CN112649178A - Led发光检测***及led发光检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种LED发光检测***，包括光检测装置、可调滤光器和成像镜头组，成像镜头组设置在可调滤光器和LED芯片阵列之间，光检测装置用于采集LED芯片阵列中各个LED芯片在通过可调滤光器和成像镜头组后的发光强度，可调滤光器具有位置可调的滤光区域。本发明能够快速对LED芯片进行发光功率检测，且成本较低。

Description

LED发光检测***及LED发光检测方法

技术领域

本发明涉及LED领域，尤其涉及一种LED发光检测***及LED发光检测方法。

背景技术

MicroLED显示***生产需要使用大批量生产的微型LED芯片。而大批量的LED在晶圆表面外延生长加工过程中，存在LED发光功率和发光光谱一致性问题，需要进行在线监测和记录。

传统LED生产工艺中的检测流程中，通过光谱仪等光检测装置和使用固定式滤光片检测LED发光功率和光谱一致性，LED发出的光线会透过固定式滤光片，从而只有特定波长的光线会照射在光检测器上，光检测器由此检测LED在该波长范围的发光功率。该波长范围检测完毕后，手动切换滤光片，继续检测下一波长，从而对LED的发光功率和发光光谱的一致性进行检测。

然而，常规LED检测设备对LED芯片的检测效率较低，难以完成大批量的LED芯片发光功率检测。

发明内容

本发明提供一种LED发光检测***及LED发光检测方法，能够快速对LED芯片进行发光功率检测，且成本较低。

第一方面，本发明提供一种LED发光检测***，包括光检测装置、可调滤光器和成像镜头组，成像镜头组设置在可调滤光器和LED芯片阵列之间，光检测装置用于采集LED芯片阵列中各个LED芯片在通过可调滤光器和成像镜头组后的发光强度，可调滤光器具有位置可调的滤光区域，以及在该滤光区域内可调的透过光谱窗口。

第二方面，本发明提供一种LED发光检测方法，该方法应用于如上所述的LED发光检测***，该方法具体包括：

先点亮LED芯片阵列；再将可调滤光器的滤光区域顺次调节至不同位置，以使可调滤光器在单次滤光时允许LED芯片阵列中的部分LED芯片的光通过，其中不同滤光区域的位置与LED芯片阵列中不同LED芯片相对应；再获得LED芯片阵列中每颗或每组LED芯片的发光功率和光谱特性。

本发明提供的LED发光检测***及LED发光检测方法，LED发光检测***具体可以包括光检测装置、可调滤光器和成像镜头组等组成部分；其中，成像镜头组设置在可调滤光器和LED芯片阵列之间，光检测装置用于采集LED芯片阵列中，各个LED芯片在通过可调滤光器和成像镜头组后的发光强度，可调滤光器具有位置可调的滤光区域。这样检测过程较为快捷，能够快速检测LED芯片的发光强度和光谱等参数，可以实现低成本、高速度的LED芯片光学检测功能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例一提供的一种LED发光检测***的结构示意图；

图2a是本申请实施例一提供的可调滤光器的滤光区域对应第一位置或第一入射角度时的示意图；

图2b是本申请实施例一提供的可调滤光器的滤光区域对应第二位置或第二入射角度时的示意图；

图3是本申请实施例一提供的另一种LED发光检测***的结构示意图；

图4是本申请实施例二提供的LED发光检测方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在制造LED芯片时，会在晶圆表面采用外延生长的方式，制成多个呈阵列设置的LED芯片。后续再通过切割等手段，将晶圆上的LED芯片相互分离，从而得到独立的LED发光芯片。其中，晶圆上的不同LED芯片，其发光功率和发光光谱范围可能存在一定的差异。为此，在生产过程中，需要对晶圆上的LED芯片进行在线检测，以得到LED芯片的发光功率和发光光谱范围等参数，以便于对LED芯片进行后续筛选或者优化生产工艺，提高产品良率。

