CN112687579A - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

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gas
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liquid film
central region
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申景湜
金俊镐
辛辰基
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Semes Co Ltd
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Semes Co Ltd
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Abstract

本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种用于处理基板的装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室在内部具有工艺空间；支承单元，所述支承单元在所述工艺空间中支承所述基板；加热单元，所述加热单元设置在所述支承单元内部并加热所述基板；排放单元，所述排放单元排空所述工艺空间；和气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述工艺空间中，并且所述气体供应单元供应处于选自第一温度和第二温度的温度的所述气体。

Description

用于处理基板的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月17日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2019-0129221的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法。
背景技术
执行诸如清洁、沉积、涂覆、光刻、蚀刻和离子注入等的各种工艺以制造半导体设备。在这些工艺中，沉积工艺和涂覆工艺被用作在基板上形成膜的工艺。通常，沉积工艺是通过在基板上沉积工艺气体来形成膜的工艺，以及涂覆工艺是通过将处理液施加到基板来形成液膜的工艺。
在基板上形成膜之前和之后，在基板上执行烘烤工艺。烘烤工艺是在封闭空间中将基板加热到工艺温度或更高温度的工艺。在烘烤工艺中，均匀地加热基板的整个区域，或者取决于操作者来调节基板的各个区域的温度。
图1是示出常规烘烤工艺装置的截面立体图。参照图1，多个入口管2位于烘烤工艺装置的上壁中，并且外部气体通过入口管2引入到缓冲空间4中。引入到缓冲空间4中的气体通过缓冲板6的分配孔8分配且供应到基板。
在将气体供应到烘烤工艺装置中的工艺空间中的工艺中，在基板上形成的膜的厚度可能不均匀地形成，或者将基板放置在烘烤工艺装置中之前、在基板上形成的膜的厚度可能不均匀地形成。特别地，可能难以调节在基板的中心区域上形成的膜的厚度。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种用于调节在基板的中心区域上形成的液膜的厚度的基板处理装置和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室在内部具有工艺空间；支承单元，所述支承单元在所述工艺空间中支承所述基板；加热单元，所述加热单元设置在所述支承单元内部并加热所述基板；排放单元(exhaust unit)，所述排放单元配置成排空(evacuate)所述工艺空间；和气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述工艺空间中，并且所述气体供应单元供应处于于选自第一温度和第二温度的温度的所述气体。
根据一实施方案，所述气体供应单元可以包括：第一供应单元，所述第一供应单元将处于所述第一温度的所述气体供应到所述工艺空间中；第二供应单元，所述第二供应单元将处于所述第二温度的所述气体供应到所述工艺空间中，所述第二温度高于所述第一温度。
根据一实施方案，所述第二供应单元可以包括：缓冲空间，所述缓冲空间设置在所述支承单元上方；分配空间，将所述气体从所述缓冲空间输送至所述分配空间；加热器，所述加热器设置在所述缓冲空间与所述分配空间之间；和第二供应管，所述第二供应管将所述气体供应到所述缓冲空间中。
根据一实施方案，所述第一供应单元可以包括第一供应管，所述第一供应管将所述气体直接供应到所述工艺空间中。
根据一实施方案，所述第一供应单元可以穿过所述缓冲空间和所述分配空间。
根据一实施方案，所述第二供应单元还可以包括：分隔板，所述分隔板将所述第二供应单元的内部空间分隔成所述缓冲空间和所述分配空间，并且具有在其中形成的第一孔；和分配板，所述分配板具有在其中形成的第二孔，用于将所述分配空间中的所述气体分配到所述工艺空间中。所述分隔板可以面向所述基板的中心区域，以及所述分配板可以面向所述基板的整个区域。
