CN112640111A - 固态成像装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明设有：基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；和凹凸特征部，所述凹凸特征部设置在所述凹槽部的面向所述光电转换部的侧壁面上。

Description

固态成像装置和电子设备
技术领域
本技术涉及固态成像装置和电子设备。
背景技术
传统地，已经提出了其中在划线区域和像素区域之间形成有包围像素区域的凹槽部的固态成像装置(例如，参见专利文献1)。在专利文献1所记载的固态成像装置中，通过凹槽部来停止当分割晶片时所产生的膜剥离和裂纹。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请特开No.2015-159275
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1所记载的固态成像装置中，存在以下可能性：到固态成像装置的入射光被凹槽部的侧壁面或底面反射，反射的入射光被配置在固态成像装置的受光面侧的盖玻璃或成像透镜反射，使得不需要的光进入像素区域，由此引起眩光(flare)。
本公开的目的是提供能够抑制眩光的固态成像装置和电子设备。
问题的解决方案
根据本公开的固态成像装置包括：(a)基板，在所述基板上形成有多个光电二极管；(b)凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；和(c)凹凸部，所述凹凸部设置在所述凹槽部的内部。
此外，根据本公开的固态成像装置包括：(a)基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和(b)凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧，其中(c)所述凹槽部的侧壁面具有越靠近底面侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的形状。
此外，根据本公开的固态成像装置包括：(a)基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和(b)凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧，其中(c)所述凹槽部的侧壁面具有越靠近开口部侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的形状。
此外，根据本公开的固态成像装置包括：(a)基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和(b)凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧，其中(c)所述凹槽部的侧壁面的断面形状是向所述凹槽部的宽度方向外侧或宽度方向内侧突出的圆弧形状。
此外，根据本公开的固态成像装置包括：(a)基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和(b)凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧，其中(c)所述凹槽部的底面具有其中多个锥状立体物配置为阵列状的形状。
此外，根据本公开的固态成像装置包括：(a)基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和(b)凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧，其中(c)所述凹槽部内的一部分或全部由与所述基板的材料不同的材料填充到开口部。
此外，根据本公开的固态成像装置包括：(a)基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和(b)凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧，其中(c)所述凹槽部的宽度在所述凹槽部的纵向方向的各个位置上各不相同，使得通过由所述凹槽部反射来自所述基板的受光面侧的入射光而获得的反射光被导向与所述入射光进入的方向不同的方向。
