CN112699779A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置。显示装置包括第一基底、第二基底、显示介质、像素结构、读取晶体管、第一绝缘层、感光结构及彩色滤光图案。第二基底设置于第一基底的对向。显示介质设置于第一基底与第二基底之间。像素结构设置于显示介质与第一基底之间。读取晶体管具有半导体图案和控制端。感光结构设置于第二基底与显示介质之间，且电性连接至读取晶体管。第一绝缘层设置于读取晶体管的半导体图案与控制端之间。彩色滤光图案设置于第二基底与显示介质之间。第一绝缘层具有位于感光结构外的开口，而彩色滤光图案填入第一绝缘层的开口。此外，另一种显示装置也被提出。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
现今电子装置(例如：手机)搭配生物辨识技术，提升隐私与数据保护能力已为主流功能。常见的生物辨识技术有超声波指纹辨识感测、光学式指纹辨识感测、电容式指纹辨识感测与脸部辨识等，其中以光学式指纹感测技术易整合于显示面板的工艺中。感测元件层用以检测被指纹反射的光束，进而获得指纹图像。然而，当感测元件层整合于显示面板内时，用以显示画面的显示光束在传递至人眼前需穿过感测元件层，造成显示面板的白点坐标偏移。
发明内容
本发明的目的在于提供一种性能佳的显示装置。
本发明的另一目的在于提供另一种性能亦佳显示装置。
本发明一实施例的显示装置包括第一基底、第二基底、显示介质、像素结构、读取晶体管、第一绝缘层、感光结构及彩色滤光图案。第二基底设置于第一基底的对向。显示介质设置于第一基底与第二基底之间。像素结构设置于显示介质与第一基底之间。读取晶体管设置于第二基底与显示介质之间。读取晶体管具有半导体图案和控制端。第一绝缘层设置于读取晶体管的半导体图案与读取晶体管的控制端之间。感光结构设置于第二基底与显示介质之间，且电性连接至读取晶体管。彩色滤光图案设置于第二基底与显示介质之间。第一绝缘层具有位于感光结构外的开口，而彩色滤光图案填入第一绝缘层的开口。
本发明另一实施例的显示装置包括第一基底、第二基底、显示介质、像素结构、读取晶体管、第一绝缘层、感光结构及彩色滤光图案。第二基底设置于第一基底的对向。显示介质设置于第一基底与第二基底之间。像素结构设置于显示介质与第一基底之间。读取晶体管设置于第二基底与显示介质之间。读取晶体管具有半导体图案和控制端。第一绝缘层设置于读取晶体管的半导体图案与控制端之间。感光结构设置于第二基底与显示介质之间，且电性连接至读取晶体管。彩色滤光图案设置于第一基底与显示介质之间。第一绝缘层具有位于感光结构外的开口，而彩色滤光图案重叠于第一绝缘层的开口。
本发明的有益效果在于，由于感测元件层第一绝缘层具有开口，因此，来自于显示介质的显示光束在穿过感测基板时，可不通过第一绝缘层的实体部。由此，因显示光束穿过感测元件层而产生的白点坐标偏移问题可获得改善。
附图说明
图1为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
图2为本发明一实施例的显示装置的像素阵列基板的俯视透视示意图。
图3为本发明一实施例的显示装置的感测基板的俯视透视示意图。
图4为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
图5为本发明一实施例的显示装置的感测基板的剖面示意图。
图6为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
图7为本发明一实施例的显示装置的像素阵列基板的俯视透视示意图。
图8为本发明一实施例的显示装置的感测基板的俯视透视示意图。
图9为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
图10为本发明一实施例的显示装置的感测基板的剖面示意图。
附图标记如下：
10、10A:显示装置
100、100A:像素阵列基板
110:第一基底
121:像素电极
121a:狭缝
122:共用电极层
123:介电层
200、200A:感测基板
210:第二基底
211:挡光图案
212:缓冲层
212b、213b、214b、216b、221b:开口
212s、213s、214s、217s、218s、219s、221s:侧壁
213:第一绝缘层
214:第三绝缘层
214a、216a:接触窗
215:转接图案
216:第二绝缘层
217:第一电极
218:感光图案层
219:第二电极
220:第四绝缘层
221:遮光图案层
222:彩色滤光图案
223:保护层
300:显示介质
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’:剖线
AR:显示元件层
DL:数据线
PX:像素结构
PL:电源线
RL:读取线
ST1:第一叠构
ST2:第二叠构
SL1:第一扫描线
SL2:第二扫描线
SR:感测元件层
SU:感光结构
T1:有源元件
T1a、T2a:第一端
T1b、T2b:第二端
T1c、T2c:控制端
