CN112701053B - 一种mosfet器件的制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种MOSFET器件的制作工艺，包括步骤一，在引脚侧壁加工插槽；步骤二，将引脚和晶体管芯片的输出端进行焊接；步骤三，将焊接有引脚的晶体管芯片嵌入外壳内并固定；步骤四，将加强筋插接部位插接入引脚的插槽内；步骤五，使用焊接装置使加强筋和引脚焊接固定。本发明的目的在于提供一种减小晶体管损坏的概率的MOSFET器件。

Description

一种MOSFET器件的制作工艺

技术领域

本发明涉及晶体管技术领域，特别涉及一种MOSFET器件的制作工艺。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等；

目前晶体管在使用时，需要对晶体管的引脚晶体管的引脚进行弯折，方便将引脚插进PCB板的，但是弯折的引脚时容易将晶体管外壳挤压变形，造成晶体管损坏。

发明内容

本发明提供一种MOSFET器件的制作工艺，以解决上述问题。

本发明提供一种MOSFET器件的制作工艺，方法如下：

步骤一，在引脚侧壁加工插槽；

步骤二，放置晶体管芯片，将引脚和晶体管焊接；

步骤三，将焊接有引脚的晶体管芯片嵌入外壳内并固定；

步骤四，将加强筋插接部位插接入引脚的插槽内；

步骤五，使用焊接机构使加强筋一端和引脚在靠近外壳的位置焊接固定，加强筋另一端与外壳抵接。

优选的，包括底座所述底座转动连接有旋转架，所述旋转架环绕所述旋转架轴线设有多个用于固定晶体管的多个固定槽，所述底座靠近和远离所述固定槽滑动连接有焊接机构。

优选的，所述旋转架同轴安装有第一转盘，所述第一转盘沿所述第一转盘径向设有多个凹槽，所述凹槽连通所述第一转盘边缘，多个所述凹槽数量与所述固定槽相等，所述底座铰接有第一连杆，所述第一连杆远离所述第一连杆铰接处一端设有第一滑柱，所述第一滑柱侧壁与所述凹槽侧壁抵接配合，所述底座安装有折杆，所述折杆两端之间铰接于所述底座，所述第一连杆固定连接有顶轮，所述顶轮侧壁包括第一接触面和第二接触面，所述第一接触面到所述顶轮转轴的距离大于所述第二接触面到所述顶轮转轴的距离，所述顶轮与所述第一连杆转轴同轴，所述折杆靠近所述顶轮设有顶柱，所述顶柱侧壁与所述顶轮抵接，所述折杆另一端设有第二滑柱，所述第二滑柱侧壁与所述凹槽抵接配合，所述底座与所述折杆靠近所述第二滑柱一侧之间连接有用于分离所述第二滑柱与所述凹槽的第一弹性件；当所述第一滑柱侧壁与所述凹槽侧壁抵接时，所述第二接触面与所述顶柱侧壁抵接，所述第二滑柱与所述凹槽分离；当所述第一滑柱侧壁与所述凹槽侧壁分离时，所述第一接触面与所述顶柱侧壁抵接，所述第二滑柱与所述凹槽抵接，还包括用于驱动所述第一连杆转动的驱动件；

优选的，所述底座滑动连接有多个靠近和远离所述焊接机构的滑块，所述滑块靠近所述焊接机构一端与所述焊接机构抵接配合，所述滑块远离所述焊接机构一端为第一斜面，所述底座转动连接有转环，所述转环内壁设有抵接所述第一斜面的第二斜面，所述滑块与所述底座之间连接有第二弹性件，当所述第二弹性件自然状态下，所述滑块远离所述焊接机构，当所述第二弹性件受力形变时，所述滑块与所述焊接机构抵接，还包括驱动所述转环转动的驱动组件；