为此，本申请提供一种LED发光检测***及发光检测方法，能够对LED芯片的发光功率和发光光谱范围等参数进行快速检测。

实施例一

图1是本申请实施例一提供的一种LED发光检测***的结构示意图。如图1所示，本实施例提供的LED发光检测***100，具体可以包括光检测装置1、可调滤光器2和成像镜头组3等组成部分。其中，成像镜头组3设置在可调滤光器2和LED芯片阵列4之间，光检测装置1用于采集LED芯片阵列4中，各个LED芯片41在通过可调滤光器2和成像镜头组3后的发光强度，可调滤光器2具有位置可调的滤光区域。

具体的，本实施例提供的LED发光检测***100，其整体为一光学接收和检测***，其中的成像镜头组3、可调滤光器2和光检测装置1可以沿着待检测LED芯片阵列4的发光方向依次排列，以接收并采集LED芯片阵列4发出的光线。其中，成像镜头组3用于改变LED芯片阵列4发出光线的方向，使光线聚集至可调滤光器2；而可调滤光器2可以对LED芯片阵列4中发出的光进行滤光操作，从而可使整个LED芯片阵列4中特定LED芯片的光线透过。而光检测装置1能够接收并采集透过可调滤光器2的光，以获得LED芯片的发光功率等参数，由此实现对于LED芯片41的发光功率和发光光谱范围等参数的采集。

其中，LED芯片阵列4生长在晶圆5上，且LED芯片阵列4中包含有多个LED芯片41，而这些LED芯片41处于阵列中的不同位置，因此，可以让可调滤光器2具有位置可调的滤光区域。该滤光区域对应的发光光源范围并不是整个LED芯片阵列4，而是每次只允许LED芯片阵列4中特定位置的LED芯片发出的光通过。也就是说，可调滤光器2自身为局域透光，而其它区域则无法让LED芯片发出的光透过。

这样，LED发光检测***100每次并不是检测整个LED芯片阵列4的发光，而是仅检测阵列中的特定LED芯片41的发光情况。因而通过滤光区域的位置的调整，以使可调滤光器2分别对应不同的LED芯片，从而让LED发光检测***100检测特定LED芯片41的发光。这样可以在每次检测时，将可调滤光器2切换至对应不同位置LED芯片的不同滤光区域，从而完成LED芯片阵列4中不同LED芯片的发光功率等发光特性的检测。

此时，光检测装置1只需要简单检测发光功率等参数即可，其功能和结构较为简单。具体的，光检测装置1可以包括光功率计、电荷耦合器件(Charge-coupled Device，CCD)摄像机或者是其它单通道光学检测装置等，光检测装置1的结构较为简单，成本较低，且检测精度可以更高，检测速度更快。

具体的，当可调滤光器2进行滤光区域的切换和调整时，具体可以通过多种不同方式来切换至不同位置的滤光区域。例如，可调滤光器2中可以具有可调式滤光片，其可以进行快速调节，从而实现不同局部位置的滤光，具体的，可以通过可调滤光器2自身内部元件的相位改变而改变可调式滤光片在不同局部位置的透光率，从而实现滤光区域的位置变换。或者，也可以在可调滤光器2中设置多个分别对应不同位置的滤光区域或者滤光通道，并通过单个滤光区域或滤光通道的打开或关闭来实现滤光区域的位置变换，或者是本领域技术人员所熟知的其它让可调滤光器2的滤光区域呈空间变化的手段等，此处不加以限制。

由于LED发光检测***100中包括有可调滤光器2，而可调滤光器2自身可以自动进行滤光区域的位置调整和切换，从而让LED发光检测***100每次对LED芯片阵列4中部分LED芯片或者特定若干颗LED芯片进行检测，这样和人工更换滤光片的方式相比，检测过程较为快捷，能够快速检测LED芯片41的发光强度等参数，而光检测装置1只需要进行单通道的发光功率等参数测量即可，可以实现低成本、高精度、高速度的LED芯片光学检测功能。