根据一实施方案，所述第一供应单元和所述第二供应单元的分配开口可以面向所述基板的中心区域。
所述气体供应单元可以包括：测量设备，所述测量设备测量在所述基板上形成的所述液膜的厚度；和控制器，所述控制器接收由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，其中所述控制器控制所述气体供应单元。
根据一实施方案，基于由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，所述控制器可以供应处于所述第二温度的所述气体，以及当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度小于所述预定值时，所述控制器可以供应处于所述第一温度的所述气体。所述控制器可以控制所述气体供应单元以持续供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
根据一实施方案，基于由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，所述控制器可以供应处于所述第二温度的所述气体。所述控制器可以控制所述气体供应单元，以随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度的增加而增加所述气体的流速(flowrate)，并且持续供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
根据一实施方案，基于由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度小于预定值时，所述控制器供应处于所述第一温度的所述气体。所述控制器可以控制所述气体供应单元，以随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度的减小而增加所述气体的流速，并且持续供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的方法包括：控制供应到工艺空间中的气体的温度或流速，以便允许在所述基板的中心区域上形成的液膜的厚度达到预定厚度。
根据一实施方案，第二供应单元可以包括：缓冲空间，所述缓冲空间设置在支承单元上方；分配空间，将所述气体从所述缓冲空间输送至所述分配空间；加热器，所述加热器设置在所述缓冲空间与所述分配空间之间；和第二供应管，所述第二供应管将所述气体供应到所述缓冲空间中。
根据一实施方案，第一供应单元可以包括第一供应管，所述第一供应管将所述气体直接供应到所述工艺空间中。
根据一实施方案，将处于第一温度的所述气体供应到面向所述基板的所述中心区域的所述工艺空间中。
根据一实施方案，当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，可以供应处于第二温度的所述气体。当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度小于所述预定值时，可以供应处于第一温度的所述气体。可以持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
根据一实施方案，当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，可以供应处于所述第二温度的所述气体。随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度增加，可以增加所述气体的流速。可以持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
根据一实施方案，当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度小于预定值时，可以供应处于所述第一温度的气体。随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度减小，可以增加所述气体的流速。可以持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的方法包括：通过在工艺空间中加热在其上具有液膜的所述基板来执行从光刻胶的液膜中蒸发溶剂的热处理工艺。所述热处理工艺可以包括：在将气体供应到所述工艺空间中的状态下利用加热器加热所述基板，以及在所述基板经受热处理的情况下、改变供应到所述工艺空间中的所述气体的温度或流速。
根据一实施方案，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，可以升高供应到所述工艺空间中的所述气体的温度。当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度小于所述预定值时，可以降低供应到所述工艺空间中的所述气体的温度。可以持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
