CN112652253A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 silicon nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括阵列基板、位于该阵列基板上的像素定义层与发光层,该像素定义层包括多个第一开口,该发光层包括位于该第一开口侧壁上的第一阳极单元与第一阴极单元以及位于该第一开口内的发光器件单元,该第一阳极单元与该第一阴极单元在该第一开口内相对设置;其中,该发光器件单元包括发光单元以及位于该发光单元***的第二阴极单元与第二阳极单元,该第二阴极单元与该第一阴极单元电连接,该第二阳极单元与该第一阳极单元电连接。本申请通过将发光器件单元的电极引至发光器件单元的外壁上,增大发光器件单元电极的绑定面积,提高了绑定良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
近些年,无论是Micro LED(微型发光二极管)显示面板还是Mini LED(迷你型发光二极管)相比于OLED(有机发光半导体)显示面板,均有寿命长,功耗低的优点。
目前,随着LED芯片尺寸的缩小,焊盘尺寸也会成倍减小,从而使LED芯片与焊盘的焊接面积减小,特别在显示面板需要折叠、拉伸的柔性显示面板中,LED芯片脱焊的概率增加,致使显示面板的坏点的数量增多,降低了显示面板的显示效果。
因此,亟需一种显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法,以解决目前LED芯片与焊盘的焊接面积较小,在显示面板折叠、拉伸过程中,容易导致芯片与焊盘脱焊的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
一种显示面板,包括阵列基板、位于所述阵列基板上的像素定义层与发光层,所述像素定义层包括多个第一开口,所述发光层包括位于所述第一开口的侧壁上的第一阳极单元与第一阴极单元以及位于所述第一开口内的发光器件单元,所述第一阳极单元与所述第一阴极单元在所述第一开口内相对设置;
其中,所述发光器件单元包括发光单元以及位于所述发光单元***的第二阴极单元与第二阳极单元,所述第二阴极单元与所述第一阴极单元电连接,所述第二阳极单元与所述第一阳极单元电连接。
在本申请的显示面板中,所述发光器件单元还包括:
第三阴极单元,所述发光单元位于第三阴极单元靠近所述阵列基板的一侧,所述第三阴极单元与所述发光单元电连接;
第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述发光单元及覆盖部分所述第三阴极单元,所述第一绝缘层包括至少一第一过孔,所述第二阳极单元通过所述第一过孔与所述发光单元电连接;
其中,所述第三阴极单元与所述第二阴极单元电连接,所述第二阳极单元与所述第二阴极单元绝缘设置。
在本申请的显示面板中,所述发光器件单元还包括位于所述第三阴极单元与所述发光单元之间的第二绝缘层,所述第二绝缘层包括至少一第二过孔,所述第三阴极单元通过所述第二过孔与所述发光单元电连接;
其中,所述第一绝缘层覆盖所述第二绝缘层。
在本申请的显示面板中,所述像素定义层还包括多个第二开口;
所述显示面板还包括由所述第一阳极单元延伸的第三阳极单元,所述第三阳极单元通过所述第二开口电连接所述第一阳极单元与所述阵列基板的源漏极层。
在本申请的显示面板中,所述第一阳极单元还设置在所述第一开口的底部;
所述阵列基板包括靠近所述像素定义层的平坦层,所述平坦层包括多个第三开口,所述第三开口连接所述第一开口以及使所述阵列基板的源漏极层裸露,所述第一阳极单元通过所述第三开口与所述源漏极层电连接。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述第一开口内的第三绝缘层,所述三绝缘层位于所述平坦层与所述发光器件单元之间,以及所述第三绝缘层位于所述第一阳极单元与所述第一阴极单元之间,以使所述第一阳极单元与所述第一阴极单元绝缘设置。
在本申请的显示面板中,所述第一阴极单元包括多个条状的第一子阴极单元,所述第二阴极单元包括多个条状的第二子阴极单元,所述第一子阴极单元与所述第二子阴极单元交错对应设置;
所述第一阳极单元包括多个条状的第一子阳极单元,所述第二阳极单元包括多个条状的第二子阳极单元,所述第一子阳极单元与所述第二子阳极单元交错对应设置。
在本申请的显示面板中,与所述第一阳极单元接触的所述像素定义层的侧壁包括多个条状的第一凸起及多个条状的第一凹陷,与所述第二阳极单元接触的所述第一绝缘层包括多个条状的第二凸起及多个条状的第二凹陷,一所述第一凸起与一所述第二凹陷对应,一所述第二凸起与一所述第一凹陷对应;