而为了对LED芯片阵列4中的每个LED芯片41进行检测，获取单个LED芯片41的发光功率等参数，作为一种可选的实施方式，可调滤光器2的滤光区域可以对应至LED芯片阵列4中的单个LED芯片41。

其中，为了对LED芯片41的发光一致性进行较为全面、精确的检测，在晶圆5上形成了LED芯片阵列4后，可以让LED发光检测***100对LED芯片阵列4中每一颗LED芯片41进行检测，从而获得单颗LED芯片41的发光功率等参数。具体的，可以通过设置可调滤光器2中的滤光区域大小，使滤光区域仅对应单个LED芯片41。这样LED发光检测***100在对LED芯片阵列4的发光强度等参数进行检测时，每次仅会允许单个LED芯片41的光通过可调滤光器2，并照射至光检测装置1上。而除该LED芯片外的其它LED芯片，其所发出的光会被可调滤光器2阻拦而无法通过。

因此，将可调滤光器2的滤光区域大小设置为对应单个LED芯片41时，即可让可调滤光器2每次仅允许单个LED芯片41的光通过，而LED发光检测***100在单次检测时可以检测单个LED芯片41的发光功率，其检测的精确性较高。

当LED发光检测***100接收来自LED芯片41发出的光时，LED发光检测***100会和LED芯片阵列4相对设置。本领域技术人员可以理解的是，由于LED芯片阵列4中的不同LED芯片之间会具有一定的间距，因此LED芯片41在向LED发光检测***100出光时，不同的LED芯片，其发出的光会和可调滤光器2之间形成不同的入射角度。因此，作为另一种可选的实施方式，可以让可调滤光器2的滤光区域允许特定角度的入射光入射，以使单个LED芯片41的光由滤光区域通过。具体的，可以设置LED芯片阵列4中，位于正中心的LED芯片和可调滤光器2正对设置，此时，位于LED芯片阵列4正中心的LED芯片，其发出的光与可调滤光器2之间的入射角度为0°，而其它LED芯片根据其距离LED芯片阵列4正中心的位置，而相应与可调滤光器2形成不同的入射角度。此时，即可让可调滤光器2的滤光区域仅允许某一特定角度的入射光入射，而此时，LED芯片阵列4中，处于与该特定入射角度对应位置的LED芯片，其所发出的光线可通过可调滤光器2的滤光区域而被光检测装置1所检测；而处于其它位置的LED芯片，由于其发出的光为其它角度，因而会被可调滤光器2所滤除。这样LED发光检测***100即可对LED芯片阵列4中特定位置的LED芯片进行检测。

此外，作为又一种可选的实施方式，还可以让将特定位置以及特定的入射光线角度同时作为判断依据，以使可调滤光器2进行滤光。具体的，可调滤光器2的滤光区域允许特定区域以及特定角度的入射光入射，以使单个LED芯片41的光由滤光区域通过。这样，只有位于特定位置，且以特定角度产生入射光的LED芯片41，其发出的光才会通过可调滤光器2，而其它位置和角度的LED芯片所发出的光则被可调滤光器2滤除。

图2a是本申请实施例一提供的可调滤光器的滤光区域对应第一位置或第一入射角度时的示意图。图2b是本申请实施例一提供的可调滤光器的滤光区域对应第二位置或第二入射角度时的示意图。如图2a所示，可以让可调滤光器2的滤光区域21对应某一特定位置，例如第一位置，或者是允许某一特定角度(例如是第一入射角度)的入射光入射。此时LED芯片阵列4中，处于该特定位置，或者与该特定入射角度对应的LED芯片，例如是LED芯片41a，其所发出的光线可通过可调滤光器2的滤光区域21而被光检测装置1所检测；而处于其它位置的LED芯片，例如是LED芯片41b，由于其发出的光来自其它位置和/或角度，因而会被可调滤光器2所滤除。这样LED发光检测***100即可对LED芯片阵列4中特定位置的LED芯片41a进行检测。而当可调滤光器2的滤光区域21位置发生了变化，从而对应至另一特定位置(例如是第二位置)，或者允许另一特定角度(例如是第二特定角度)的入射光入射，如图2b所示时，则LED芯片41b发出的光可通过可调滤光器2的滤光区域21，而此时其它位置的LED芯片，例如是LED芯片41a，的光会被可调滤光器2滤除。