此外，根据本公开的固态成像装置包括：(a)基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和(b)凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧，其中(c)包括多个光电转换部的像素区域与所述凹槽部之间的距离在所述凹槽部的纵向方向的各个位置上各不相同，使得通过由所述凹槽部反射来自所述基板的受光面侧的入射光而获得的反射光被导向与所述入射光进入的方向不同的方向。
此外，根据本公开的电子设备包括：(a)固态成像装置，所述固态成像装置包括：基板，在所述基板上形成有多个光电二极管；凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；和凹凸部，所述凹凸部设置在所述凹槽部的内部；(b)光学透镜，所述光学透镜将来自被摄体的图像光的图像形成在所述固态成像装置的成像面上；和(c)信号处理电路，所述信号处理电路对从所述固态成像装置输出的信号进行信号处理。
附图说明
图1是示出了根据本公开第一实施方案的固态成像装置的整体构成的图。
图2是示出了形成有固态成像装置的芯片的平面构成的图。
图3A是放大图2的右侧端部以示出芯片的平面构成的图。
图3B是示出了沿着图3A的A-A线截取的芯片的断面构成的图。
图4A是示出了晶片的平面构成的图。
图4B是放大图4A的B区域以示出晶片的平面构成的图。
图5是示出了根据变形例的芯片的断面构成的图。
图6是示出了根据变形例的芯片的断面构成的图。
图7A是示出了相机模块的断面构成的图。
图7B是放大图7A的C区域以示出相机模块的断面构成的图。
图8是示出了相机模块的断面构成的图。
图9是用于说明凹凸部的间距等的计算方法的图。
图10是用于说明凸部的角度的适宜范围的图。
图11A是用于说明凸部的角度的适宜范围的图。
图11B是用于说明凸部的角度的适宜范围的图。
图12是示出了形成有根据实施例1的固态成像装置的芯片的平面构成的图。
图13是示出了形成有根据实施例2的固态成像装置的芯片的平面构成的图。
图14是示出了形成有根据比较例1的固态成像装置的芯片的平面构成的图。
图15是示出了根据变形例的凹槽部的立体构成的图。
图16A是用于说明锥状立体物的形成方法的图。
图16B是用于说明锥状立体物的形成方法的图。
图16C是用于说明锥状立体物的形成方法的图。
图16D是用于说明锥状立体物的形成方法的图。
图16E是用于说明锥状立体物的形成方法的图。
图17是示出了根据变形例的凹槽部的立体构成的图。
图18A是示出了根据变形例的芯片的平面构成的图。
图18B是用于说明凸部的适宜形状的图。
图18C是用于说明凸部的适宜形状的图。
图18D是用于说明凸部的适宜形状的图。
图19A是示出了根据变形例的芯片的平面构成的图。
图19B是示出了根据变形例的芯片的平面构成的图。
图20是示出了根据变形例的芯片的平面构成的图。
图21是示出了根据变形例的芯片的断面构成的图。
图22是示出了根据变形例的芯片的断面构成的图。
图23是示出了根据变形例的芯片的断面构成的图。
图24是示出了根据变形例的芯片的断面构成的图。
图25是示出了根据变形例的芯片的断面构成的图。
图26是示出了根据变形例的芯片的断面构成的图。
图27是示出了根据变形例的芯片的断面构成的图。
图28是示出了入射光的进入角度和反射率之间的关系的图。
图29是示出了根据变形例的芯片的平面构成的图。
图30A是用于说明入射光的反射方向的图。
图30B是用于说明入射光的反射方向的图。
图31A是用于说明入射光的反射方向的图。
图31B是示出了入射光的进入角度和光量与反射光的光量之间的关系的图。
图32是根据本公开第二实施方案的电子设备的示意性构成图。
具体实施方式
在下文中，参照图1～图32对根据本公开实施方案的固态成像装置和电子设备的示例进行说明。按照以下顺序对本公开的实施方案进行说明。注意，本公开不限于下面的示例。此外，本文所记载的效果仅仅是示例性的而不是限制性的，并且可以发挥附加的效果。
1.第一实施方案：固态成像装置
1-1固态成像装置的整体构成
1-2主要部分的构成
1-3实施例
1-4变形例
2.第二实施方案：电子设备
<第一实施方案>
[1-1固态成像装置的整体构成]
对根据本公开第一实施方案的固态成像装置进行说明。图1是示出了根据本公开第一实施方案的固态成像装置的整体的示意性构成图。