T1d、T2d:半导体图案
T2:读取晶体管
z:方向
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”可以是二元件间存在其它元件。
本文使用的“约”、“近似”或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量***的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
图1为本发明一实施例的显示装置10的剖面示意图。图2为本发明一实施例的显示装置10的像素阵列基板100的俯视透视示意图。图3为本发明一实施例的显示装置10的感测基板200的俯视透视示意图。图4为本发明一实施例的显示装置10的剖面示意图。图4对应图2的剖线A-A’及图3的剖线B-B’。图2省略图4的共用电极层122。图5为本发明一实施例的显示装置10的感测基板200的剖面示意图。图5对应图3的剖线C-C’。
请参照图1，显示装置10包括像素阵列基板100、感测基板200及显示介质300。显示介质300位于感测基板200与像素阵列基板100之间。感测基板200、显示介质300及像素阵列基板100沿方向z依序排列。举例而言，在本实施例中，显示介质300可以是液晶，但本发明不以此为限。
请参照图1及图4，像素阵列基板100包括第一基底110和设置于第一基底110上的第一叠构ST1，其中第一叠构ST1位于第一基底110与显示介质300之间。
请参照图2及图4，在本实施例中，像素阵列基板100的第一叠构ST1包括显示元件层AR。显示元件层AR包括多个像素结构PX、多条数据线DL和多条第一扫描线SL1。每一像素结构PX包括一有源元件T1以及电性连接至有源元件T1的一像素电极121，有源元件T1包括一像素晶体管，像素晶体管具有控制端T1c、半导体图案T1d、第一端T1a及第二端T1b，控制端T1c电性连接至对应的一第一扫描线SL1，半导体图案T1d的不同两区分别电性连接至第一端T1a及第二端T1b，第一端T1a电性连接至对应的一数据线DL，且第二端T1b电性连接至像素电极121。
在本实施例中，每一像素结构PX还包括一共用电极层122，共用电极层122与像素电极121之间的电位差用以驱动显示介质300，进而使显示装置10能显示画面。
举例而言，在本实施例中，共用电极层122与像素电极121可设置于同一基底上(例如：第一基底110上)，共用电极层122与像素电极121之间夹有一介电层123，共用电极层122与像素电极121的一个具有多个狭缝121a，且共用电极层122与像素电极121的另一个重叠于狭缝121a。
简言之，在本实施例中，显示装置10可以是整合有指纹辨识功能的边缘场切换(Fringe-Field Switching，FFS)模式的显示面板。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，显示装置10也可以是整合有指纹辨识功能的其它模式的显示面板。
在本实施例中，第一基底110的材质可以是玻璃、石英、有机聚合物或是不透光/反射材料(例如：晶片、陶瓷或其它可适用的材料)或是其它可适用的材料。
在本实施例中，基于导电性的考虑，有源元件T1的像素晶体管的控制端T1c、第一端T1a及第二端T1b、第一扫描线SL1和数据线DL是使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，有源元件T1的像素晶体管的控制端T1c、第一端T1a及第二端T1b、第一扫描线SL1及/或数据线DL也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。
在本实施例中，像素晶体管的半导体图案T1d例如是多晶硅。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，像素晶体管的半导体图案T1d也可以是非晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物或是其它合适的材料或上述的组合)或其它合适的材料或含有掺杂物(dopant)于上述材料中或上述的组合。
在本实施例中，像素电极121例如是透明导电层，其包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其它合适的氧化物或者是上述至少两者的堆叠层，但本发明不以此为限。
请参照图1、图3及图4，感测基板200包括第二基底210和设置于第二基底210上的第二叠构ST2。第二基底210设置于第一基底110的对向。显示介质300设置于第一基底110与第二基底210之间。第一叠构ST1位于第一基底110与显示介质300之间。第二叠构ST2位于第二基底210与显示介质300之间。
在本实施例中，第二基底210为透光基板，其材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其它可适用的材料。