与所述第一阴极单元接触的所述像素定义层的侧壁包括多个条状的第三凸起及多个条状的第三凹陷,与所述第二阴极单元接触的所述第一绝缘层包括多个条状的第四凸起及多个条状的第四凹陷,一所述第三凸起与一所述第四凹陷对应,一所述第四凸起与一所述第三凹陷对应。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述像素定义层上由所述第一阴极单元延伸的第四阴极单元,所述第四阴极单元与所述阵列基板平行;
所述第三阴极单元搭接在所述第四阴极单元上。
一种显示面板的制作方法,包括:
在第一衬底上形成多个第三阴极单元;
在所述第三阴极单元上形成发光单元;
在所述发光单元上形成包括至少一第一过孔的第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述发光单元及覆盖部分所述第三阴极单元;
在所述第一绝缘层上及在所述第一绝缘层的侧壁上形成第二阳极单元,在所述第一绝缘层的侧壁上形成第二阴极单元,以形成发光器件单元;
在阵列基板上形成包括多个第一开口的像素定义层;
在所述像素定义层上形成位于所述第一开口的侧壁上的第一阳极单元与第一阴极单元;
将所述发光器件单元转移至所述第一开口内,以形成包括所述发光器件单元、所述第一阳极单元以及所述第一阴极单元的发光层;
其中,所述第二阳极单元通过所述第一过孔与所述发光单元电连接,所述第一阳极单元与所述第一阴极单元相对设置,所述第二阳极单元与所述第二阴极单元绝缘设置,所述第三阴极单元与所述第二阴极单元电连接,所述第二阴极单元与所述第一阴极单元电连接,所述第二阳极单元与所述第一阳极单元电连接。
有益效果:本申请通过将发光器件单元的电极引至发光器件单元的外壁上,增大发光器件单元电极的绑定面积,提高了绑定良率。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请显示面板的第一种结构的结构示意图;
图2为本申请显示面板的第二种结构的局部结构示意图;
图3为本申请显示面板的第三种结构的局部结构示意图;
图4为本申请显示面板的第四种结构的局部结构示意图;
图5为本申请显示面板的第五种结构的局部结构示意图;
图6为本申请显示面板的第六种结构的俯视示意图;
图7为本申请显示面板的第七种结构的俯视示意图;
图8为本申请显示面板的制作方法的步骤流程图;
图9~图17为本申请显示面板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
目前,随着LED芯片尺寸的缩小,焊盘尺寸也会成倍减小,从而使LED芯片与焊盘的焊接面积减小,特别在显示面板需要折叠、拉伸的柔性显示面板中,LED芯片脱焊的概率增加,致使显示面板的坏点的数量增多,降低了显示面板的显示效果。
请参阅图1~图7,本申请公开了一种显示面板100,包括阵列基板200、位于所述阵列基板200上的像素定义层300与发光层,所述像素定义层300包括多个第一开口310,所述发光层包括位于所述第一开口310的侧壁上的第一阳极单元510与第一阴极单元610以及位于所述第一开口310内的发光器件单元400,所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610在所述第一开口310内相对设置。
其中,所述发光器件单元400包括发光单元440以及位于所述发光单元440***的第二阴极单元620与第二阳极单元520,所述第二阴极单元620与所述第一阴极单元610电连接,所述第二阳极单元520与所述第一阳极单元510电连接。
本申请通过将发光器件单元的电极引至发光器件单元的外壁上,增大发光器件单元电极的绑定面积,提高了绑定良率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
所述显示面板100包括阵列基板200、位于所述阵列基板200上的像素定义层300与发光层,所述像素定义层300包括多个第一开口310,所述发光层包括位于所述第一开口310的侧壁上的第一阳极单元510与第一阴极单元610以及位于所述第一开口310内的发光器件单元400,所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610在所述第一开口310内相对设置,具体请参阅图1。
本实施例中,一所述第一开口310对应所述显示面板100的一像素单元。
本实施例中,所述发光器件单元400可以为Mini LED或Micro LED,在此不做限定。
本实施例中,所述发光器件单元400包括发光单元440以及位于所述发光单元440***的第二阴极单元620与第二阳极单元520,所述第二阴极单元620与所述第一阴极单元610电连接,所述第二阳极单元520与所述第一阳极单元510电连接,具体请参阅图1。