根据一实施方案，随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度偏离所述预定值的程度的增加，可以增加供应到所述工艺空间中的所述气体的流速，并且可以持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
图1为示出了一般的烘烤工艺装置的截面立体图；
图2为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示意性立体图；
图3为示出了图2的基板处理装置的涂覆块和显影块的截面图；
图4为示出了图2的基板处理装置的平面图；
图5为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的截面图；
图6为示出了图5的加热单元和支承单元的平面图；
图7和图8为示出了本发明构思的基板处理方法的视图；以及
图9和图10为示出了根据本发明构思的另一些实施方案的基板处理装置的截面图。
具体实施方式
以下，将参照附图更加详细地描述本发明构思的实施方案。然而，本发明构思可以以不同的形式实施，并且不应被理解为受限于本文所陈述的实施方案。相反地，提供了这些实施方案，使得本发明构思将是彻底且完整的，并且这些实施方案将向本领域技术人员完全地传达本发明构思的范围。在附图中，为了清楚说明，放大了部件的尺寸。
图2为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示意性立体图。图3为示出了图2的基板处理装置的涂覆块和显影块的截面图。图4为示出了图2的基板处理装置的平面图。
参照图2到图4，基板处理装置1包括索引模块20、处理模块30和接口模块40。根据一实施方案，索引模块20、处理模块30和接口模块40顺序地设置成一排。下文中，布置有索引模块20、处理模块30和接口模块40的方向被称为第一方向12，当从上方观察时垂直于第一方向12的方向称为第二方向14，以及与第一方向12和第二方向14都垂直的方向称为第三方向16。
索引模块20将基板W从载体10(该载体具有在其中接收的基板W)传输至处理模块30，并且将完全处理过的基板W放置在载体10中。索引模块20的纵向方向平行于第二方向14。索引模块20具有装载端口22和索引框架24。装载端口22相对于索引框架24位于处理模块30的相反侧。载体10放置在装载端口22上，各载体10具有在其中接收的基板W。装载端口22可以沿着第二方向14设置。
诸如前开式晶圆盒(front opening unified pod,FOUP)的气密载体10可以用作为载体10。载体10可以通过诸如高架传送器、高架输送机、或自动引导车的传送单元(未示出)，或通过操作者放置在装载端口22上。
索引机械手2200设置在索引框架24中。在索引框架24中设置有导轨2300，该导轨的纵向方向平行于第二方向14，并且索引机械手2200在导轨2300上可移动。索引机械手2200包括手部(hand)2220，基板W放置在该手部上。手部2220可向前和向后移动、可绕面向第三方向16的轴线旋转，并且可沿第三方向16移动。
处理模块30在基板W上进行涂覆工艺和显影工艺。处理模块30具有涂覆块30a和显影块30b。涂覆块30a在基板W上执行涂覆工艺，且显影块30b在基板上执行显影工艺。涂覆块30a彼此互相堆叠。显影块30b彼此互相堆叠。根据图2的实施方案，提供了两个涂覆块30a和两个显影块30b。涂覆块30a可以设置在显影块30b下方。根据一实施方案，两个涂覆块30a可以执行相同的工艺，并且可以具有相同的结构。此外，两个显影块30b可以执行相同的工艺，并且可以具有相同的结构。
参照图4，各涂覆块30a具有热处理腔室3200、传送腔室3400、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800。各热处理腔室3200在基板W上执行热处理工艺。热处理工艺可以包括冷却工艺和加热工艺。各液体处理腔室3600通过将液体分配到基板W上而在基板W上形成液膜。该液膜可以是光刻胶膜或增透膜(anti-reflection film)。传送腔室3400在涂覆块30a中的热处理腔室3200与液体处理腔室3600之间传送基板W。
传送腔室3400设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。传送机械手3422设置在传送腔室3400中。传送机械手3422在热处理腔室3200、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800之间传送基板W。根据一实施方案，传送机械手3422具有手部3420，基板W放置在该手部上，并且手部3420可向前和向后移动、可绕面向第三方向16的轴线旋转，并且可沿第三方向16移动。在传送腔室3400中设置导轨3300，该导轨的纵向方向平行于第一方向12，并且传送机械手3422在导轨3300上可移动。