请参照图3、图4及图5感测基板200的第二叠构ST2包括感测元件层SR。感测元件层SR包括多个读取晶体管T2、分别电性连接至多个读取晶体管T2的多个感光结构SU、多条电源线PL、多条读取线RL以及多条第二扫描线SL2。
多个读取晶体管T2设置于第二基底210与显示介质300之间。每一读取晶体管T2具有一控制端T2c、一半导体图案T2d、一第一端T2a及一第二端T2b，控制端T2c电性连接至对应的一第二扫描线SL2，半导体图案T2d的不同两区分别电性连接至第一端T2a及第二端T2b，第一端T2a电性连接至对应的一读取线RL，且第二端T2b电性连接至对应的一感光结构SU。
在本实施例中，基于导电性的考虑，读取晶体管T2的控制端T2c、第一端T2a及第二端T2b、第二扫描线SL2、读取线RL及电源线PL是使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，读取晶体管T2的控制端T2c、第一端T2a及第二端T2b、第二扫描线SL2、读取线RL及/或电源线PL也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。
在本实施例中，读取晶体管T2的半导体图案T2d例如是多晶硅。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，读取晶体管T2的半导体图案T2d也可以是非晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物或是其它合适的材料或上述的组合)或其它合适的材料或含有掺杂物(dopant)于上述材料中或上述的组合。
感测元件层SR还包括设置于读取晶体管T2的半导体图案T2d与控制端T2c之间的第一绝缘层213。第一绝缘层213又可称闸绝缘层。
在本实施例中，第一绝缘层213的材料可以是无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料或上述组合。
在本实施例中，感测元件层SR还可选择性地包括第三绝缘层214，设置于读取晶体管T2的控制端T2c与第一端T2a之间。第三绝缘层214还设置于读取晶体管T2的控制端T2c与第二端T2b之间。第三绝缘层214又可称层间绝缘层。
在本实施例中，第三绝缘层214的材料可以是无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料或上述组合。
在本实施例中，感测元件层SR还可选择性地包括挡光图案211及缓冲层212。挡光图案211设置于第二基底210上。缓冲层212设置于挡光图案211和第二基底210上，且挡光图案211位于第二基底210与缓冲层212之间。
在本实施例中，读取晶体管T2可设置于缓冲层212上，缓冲层212位于挡光图案211与读取晶体管T2之间，且挡光图案211遮蔽读取晶体管T2的半导体图案T2d。
在本实施例中，感测元件层SR还可选择性地包括第二绝缘层216，设置于读取晶体管T2与感光结构SU之间。第二绝缘层216又可称平坦层。
在本实施例中，第二绝缘层216的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料或上述组合。
每一感光结构SU包括一第一电极217、一第二电极219和设置于第一电极217及第二电极219之间的一感光图案层218。在本实施例中，第一电极217、感光图案层218和第二电极219可沿方向z依序排列于第二绝缘层216上。
在本实施例中，感光结构SU的第一电极217电性连接至电源线PL。举例而言，在本实施例中，电源线PL设置于第一绝缘层213上，电源线PL位于第一绝缘层213与第三绝缘层214之间，感测元件层SR还可包括转接图案215，转接图案215设置于第三绝缘层214且通过第三绝缘层214的接触窗214a电性连接至电源线PL，第二绝缘层216设置于转接图案215及第三绝缘层214上，转接图案215位于第三绝缘层214与第二绝缘层216之间，感光结构SU的第一电极217设置于第二绝缘层216上且通过第二绝缘层216的接触窗216a电性连接至转接图案215。
在本实施例中，感光结构SU的第一电极217为透光电极，其材质例如是铟锡氧化物；感光结构SU的感光图案层218的材质例如是富硅氧化物(Silicon-rich oxide；SRO)；感光结构SU的第二电极219为反射电极，其材质例如是金属；但本发明不以此为限。
在本实施例中，感测元件层SR还可包括第四绝缘层220。第四绝缘层220覆盖感光结构SU，且感光结构SU位于第二绝缘层216与第四绝缘层220之间。
在本实施例中，感测基板200的第二叠构ST2还可包括多个彩色滤光图案222。多个彩色滤光图案222设置于第二基底210与显示介质300之间。具体而言，在本实施例中，多个彩色滤光图案222设置于感光元件层SR与显示介质300之间。举例而言，在本实施例中，多个彩色滤光图案222可包括红色滤光图案、绿色滤光图案及蓝色滤光图案，但本发明不以此为限。
