CN112646372B - 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用 - Google Patents
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112646372B CN112646372B CN202011373779.3A CN202011373779A CN112646372B CN 112646372 B CN112646372 B CN 112646372B CN 202011373779 A CN202011373779 A CN 202011373779A CN 112646372 B CN112646372 B CN 112646372B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sio
- polyimide film
- dielectric constant
- low dielectric
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 64
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 21
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 19
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 18
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 12
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 10
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 9
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 6
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 5
- PUVAFTRIIUSGLK-UHFFFAOYSA-M trimethyl(oxiran-2-ylmethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CC1CO1 PUVAFTRIIUSGLK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenoxy)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CQMIJLIXKMKFQW-UHFFFAOYSA-N 4-phenylbenzene-1,2,3,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C(O)=O)=C1C1=CC=CC=C1 CQMIJLIXKMKFQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MQAHXEQUBNDFGI-UHFFFAOYSA-N 5-[4-[2-[4-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]phenyl]propan-2-yl]phenoxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC2=CC=C(C=C2)C(C)(C=2C=CC(OC=3C=C4C(=O)OC(=O)C4=CC=3)=CC=2)C)=C1 MQAHXEQUBNDFGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IKIPVSDFJVKSLQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)propane-1,3-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCCN IKIPVSDFJVKSLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GPYDVGGHRWMVQP-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)propane-1,3-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCCN GPYDVGGHRWMVQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005935 nucleophilic addition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 45
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 39
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 16
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 15