优选的，所述驱动组件包括同轴固定连接与所述转环的第一圆柱齿轮，所述底座转动连接有与所述第一圆柱齿轮啮合的第二圆柱齿轮，所述第二圆柱齿轮同轴固定连接有第一锥齿轮，所述底座转动连接有与所述第一锥齿轮啮合的第二锥齿轮，所述第二锥齿轮同轴固定连接两个第三圆柱齿轮，所述底座第一连杆同轴固定连接有第二转盘，所述第二转盘绕所述第二转盘转轴设有部分齿盘，所述部分齿盘与两个所述第三圆柱齿轮分别啮合配合，所述部分齿盘与两个所述第三圆柱齿轮中一个啮合时，所述部分齿盘与两个所述第三圆柱齿轮中另一个分离；当所述第一滑柱侧壁与所述凹槽侧壁抵接时，所述滑块与所述焊接机构侧壁抵接，当所述第一滑柱侧壁与所述凹槽侧壁分离时，所述滑块与所述焊接机构侧壁分离；

优选的，所述旋转架沿所述旋转架轴向滑动连接于所述第一转盘，所述旋转架靠近所述第一转盘一侧设有花键套，所述第一转盘靠近所述旋转架一侧设有花键轴，所述旋转架轴心位置设有气缸，所述气缸一端的缸体安装于所述第一转盘，所述气缸活塞杆端部与所述旋转架抵接配合，当所述气缸伸长时，所述花键轴与所述花键套配合，当所述气缸收缩时，所述花键轴与所述花键套分离，所述旋转架靠近所述第一转盘一侧绕所述旋转架转轴均匀设置有多个抵接柱，所述抵接柱数量与所述凹槽数量相等，所述抵接柱靠近所述第一转盘一端滚动安装有滚珠，所述滚珠直径大于所述凹槽宽度，所述滚珠表面与所述凹槽两边侧壁边缘抵接配合，折杆固定连接有摆杆，所述摆杆铰接有棘爪，所述底座转动连接有与所述棘爪配合的棘轮，所述底座与所述棘爪之间连接有第三弹性件，所述第三弹性件受力方向由所述棘爪指向所述棘轮，所述底座安装有控制所述气缸伸缩的电磁阀，所述电磁阀电连接有开关，所述棘轮靠近所述棘轮边缘设有启闭所述开关的触发块，所述触发块可绕所述棘轮转轴转动和固定；

优选的，所述第一弹性件、所述第二弹性件以及所述第三弹性件为弹簧。

优选的，所述焊接机构为自动锡焊；

一种MOSFET器件，用于所述的一种MOSFET器件的制作工艺，包括：晶体管芯片，所述晶体管芯片焊接有多个引脚，所述晶体管芯片外侧固定安装有壳体，所述引脚露出所述外壳，所述引脚设有插槽，所述插槽内插接有加强筋，所述加强筋和所述插槽焊接，所述加强筋和所述外壳抵接；

本发明的有益效果如下：在引脚侧壁加工插槽；放置晶体管芯片，将引脚和晶体管焊接；将外壳固定于焊接有引脚的晶体管芯片；将加强筋和插接入引脚的插槽内；使用焊接机构使加强筋和引脚焊接固定；

通过加强筋和插槽插接配合对加强筋进行定位，再将加强筋和一脚焊接，在折弯引脚时，由于加强筋的作用折弯位置远离外壳，因此弯折的引脚时不易将晶体管外壳挤压变形，减小晶体管损坏的概率。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明实施例中MOSFET器件的主视图；

图2为本发明实施例中MOSFET器件的俯视图；

图3为本发明实施例中焊接装置的主视图；

图4为本发明实施例中焊接装置的结构视图；

图5为本发明实施例中焊接装置的局部视图；

图6为本发明实施例中驱动组件的结构视图；

图7为本发明实施例中驱动组件的局部视图。

其中，1、引脚；2、晶体管芯片；3、外壳；4、加强筋；5、底座；6、旋转架；8、焊接机构；10、凹槽；11、连杆；12、第一滑柱；13、顶轮；14、第一接触面；15、第二接触面；16、折杆；17、顶柱；18、第一弹性件；19、滑块；20、转环；21、第二弹性件；22、第一圆柱齿轮；23、第二圆柱齿轮；24、第一锥齿轮；25、第二锥齿轮；26、第二滑柱；27、第二转盘；28、部分齿盘；29、第三圆柱齿轮；30、第一转盘；31、花键轴；32、花键套；33、气缸；34、抵接柱；35、滚珠；36、摆杆；37、棘爪；38、棘轮；39、第三弹性件；40、触发块；41、开关；42、电磁阀。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