此外，为了检测LED芯片41在特定的光谱范围的发光强度，也就是LED芯片的光谱特性，作为一种可选的实施方式，可调滤光器2的滤光区域还可以具有可调的滤光光谱范围。

具体的，LED芯片41在发光时，其所产生的光可以具有较大的波长范围，例如可以发出白光等。然而，LED芯片41所发出的光，会包含有位于不同波长范围内的分量。这样即使不同LED芯片41在发出白光时的发光功率具有较好的一致性，但不同波长范围内的分量，仍可能会具有较大的差异。因此，LED发光检测***100中的可调滤光器2，其滤光区域还可以具有可调的滤光光谱范围，这样可调滤光器2可以通过切换其滤光区域的滤光光谱，从而使LED芯片41所发出的光中，位于特定波长范围内的光线透过，而位于该特定波长范围以外的光线则被可调滤光器2所阻挡。这样，LED发光检测***100中的光检测装置1即可检测该LED芯片41在该特定波长范围内的发光功率。而可调滤光器2的滤光区域切换至不同滤光光谱范围时，即可分别获得LED芯片41在不同波长范围内的发光功率，由此检测LED芯片41的发光光谱特性。

其中，可调滤光器2内部可以设置有光转换部件，可以将入射至可调滤光器2的光转换为不同的波长，从而使LED芯片41发出的光转换至特定波长范围。具体的，光转换部件可以为能够将预设波长的光转为另一波长范围的材料构成，例如是磷光体等材料。或者，可调滤光器2的内部也可以设置对应不同颜色和波长的可调滤光片，并利用控制滤光片来使LED芯片41的特定波长范围的光通过，而其它波长范围的光被阻隔。

可选的，在进行检测时，滤光区域的滤光光谱范围可以在LED芯片41的整个发光波长范围内顺次切换及调节，并利用光检测装置1分别检测和记录LED芯片41在对应不同滤光光谱范围下的发光功率，从而使LED发光检测***100对LED芯片41的光谱特性进行检测。

或者，也可以通过调节可调滤光器2中滤光区域的滤光光谱范围，使光检测装置1检测LED芯片41在某一特定滤光光谱范围下的发光功率，并根据LED芯片41在该特定滤光光谱范围下的发光功率判断其发光光谱特性。

需要说明的是，LED发光检测***100中，可调滤光器2可以同时具有可调的滤光光谱范围和可调的滤光区域位置。这样可以分别通过滤光光谱范围的改变和滤光区域位置的改变，而检测不同LED芯片41的发光功率和光谱特性。此外，也可以令可调滤光器2仅具有可调的滤光光谱范围，或者是仅具有可调的滤光区域位置，其LED发光检测***100的具体结构以及工作原理可以参见上述实施方式，此处不再赘述。

此外，由于LED芯片41需要通电才能实现发光，因此在对LED芯片41的发光功率等发光特性参数进行检测时，还可以同时检测LED芯片41的电参数，以获得LED芯片的电光特性。

图3是本申请实施例一提供的另一种LED发光检测***的结构示意图。如图3所示，具体的，作为另一种可选的实施方式，除了前述实施方式中的各个部件以及结构外，LED发光检测***100中还可以包括电检测组件6，电检测组件6和LED芯片41具有电连接，用于检测LED芯片41在发光时的电流和电压中的至少一种。

其中，电检测组件6可以和LED芯片阵列4中的各个LED芯片均具有电连接，也可以是在检测时，逐一连接至LED芯片阵列4的不同LED芯片41上。电检测组件6可以配合LED发光检测***100中的可调滤光器2以及光检测装置1工作，在可调滤光器2的滤光区域切换至对应特定LED芯片时，同时检测该LED芯片41所具有的电压或者电流中的至少一种。同时，光检测装置1会采集和获取该LED芯片41的发光功率，由此即可得到该LED芯片的电光特性。