热处理腔室3200沿着第一方向12布置。热处理腔室3200位于传送腔室3400的一侧。
各热处理腔室3200对基板W执行热处理。在基板W被涂覆光敏液之前和之后，热处理腔室3200对基板W执行热处理。为了在基板W被涂覆光敏液之前，改变基板W的表面的性质，热处理腔室3200可以将基板W加热到预定温度并且可以在基板W上形成诸如粘合剂的处理液膜。在基板W被涂覆光敏液之后，热处理腔室3200可以在减压气氛下对基板W上的光敏液膜执行热处理。热处理腔室3200可以使包含在光敏液膜中的挥发性物质挥发。在本实施方案中，将热处理腔室3200描述为用于对光敏液膜执行热处理的单元。
热处理腔室3200包括冷却单元3220和加热单元3230。冷却单元3220冷却被加热单元3230加热的基板W。冷却单元3220具有圆板形状。冷却单元3220内部设置有诸如冷却水或热电元件的冷却器件。例如，放置在冷却单元3220上的基板W可以被冷却到与室温相同或接近的温度。
图5为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的截面图。参照图5，加热单元3230由加热基板W的基板处理装置1000来实施。基板处理装置1000在大气气氛或低于大气气氛的减压气氛下加热基板W。
参照图5，基板处理装置1000包括壳体1100、支承单元1300、加热单元1400、排放单元1700和气体供应单元1600。
壳体1100在其中具有工艺空间1110，在该工艺空间中加热基板W。工艺空间1110从外部密封。壳体1100包括上主体1120、下主体1140和密封构件1160。
上主体1120具有底部处敞开的容器形状。例如，上主体1120可以具有圆柱形的形状。上主体1120具有形成在其上壁中的开口。开口可以形成在与上主体1120的中心轴线相对应的区域中。
下主体1140具有在顶部处敞开的容器形状。例如，下主体1140可以具有圆柱形的形状。下主体1140位于上主体1120的下方。上主体1120和下主体1140定位成在上下方向上面向彼此。上主体1120和下主体1140彼此组合以在内部形成工艺空间1110。上主体1120和下主体1140定位成使得上主体1120和下主体1140的中心轴线相对于上下方向上彼此对齐。下主体1140可以具有与上主体1120相同的直径。即，下主体1140的上端可以定位成面向上主体1120的下端。
上主体1120和下主体1140中的一个通过升降构件1130移动到打开位置或闭合位置，而另一个固定在一个位置。根据一实施方案，下主体1140的位置可以是固定的，并且上主体1120可以通过升降构件1130在打开位置与闭合位置之间移动。在此，打开位置是上主体1120与下主体1140间隔开并且工艺空间1110是敞开的位置。闭合位置是通过下主体1140和上主体1120将工艺空间1110从外部密封的位置。
密封构件1160填充上主体1120与下主体1140之间的间隙。密封构件1160位于上主体1120的下端与下主体1140的上端之间。密封构件1160可以是具有环形形状的O形环构件1160。密封构件1160可以固定地耦合到下主体1140的上端。
图6为示出了图5的加热单元和支承单元的平面图。在下文中，将参照图6描述加热单元1400和支承单元1300。支承单元1300在工艺空间1110中支承基板W。支承单元1300固定地耦合到下主体1140。支承单元1300包括座落板(seating plate)1320和升降销1340。座落板1320在工艺空间1110中支承基板W。座落板1320具有圆板的形状。基板W座落在座落板1320的上表面上。座落板1320的上表面的中心区域用作座落表面，基板W座落在该座落表面上。
座落板1320具有多个形成在其座落表面中的销孔1322。当从上方观察时，销孔1322布置成围绕座落表面的中心。销孔1322沿周向方向彼此间隔开。销孔1322以相同的间隔在被周向地彼此间隔开。升降销1340分别位于销孔1322中。升降销1340设置成在上下方向上移动。升降销1340将基板W从座落板1320上抬起，或者将基板W下降到座落板1320上。例如，可以设置三个销孔1322。
加热单元1400加热座落于座落板1320上的基板W。加热单元1400位于座落板1320内部。加热单元1400包括多个加热器1420。加热器1420位于座落板1320内部。多个加热器1420位于同一平面上。加热器1420加热座落板1320的不同区域。当从上方观察时，座落板1320的与各个加热器1420相对应的区域可以设置为加热区。各个加热器1420的温度是可独立调节的。例如，可以设置15个加热区。各加热区的温度由传感器(未示出)测量。加热器1420可以是热电元件或加热丝。可选择地，加热器1420可以安装在座落板1320的底表面上。
排放单元1700排空工艺空间1110中的气氛。排放单元1700从外部强制释放引入至工艺空间1110的气体。排放单元1700包括边缘排放孔1710、中心排放孔1720、边缘排放管线1791、中心排放管线1793、一体排放管线1795和减压构件1792。