本实施例中,所述发光器件单元400还包括第三阴极单元630以及第一绝缘层410。所述发光单元440位于所述第三阴极单元630靠近所述阵列基板200一侧,所述第三阴极单元630与所述发光单元440电连接。所述第一绝缘层410覆盖所述发光单元440及覆盖部分所述第三阴极单元630,所述第一绝缘层410包括至少一第一过孔401,所述第二阳极单元520通过所述第一过孔401与所述发光单元440电连接。其中,所述第三阴极单元630与所述第二阴极单元620电连接,所述第二阳极单元520与所述第二阴极单元620绝缘设置,所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610绝缘设置,具体请参阅图1。所述第一绝缘层410对所述发光单元440进行保护。所述第三阴极单元630与所述发光单元440直接进行电连接,有利于增大接触面积,减小电阻,同时,所述第三阴极单元630的材料可以为透明氧化铟锡,可以进一步提高光线通过率,有利于提高显示亮度。
本实施例中,所述发光器件单元400还包括位于所述第三阴极单元630与所述发光单元440之间的第二绝缘层420。所述第二绝缘层420包括至少一第二过孔402,所述第三阴极单元630通过所述第二过孔402与所述发光单元440电连接,其中,所述第一绝缘层410覆盖所述第二绝缘层420,具体请参阅图2。在所述第三阴极单元630与所述发光单元440之间增加所述第二绝缘层420,可以提高所述发光单元440的电稳定性,所述第二绝缘层420的材料为透明材料,包括硅氮化合物或硅氧化合物。
本实施例中,所述像素定义层300还包括多个第二开口320。所述显示面板100还包括由所述第一阳极单元510延伸的第三阳极单元530,所述第三阳极单元530通过所述第二开口320电连接所述第一阳极单元510与所述阵列基板200的源漏极层,具体请参阅图2,容易理解,本申请附图中均无画出源漏极层。将所述第一阳极单元510通过所述第三阳极单元530连接至所述源漏极层,实现所述发光器件单元400与所述源漏极层的电连接,实现正常显示。
本实施例中,所述显示面板100还包括有所述第二阳极单元520延伸的第四阳极单元540,所述第四阳极单元540搭接在所述第三阳极单元530上。所述第四阳极单元540与所述阵列基板200平行,具体请参阅图5。增加所述第四阳极单元540与第三阳极单元530的接触面积,进一步增大发光器件单元400电极与像素单元阴阳极之间的接触面积,提高绑定良率。
本实施例中,所述第一阳极单元510还设置在所述第一开口310的底部。所述阵列基板200包括靠近所述像素定义层300的平坦层210,所述平坦层210包括多个第三开口330,所述第三开口330连接所述第一开口310以及使所述阵列基板200的源漏极层裸露,所述第一阳极单元510通过所述第三开口330与所述阵列基板200的源漏极层电连接,具体请参阅图4。所述第一阳极单元510位于所述第一开口310内的所述平坦层210上,增加了与所述第二阳极单元520的接触面积,增加了电连接稳定性,同时所述第一阳极单元510通过所述第三开口330连接至所述源漏极层,实现所述发光器件单元400与所述源漏极层的电连接,实现正常显示,减少了多余金属走线。
本实施例中,容易理解,所述第三开口330及所述第二开口320的方案可以同时设置,在此说明,不再重复做图。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述第一开口310内的第三绝缘层430,所述第三绝缘层430位于所述平坦层210与所述发光器件单元400之间,以及所述第三绝缘层430位于所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610之间,以使所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610绝缘设置,具体请参阅图4。所述第三绝缘层430位于所述阵列基板200上。通过所述第三绝缘层430的设置,将所述第一阳极单元510及所述第一阴极单元610绝缘设置,避免了在显示面板100使用过程中,由于第一阳极单元510或第一阴极单元610融化等异常导致第一阳极单元510与第一阴极单元610之间发生的短路,或者在第一阳极单元510与所述第一阴极单元610图案化后,没有完全分隔开两者,导致的接触短路,避免损坏显示面板100。所述第三绝缘层430可以与所述像素定义层300一同形成,所述第三绝缘层430的材料可以与所述像素定义层300的材料相同。
