组件，其特征在于：包括上定位工装、下定位工装和THz玻璃绝缘子，上定位工装的下侧设有上下布置的第一孔、第二孔、第三孔，第一孔直径为0.127mm，第二孔直径为0.7mm，第三孔直径为1.1mm，下定位工装的上侧设有上下布置的第四孔、第五孔、第六孔，第四孔直径与第三孔相同，第五孔直径与第二孔相同，第六孔直径与第一孔相同，第一孔、第二孔、第三孔、第四孔、第五孔、第六孔共轴线且轴向均为竖直向，所述的玻璃绝缘子包括内导体、外导体、玻璃坯，内导体、外导体内外布置，玻璃坯设于内导体与外导体之间，其中内导体的直径与第一孔、第六孔相匹配，玻璃坯的外径与第二孔、第五孔相匹配，外导体的外径与第三孔、第四孔相匹配，上定位工装、下定位工装配合状态下，玻璃坯的轴向长度小于第二孔上侧与第五孔下侧之间的轴向距离。
2.根据权利要求1所述的一种THz玻璃绝缘子的烧制组件的烧制方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将玻璃坯设于内导体与外导体之间，装入下定位工装中，然后盖上上定位工装，使得内导体下部位于第六孔内，外导体下部位于第四孔内，内导体上部位于第一孔内、外导体上部位于第三孔内；
(2)开始烧制，先从室温加热40min升温到T1，保温5～6min，T1为410～430℃；
(3)再加热20min从T1升温到T2，保温9～10min，T2为620～640℃；
(4)再加热20min从T2升温到T3，保温5min，T3为970℃；
(5)自然降温至T4，保温5～6min，T4为740℃；
(6)自然降温至T5，保温9～10min，T5为330～350℃，最后冷却至室温取出即可。
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