边缘排放孔1710和边缘排放管线1791排空面向基板W的边缘区域的工艺空间1110，以及中心排放孔1720和中心排放管线1793排空面向基板W的中心区域的工艺空间1110。在一实施方案中，边缘排放孔1710和中心排放孔1720可以布置成环形。
边缘排放管线1791和中心排放管线1793被连接到一体排放管线1795。减压构件1792被连接到一体排放管线1795，并且提供减压以排空工艺空间1110。
气体供应单元1600位于支承单元1300上方。气体供应单元1600将气体供应到工艺空间1110中。在一实施方案中，气体供应单元1600供应处于选自第一温度和第二温度的温度的气体。气体供应单元1600包括第一供应单元1670和第二供应单元1660。第一供应单元1670将处于第一温度的气体供应到工艺空间1110中。第二供应单元1660将处于第二温度的气体供应到工艺空间1110中，第二温度高于第一温度。
第二供应单元1660包括气体供应源1661、气体供应管线1664、第二控制阀1666、缓冲空间1617、分隔板1618、分配空间1619、分配板1614、加热器1615和第二供应管1668。缓冲空间1617、分隔板1618、分配空间1619和分配板1614从上到下依次设置。
气体供应管线1664将气体从气体供应源1661供应到缓冲空间1617。第二控制阀1666控制从气体供应源1661向缓冲空间1617供应的气体的流速。
缓冲空间1617和分配空间1619设置在支承单元1300上方。在一实施方案中，缓冲空间1617和分配空间1619可以设置成容器形状。分隔板1618将第二供应单元1660的内部空间分隔成缓冲空间1617和分配空间1619。分隔板1618与基板W的中心区域相对并且面向支承单元1300。分隔板1618与上主体1120间隔开。分隔板1618具有形成在其中的第一孔。缓冲空间1617和分配空间1619通过第一孔连接。因此，气体从缓冲空间1617输送到分配空间1619。
分配板1614将分配空间1619中的气体分配至工艺空间1110。分配板1614与分隔板1618间隔开。分配板1614具有形成在其中的第二孔。分配空间1619中的气体通过第二孔供应到工艺空间1110中。在一实施方案中，分配板1614面向基板W的整个区域。分隔板1618和分配板1614具有圆板的形状，并且其侧部连接到上主体1120和包括加热器1615的上板1616。分隔板1618的直径小于分配板1614的直径。因此，缓冲空间1617小于分配空间1619。
加热器1615设置在上板1616的内部。上板1616设置在缓冲空间1617与分配空间1619之间。加热器1615加热停留在缓冲空间1617中的气体。第二供应管1668将气体供应到缓冲空间1617中。
第一供应单元1670包括气体供应源1671、气体供应管线1674、第一控制阀1676和第一供应管1678。
气体供应管线1674将气体从气体供应源1671供应到工艺空间1110。第一控制阀1676控制从气体供应源1671向工艺空间1110供应的气体的流速。
第一供应管1678直接将气体供应到工艺空间1110中。在一实施方案中，第一供应单元1670穿过缓冲空间1617和分配空间1619。
通过第二供应管1668供应到缓冲空间1617中的气体被加热器1615加热。相反，通过第一供应管1678供应到工艺空间1110中的气体不会通过缓冲空间1617，且因此具有比通过第二供应管1668供应到缓冲空间1617中的气体低的温度。
在下文中，将参照图7和图8描述本发明构思的基板处理方法。
首先，将其上形成有光刻胶膜的基板W装载到工艺空间1110中。基板处理装置1000通过加热装载的基板W而执行从液膜中蒸发溶剂的热处理工艺。在气体供应单元1600将气体供应到工艺空间1110中的状态下，基板W通过支承单元1300内部的加热单元1400而加热。在基板W经受热处理的情况下，气体供应单元1600通过改变供应到工艺空间1110中的气体的温度或流速来调整基板W上的液膜的厚度。
在一实施方案中，第一供应单元1670和第二供应单元1660的分配开口设置成面向基板W的中心区域，并且第一供应单元1670和第二供应单元1660调节在基板W的中心区域上形成的液膜的厚度。
气体供应单元1600还可以包括测量设备和控制器。测量设备测量在基板W上形成的液膜的厚度，并且控制器接收由测量设备测量的、在基板W上的液膜的厚度，并且控制气体供应单元1600。
基于由测量设备测量的、在基板W上的液膜的厚度，如图7所示，当在基板W的中心区域上形成的液膜的厚度大于或等于预定值时，第二供应单元1660供应处于第二温度的气体。第二供应单元1660持续供应处于第二温度的气体，直到形成在基板W的中心区域上的液膜的厚度达到预定值为止。
穿过缓冲空间1617的气体被输送到分配空间1619。此时，由于缓冲空间1617面向基板W的中心区域，所以高温气体被集中地(intensively)分配到基板W的中心区域上。在缓冲空间1617中由加热器1615加热到高温的气体加速基板W的中心区域上形成的液膜的蒸发。第二供应单元1660持续供应处于第二温度的气体，直到形成在基板W的中心区域上的液膜的厚度达到预定值为止。