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Natural products C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001453 impedance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000004154 testing of material Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/1064—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
- C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
- C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
- C08K7/26—Silicon- containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
- C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Manufacturing Of Micro-Capsules (AREA)
Abstract
本发明提出了一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用。所述薄膜包括聚酰亚胺和均匀分散在聚酰亚胺中的SiO2空心微球;其中,所述SiO2空心微球是通过采用壳聚糖或其衍生物为模板剂制备而成。本发明提出的一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,通过将SiO2空心微球均匀分散在聚酰亚胺中,不仅有效降低了聚酰亚胺的介电性能,而且使所得聚酰亚胺薄膜的力学性能也有所提升。
Description
技术领域
本发明涉及绝缘材料技术领域,尤其涉及一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用。
背景技术
随着微电子工业的发展,微电子元件功能在不断增强而体积却不断减小,超大规模集成电路的尺寸也逐渐减小,金属互连的电阻、电容(Rc)延迟以近二次方增加,并导致信号传输延迟和串扰,直接影响器件性能。为了降低信号传输延迟和串扰及介电损失而导致的功耗增加,满足信号传递的高速化,进一步提高电子线路的功能,要求介电层间绝缘材料有更低的介电常数。
聚酰亚胺以其优良的性能在微电子工业得到了广泛的应用。然而,一般聚酰亚胺的介电常数在3.0-3.4左右,远远不能满足亚微米器件所精要的介电常数值。为此,科技工作者对聚酰亚胺介电性能的开发研究给予了高度重视,使低介电常数聚酰亚胺研究与应用得以迅速发展。
目前,有专利公开通过在聚酰亚胺分子链中引入氟原子或者含氟基团来降低介电常数,但是含氟聚酰亚胺的合成过程复杂,而且会导致薄膜的力学性能下降,影响应用效果;同时,要达到好的效果必须要导入较高比例的氟原子,使得聚酰亚胺的成本明显增加。也有专利公开在材料中制造纳米孔洞、介孔结构引入空气,便可降低材料的密度,达到降低介电常数的目的。但是这类方法制备的孔洞通常分布不均匀,封闭性不好,易产生应力集中和塌陷。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用,通过将SiO2空心微球均匀分散在聚酰亚胺中,不仅有效降低了聚酰亚胺的介电性能,而且使所得聚酰亚胺薄膜的力学性能也有所提升。
本发明提出的一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,所述薄膜包括聚酰亚胺和均匀分散在聚酰亚胺中的SiO2空心微球;
其中,所述SiO2空心微球是通过采用壳聚糖或其衍生物为模板剂制备而成。
优选地,以重量百分比计,所述SiO2空心微球的含量是1-15%。
优选地,所述聚酰亚胺是通过将二胺单体和四羧酸二酐单体进行缩聚反应而得到;
优选地,所述二胺单体是4,4'-二氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、1,3-二(4'-氨基苯氧基)苯、4,4'-二氨基二苯硫醚、4,4'-二氨基二苯甲烷、3,3'-二氨基二苯基砜、4,4'-二氨基二苯基砜或4,4'-二氨基二苯甲酮中的至少一种;
优选地,所述四羧酸二酐单体是均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯砜四酸二酐或双酚A二酐中的至少一种。
优选地,所述壳聚糖衍生物为壳聚糖季铵盐;
优选地,所述壳聚糖季铵盐是通过将壳聚糖与环氧丙基三甲基氯化铵进行氨基亲核加成反应而得到。
优选地,所述SiO2空心微球是通过下述方法制备得到:
(1)将壳聚糖或其衍生物进行酸化后,加入正硅酸乙酯作为硅源,壳聚糖或其衍生物表面吸附正硅酸乙酯水解生成的SiO2,得到表面包覆有SiO2的壳聚糖,即为具有“核-壳”结构的SiO2微球;
(2)将所述“核-壳”结构的SiO2微球进行煅烧,除去内部的壳聚糖或其衍生物,即得到所述SiO2空心微球。
优选地,所述聚酰亚胺薄膜是通过下述方法制备得到:
(1)将所述SiO2空心微球与含氨基的硅烷偶联剂进行反应,得到表面包覆有硅烷偶联剂的SiO2空心微球;
(2)将所述表面包覆有硅烷偶联剂的SiO2空心微球与等摩尔比的二胺单体和四羧酸二酐单体进行反应,得到SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液;
(3)将所述SiO2空心球-聚酰胺酸复合溶液进行亚胺化反应,得到聚酰亚胺薄膜,即为所述低介电常数的聚酰亚胺薄膜。
优选地,所述氨基硅烷偶联剂是3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基二乙氧基甲基硅烷、3-(3-氨基丙基氨基)丙基三甲氧基硅烷或3-(3-氨基丙基氨基)丙基三乙氧基硅烷中的至少一种。
优选地,所述亚胺化反应具体包括:将所述SiO2空心球-聚酰胺酸复合溶液涂覆成膜后,进行梯度升温,完成高温亚胺化反应。