图1中的固态成像装置1是背面照射型CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。如图32所示，固态成像装置1(101)经由光学透镜102获取来自被摄体的图像光(入射光106)，以像素为单位将在成像面上成像的入射光106的光量转换为电气信号，并且将电气信号作为像素信号输出。
如图1所示，根据第一实施方案的固态成像装置1包括基板2、像素区域3、垂直驱动电路4、列信号处理电路5、水平驱动电路6、输出电路7和控制电路8。
像素区域3包括在基板2上以二维阵列规则地排列的多个像素9。像素9包括图3B所示的光电转换部24和多个像素晶体管(未示出)。作为多个像素晶体管，例如，可以采用传输晶体管、复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管这四个晶体管。此外，例如，可以采用选择晶体管除外的三个晶体管。
例如，垂直驱动电路4包括移位寄存器，选择所需的像素驱动配线10，并且向所选择的像素驱动配线10供给用于驱动像素9的脉冲，从而以行为单位驱动各像素9。即，垂直驱动电路4以行为单位在垂直方向上顺次地选择性地扫描像素区域3的各像素9，并且将基于根据在各像素9的光电转换部24中接收的光量产生的信号电荷的像素信号通过垂直信号线11供给到列信号处理电路5。
例如，列信号处理电路5针对像素9的各列配置，并且针对各像素列，对从一行的像素9输出的信号进行诸如噪声去除等信号处理。例如，列信号处理电路5进行诸如用于去除像素固有的固定模式噪声的CDS(相关双采样)和AD(模数)转换等信号处理。
例如，水平驱动电路6包括移位寄存器，顺次地向列信号处理电路5输出水平扫描脉冲，以依序选择列信号处理电路5中的各者，并且使列信号处理电路5中的各者将已经对其进行了信号处理的像素信号输出到水平信号线12。
输出电路7对通过水平信号线12从列信号处理电路5中的各者顺次供给的像素信号进行信号处理并且输出所获得的像素信号。作为信号处理，例如，可以使用缓冲(buffering)、黑电平调整、列变化校正或各种数字信号处理。
控制电路8基于垂直同步信号、水平同步信号和主时钟信号产生用作垂直驱动电路4、列信号处理电路5、水平驱动电路6等的操作的基准的时钟信号和控制信号。然后，控制电路8将所产生的时钟信号和控制信号输出到垂直驱动电路4、列信号处理电路5、水平驱动电路6等。
[1-2主要部分的构成]
接着，对其中形成有图1的固态成像装置1的芯片13的详细结构进行说明。图2是示出了形成有根据第一实施方案的固态成像装置1的芯片13中的像素区域3及其周围的区域(在下文中，也称为“周围区域14”)的平面构成的图。此外，图3A是放大图2的右侧端部以示出芯片13的平面构成的图。此外，图3B是示出了沿着图3A的A-A线截取的芯片13的断面构成的图。
如图3B所示，形成有根据第一实施方案的固态成像装置1的芯片13包括通过将基板2、保护膜15、遮光膜16和平坦化膜17按所述顺序层叠而获得的受光层18。此外，在受光层18的平坦化膜17侧的面(在下文中，也称为“背面S1”侧)上形成有通过将滤色器层19和片上透镜20按所述顺序层叠而获得的集光层21。此外，在受光层18的基板2侧的面(在下文中，也称为“前面S2侧”)上层叠有配线层22和支撑基板23。注意，由于受光层18的背面S1和平坦化膜17的背面是同一面，因此在下面的记载中也将平坦化膜17的背面称为“背面S1”。此外，受光层18的前面S2和基板2的前面是同一面，因此在下面的记载中也将基板2的前面称为“前面S2”。
基板2包括例如由硅(Si)形成的半导体基板，并且形成像素区域3和周围区域14。如图3B所示，在像素区域3中，形成在基板2上的多个光电转换部24，即，包括埋设在基板2中的多个光电转换部24的多个像素9以二维阵列状配置。在光电转换部24中，产生与入射光量相对应的信号电荷，并且累积所产生的信号电荷。
保护膜15连续地覆盖基板2的整个背面S3侧(整个受光面侧)。作为保护膜15的材料，例如，可以使用氧化硅(SiO2)。此外，遮光膜16在保护膜15的背面S4侧的一部分中形成为将多个光电转换部24中的各者的受光面侧开口的格子状，使得光不会泄漏到相邻像素9中。此外，平坦化膜17连续地覆盖包括遮光膜16的保护膜15的整个背面S4侧(整个受光面侧)，使得受光层18的背面S1是没有凹凸的平坦面。