请参照图2、图3及图4，在本实施例中，感测基板200的第二叠构ST2还可包括遮光图案层221。遮光图案层221设置于第二基底210与彩色滤光图案222之间。在本实施例中，遮光图案层221设置于感光元件层SR与多个彩色滤光图案222之间。遮光图案层221遮蔽多个像素结构PX的多个有源元件T1、多条数据线DL及多条第一扫描线SL1，且具有分别重叠于多个像素电极121的多个开口221b。遮光图案层221即俗称的黑色矩阵(black matrix)。在本实施例中，遮光图案层221的材质例如是黑色树脂，但本发明不以此为限。
请参照图3、图4及图5，在本实施例中，感测基板200的第二叠构ST2还可包括保护层223。保护层223覆盖多个彩色滤光图案222，且位于多个彩色滤光图案222与显示介质300之间。
在本实施例中，保护层223的材料可以是无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料或上述组合。
请参照图2、图3、图4及图5，值得注意的是，感测元件层SR的第一绝缘层213具有位于感光结构SU外的一开口213b，且彩色滤光图案222填入第一绝缘层213的开口213b。在本实施例中，第一绝缘层213的开口213b重叠于遮光图案层221的开口221b。在本实施例中，第一绝缘层213的开口213b还重叠于像素电极121。
由于感测元件层SR的第一绝缘层213具有开口213b，因此，来自于显示介质300的显示光束(未示出)在穿过感测基板200时，可不通过第一绝缘层213的实体部。由此，因显示光束穿过感测元件层SR而产生的白点坐标偏移问题可获得改善。
此外，在本实施例中，感测元件层SR的缓冲层212也可具有位于感光结构SU外的一开口212b，感测元件层SR的第三绝缘层214也具有位于感光结构SU外的一开口214b，感测元件层SR的第二绝缘层216也具有位于感光结构SU外的一开口216b，缓冲层212的开口212b、第三绝缘层214的开口214b及第二绝缘层216的开口216b重叠于第一绝缘层213的开口213b，在本实施例中，彩色滤光图案222除了填入第一绝缘层213的开口213b外还填入缓冲层212的开口212b、第三绝缘层214的开口214b及第二绝缘层216的开口216b。
在本实施例中，缓冲层212具有定义开口212b的侧壁212s，第一绝缘层213具有定义开口213b的侧壁213s，第三绝缘层214具有定义开口214b的侧壁214s，而第二绝缘层216可覆盖缓冲层212的侧壁212s、第一绝缘层213的侧壁213s及第三绝缘层214的侧壁214s。
此外，在本实施例中，遮光图案层221可覆盖感光结构SU的第一电极217的侧壁217s、感光图案层218的侧壁218s及第二电极219的侧壁219s。在本实施例中，彩色滤光图案222可覆盖遮光图案层221的侧壁221s，且彩色滤光图案222覆盖感光结构SU的第一电极217的侧壁217s、感光图案层218的侧壁218s及第二电极219的侧壁219s。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重述。
图6为本发明一实施例的显示装置10A的剖面示意图。图7为本发明一实施例的显示装置10A的像素阵列基板100A的俯视透视示意图。图8为本发明一实施例的显示装置10A的感测基板200A的俯视透视示意图。图9为本发明一实施例的显示装置10A的剖面示意图。图9对应图7的剖线D-D’及图8的剖线E-E’。图7省略图9的共用电极层122。图10为本发明一实施例的显示装置10A的感测基板200A的剖面示意图。图10对应图8的剖线F-F’。
本实施例的显示装置10A与前述的显示装置10类似，两者的差异在于：前述的显示装置10是其感测基板200包括多个彩色滤光图案222，但本实施例的显示装置10是其像素阵列基板100A包括彩色滤光图案222。
请参照图9，具体而言，在本实施例中，彩色滤光图案222是设置于第一基底110与显示介质300之间。更进一步地说，在本实施例中，彩色滤光图案222可设置于像素电极121与第一基底110之间。
位于第一基底110上的彩色滤光图案222重叠于感测元件层SR的第一绝缘层213的开口213b。在本实施例中，彩色滤光图案222还重叠于缓冲层212的开口212b、第三绝缘层214的开口214b及第二绝缘层216的开口216b。
遮光图案层221设置于第二基底210与保护层223之间。第一绝缘层213设置于第二基底210与遮光图案层221之间。在本实施例中，保护层223设置于第一绝缘层213的开口213b及遮光图案层221的开口221b。保护层223还设置于缓冲层212的开口212b、第三绝缘层214的开口214b、第二绝缘层216的开口216b，且保护层223接触第二基底210。
另外，在本实施例中，保护层223覆盖感光结构SU的第一电极217的侧壁217s、感光结构SU的感光图案层218的侧壁218s及感光结构SU的第二电极219的侧壁219s。
本实施例的显示装置10A具有与前述的显示装置10类似的功效及优点，于此便不再重述。

Claims (18)

1.一种显示装置，包括：
一第一基底；
一第二基底，设置于该第一基底的对向；