优选地,所述梯度升温包括:先升温至60℃保温10min,再升温至150℃保温30min,然后升温至200℃保温30min,继续升温至250℃保温30min,最后升温至350℃保温60min。
本发明提出一种上述聚酰亚胺薄膜的应用,所述聚酰亚胺薄膜是作为电子设备或电器的封装材料使用。
本发明中,所述聚酰亚胺薄膜是通过将聚酰亚胺与SiO2空心微球复合得到,由于SiO2空心微球是采用壳聚糖或其衍生物为模板制备而成,具体的,当壳聚糖或其衍生物在酸性溶液中时,其氨基酸化形成季铵盐结构或者其本身具有的季铵盐结构可以吸附大量的正硅酸乙酯,使得正硅酸乙酯水解生成的SiO2吸附于壳聚糖或其衍生物表面,由于正硅酸乙酯在壳聚糖或其衍生物为晶核的表面水解生成SiO2微球,这样就得到了一种具有“核-壳”结构的SiO2微球。这其中,由于正硅酸乙酯并不能完全覆盖住壳聚糖表面,因此采用此途径制备的SiO2微球是存在孔洞的,此后可以通过煅烧,将SiO2微球内部的壳聚糖烧蚀去除,从而得到兼具介孔和内部微孔结构的SiO2微球,并且由于壳聚糖或其衍生物特定的聚集状态,其该SiO2微球的微孔粒径可达到百个纳米以上。当将该SiO2空心微球分布在聚酰亚胺基体中时,一方面,该大微孔结构可以有效确保聚酰胺酸分子链贯穿通过SiO2空心微球空腔形成物理交联,赋予聚酰亚胺薄膜以良好的力学性能;另一方面其所具有的介孔结构能够有效降低聚酰亚胺薄膜的介电常数,从而制备出兼具优异力学性能和介电性能的聚酰亚胺薄膜。
具体实施方式
下面,通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明,但是应该明确提出这些实施例用于举例说明,但是不解释为限制本发明的范围。
实施例1
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其是通过下述方法制备得到:
(1)、将0.5g壳聚糖溶于由50mL乙醇和50mL醋酸水溶液(0.6mol/L)组成的混合溶液中,30℃下搅拌30min后,逐滴加入10mL正硅酸乙酯,30℃下搅拌2h,再转移到反应釜中在80℃下水热反应12h,得到凝胶,将该凝胶干燥后放入马弗炉中以600℃煅烧2h,随炉冷却后,得到SiO2空心微球;
(2)、将0.5gSiO2空心微球和0.05g3-氨基丙基三甲氧基硅烷加入到40mL的N,N-二甲基乙酰胺中,超声(功率200W)搅拌3h后,在氮气氛围下,加入15mmol 4,4'-二氨基二苯醚,搅拌至溶解完全,再加入15mmol均苯四甲酸二酐和10mL的N,N-二甲基乙酰胺,继续搅拌至全部溶解,室温搅拌反应6h后,得到SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液;
(3)、将所述SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液真空脱泡后,再涂布在玻璃板上,以形成具有均匀膜厚的溶液膜,先在60℃下保温10min,接着升温至150℃保温60min,再升温至200℃保温30min,继续升温至250℃保温30min,最后升温至350℃保温60min,降温至25℃后取出,再置于水中脱膜得到薄膜,将所得薄膜置于100℃干燥箱中干燥除水,即得到厚度为50微米的聚酰亚胺薄膜。
实施例2
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其是通过下述方法制备得到:
(1)、将1g壳聚糖溶于10mL去离子水中,在80℃下加入2g2,3-环氧丙基三甲基氯化铵搅拌反应10h,再将反应液加入到30mL丙酮中冷却至0℃过夜,过滤除去溶剂后得到沉淀,丙酮洗涤后烘干,得到壳聚糖季铵盐;
将0.5g壳聚糖季铵盐溶于由50mL乙醇和50mL醋酸水溶液(0.6mol/L)组成的混合溶液中,30℃下搅拌30min后,逐滴加入10mL正硅酸乙酯,30℃下搅拌2h,再转移到反应釜中在80℃下水热反应12h,得到凝胶,将该凝胶干燥后再放入马弗炉中以600℃煅烧2h,随炉冷却后,得到SiO2空心微球;
(2)、将0.5gSiO2空心微球和0.05g3-氨基丙基三甲氧基硅烷加入到40mL的N,N-二甲基乙酰胺中,超声(功率200W)搅拌3h后,在氮气氛围下,加入15mmol4,4'-二氨基二苯醚,搅拌至溶解完全,再加入15mmol均苯四甲酸二酐和10mL的N,N-二甲基乙酰胺,继续搅拌至全部溶解,室温搅拌反应6h后,得到SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液;
(3)、将所述SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液真空脱泡后,再涂布在玻璃板上,以形成具有均匀膜厚的溶液膜,先在60℃下保温10min,接着升温至150℃保温60min,再升温至200℃保温30min,继续升温至250℃保温30min,最后升温至350℃保温60min,降温至25℃后取出,再置于水中脱膜得到薄膜,将所得薄膜置于100℃干燥箱中干燥除水,即得到厚度为50微米的聚酰亚胺薄膜。
实施例3
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其是通过下述方法制备得到:
(1)、将0.5g壳聚糖溶于由50mL乙醇和50mL醋酸水溶液(0.6mol/L)组成的混合溶液中,30℃下搅拌30min后,逐滴加入10mL正硅酸乙酯,30℃下搅拌2h,再转移到反应釜中在80℃下水热反应12h,得到凝胶,将该凝胶干燥后放入马弗炉中以600℃煅烧2h,随炉冷却后,得到SiO2空心微球;