具体的，电检测组件6可以为多种不同形式的检测部件或者检测仪器。示例性的，本实施例中，电检测组件6可以为源表，且电检测组件6和LED芯片阵列4中的各个LED芯片41均具有电连接，从而可以执行单点或多点测量任务，以获取各个LED芯片41在通电发光时的电压值以及电流值。

本实施例中，LED发光检测***具体可以包括光检测装置、可调滤光器和成像镜头组等组成部分；其中，成像镜头组设置在可调滤光器和LED芯片阵列之间，光检测装置用于采集LED芯片阵列中，各个LED芯片在通过可调滤光器和成像镜头组后的发光强度，可调滤光器具有位置可调的滤光区域。这样检测过程较为快捷，能够快速检测LED芯片的发光强度等参数，可以实现低成本、高精度和高速度的LED芯片光学检测功能。

实施例二

本申请还提供一种LED发光检测方法。本实施例提供的LED发光检测方法，可以应用于前述实施例中的LED发光检测***100中，从而让LED发光检测***100能够快速可靠地对多个LED芯片进行检测，并获取单个LED芯片的发光功率和光谱一致性等信息。图4是本申请实施例二提供的LED发光检测方法的流程示意图。如图4所示，本实施例提供的LED发光检测方法，可以应用于前述实施例一的LED发光检测***，且LED发光检测方法具体可以包括：

S101、点亮LED芯片阵列。

具体的，为了检测LED芯片的发光特性，在晶圆5上加工制成LED芯片阵列4后，即可使LED芯片阵列4中的各个LED芯片通电发光。而LED发光检测***100即可和LED芯片阵列4的出光方向相对，从而检测LED芯片阵列4中各LED芯片的发光状态。

其中，为便于对LED芯片的快速检测，可以将整个LED芯片阵列4中的各个LED芯片均同时通电并点亮，此时，需要通过LED发光检测***100的依次切换，而顺次检测不同LED芯片的发光状态。

S102、将可调滤光器的滤光区域顺次调节至不同位置，以使可调滤光器在单次滤光时允许LED芯片阵列中的部分LED芯片的光通过，其中不同滤光区域的位置与LED芯片阵列中不同LED芯片相对应。

由于LED芯片阵列4中包括有多个LED芯片，为了单独检测不同LED芯片的发光功率等参数，可以在LED发光检测***100中设置可调滤光器2。其中，可调滤光器2的滤光区域的大小会与部分LED芯片对应区域的大小相互匹配，从而在LED发光检测***100每次进行检测时，滤光区域仅允许部分LED芯片的光透过。而可调滤光器2的滤光区域具有可变的位置，因而可调滤光器2可以通过调节滤光区域至不同位置，而使可调滤光器2在单次滤光时，让滤光区域对应位置的LED芯片发出的光通过，而阻拦滤光区域对应位置之外的LED芯片所发出的光。

具体的，LED发光检测***100在检测时，可以对LED芯片阵列4中的LED芯片进行顺次检测。其具体方式为让可调滤光器2的滤光区域进行顺次调节和切换，每一次切换后，滤光区域会调节至不同的位置，从而让可调滤光器2允许与该位置的滤光区域所对应的LED芯片的光通过。因此LED发光检测***100在可调滤光器2每次调节和切换后，均可以采集到不同LED芯片的发光状态。因而，可以在LED发光检测***100进行检测时，让可调滤光器2进行顺次切换，而每次切换即对应对LED芯片的单次检测过程。

其中，可调滤光器2的滤光区域可以对应LED芯片阵列4中的单颗不同LED芯片。这样可调滤光器2每次可以允许单颗LED芯片的光通过，而让LED发光检测***100每次对单颗LED芯片的发光状态进行检测。