基于由测量设备测量的、在基板W上的液膜的厚度，如图8中所示，当在基板W的中心区域上形成的液膜的厚度小于预定值时，第一供应单元1670供应处于第一温度的气体。当将处于相对较低温度的气体供应到基板W的中心区域时，与形成在基板W的边缘区域上的液膜相比，形成在基板W的中心区域上的液膜较慢地蒸发，且因此液膜具有均匀厚度。第一供应单元1670持续供应处于第一温度的气体，直到形成在基板W的中心区域上的液膜的厚度达到预定值为止。
随着在基板W的中心区域上形成的液膜的厚度增加，气体的流速可以增加，并且直到在基板W的中心区域上形成的液膜的厚度达到预定值为止，可以持续地供应气体。
在上述实施方案中，已经举例说明了第一供应单元1670和第二供应单元1660分别供应处于第一温度的气体和处于第二温度的气体。然而，如图9和图10中所示，基板处理装置1000可以仅包括第一供应单元1670和第二供应单元1660中的一个。在一实施方案中，第一供应单元1670可以进一步包括第一加热器1673，以及第二供应单元1660可以进一步包括第二加热器1663。
第一加热器1673加热通过第一供应单元1670供应到工艺空间1110中的气体。第二加热器1663加热通过第二供应单元1660供应到缓冲空间1617中的气体。随着形成在基板W的中心区域上的液膜的厚度增加，第一加热器1673和第二加热器1663将气体加热到更高的温度。
再次参照图3和图4，设置多个液体处理腔室3600。液体处理腔室3600中的一些可以彼此堆叠。液体处理腔室3600设置在传送腔室3400的相对侧上。液体处理腔室3600沿着第一方向12并排布置。液体处理腔室3600中的一些定位成邻近索引模块20。以下，将这些液体处理腔室称为前液体处理腔室3602。其他液体处理腔室3600定位成邻近接口模块40。以下，将这些液体处理腔室称为后液体处理腔室3604。
各前液体处理腔室3602将第一液体施加到基板W，并且各后液体处理腔室3604将第二液体施加到基板W。第一液体和第二液体可以是不同类型的液体。根据一实施方案，第一液体为增透膜，而第二液体为光刻胶。可将光刻胶施加到涂覆有增透膜的基板W上。可选择性地，第一液体可以为光刻胶，而第二液体可以为增透膜。在这种情况下，可将增透膜施加到涂覆有光刻胶的基板W上。可选择性地，第一液体和第二液体可以是相同的类型。第一液体和第二体液都可以为光刻胶。
设置有多个缓冲腔室3800。缓冲腔室3800中的一些设置在索引模块20与传送腔室3400之间。在下文中，这些缓冲腔室被称为前缓冲区3802。前缓冲区3802沿着上下方向彼此堆叠。其他缓冲腔室3800设置在传送腔室3400与接口模块40之间。这些缓冲腔室被称为后缓冲区3804。后缓冲区3804沿着上下方向彼此堆叠。前缓冲区3802和后缓冲区3804中的每一个均临时存储多个基板W。存储在前缓冲区3802中的基板W由索引机械手2200和传送机械手3422装载或卸载。储存在后缓冲区3804中的基板W由传送机械手3422和第一机械手4602装载或卸载。
各显影块30b具有热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600。显影块30b的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600以与设置涂覆块30a的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600的结构和布置基本类似的结构和布置来设置，且因此将省略对显影块的热处理腔室、传送腔室和液体处理腔室的详细描述。然而，利用显影腔室3600来实施显影块30b中的液体处理腔室3600，所有显影腔室均相同地分配显影液以在基板W上进行显影工艺。
接口模块40将处理模块30与外部曝光装置50连接。接口模块40具有接口框架4100、附加工艺腔室4200、接口缓冲区4400和传送构件4600。
接口框架4100在其顶部处可以具有风扇过滤单元，该风扇过滤单元在接口框架4100中形成向下气流。附加工艺腔室4200、接口缓冲区4400和传送构件4600设置在接口框架4100中。在已经在涂覆块30a中完全处理的基板W被传送到曝光装置50之前，附加工艺腔室4200可以在基板W上执行预定的附加工艺。可选择性地，在已经在曝光装置50中完全处理的基板W被传送到显影块30b之前，附加工艺腔室4200可以在基板W上执行预定的附加工艺。根据一实施方案，附加工艺可以是使基板W的边缘区域曝光的边缘曝光工艺、清洁基板W的顶侧的顶侧清洁工艺、或清洁基板W的背面的背面清洁工艺。可以设置多个附加工艺腔室4200。附加工艺腔室4200可以彼此堆叠。附加工艺腔室4200可以全部执行相同的工艺。可选择性地，附加工艺腔室4200中的一些可以执行不同的工艺。
接口缓冲区4400提供在涂覆块30a、附加工艺腔室4200、曝光装置50和显影块30b之间传送的基板W临时停留的空间。可以设置多个接口缓冲区4400。接口缓冲区4400可以彼此堆叠。
根据一实施方案，附加工艺腔室4200可以设置在面向传送腔室3400的纵向方向的延长线的一侧上，并且接口缓冲区4400可以设置在延长线的相对侧上。