(2)、将0.5gSiO2空心微球和0.05g3-氨基丙基三甲氧基硅烷加入到40mL的N,N-二甲基乙酰胺中,超声(功率200W)搅拌3h后,在氮气氛围下,加入12mmol 4,4'-二氨基二苯硫醚,搅拌至溶解完全,再加入12mmol 3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐和10mL的N,N-二甲基乙酰胺,继续搅拌至全部溶解,室温搅拌反应6h后,得到SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液;
(3)、将所述SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液真空脱泡后,再涂布在玻璃板上,以形成具有均匀膜厚的溶液膜,先在60℃下保温10min,接着升温至150℃保温60min,再升温至200℃保温30min,继续升温至250℃保温30min,最后升温至350℃保温60min,降温至25℃后取出,再置于水中脱膜得到薄膜,将所得薄膜置于100℃干燥箱中干燥除水,即得到厚度为50微米的聚酰亚胺薄膜。
实施例4
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其是通过下述方法制备得到:
(1)、将1g壳聚糖溶于10mL去离子水中,在80℃下加入2g2,3-环氧丙基三甲基氯化铵搅拌反应10h,再将反应液加入到30mL丙酮中冷却至0℃过夜,过滤除去溶剂后得到沉淀,丙酮洗涤后烘干,得到壳聚糖季铵盐;
将0.5g壳聚糖季铵盐溶于由50mL乙醇和50mL醋酸水溶液(0.6mol/L)组成的混合溶液中,30℃下搅拌30min后,逐滴加入10mL正硅酸乙酯,30℃下搅拌2h,再转移到反应釜中在80℃下水热反应12h,得到凝胶,将该凝胶干燥后再放入马弗炉中以600℃煅烧2h,随炉冷却后,得到SiO2空心微球;
(2)、将0.5gSiO2空心微球和0.05g3-氨基丙基三甲氧基硅烷加入到40mL的N,N-二甲基乙酰胺中,超声(功率200W)搅拌3h后,在氮气氛围下,加入12mmol 4,4'-二氨基二苯硫醚,搅拌至溶解完全,再加入12mmol 3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐和10mL的N,N-二甲基乙酰胺,继续搅拌至全部溶解,室温搅拌反应6h后,得到SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液;
(3)、将所述SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液真空脱泡后,再涂布在玻璃板上,以形成具有均匀膜厚的溶液膜,先在60℃下保温10min,接着升温至150℃保温60min,再升温至200℃保温30min,继续升温至250℃保温30min,最后升温至350℃保温60min,降温至25℃后取出,再置于水中脱膜得到薄膜,将所得薄膜置于100℃干燥箱中干燥除水,即得到厚度为50微米的聚酰亚胺薄膜。
实施例5
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其是通过下述方法制备得到:
(1)、将0.5g壳聚糖溶于由50mL乙醇和50mL醋酸水溶液(0.6mol/L)组成的混合溶液中,30℃下搅拌30min后,逐滴加入10mL正硅酸乙酯,30℃下搅拌2h,再转移到反应釜中在80℃下水热反应12h,得到凝胶,将该凝胶干燥后放入马弗炉中以600℃煅烧2h,随炉冷却后,得到SiO2空心微球;
(2)、将0.5gSiO2空心微球和0.05g3-氨基丙基三甲氧基硅烷加入到40mL的N,N-二甲基乙酰胺中,超声(功率200W)搅拌3h后,在氮气氛围下,加入12mmol4,4'-二氨基二苯甲烷,搅拌至溶解完全,再加入12mmol 3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐和10mL的N,N-二甲基乙酰胺,继续搅拌至全部溶解,室温搅拌反应6h后,得到SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液;
(3)、将所述SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液真空脱泡后,再涂布在玻璃板上,以形成具有均匀膜厚的溶液膜,先在60℃下保温10min,接着升温至150℃保温60min,再升温至200℃保温30min,继续升温至250℃保温30min,最后升温至350℃保温60min,降温至25℃后取出,再置于水中脱膜得到薄膜,将所得薄膜置于100℃干燥箱中干燥除水,即得到厚度为50微米的聚酰亚胺薄膜。
实施例6
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其是通过下述方法制备得到:
(1)、将1g壳聚糖溶于10mL去离子水中,在80℃下加入2g2,3-环氧丙基三甲基氯化铵搅拌反应10h,再将反应液加入到30mL丙酮中冷却至0℃过夜,过滤除去溶剂后得到沉淀,丙酮洗涤后烘干,得到壳聚糖季铵盐;
将0.5g壳聚糖季铵盐溶于由50mL乙醇和50mL醋酸水溶液(0.6mol/L)组成的混合溶液中,30℃下搅拌30min后,逐滴加入10mL正硅酸乙酯,30℃下搅拌2h,再转移到反应釜中在80℃下水热反应12h,得到凝胶,将该凝胶干燥后再放入马弗炉中以600℃煅烧2h,随炉冷却后,得到SiO2空心微球;
(2)、将0.5gSiO2空心微球和0.05g3-氨基丙基三甲氧基硅烷加入到40mL的N,N-二甲基乙酰胺中,超声(功率200W)搅拌3h后,在氮气氛围下,加入12mmol 4,4'-二氨基二苯甲烷,搅拌至溶解完全,再加入12mmol 3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐和10mL的N,N-二甲基乙酰胺,继续搅拌至全部溶解,室温搅拌反应6h后,得到SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液;