根据图1-7所示，本发明实施例提供了一种MOSFET器件的制作工艺，方法如下：

步骤一，在引脚1侧壁加工插槽；

步骤二，放置晶体管芯片2，将引脚1和晶体管焊接；

步骤三，将焊接有引脚1的晶体管芯片2嵌入外壳3内并固定；

步骤四，将加强筋4插接部位插接入引脚1的插槽内；

步骤五，使用焊接机构8使加强筋4一端和引脚1在靠近外壳3的位置焊接固定，加强筋4另一端与外壳3抵接；

上述技术方案的工作原理为：在引脚1侧壁加工插槽；放置晶体管芯片2，将引脚1和晶体管焊接；将焊接有引脚1的晶体管芯片2嵌入外壳3内并固定；将加强筋4插接部位插接入引脚1的插槽内；使用焊接机构8使加强筋4和引脚1焊接固定；

上述技术方案的有益效果为：通过加强筋4和插槽插接配合对加强筋4进行定位，再将加强筋4和一脚焊接，在折弯引脚1时，由于加强筋4的作用折弯位置远离外壳3，因此弯折的引脚1时不易将晶体管外壳3挤压变形，减小晶体管损坏的概率。

在一个实施例中，所述焊接装置包括底座5所述底座5转动连接有旋转架6，所述旋转架6环绕所述旋转架6轴线设有多个用于固定晶体管的多个固定槽，所述底座5靠近和远离所述固定槽滑动连接有焊接机构8；

上述技术方案的工作原理为：当需要将加强筋4焊接在引脚1上时，将插接有加强筋4的引脚1和晶体管放置于固定槽内，转动旋转架6，旋转架6带动晶体管，当晶体管运动到焊接机构8的下方时，焊接机构8向下运动将加强筋4和引脚1焊接在一起；

上述技术方案的有益效果为：实现了引脚1和加强筋4之间的快速焊接，焊接效率高焊接效果好。

在一个实施例中，所述旋转架6同轴安装有第一转盘30，所述第一转盘30沿所述第一转盘30径向设有多个凹槽10，所述凹槽10连通所述第一转盘30边缘，多个所述凹槽10数量与所述固定槽相等，所述底座5铰接有第一连杆11，所述第一连杆11远离所述第一连杆11铰接处一端设有第一滑柱12，所述第一滑柱12侧壁与所述凹槽10侧壁抵接配合，所述底座5安装有折杆16，所述折杆16两端之间铰接于所述底座5，所述第一连杆11固定连接有顶轮13，所述顶轮13侧壁包括第一接触面14和第二接触面15，所述第一接触面14到所述顶轮13转轴的距离大于所述第二接触面15到所述顶轮13转轴的距离，所述顶轮13与所述第一连杆11转轴同轴，所述折杆16靠近所述顶轮13设有顶柱17，所述顶柱17侧壁与所述顶轮13抵接，所述折杆16另一端设有第二滑柱26，所述第二滑柱26侧壁与所述凹槽10抵接配合，所述底座5与所述折杆16靠近所述第二滑柱26一侧之间连接有用于分离所述第二滑柱26与所述凹槽10的第一弹性件18；当所述第一滑柱12侧壁与所述凹槽10侧壁抵接时，所述第二接触面15与所述顶柱17侧壁抵接，所述第二滑柱26与所述凹槽10分离；当所述第一滑柱12侧壁与所述凹槽10侧壁分离时，所述第一接触面14与所述顶柱17侧壁抵接，所述第二滑柱26与所述凹槽10抵接，还包括用于驱动所述第一连杆11转动的驱动件；