需要说明的是，为了检测LED芯片阵列4中每一颗LED芯片的发光状态，可调滤光器2的滤光区域会进行顺次切换，且滤光区域所对应的位置会遍历整个LED芯片阵列4。此时，等效于让LED发光检测***100对LED芯片阵列4中的各个LED芯片进行扫描检测。这样经过顺次切换所有的滤光区域位置后，即可让LED发光检测***100对LED芯片阵列4上每一个LED芯片的发光功率等参数进行检测。

其中，该步骤具体可以包括多种不同的可选方式。例如，作为一种可选的方式，步骤S102具体可以包括：将可调滤光器2调节至允许特定区域和/或特定角度的入射光入射，以使LED芯片阵列4中的部分LED芯片的光通过。

由前述实施例中可知，不同LED芯片会位于LED芯片阵列4中的不同位置。因而可以让可调滤光器2的滤光区域仅对应LED芯片阵列4上的某一特定区域。只有该特定区域内的LED芯片所发出的光，才能通过可调滤光器2，而该特定区域之外的光，则会被可调滤光器2所阻挡而无法通过。此外，由于LED芯片阵列4中的不同LED芯片之间会具有一定的间距，因此LED芯片在向LED发光检测***100出光时，不同的LED芯片，其发出的光会和可调滤光器2之间形成不同的入射角度。此时，也可以让可调滤光器2的滤光区域允许特定角度的入射光入射，以使单个LED芯片的光由滤光区域通过；而处于其它位置的LED芯片，由于其发出的光的入射角度为其它角度，因而会被可调滤光器2所滤除。这样LED发光检测***100即可对LED芯片阵列4中处于特定位置，或者是和可调滤光器2之间具有特定入射角度的LED芯片进行检测。其中，对可调滤光器2进行调节，以允许特定区域和/或特定角度的入射光通过的具体方式可参见前述实施例中的具体说明，此处不再赘述。

其中，需要说明的是，可调滤光器2可以通过自身内部元件之间的相位调整等方式来使滤光区域定位至特定的方向和位置。

此外，为了获得LED芯片发光时的光谱一致性，可以对LED芯片在不同波长范围下的发光功率进行检测。此时，为了让LED发光检测***100检测LED芯片在不同波长下的发光状态，可选的，步骤S102具体可以包括：调节可调滤光器2允许透过光的光谱范围，以获得LED芯片在预设光谱范围内的发光强度。

具体的，为了获得LED芯片在某一波长范围下的发光功率等参数，可以让可调式滤光器的滤光区域具有不同的滤光波长范围。其中，滤光区域的滤光光谱范围可以在LED芯片的整个发光波长范围内顺次切换及调节，并利用光检测装置1分别检测和记录LED芯片在对应不同滤光光谱范围下的发光功率。或者，也可以使可调滤光器2中滤光区域具有特定的滤光光谱范围，从而让光检测装置1检测LED芯片在该特定滤光光谱范围下的发光功率，并根据LED芯片在该特定滤光光谱范围下的发光功率判断其发光光谱特性。

S103、获得LED芯片阵列中每颗LED芯片的发光功率和光谱特性。

由于LED发光检测***100在单次检测时，可以通过可调滤光器2中滤光区域的位置变化，让LED芯片阵列4中的部分甚至单颗LED芯片的光通过，因此LED发光检测***100中的光检测装置1即可对各个LED芯片的出光进行单独检测，从而获取每一颗LED芯片的发光功率，以及LED芯片在特定光谱范围下的发光功率，由此进一步得到每一颗LED芯片的光谱特性。

在获得了LED芯片阵列4中各个LED芯片的发光功率以及光谱特性等参数后，即可比较各LED芯片之间的发光状态差异，从而分析整个LED芯片阵列4的发光均匀性和一致性。

具体的，在对LED芯片的出光进行检测时，由于前述S102步骤中，已经通过可调滤光器2中滤光区域的切换，而允许单颗LED芯片发出的光通过，因此光检测装置1只需要具有单通道，即可正常检测LED芯片的发光功率等参数。其中，光检测装置1具体可以包括光功率计，或者是CCD摄像机等。