(3)、将所述SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液真空脱泡后,再涂布在玻璃板上,以形成具有均匀膜厚的溶液膜,先在60℃下保温10min,接着升温至150℃保温60min,再升温至200℃保温30min,继续升温至250℃保温30min,最后升温至350℃保温60min,降温至25℃后取出,再置于水中脱膜得到薄膜,将所得薄膜置于100℃干燥箱中干燥除水,即得到厚度为50微米的聚酰亚胺薄膜。
对比例1
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其是通过下述方法制备得到:
(1)、将0.5g聚丙烯酸PAA溶于10mL氨水中,再加入150mL无水乙醇,30℃下搅拌30min后,逐滴加入5mL正硅酸乙酯,30℃下搅拌2h,再转移到反应釜中在80℃下水热反应12h,得到凝胶,将该凝胶干燥后放入马弗炉中以600℃煅烧2h,随炉冷却后,得到SiO2空心微球;
(2)、将0.5g SiO2空心微球和0.05g 3-氨基丙基三甲氧基硅烷加入到40mL的N,N-二甲基乙酰胺中,超声(功率200W)搅拌3h后,在氮气氛围下,加入15mmol 4,4'-二氨基二苯醚,搅拌至溶解完全,再加入15mmol均苯四甲酸二酐和10mL的N,N-二甲基乙酰胺,继续搅拌至全部溶解,室温搅拌反应6h后,得到SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液;
(3)、将所述SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液真空脱泡后,再涂布在玻璃板上,以形成具有均匀膜厚的溶液膜,先在60℃下保温10min,接着升温至150℃保温60min,再升温至200℃保温30min,继续升温至250℃保温30min,最后升温至350℃保温60min,降温至25℃后取出,再置于水中脱膜得到薄膜,将所得薄膜置于100℃干燥箱中干燥除水,即得到厚度为50微米的聚酰亚胺薄膜。
将实施例1-6和对比例1获得的聚酰亚胺薄膜进行下述方法所示的性能测试,结果参照表1。
介电常数:采用Agilent 4294A型精密阻抗分析仪对薄膜进行介电谱的测试,计算获得介电常数,频率为1MHz。
拉伸强度:通过Instron-3365型万能材料试验机参照ASTMD882标准测试,拉伸速度为50mm/min,每个样品平行测试5次取平均值。
表1实施例和对比例获得的聚酰亚胺电介质薄膜的性能测试结果
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述薄膜包括聚酰亚胺和均匀分散在聚酰亚胺中的SiO2空心微球;
其中,所述SiO2空心微球是通过采用壳聚糖衍生物为模板剂制备而成;
以重量百分比计,所述SiO2空心微球的含量是1-15%;
所述壳聚糖衍生物为壳聚糖季铵盐,所述壳聚糖季铵盐是通过将壳聚糖与环氧丙基三甲基氯化铵进行亲核加成反应而得到;
所述SiO2空心微球是通过下述方法制备得到:
(1)将壳聚糖衍生物进行酸化后,加入正硅酸乙酯作为硅源,壳聚糖衍生物表面吸附正硅酸乙酯水解生成的SiO2,得到表面包覆有SiO2的壳聚糖,即为具有“核-壳”结构的SiO2微球;
(2)将所述“核-壳”结构的SiO2微球进行煅烧,除去内部的壳聚糖衍生物,即得到所述SiO2空心微球;
所述聚酰亚胺薄膜是通过下述方法制备得到:
(1)将所述SiO2空心微球与含氨基的硅烷偶联剂进行反应,得到表面包覆有硅烷偶联剂的SiO2空心微球;
(2)将所述表面包覆有硅烷偶联剂的SiO2空心微球与等摩尔比的二胺单体和四羧酸二酐单体进行反应,得到SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液;
(3)将所述SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液进行亚胺化反应,得到聚酰亚胺薄膜,即为所述低介电常数的聚酰亚胺薄膜。
2.根据权利要求1所述低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺是通过将二胺单体和四羧酸二酐单体进行缩聚反应而得到。
3.根据权利要求2所述低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述二胺单体是4,4'-二氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、1,3-二(4'-氨基苯氧基) 苯、4,4'-二氨基二苯硫醚、4,4'-二氨基二苯甲烷、3,3'-二氨基二苯基砜、4,4'-二氨基二苯基砜或4,4'-二氨基二苯甲酮中的至少一种。
4.根据权利要求2或3所述低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述四羧酸二酐单体是均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯砜四酸二酐或双酚A二酐中的至少一种。
5.根据权利要求1所述低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述含氨基的硅烷偶联剂是3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基二乙氧基甲基硅烷、3-(3-氨基丙基氨基)丙基三甲氧基硅烷或3-(3-氨基丙基氨基)丙基三乙氧基硅烷中的至少一种。
6.根据权利要求1或5所述低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述亚胺化反应具体包括:将所述SiO2空心微球-聚酰胺酸复合溶液涂覆成膜后,进行梯度升温,完成高温亚胺化反应。