上述技术方案的工作原理为：驱动件驱动第一连杆11和顶轮13第一连杆11的铰接处转动，第一连杆11带着第一滑柱12转动，第一滑柱12旋转到第一转盘30的凹槽10内，同时顶轮13的第二接触面15与折杆16端部的顶柱17抵接，所述折杆16以折杆16的铰接处为支点形成杠杆，端部的第二滑柱26远离第一转盘30，第一滑柱12的侧壁抵接凹槽10的侧壁并驱动第一转盘30转动，第一转盘30带动旋转架6同时转动，旋转架6带动晶体管转动；当第一滑柱12从凹槽10内滑出后，同时顶轮13的第一接触面14与折杆16端部的顶柱17抵接，所述折杆16以折杆16的铰接处为支点形成杠杆，折杆16端部的第二滑柱26开进第一转盘30，第二滑柱26的侧壁抵接凹槽10的侧壁并阻止第一转盘30在惯性的作用下继续转动，第一转盘30和第一转盘30上的晶体管停止转动；在驱动件的作用下第一转盘30启停运动，可以根据需要将晶体管旋转到合适的位置；

上述技术方案的有益效果为：实现了焊接引脚1和加强筋4之间的自动焊接，焊接位置定位准确，焊接效果好。

在一个实施例中，所述底座5滑动连接有多个靠近和远离所述焊接机构8的滑块19，所述滑块19靠近所述焊接机构8一端与所述焊接机构8抵接配合，所述滑块19远离所述焊接机构8一端为第一斜面，所述底座5转动连接有转环20，所述转环20内壁设有抵接所述第一斜面的第二斜面，所述滑块19与所述底座5之间连接有第二弹性件21，当所述第二弹性件21自然状态下，所述滑块19远离所述焊接机构8，当所述第二弹性件21受力形变时，所述滑块19与所述焊接机构8抵接，还包括驱动所述转环20转动的驱动组件；

上述技术方案的工作原理为：当旋转架6转动时，驱动组件驱动转环20转动，转环20的第一斜面抵触第二斜面使第二弹性件21受力驱动多个滑块19向焊接机构8运动，多个滑块19将焊接机构8加紧，阻止焊接机构8上下滑动；当旋转架6停止转动时，驱动组件驱动转环20向另一侧转动，弹簧的弹力驱使滑块19远离焊接机构8运动，多个滑块19将焊接机构8放松；

上述技术方案的有益效果为：可以防止旋转架6在转动时焊接机构8向下运动，从而避免杯体与焊接机构8碰撞将焊接机构8损坏。

在一个实施例中，所述驱动组件包括同轴固定连接与所述转环20的第一圆柱齿轮22，所述底座5转动连接有与所述第一圆柱齿轮22啮合的第二圆柱齿轮23，所述第二圆柱齿轮23同轴固定连接有第一锥齿轮24，所述底座5转动连接有与所述第一锥齿轮24啮合的第二锥齿轮25，所述第二锥齿轮25同轴固定连接两个第三圆柱齿轮29，所述底座5第一连杆11同轴固定连接有第二转盘27，所述第二转盘27绕所述第二转盘27转轴设有部分齿盘28，所述部分齿盘28与两个所述第三圆柱齿轮29分别啮合配合，所述部分齿盘28与两个所述第三圆柱齿轮29中一个啮合时，所述部分齿盘28与两个所述第三圆柱齿轮29中另一个分离；当所述第一滑柱12侧壁与所述凹槽10侧壁抵接时，所述滑块19与所述焊接机构8侧壁抵接，当所述第一滑柱12侧壁与所述凹槽10侧壁分离时，所述滑块19与所述焊接机构8侧壁分离；

上述技术方案的工作原理为：驱动件驱动第一连杆11和第二转盘27同轴转动，第二转盘27的部分齿盘28其中一个第三圆柱齿轮29啮合并驱动此第三圆柱齿轮29转动，第三圆柱齿轮29带动第二锥齿轮25正向转动，第二锥齿轮25驱动第一锥齿轮24正向转动，第一锥齿轮24带动转环20正向转动加紧焊接机构8；第二转盘27的部分齿盘28另一个第三圆柱齿轮29啮合并驱动此第三圆柱齿轮29转动，第三圆柱齿轮29带动第二锥齿轮25反向转动，第二锥齿轮25驱动第一锥齿轮24反向转动，第一锥齿轮24带动转环20反向转动松开焊接机构8；旋转架6的转动与滑块19之间形成联动，提高了焊接机构8的自动化程度；