传送构件4600在涂覆块30a、附加工艺腔室4200、曝光装置50和显影块30b之间传送基板W。传送腔室4600可以用一个或多个机械手来实施。根据一实施方案，传送构件4600具有第一机械手4602和第二机械手4606。第一机械手4602可以在涂覆块30a、附加工艺腔室4200和接口缓冲区4400之间传送基板W。接口机械手4606可以在接口缓冲区4400与曝光装置50之间传送基板W。第二机械手4606可以在接口缓冲区4400与显影块30b之间传送基板W。
第一机械手4602和第二机械手4606均包括手部，基板W放置在该手部上，并且该手部可向前和向后移动、可绕平行于第三方向16的轴线旋转、并且可沿第三方向16移动。
索引机械手2200、第一机械手4602和第二机械手4606的手部都可以具有与传送机械手3422的手部3420相同的形状。可选择性地，与各热处理腔室3200的传送板3240直接交换基板W的机械手的手部可以具有与传送机械手3422的手部3420相同的形状，并且剩余机械手的手部可以具有与传送机械手3422的手部3420不同的形状。
根据一实施方案，索引机械手2200可以与设置在涂覆块30a中的前热处理腔室3200的加热单元3230直接交换基板W。
此外，设置在涂覆块30a和显影块30b中的传送机械手3422可以与位于热处理腔室3200中的传送板3240直接交换基板W。
如上所述，根据本发明构思的实施方案，基板处理装置和方法可以调节在基板的中心区域上形成的液膜的厚度。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
以上描述举例说明了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
工艺腔室，所述工艺腔室在内部具有工艺空间；
支承单元，所述支承单元配置成在所述工艺空间中支承所述基板；
加热单元，所述加热单元设置在所述支承单元内部并配置为加热所述基板；
排放单元，所述排放单元配置成排空所述工艺空间；和
气体供应单元，所述气体供应单元配置为将气体供应到所述工艺空间中，
其中，所述气体供应单元供应处于选自第一温度和第二温度的温度的所述气体。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述气体供应单元包括：
第一供应单元，所述第一供应单元配置为将处于所述第一温度的所述气体供应到所述工艺空间中；
第二供应单元，所述第二供应单元配置为将处于所述第二温度的所述气体供应到所述工艺空间中，所述第二温度高于所述第一温度。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第二供应单元包括：
缓冲空间，所述缓冲空间设置在所述支承单元上方；
分配空间，将所述气体从所述缓冲空间输送至所述分配空间；
加热器，所述加热器设置在所述缓冲空间与所述分配空间之间；和
第二供应管，所述第二供应管配置为将所述气体供应到所述缓冲空间中。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一供应单元包括第一供应管，所述第一供应管配置为将所述气体直接供应到所述工艺空间中。
5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一供应单元穿过所述缓冲空间和所述分配空间。
6.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二供应单元还包括：
分隔板，所述分隔板配置为将所述第二供应单元的内部空间分隔成所述缓冲空间和所述分配空间，所述分隔板具有在其中形成的第一孔；和
分配板，所述分配板具有在其中形成的第二孔，所述分配板用于将所述分配空间中的所述气体分配到所述工艺空间中，并且
其中，所述分隔板面向所述基板的中心区域，以及所述分配板面向所述基板的整个区域。
7.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一供应单元和所述第二供应单元的分配开口面向所述基板的中心区域。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述气体供应单元包括：
测量设备，所述测量设备配置为测量在所述基板上形成的所述液膜的厚度；和
控制器，所述控制器配置为接收由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，并且控制所述气体供应单元。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，基于由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，所述控制器供应处于所述第二温度的所述气体，以及当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度小于所述预定值时，所述控制器供应处于所述第一温度的所述气体，并且
其中，所述控制器控制所述气体供应单元以持续供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