7.根据权利要求6所述低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述梯度升温包括:先升温至60℃保温10min,再升温至150℃保温60min,然后升温至200℃保温30min,继续升温至250℃保温30min,最后升温至350℃保温60min。
8.一种权利要求1-7任一项所述聚酰亚胺薄膜的应用,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜是作为电子设备或电器的封装材料使用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011373779.3A CN112646372B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011373779.3A CN112646372B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112646372A CN112646372A (zh) | 2021-04-13 |
CN112646372B true CN112646372B (zh) | 2022-05-20 |
Family
ID=75351057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011373779.3A Active CN112646372B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112646372B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113583242B (zh) * | 2021-08-05 | 2023-09-26 | 株洲时代华昇新材料技术有限公司 | 一种聚酰亚胺薄膜的制备方法 |
CN113764122A (zh) * | 2021-10-23 | 2021-12-07 | 新亚电子股份有限公司 | 一种导电铝箔麦拉 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101125955A (zh) * | 2007-08-03 | 2008-02-20 | 东南大学 | 聚酰亚胺/二氧化硅空心微球复合薄膜的制备方法 |
CN101601986A (zh) * | 2009-07-09 | 2009-12-16 | 南京大学 | 一种壳聚糖-二氧化硅复合空心微球的制法及应用 |
CN103937241A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-07-23 | 哈尔滨理工大学 | 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法 |
CN106750435A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 | 一种低介电常数有序多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法 |
CN107596432A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-19 | 福建师范大学 | 负载介孔二氧化硅微球的壳聚糖多孔止血微球的制备方法 |
CN108794748A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-11-13 | 华南理工大学 | 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
-
2020
- 2020-11-30 CN CN202011373779.3A patent/CN112646372B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101125955A (zh) * | 2007-08-03 | 2008-02-20 | 东南大学 | 聚酰亚胺/二氧化硅空心微球复合薄膜的制备方法 |
CN101601986A (zh) * | 2009-07-09 | 2009-12-16 | 南京大学 | 一种壳聚糖-二氧化硅复合空心微球的制法及应用 |
CN103937241A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-07-23 | 哈尔滨理工大学 | 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法 |
CN106750435A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 | 一种低介电常数有序多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法 |
CN107596432A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-19 | 福建师范大学 | 负载介孔二氧化硅微球的壳聚糖多孔止血微球的制备方法 |
CN108794748A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-11-13 | 华南理工大学 | 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