一显示介质，设置于该第一基底与该第二基底之间；
一像素结构，设置于该显示介质与该第一基底之间；
一读取晶体管，设置于该第二基底与该显示介质之间，其中该读取晶体管具有一半导体图案和一控制端；
一第一绝缘层，设置于该读取晶体管的该半导体图案与该读取晶体管的该控制端之间；
一感光结构，设置于该第二基底与该显示介质之间，且电性连接至该读取晶体管；以及
一彩色滤光图案，设置于该第二基底与该显示介质之间，其中该第一绝缘层具有位于该感光结构外的一开口，而该彩色滤光图案填入该第一绝缘层的该开口。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中该像素结构包括一有源元件和电性连接至该有源元件的一像素电极，而该第一绝缘层的该开口重叠于该像素电极。
3.如权利要求2所述的显示装置，还包括：
一遮光图案层，其中该感光结构位于该第二基底与该遮光图案层之间，该遮光图案层遮蔽该像素结构的该有源元件且具有重叠于该像素电极的一开口，而该第一绝缘层的该开口还重叠于该遮光图案层的该开口。
4.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
一遮光图案层，其中该感光结构位于该第二基底与该遮光图案层之间，该感光结构包括依序堆叠的一第一电极、一感光图案层和一第二电极，而该遮光图案层覆盖该第一电极的一侧壁、该感光图案层的一侧壁及该第二电极的一侧壁。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中该遮光图案层设置于该第二基底与该彩色滤光图案之间，且该彩色滤光图案覆盖该第一电极的该侧壁、该感光图案层的该侧壁及该第二电极的该侧壁。
6.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
一第二绝缘层，设置于该读取晶体管与该感光结构之间，其中该第二绝缘层具有一开口，该第二绝缘层的该开口重叠于该第一绝缘层的该开口，而该彩色滤光图案还填入该第二绝缘层的该开口。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中该第一绝缘层具有定义该第一绝缘层的该开口的一侧壁，而该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层的该侧壁。
8.如权利要求6所述的显示装置，其中该读取晶体管还包括分别电性连接至该半导体图案的不同两区的一第一端与第二端，该显示装置还包括：
一第三绝缘层，设置于该读取晶体管的该控制端与该第一端之间，其中该第三绝缘层具有一开口，该第三绝缘层的该开口重叠于该第一绝缘层的该开口，而该彩色滤光图案还填入该第三绝缘层的该开口。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中该第三绝缘层具有定义该第三绝缘层的该开口的一侧壁，而该第二绝缘层还覆盖该第三绝缘层的该侧壁。
10.一种显示装置，包括：
一第一基底；
一第二基底，设置于该第一基底的对向；
一显示介质，设置于该第一基底与该第二基底之间；
一像素结构，设置于该显示介质与该第一基底之间；
一读取晶体管，设置于该第二基底与该显示介质之间，其中该读取晶体管具有一半导体图案和一控制端；
一第一绝缘层，设置于该读取晶体管的该半导体图案与该读取晶体管的该控制端之间；
一感光结构，设置于该第二基底与该显示介质之间，且电性连接至该读取晶体管；以及
一彩色滤光图案，设置于该第一基底与该显示介质之间，其中该第一绝缘层具有位于该感光结构外的一开口，而该彩色滤光图案重叠于该第一绝缘层的该开口。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中该像素结构包括一有源元件和电性连接至该有源元件的一像素电极，而该第一绝缘层的该开口重叠于该像素电极。
12.如权利要求11所述的显示装置，还包括：
一遮光图案层，其中该感光结构位于该第二基底与该遮光图案层之间，该遮光图案层遮蔽该像素结构的该有源元件且具有重叠于该像素电极的一开口，而该第一绝缘层的该开口还重叠于该遮光图案层的该开口。
13.如权利要求10所述的显示装置，还包括：
一遮光图案层，其中该感光结构位于该第二基底与该遮光图案层之间，该感光结构包括依序堆叠的一第一电极、一感光图案层和一第二电极，而该遮光图案层覆盖该第一电极的一侧壁、该感光图案层的一侧壁及该第二电极的一侧壁。
14.如权利要求13所述的显示装置，还包括：
一保护层，其中该遮光图案层设置于该第二基底与该保护层之间，且该保护层覆盖该第一电极的该侧壁、该感光图案层的该侧壁以及该第二电极的该侧壁。
15.如权利要求10所述的显示装置，还包括：
一保护层，其中该第一绝缘层设置于该第二基底与该保护层之间，且该保护层设置于该第一绝缘层的该开口。
16.如权利要求10所述的显示装置，还包括：