本实施例中,所述第一阴极单元610包括多个条状的第一子阴极单元611,所述第二阴极单元620包括多个条状的第二子阴极单元621,所述第一子阴极单元611与所述第二子阴极单元621交错对应设置。所述第一阳极单元510包括多个条状的第一子阳极单元511,所述第二阳极单元520包括多个条状的第二子阳极单元521,所述第一子阳极单元511与所述第二子阳极单元521交错对应设置,具体请参阅图6。通过对所述第一阴极单元610、所述第二阴极单元620、所述第一阳极单元510以及所述第二阳极单元520图案化,形成该交错咬合的结构,在显示面板100扭曲折叠过程中,更好地稳定电连接,避免脱焊发生,保证了显示良率。
本实施例中,与所述第一阳极单元510接触的所述像素定义层300的侧壁包括多个条状的第一凸起710及多个条状的第一凹陷810,与所述第二阳极单元520接触的所述第一绝缘层410包括多个条状的第二凸起720及多个条状的第二凹陷820,一所述第一凸起710与一所述第二凹陷820对应,一所述第二凸起720与一所述第一凹陷810对应。与所述第一阴极单元610接触的所述像素定义层300的侧壁包括多个条状的第三凸起730及多个条状的第三凹陷830,与所述第二阴极单元620接触的所述第一绝缘层410包括多个条状的第四凸起740及多个条状的第四凹陷840,一所述第三凸起730与一所述第四凹陷840对应,一所述第四凸起740与一所述第三凹陷830对应,具体请参阅图7。对所述第一绝缘层410及所述像素定义层300的侧壁进行图案化处理,在对应位置形成的所述第一阴极单元610、所述第二阴极单元620、所述第一阳极单元510以及所述第二阳极单元520,可以形成交错咬合的结构,在显示面板100扭曲折叠过程中,更好地稳定电连接,避免脱焊发生,保证了显示良率。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述像素定义层300上由所述第一阴极单元610延伸的第四阴极单元640,所述第四阴极单元640与所述阵列基板200平行。所述第三阴极单元630搭接在所述第四阴极单元640上,具体请参阅图5。增加所述第四阴极单元640与第三阴极单元630的接触面积,进一步增大发光器件单元400电极与像素单元阴阳极之间的接触面积,提高绑定良率。
本实施例中,所述第一绝缘层410、所述第二绝缘层420的材料可以为透明材料,包括硅氮化合物或硅氧化合物等。
本实施例中,所述发光单元440包括N型半导体层、发光材料层以及P型半导体层。所述P型半导体层靠近所述第三阴极单元630。
本实施例中,所述第一阳极单元510、所述第一阴极单元610、所述第三阳极单元530以及所述第四阴极单元640的材料包括钼、铝、铜中任意一种或多种的组合,或者为透明氧化铟锡材料,在此不对材料做具体限定。
本实施例中,所述第二阳极单元520、所述第四阳极单元540、所述第二阴极单元620的材料包括钼、铝、铜中任意一种或多种的组合,或者为透明氧化铟锡材料,在此不对材料做具体限定。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述发光层上的封装层。所述封装层的材料为透明材料。
本申请通过将发光器件单元的电极引至发光器件单元的外壁上,增大发光器件单元电极的绑定面积,提高了绑定良率。
请参阅图1~图17,本申请还公开了一种显示面板100的制作方法,包括:
S100、在第一衬底110上形成多个第三阴极单元630。
S200、在所述第三阴极单元630上形成发光单元440。
S300、在所述发光单元440上形成包括至少一第一过孔401的第一绝缘层410,所述第一绝缘层410覆盖所述发光单元440。
S400、在所述第一绝缘层410上及在所述第一绝缘层410的侧壁上形成第二阳极单元520,在所述第一绝缘层410的侧壁上形成第二阴极单元620,以形成发光器件单元400。
S500、在阵列基板200上形成包括多个第一开口310的像素定义层300。
S600、在所述像素定义层300上形成位于所述第一开口310的侧壁上的第一阳极单元510与第一阴极单元610。
S700、将所述发光器件单元400转移至所述第一开口310内,以形成包括所述发光器件单元400、所述第一阳极单元510以及所述第一阴极单元610的发光层。
其中,所述第二阳极单元520通过所述第一过孔401与所述发光单元440电连接,所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610绝缘设置,所述第二阳极单元520与所述第二阴极单元620绝缘设置,所述第三阴极单元630与所述第二阴极单元620电连接,所述第二阴极单元620与所述第一阴极单元610电连接,所述第二阳极单元520与所述第一阳极单元510电连接。
本申请通过将发光器件单元的电极引至发光器件单元的外壁上,增大发光器件单元电极的绑定面积,提高了绑定良率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
所述显示面板100的制作方法包括:
S100、在第一衬底110上形成多个第三阴极单元630,具体请参阅图9。
本实施例中,所述第三阴极单元630的材料可以为透明氧化铟锡,可以进一步提高光线通过率,有利于提高显示亮度。
S200、在所述第三阴极单元630上形成发光单元440,具体请参阅图10。
本实施例中,所述发光单元440包括N型半导体层、发光材料层以及P型半导体层。所述P型半导体层靠近所述第三阴极单元630。
本实施例中,步骤S200之前还包括:
S201、在所述第三阴极单元630上形成包括至少一第二过孔402的第二绝缘层420,具体请参阅图16。
本实施例中,所述发光器件单元400还包括位于所述第三阴极单元630与所述发光单元440之间的第二绝缘层420。所述第二绝缘层420包括至少一第二过孔402,所述第三阴极单元630通过所述第二过孔402与所述发光单元440电连接,其中,后续步骤形成的所述第一绝缘层410覆盖所述第二绝缘层420,具体请参阅图2。在所述第三阴极单元630与所述发光单元440之间增加所述第二绝缘层420,可以提高所述发光单元440的电稳定性,所述第二绝缘层420的材料为透明材料,包括硅氮化合物或硅氧化合物等。
本实施例中,步骤S201可以省略,所述第三阴极单元630与所述发光单元440直接进行电连接,有利于增大接触面积,减小电阻,同时,所述第三阴极单元630的材料可以为透明氧化铟锡,可以进一步提高光线通过率,有利于提高显示亮度。
S300、在所述发光单元440上形成包括至少一第一过孔401的第一绝缘层410,所述第一绝缘层410覆盖所述发光单元440,具体请参阅图11。
本实施例中,所述第一过孔401设置于靠近所述阵列基板200一侧,具体请参阅图1。
本实施例中,所述第一绝缘层410对所述发光单元440进行保护。
S400、在所述第一绝缘层410上及在所述第一绝缘层410的侧壁上形成第二阳极单元520,在所述第一绝缘层410的侧壁上形成第二阴极单元620,以形成发光器件单元400,具体请参阅图12。
本实施例中,所述第二阳极单元520通过所述第一过孔401与所述发光单元440电连接,具体请参阅图2。所述第二阳极单元520与所述发光单元440电连接,并引出至与所述第一阳极单元510电连接,增大发光器件单元400阳电极与像素单元阳极之间的接触面积,提高了绑定良率。
本实施例中,在后续通过转运装置111将所述发光器件单元400转运至指定位置。
本实施例中,所述发光器件单元400可以为Mini LED或Micro LED,在此不做限定。
S500、在阵列基板200上形成包括多个第一开口310的像素定义层300,具体请参阅图13。
本实施例中,一所述第一开口310对应所述显示面板100的一像素单元。
S600、在所述像素定义层300上形成位于所述第一开口310的侧壁上的第一阳极单元510与第一阴极单元610,具体请参阅图14。
本实施例中,所述第一阳极单元510还设置在所述第一开口310的底部。所述阵列基板200包括靠近所述像素定义层300的平坦层210,所述平坦层210包括多个第三开口330,所述第三开口330连接所述第一开口310以及使所述阵列基板200的源漏极层裸露,所述第一阳极单元510通过所述第三开口330与所述阵列基板200的源漏极层电连接,具体请参阅图4。所述第一阳极单元510位于所述第一开口310内的所述平坦层210上,增加了与所述第二阳极单元520的接触面积,增加了电连接稳定性,同时所述第一阳极单元510通过所述第三开口330连接至所述源漏极层,实现所述发光器件单元400与所述源漏极层的电连接,实现正常显示,减少了多余金属走线。
本实施例中,形成所述像素定义层300的步骤还包括:
S510、在所述第一开口310内形成第三绝缘层430。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述第一开口310内的第三绝缘层430,所述第三绝缘层430位于所述平坦层210与所述发光器件单元400之间,以及所述第三绝缘层430位于所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610之间,以使所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610绝缘设置。所述第三绝缘层430位于所述阵列基板200上,具体请参阅图4。通过所述第三绝缘层430的设置,将所述第一阳极单元510及所述第一阴极单元610绝缘设置,避免了在显示面板100使用过程中,由于第一阳极单元510或第一阴极单元610融化等异常导致第一阳极单元510与第一阴极单元610之间发生的短路,或者在第一阳极单元510与所述第一阴极单元610图案化后,没有完全分隔开两者,导致的接触短路,避免损坏显示面板100。所述第三绝缘层430可以与所述像素定义层300一同形成,所述第三绝缘层430的材料可以与所述像素定义层300的材料相同。