Size control of nanostructured silica using chitosan template and fractal geometry effect of chitosan silica ratio and aging temperature;Thongthai Witoon,et al.;《J. Sol-Gel Sci. Technol.》;20100806;正文第270-277页 * |
中空二氧化硅微球的制备方法研究进展;顾文娟等;《有机硅材料》;20090725(第04期);正文第45-52页 * |
壳聚糖/SiO_2复合膜的制备及性能研究;彭湘红等;《江汉大学学报(自然科学版)》;20070925(第03期);正文第27-31页 * |
壳聚糖-CTAB复合模板法制备微孔-介孔二氧化硅;王丽霞;《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(博士)工程科技I辑》;20110615;正文第33-34页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112646372A (zh) | 2021-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109627470B (zh) | 一种低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法 | |
CN109942851B (zh) | 一种低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜及应用 | |
CN107108926B (zh) | 利用具有气孔的粒子的聚酰亚胺膜的制备方法及低介电常数的聚酰亚胺膜 | |
CN106750435B (zh) | 一种低介电常数有序多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法 | |
TWI466949B (zh) | 聚醯胺酸樹脂組成物、由其製備之聚醯亞胺薄膜及積層材料 | |
CN112646372B (zh) | 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用 | |
CN107189436B (zh) | 一种聚酰亚胺纳米泡沫及其制备方法 | |
CN108794748B (zh) | 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN114891209B (zh) | 一种低介电常数的有机硅改性聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN111253601B (zh) | 一种高温尺寸稳定导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
WO2022242547A1 (zh) | 一种聚酰亚胺多孔膜及其制备方法 | |
CN112646179B (zh) | 一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN111748113A (zh) | 一种耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN112679770A (zh) | 一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN110922754A (zh) | 一种聚酰亚胺薄膜的制备方法及其应用 | |
CN110387041B (zh) | 一种聚酰亚胺复合膜及其制备方法 | |
KR20190025072A (ko) | 흄드 실리카 입자를 이용한 폴리이미드 필름의 제조방법 및 저유전율의 폴리이미드 필름 | |
CN112480407B (zh) | 一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN113527735B (zh) | 一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN113501984B (zh) | 一种石墨烯原位改性聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN115612097A (zh) | 一种低介电和高强度的纳米复合材料及制备方法 | |
CN114874621A (zh) | 一种低介电导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN113549325A (zh) | 一种低介电聚酰亚胺薄膜、其制备方法及应用 | |
CN113493573A (zh) | 一种高导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | |
CN112094425A (zh) | 表面致密型低介电常数多孔聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A Low Dielectric Constant Polyimide Film and Its Applications Effective date of registration: 20231114 Granted publication date: 20220520 Pledgee: China Merchants Bank Co.,Ltd. Jinhua Branch Pledgor: Zhejiang Zhongke Jiuyuan New Material Co.,Ltd. Registration number: Y2023980065179 |