上述技术方案的有益效果为：驱动件驱动第一连杆11和第二转盘27同轴转动，第二转盘27的部分齿盘28其中一个第三圆柱齿轮29啮合并驱动此第三圆柱齿轮29转动，第三圆柱齿轮29带动第二锥齿轮25正向转动，第二锥齿轮25驱动第一锥齿轮24正向转动，第一锥齿轮24带动转环20正向转动加紧焊接机构8；第二转盘27的部分齿盘28另一个第三圆柱齿轮29啮合并驱动此第三圆柱齿轮29转动，第三圆柱齿轮29带动第二锥齿轮25反向转动，第二锥齿轮25驱动第一锥齿轮24反向转动，第一锥齿轮24带动转环20反向转动松开焊接机构8；旋转架6的转动与滑块19之间形成联动，提高了焊接装置的自动化程度。

在一个实施例中，所述旋转架6沿所述旋转架6轴向滑动连接于所述第一转盘30，所述旋转架6靠近所述第一转盘30一侧设有花键套32，所述第一转盘30靠近所述旋转架6一侧设有花键轴31，所述旋转架6轴心位置设有气缸33，所述气缸33一端的缸体安装于所述第一转盘30，所述气缸33活塞杆端部与所述旋转架6抵接配合，当所述气缸33伸长时，所述花键轴31与所述花键套32配合，当所述气缸33收缩时，所述花键轴31与所述花键套32分离，所述旋转架6靠近所述第一转盘30一侧绕所述旋转架6转轴均匀设置有多个抵接柱34，所述抵接柱34数量与所述凹槽10数量相等，所述抵接柱34靠近所述第一转盘30一端滚动安装有滚珠35，所述滚珠35直径大于所述凹槽10宽度，所述滚珠35表面与所述凹槽10两边侧壁边缘抵接配合，折杆16固定连接有摆杆36，所述摆杆36铰接有棘爪37，所述底座5转动连接有与所述棘爪37配合的棘轮38，所述底座5与所述棘爪37之间连接有第三弹性件39，所述第三弹性件39受力方向由所述棘爪37指向所述棘轮38，所述底座5安装有控制所述气缸33伸缩的电磁阀42，所述电磁阀42电连接有开关41，所述棘轮38靠近所述棘轮38边缘设有启闭所述开关41的触发块40，所述触发块40可绕所述棘轮38转轴转动和固定；

上述技术方案的工作原理为：摆杆36跟随折杆16做摆动运动，摆杆36带动棘爪37摆动一次带动棘轮38转动一定角度，棘轮38带动触发块40转动，当触发块40运动到开关41位置，触发开关41闭合，将电信号传递到电磁阀42，电磁阀42控制气缸33收缩，花键轴31与花键轴31分离同时旋转架6靠近第一转盘30运动，滚珠35与第一转盘30抵接，此时第一转盘30转动滚珠35会周期性的滚入和凹槽10，从而驱使旋转架6上下震动，旋转架6带动杯体上下震动，使焊接不牢固的引脚1和加强筋4震动分离；

上述技术方案的有益效果为：对引脚1和加强筋4之间的焊接的可靠性进行检验，减少产品的不良率。

在一个实施例中，所述第一弹性件18、所述第二弹性件21以及所述第三弹性件39为弹簧；

上述技术方案的工作原理为：弹簧具有质量轻盈、方便安装以及价格便宜的优点；

上述技术方案的有益效果为：方便焊接装置的装配，降低晶体管的生产成本。

在一个实施例中，所述焊接机构8为自动锡焊；

上述技术方案的工作原理为：锡焊为常用的焊接机构8，具有焊接迅速，焊接效率高的优点；

上述技术方案的有益效果为：提高焊接装置的焊接效率，提高了晶体管的生产效率。

根据图1-7所示，本发明实施例提供了一种MOSFET器件，包括：晶体管芯片2，所述晶体管芯片2焊接有多个引脚1，所述晶体管芯片2外侧固定安装有壳体，所述引脚1露出所述外壳3，所述引脚1设有插槽，所述插槽内插接有加强筋4，所述加强筋4和所述插槽焊接，所述加强筋4和所述外壳3抵接；