本实施例中,步骤S600包括:
S610、在所述像素定义层300及所述阵列基板200上形成金属导电材料层。
S620、对所述金属导电材料层图案化处理,形成包括多个条状的第一子阴极单元611的第一阴极单元610、形成包括多个条状的第二子阴极单元621的第二阴极单元620、形成包括多个条状的第二子阳极单元521的第二阳极单元520包以及形成包括多个条状的第一子阳极单元511的第一阳极单元510。
本实施例中,所述第一阴极单元610包括多个条状的第一子阴极单元611,所述第二阴极单元620包括多个条状的第二子阴极单元621,所述第一子阴极单元611与所述第二子阴极单元621交错对应设置。所述第一阳极单元510包括多个条状的第一子阳极单元511,所述第二阳极单元520包括多个条状的第二子阳极单元521,所述第一子阳极单元511与所述第二子阳极单元521交错对应设置,具体请参阅图6。通过对所述第一阴极单元610、所述第二阴极单元620、所述第一阳极单元510以及所述第二阳极单元520图案化,形成该交错咬合的结构,在显示面板100扭曲折叠过程中,更好地稳定电连接,避免脱焊发生,保证了显示良率。
本实施例中,形成所述像素定义层300的步骤还包括:
S520、在所述像素定义层300的所述第一开口310的侧壁的第一侧上形成多个条状的第一凸起710及多个条状的第一凹陷810。
S530、在所述像素定义层300的所述第一开口310的侧壁的第二侧上形成多个条状的第三凸起730及多个条状的第三凹陷830。
形成所述第二阳极单元520及所述第二阴极单元620之前,步骤S400还包括:
S401、在所述第一绝缘层410的第一侧形成多个条状的第二凸起720及多个条状的第二凹陷820。
S402、在所述第一绝缘层410的第二侧形成多个条状的第四凸起740及多个条状的第四凹陷840。
本实施例中,与所述第一阳极单元510接触的所述像素定义层300的侧壁包括多个条状的第一凸起710及多个条状的第一凹陷810,与所述第二阳极单元520接触的所述第一绝缘层410包括多个条状的第二凸起720及多个条状的第二凹陷820,一所述第一凸起710与一所述第二凹陷820对应,一所述第二凸起720与一所述第一凹陷810对应。与所述第一阴极单元610接触的所述像素定义层300的侧壁包括多个条状的第三凸起730及多个条状的第三凹陷830,与所述第二阴极单元620接触的所述第一绝缘层410包括多个条状的第四凸起740及多个条状的第四凹陷840,一所述第三凸起730与一所述第四凹陷840对应,一所述第四凸起740与一所述第三凹陷830对应,具体请参阅图7。对所述第一绝缘层410及所述像素定义层300的侧壁进行图案化处理,在对应位置形成的所述第一阴极单元610、所述第二阴极单元620、所述第一阳极单元510以及所述第二阳极单元520,可以形成交错咬合的结构,在显示面板100扭曲折叠过程中,更好地稳定电连接,避免脱焊发生,保证了显示良率。
本实施例中,形成所述像素定义层300的步骤还包括:
S540、在所述像素定义层300上形成多个第二开口320,所述第二开口320使所述阵列基板200的源漏极层裸露。
在所述像素定义层300上形成位于所述第一开口310的侧壁上的第一阳极单元510与第一阴极单元610之后,还包括:
S601、在所述像素定义层300上形成由所述第一阳极单元510延伸的第三阳极单元530,所述第三阳极单元530通过所述第二开口320与所述源漏极层电连接。
本实施例中,所述像素定义层300还包括多个第二开口320。所述显示面板100还包括由所述第一阳极单元510延伸的第三阳极单元530,所述第三阳极单元530通过所述第二开口320电连接所述第一阳极单元510与所述阵列基板200的源漏极层,具体请参阅图2。将所述第一阳极单元510通过所述第三阳极单元530连接至所述源漏极层,实现所述发光器件单元400与所述源漏极层的电连接,实现正常显示。
S700、将所述发光器件单元400转移至所述第一开口310内,以形成包括所述发光器件单元400、所述第一阳极单元510以及所述第一阴极单元610的发光层,具体请参阅图15。
本实施例中,所述显示面板100还包括有所述第二阳极单元520延伸的第四阳极单元540,所述第四阳极单元540搭接在所述第三阳极单元530上。所述第四阳极单元540与所述阵列基板200平行,具体请参阅图5。增加所述第四阳极单元540与第三阳极单元530的接触面积,进一步增大发光器件单元400电极与像素单元阴阳极之间的接触面积,提高绑定良率。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述像素定义层300上由所述第一阴极单元610延伸的第四阴极单元640,所述第四阴极单元640与所述阵列基板200平行。所述第三阴极单元630搭接在所述第四阴极单元640上,具体请参阅图5。增加所述第四阴极单元640与第三阴极单元630的接触面积,进一步增大发光器件单元400电极与像素单元阴阳极之间的接触面积,提高绑定良率。