此外，在检测LED芯片的发光功率等光学指标时，可以同时对LED芯片的电学指标进行检测。具体的，作为一种可选的实施方式，LED发光检测方法中具体还可以包括获得每颗LED芯片在发光时的电压和/或电流。

具体的，可以通过在LED芯片阵列4中接入源表等电检测装置，以在LED芯片通电发光时，检测并记录各LED芯片所通入的电流，以及LED芯片两端的电压等电参数。这些电参数可以和LED芯片发光时的光学参数相互匹配，从而得到LED芯片在发光时的电光特性。

本实施例中，LED发光检测方法具体包括：先点亮LED芯片阵列，再将可调滤光器的滤光区域顺次调节至不同位置，以使可调滤光器在单次滤光时允许LED芯片阵列中的部分LED芯片的光通过，其中不同滤光区域的位置和透过光谱范围与LED芯片阵列中不同LED芯片相对应，最后获得LED芯片阵列中每颗LED芯片的发光功率和光谱特性。这样检测过程较为快捷灵敏，能够快速精确检测LED芯片的发光强度和光谱等参数，可以实现低成本、高精度和高速度的LED芯片光学检测功能。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种LED发光检测***，其特征在于，包括光检测装置、可调滤光器和成像镜头组，所述成像镜头组设置在所述可调滤光器和LED芯片阵列之间，所述光检测装置用于采集所述LED芯片阵列中各个LED芯片在通过所述可调滤光器和所述成像镜头组后的发光强度，所述可调滤光器具有位置可调的滤光区域。

2.根据权利要求1所述的LED发光检测***，其特征在于，所述可调滤光器的滤光区域对应至所述LED芯片阵列中的单个或部分LED芯片。

3.根据权利要求2所述的LED发光检测***，其特征在于，所述可调滤光器的滤光区域允许特定区域和/或特定角度的入射光入射，以使所述单个或部分LED芯片的光由所述滤光区域通过。

4.根据权利要求1-3任一项所述的LED发光检测***，其特征在于，所述光检测装置包括光功率计或者电荷耦合器件CCD摄像机。

5.根据权利要求1-3任一项所述的LED发光检测***，其特征在于，所述滤光区域具有可调的滤光光谱范围。

6.根据权利要求1-3任一项所述的LED发光检测***，其特征在于，还包括电检测组件，所述电检测组件和所述LED芯片电连接，用于检测所述LED芯片在发光时的电流和/或电压。

7.一种LED发光检测方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1-6任一项所述的LED发光检测***，所述方法包括：

点亮LED芯片阵列；

将可调滤光器的滤光区域顺次调节至不同位置，以使所述可调滤光器在单次滤光时允许所述LED芯片阵列中的单颗或部分LED芯片的光通过，其中不同滤光区域的位置与所述LED芯片阵列中不同LED芯片相对应；

获得所述LED芯片阵列中单颗或部分所述LED芯片的发光功率和光谱特性。

8.根据权利要求7所述的LED发光检测方法，其特征在于，所述将可调滤光器的滤光区域顺次调节至不同位置，以使所述可调滤光器在单次滤光时允许LED芯片阵列中的单颗或部分LED芯片的光通过，具体包括：

将所述可调滤光器调节至允许特定区域和/或特定角度的入射光入射，以使所述LED芯片阵列中的单颗或部分LED芯片的光通过。

9.根据权利要求7或8所述的LED发光检测方法，其特征在于，所述顺次调节可调滤光器，以使所述可调滤光器每次允许LED芯片阵列中的单颗LED芯片导光通过，具体包括：

调节所述可调滤光器允许透过光的光谱范围，以获得所述LED芯片在预设光谱范围内的发光强度。

10.根据权利要求7或8所述的LED发光检测方法，其特征在于，还包括：获得每颗所述LED芯片在发光时的电压和/或电流。

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