10.根据权利要求8所述的装置，其中，基于由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，所述控制器供应处于所述第二温度的所述气体，并且
其中，所述控制器控制所述气体供应单元，以随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度的增加而增加所述气体的流速，并且持续供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
11.根据权利要求8所述的装置，其中，基于由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度小于预定值时，所述控制器供应处于所述第一温度的所述气体，并且
其中，所述控制器控制所述气体供应单元，以随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度的减小而增加所述气体的流速，并且持续供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
12.一种使用根据权利要求2所述的装置用于处理基板的方法，所述方法包括：
控制供应到所述工艺空间中的所述气体的温度或流速，以便允许在所述基板的中心区域上形成的液膜的厚度达到预定厚度。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二供应单元包括：
缓冲空间，所述缓冲空间设置在所述支承单元上方；
分配空间，将所述气体从所述缓冲空间输送至所述分配空间；
加热器，所述加热器设置在所述缓冲空间与所述分配空间之间；和
第二供应管，所述第二供应管配置为将所述气体供应到所述缓冲空间中。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一供应单元包括第一供应管，所述第一供应管配置为将所述气体直接供应到所述工艺空间中。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，将处于所述第一温度的所述气体供应到面向所述基板的所述中心区域的所述工艺空间中。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，供应处于所述第二温度的所述气体，
其中，当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度小于所述预定值时，供应处于所述第一温度的所述气体，并且
其中，持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，供应处于所述第二温度的所述气体，
其中，随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度增加，增加所述气体的流速，并且
其中，持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
18.根据权利要求12所述的方法，其中，当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度小于预定值时，供应处于所述第一温度的气体，
其中，随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度减小，增加所述气体的流速，并且
其中，持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
19.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：
通过在工艺空间中加热在其上具有液膜的所述基板来执行从光刻胶的液膜中蒸发溶剂的热处理工艺，
其中，所述热处理工艺包括：在将气体供应到所述工艺空间中的状态下、利用加热器加热所述基板；以及在所述基板经受热处理的情况下、改变供应到所述工艺空间中的所述气体的温度或流速。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，升高供应到所述工艺空间中的所述气体的温度，
其中，当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度小于所述预定值时，降低供应到所述工艺空间中的所述气体的温度，
其中，持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止，
其中，随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度偏离所述预定值的程度的增加，增加供应到所述工艺空间中的所述气体的流速，并且
其中，持续地供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。
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