本实施例中,通过转运装置111将所述发光器件单元400转运至所述第一开口310内,其中,所述第三阴极单元630设置于远离所述阵列基板200,具体请参阅图15。
本实施例中,所述第一绝缘层410、所述第二绝缘层420的材料可以为透明材料,包括硅氮化合物或硅氧化合物。
本实施例中,所述发光单元440包括N型半导体层、发光材料层以及P型半导体层。所述P型半导体层靠近所述第三阴极单元630。
本实施例中,所述第一阳极单元510、所述第一阴极单元610、所述第三阳极单元530以及所述第四阴极单元640的材料包括钼、铝、铜中任意一种或多种的组合,或者为透明氧化铟锡材料,在此不对材料做具体限定。
本实施例中,所述第二阳极单元520、所述第四阳极单元540、所述第二阴极单元620的材料包括钼、铝、铜中任意一种或多种的组合,或者为透明氧化铟锡材料,在此不对材料做具体限定。
本实施例中,所述第二阳极单元520通过所述第一过孔401与所述发光单元440电连接,所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610绝缘设置,所述第二阳极单元520与所述第二阴极单元620绝缘设置,所述第三阴极单元630与所述第二阴极单元620电连接,所述第二阴极单元620与所述第一阴极单元610电连接,所述第二阳极单元520与所述第一阳极单元510电连接,所述第一阳极单元510与所述第一阴极单元610绝缘设置。
本实施例中,所述显示面板的制作方法还包括:
S800、在所述发光层上形成封装层。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述发光层上的封装层。所述封装层的材料为透明材料。
本申请通过将发光器件单元的电极引至发光器件单元的外壁上,增大发光器件单元电极的绑定面积,提高了绑定良率。
本申请公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括阵列基板、位于该阵列基板上的像素定义层与发光层,该像素定义层包括多个第一开口,该发光层包括位于该第一开口侧壁上的第一阳极单元与第一阴极单元以及位于该第一开口内的发光器件单元,该第一阳极单元与该第一阴极单元在该第一开口内相对设置;其中,该发光器件单元包括发光单元以及位于该发光单元***的第二阴极单元与第二阳极单元,该第二阴极单元与该第一阴极单元电连接,该第二阳极单元与该第一阳极单元电连接。本申请通过将发光器件单元的电极引至发光器件单元的外壁上,增大发光器件单元电极的绑定面积,提高了绑定良率。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括阵列基板、位于所述阵列基板上的像素定义层与发光层,所述像素定义层包括多个第一开口,所述发光层包括位于所述第一开口的侧壁上的第一阳极单元与第一阴极单元以及位于所述第一开口内的发光器件单元,所述第一阳极单元与所述第一阴极单元在所述第一开口内相对设置;
其中,所述发光器件单元包括发光单元以及位于所述发光单元***的第二阴极单元与第二阳极单元,所述第二阴极单元与所述第一阴极单元电连接,所述第二阳极单元与所述第一阳极单元电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件单元还包括:
第三阴极单元,所述发光单元位于第三阴极单元靠近所述阵列基板的一侧,所述第三阴极单元与所述发光单元电连接;
第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述发光单元及覆盖部分所述第三阴极单元,所述第一绝缘层包括至少一第一过孔,所述第二阳极单元通过所述第一过孔与所述发光单元电连接;
其中,所述第三阴极单元与所述第二阴极单元电连接,所述第二阳极单元与所述第二阴极单元绝缘设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件单元还包括位于所述第三阴极单元与所述发光单元之间的第二绝缘层,所述第二绝缘层包括至少一第二过孔,所述第三阴极单元通过所述第二过孔与所述发光单元电连接;
其中,所述第一绝缘层覆盖所述第二绝缘层。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层还包括多个第二开口;