一第二绝缘层，设置于该读取晶体管与该感光结构之间，其中该第二绝缘层具有一开口，该第二绝缘层的该开口重叠于该第一绝缘层的该开口，而该彩色滤光图案还重叠于该第二绝缘层的该开口。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中该第一绝缘层具有定义该第一绝缘层的该开口的一侧壁，而该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层的该侧壁。
18.如权利要求16所述的显示装置，其中该读取晶体管还包括分别电性连接至该半导体图案的不同两区的一第一端与第二端，该显示装置还包括：
一第三绝缘层，设置于该读取晶体管的该控制端与该第一端之间，其中该第三绝缘层具有一开口，该第三绝缘层的该开口重叠于该第一绝缘层的该开口，而该彩色滤光图案还重叠于该第三绝缘层的该开口。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI823669B (zh) * 2022-11-08 2023-11-21 友達光電股份有限公司 具有穿透區與非穿透區的顯示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110012115A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Jeon Kyung-Sook Display device with improved sensing mechanism
US20180165496A1 (en) * 2016-12-08 2018-06-14 Innolux Corporation Display device having a light sensing unit
US20190005295A1 (en) * 2017-01-03 2019-01-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Fingerprint Identification Apparatus and Electronic Device
CN110928014A (zh) * 2019-04-24 2020-03-27 友达光电股份有限公司 触控显示装置
CN111077744A (zh) * 2020-01-03 2020-04-28 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板制备方法、阵列基板及液晶显示面板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI398707B (zh) * 2008-05-16 2013-06-11 Au Optronics Corp 光感測單元及具有此光感測單元之畫素結構與液晶顯示面板
TWI372277B (en) * 2008-09-04 2012-09-11 Au Optronics Corp Display module
US10386684B2 (en) * 2014-12-26 2019-08-20 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, display apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
TWI601301B (zh) * 2015-07-31 2017-10-01 友達光電股份有限公司 光學偵測裝置及其製作方法
CN109147593A (zh) 2018-08-31 2019-01-04 Oppo广东移动通信有限公司 显示组件和电子设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110012115A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Jeon Kyung-Sook Display device with improved sensing mechanism
US20180165496A1 (en) * 2016-12-08 2018-06-14 Innolux Corporation Display device having a light sensing unit
US20190005295A1 (en) * 2017-01-03 2019-01-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Fingerprint Identification Apparatus and Electronic Device
CN110928014A (zh) * 2019-04-24 2020-03-27 友达光电股份有限公司 触控显示装置
CN111077744A (zh) * 2020-01-03 2020-04-28 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板制备方法、阵列基板及液晶显示面板

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