上述技术方案的工作原理为：在引脚1侧壁加工插槽；放置晶体管芯片2，将引脚1和晶体管焊接；将外壳3固定于焊接有引脚1的晶体管芯片；将加强筋4和插接入引脚1的插槽内；使用焊接机构8使加强筋4和引脚1焊接固定；

上述技术方案的有益效果为：通过加强筋4和插槽插接配合对加强筋4进行定位，再将加强筋4和引脚1焊接，在折弯引脚1时，由于加强筋4的作用折弯位置远离外壳3，因此弯折的引脚1时不易将晶体管外壳3挤压变形，减小晶体管损坏的概率。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，方法如下：

步骤一，在引脚(1)侧壁加工插槽；

步骤二，将引脚(1)和晶体管芯片(2)的输出端进行焊接；

步骤三，将焊接有引脚(1)的晶体管芯片(2)嵌入外壳(3)内并固定；

步骤四，将加强筋(4)插接部位插接入引脚(1)的插槽内；

步骤五，使用焊接装置使加强筋(4)一端和引脚(1)在靠近外壳(3)的位置焊接固定，加强筋(4)另一端与外壳(3)抵接。

2.如权利要求1述的一种MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，所述焊接装置包括底座(5)，所述底座(5)转动连接有旋转架(6)，所述旋转架(6)环绕所述旋转架(6)轴线设有多个用于固定晶体管的多个固定槽，所述底座(5)靠近和远离所述固定槽滑动连接有焊接机构(8)。

3.如权利要求2所述的一种MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，所述旋转架(6)同轴安装有第一转盘(30)，所述第一转盘(30)沿所述第一转盘(30)径向设有多个凹槽(10)，所述凹槽(10)连通所述第一转盘(30)边缘，多个所述凹槽(10)数量与所述固定槽相等，所述底座(5)铰接有第一连杆(11)，所述第一连杆(11)远离所述第一连杆(11)铰接处一端设有第一滑柱(12)，所述第一滑柱(12)侧壁与所述凹槽(10)侧壁抵接配合，所述底座(5)安装有折杆(16)，所述折杆(16)两端之间铰接于所述底座(5)，所述第一连杆(11)固定连接有顶轮(13)，所述顶轮(13)侧壁包括第一接触面(14)和第二接触面(15)，所述第一接触面(14)到所述顶轮(13)转轴的距离大于所述第二接触面(15)到所述顶轮(13)转轴的距离，所述顶轮(13)与所述第一连杆(11)转轴同轴，所述折杆(16)靠近所述顶轮(13)设有顶柱(17)，所述顶柱(17)侧壁与所述顶轮(13)抵接，所述折杆(16)另一端设有第二滑柱(26)，所述第二滑柱(26)侧壁与所述凹槽(10)抵接配合，所述底座(5)与所述折杆(16)靠近所述第二滑柱(26)一侧之间连接有用于分离所述第二滑柱(26)与所述凹槽(10)的第一弹性件(18)；当所述第一滑柱(12)侧壁与所述凹槽(10)侧壁抵接时，所述第二接触面(15)与所述顶柱(17)侧壁抵接，所述第二滑柱(26)与所述凹槽(10)分离；当所述第一滑柱(12)侧壁与所述凹槽(10)侧壁分离时，所述第一接触面(14)与所述顶柱(17)侧壁抵接，所述第二滑柱(26)与所述凹槽(10)抵接，还包括用于驱动所述第一连杆(11)转动的驱动件。

4.如权利要求3所述的一种MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，所述底座(5)滑动连接有多个靠近和远离所述焊接机构(8)的滑块(19)，所述滑块(19)靠近所述焊接机构(8)一端与所述焊接机构(8)抵接配合，所述滑块(19)远离所述焊接机构(8)一端为第一斜面，所述底座(5)转动连接有转环(20)，所述转环(20)内壁设有抵接所述第一斜面的第二斜面，所述滑块(19)与所述底座(5)之间连接有第二弹性件(21)，当所述第二弹性件(21)自然状态下，所述滑块(19)远离所述焊接机构(8)，当所述第二弹性件(21)受力形变时，所述滑块(19)与所述焊接机构(8)抵接，还包括驱动所述转环(20)转动的驱动组件。