所述显示面板还包括由所述第一阳极单元延伸的第三阳极单元,所述第三阳极单元通过所述第二开口电连接所述第一阳极单元与所述阵列基板的源漏极层。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一阳极单元还设置在所述第一开口的底部;
所述阵列基板包括靠近所述像素定义层的平坦层,所述平坦层包括多个第三开口,所述第三开口连接所述第一开口以及使所述阵列基板的源漏极层裸露,所述第一阳极单元通过所述第三开口与所述源漏极层电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第一开口内的第三绝缘层,所述第三绝缘层位于所述平坦层与所述发光器件单元之间,以及所述第三绝缘层位于所述第一阳极单元与所述第一阴极单元之间,以使所述第一阳极单元与所述第一阴极单元绝缘设置。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一阴极单元包括多个条状的第一子阴极单元,所述第二阴极单元包括多个条状的第二子阴极单元,所述第一子阴极单元与所述第二子阴极单元交错对应设置;
所述第一阳极单元包括多个条状的第一子阳极单元,所述第二阳极单元包括多个条状的第二子阳极单元,所述第一子阳极单元与所述第二子阳极单元交错对应设置。
8.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,与所述第一阳极单元接触的所述像素定义层的侧壁包括多个条状的第一凸起及多个条状的第一凹陷,与所述第二阳极单元接触的所述第一绝缘层包括多个条状的第二凸起及多个条状的第二凹陷,一所述第一凸起与一所述第二凹陷对应,一所述第二凸起与一所述第一凹陷对应;
与所述第一阴极单元接触的所述像素定义层的侧壁包括多个条状的第三凸起及多个条状的第三凹陷,与所述第二阴极单元接触的所述第一绝缘层包括多个条状的第四凸起及多个条状的第四凹陷,一所述第三凸起与一所述第四凹陷对应,一所述第四凸起与一所述第三凹陷对应。
9.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述像素定义层上由所述第一阴极单元延伸的第四阴极单元,所述第四阴极单元与所述阵列基板平行;
所述第三阴极单元搭接在所述第四阴极单元上。
10.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在第一衬底上形成多个第三阴极单元;
在所述第三阴极单元上形成发光单元;
在所述发光单元上形成包括至少一第一过孔的第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述发光单元及覆盖部分所述第三阴极单元;
在所述第一绝缘层上及在所述第一绝缘层的侧壁上形成第二阳极单元,在所述第一绝缘层的侧壁上形成第二阴极单元,以形成发光器件单元;
在阵列基板上形成包括多个第一开口的像素定义层;
在所述像素定义层上形成位于所述第一开口的侧壁上的第一阳极单元与第一阴极单元;
将所述发光器件单元转移至所述第一开口内,以形成包括所述发光器件单元、所述第一阳极单元以及所述第一阴极单元的发光层;
其中,所述第二阳极单元通过所述第一过孔与所述发光单元电连接,所述第一阳极单元与所述第一阴极单元相对设置,所述第二阳极单元与所述第二阴极单元绝缘设置,所述第三阴极单元与所述第二阴极单元电连接,所述第二阴极单元与所述第一阴极单元电连接,所述第二阳极单元与所述第一阳极单元电连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110012639.1A CN112652253A (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110012639.1A CN112652253A (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 显示面板及其制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112652253A true CN112652253A (zh) | 2021-04-13 |
Family
ID=75367475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110012639.1A Pending CN112652253A (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112652253A (zh) |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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