5.如权利要求4所述的一种MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，所述驱动组件包括同轴固定连接与所述转环(20)的第一圆柱齿轮(22)，所述底座(5)转动连接有与所述第一圆柱齿轮(22)啮合的第二圆柱齿轮(23)，所述第二圆柱齿轮(23)同轴固定连接有第一锥齿轮(24)，所述底座(5)转动连接有与所述第一锥齿轮(24)啮合的第二锥齿轮(25)，所述第二锥齿轮(25)同轴固定连接两个第三圆柱齿轮(29)，所述底座(5)第一连杆(11)同轴固定连接有第二转盘(27)，所述第二转盘(27)绕所述第二转盘(27)转轴设有部分齿盘(28)，所述部分齿盘(28)与两个所述第三圆柱齿轮(29)分别啮合配合，所述部分齿盘(28)与两个所述第三圆柱齿轮(29)中一个啮合时，所述部分齿盘(28)与两个所述第三圆柱齿轮(29)中另一个分离；当所述第一滑柱(12)侧壁与所述凹槽(10)侧壁抵接时，所述滑块(19)与所述焊接机构(8)侧壁抵接，当所述第一滑柱(12)侧壁与所述凹槽(10)侧壁分离时，所述滑块(19)与所述焊接机构(8)侧壁分离。

6.如权利要求5所述的一种MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，所述旋转架(6)沿所述旋转架(6)轴向滑动连接于所述第一转盘(30)，所述旋转架(6)靠近所述第一转盘(30)一侧设有花键套(32)，所述第一转盘(30)靠近所述旋转架(6)一侧设有花键轴(31)，所述旋转架(6)轴心位置设有气缸(33)，所述气缸(33)一端的缸体安装于所述第一转盘(30)，所述气缸(33)活塞杆端部与所述旋转架(6)抵接配合，当所述气缸(33)伸长时，所述花键轴(31)与所述花键套(32)配合，当所述气缸(33)收缩时，所述花键轴(31)与所述花键套(32)分离，所述旋转架(6)靠近所述第一转盘(30)一侧绕所述旋转架(6)转轴均匀设置有多个抵接柱(34)，所述抵接柱(34)数量与所述凹槽(10)数量相等，所述抵接柱(34)靠近所述第一转盘(30)一端滚动安装有滚珠(35)，所述滚珠(35)直径大于所述凹槽(10)宽度，所述滚珠(35)表面与所述凹槽(10)两边侧壁边缘抵接配合，折杆(16)固定连接有摆杆(36)，所述摆杆(36)铰接有棘爪(37)，所述底座(5)转动连接有与所述棘爪(37)配合的棘轮(38)，所述底座(5)与所述棘爪(37)之间连接有第三弹性件(39)，所述第三弹性件(39)受力方向由所述棘爪(37)指向所述棘轮(38)，所述底座(5)安装有控制所述气缸(33)伸缩的电磁阀(42)，所述电磁阀(42)电连接有开关(41)，所述棘轮(38)靠近所述棘轮(38)边缘设有启闭所述开关(41)的触发块(40)，所述触发块(40)可绕所述棘轮(38)转轴转动和固定。

7.如权利要求6所述的一种MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，所述第一弹性件(18)、所述第二弹性件(21)以及所述第三弹性件(39)为弹簧。

8.如权利要求7所述的一种MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，所述焊接机构(8)为自动锡焊。

9.一种MOSFET器件，用于权利要求1-8任一项所述的一种MOSFET器件的制作工艺，其特征在于，包括晶体管芯片(2)，所述晶体管芯片(2)焊接有多个引脚(1)，所述晶体管芯片(2)外侧固定安装有壳体，所述引脚(1)露出所述外壳(3)，所述引脚(1)设有插槽，所述插槽内插接有加强筋(4)，所述加强筋(4)和所述插槽焊接，所述加强筋(4)和所述外壳(3)抵接。

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