滤色器层19在平坦化膜17的背面S1侧(受光面侧)针对每个像素9包括诸如R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)等多个滤色器。各滤色器的颜色例如根据拜耳阵列来排列。滤色器层19使特定波长的光透过，并且使透过的光进入基板2内的光电转换部24。
在滤色器层19的背面S7侧(受光面侧)，与各像素9相对应地形成片上透镜20。片上透镜20收集照射的光，并且使所收集的光经由滤色器层19有效地进入基板2内的光电转换部24。
配线层22形成在基板2的前面S2侧，并且包括经由层间绝缘膜(未示出)层叠为多个层(图3B中的三层)的配线(未示出)。经由形成在配线层22中的多个层的配线来驱动构成各像素9的像素晶体管。作为配线层22的材料，例如，可以使用氧化硅(SiO2)。
支撑基板23形成在配线层22的与面向基板2的侧相反的面上。支撑基板23是用于在固态成像装置1的制造阶段确保基板2的强度的基板。例如，可以使用硅(Si)作为支撑基板23的材料。
在形成有具有上述构成的固态成像装置1的芯片13中，从基板2的背面侧(受光层18的背面S1侧)照射光，所照射的光透过片上透镜20和滤色器层19，并且所透过的光由光电转换部24执行光电转换，由此产生信号电荷。然后，经由形成在基板2的前面S2侧的像素晶体管通过图1所示的垂直信号线11将产生的信号电荷作为像素信号输出。
此外，如图2、图3A和图3B所示，在周围区域14的外周侧设有沿着像素区域3的外周形成的分割后的划线区域25。如图4A和图4B所示，分割后的划线区域25是在形成于晶片26上的各芯片13之间通过刀片(未示出)对从基板2的背面S3侧朝向深度方向形成的凹槽状的划线区域27(在下文中，称为“分割前的划线区域27”)的底面进行切割(分割)而获得的区域。分割前的划线区域27的宽度大于刀片的宽度。结果，能够防止在切割芯片13期间刀片接触基板2，防止发生变形，并且防止基板2的剥离或裂纹的产生。因此，能够防止由于剥离等引起的水的浸入、防止凝结(condensation)的产生并且防止图像质量的劣化。分割后的划线区域25的底面S5形成在配线层22的内部。
此外，如图2、图3A和图3B所示，在周围区域14的内周侧设有沿着像素区域3的外周和分割后的划线区域25的内周从基板2的背面S3侧朝向深度方向形成的凹槽部28。即，凹槽部28包括在分割后的划线区域25和像素区域3之间包围像素区域3的四个直线槽29a、29b、29c和29。凹槽部28的底面S6形成在配线层22的受光面侧的面上。
如上所述，在根据第一实施方案的固态成像装置1中，通过设置分割前的划线区域27，实现了在基板2中几乎不产生变形并且几乎不产生基板2的剥离或裂纹的结构。然而，即使在这种结构中，也存在刀片与基板2接触而产生基板2的剥离或裂纹的可能性。在这方面，通过还设置凹槽部28，即使产生剥离或裂纹，也能够防止剥离或裂纹进行到像素区域3内。
在凹槽部28的侧壁面中的面向光电转换部24侧的侧壁面30上形成有多个凹凸部31。作为凹凸部31，例如，可以使用使来自基板2的背面S1侧的入射光散射的形状。例如，作为凹凸部31的形状，如图3A所示，可以采用其中从基板2的背面S1侧观察时三角形连续的锯齿形状。此外，例如，如图3B所示，可以采用其中从基板2的侧面观察时在垂直于基板2的背面S1的方向上延伸的直线状。注意，如图5和图6所示，可以采用其中在制造过程中无意地成曲线状或人为地变成曲线状的形状。图5示出了侧壁面30整体呈曲线状的示例。图6示出了其中只有侧壁面30的保护膜15侧是曲线状的示例。
如上所述，在根据第一实施方案的固态成像装置1中，通过设置凹槽部28，实现了剥离或裂纹几乎不进行到像素区域3内的结构。然而，如果使用这种结构，则如图7A所示，在构造相机模块32的情况下产生眩光。即，在构造其中在固态成像装置1上配置有盖玻璃33并且在盖玻璃33上配置有成像透镜34a、34b、34c、34d和34e的相机模块32的情况下，当入射光35经由成像透镜34a～34e和盖玻璃33进入凹槽部28时，如图7B所示，存在如下可能性：入射光35被凹槽部28的侧壁面30或底面S6反射并且行进到像素区域3侧，入射光35被盖玻璃33、成像透镜34a～34e等反射，并且反射的入射光35进入像素区域3并引起眩光。因此，通过在凹槽部28的侧壁面30上设置凹凸部31，即使入射光35进入凹槽部28，如图8所示，但是由于进入的入射光35通过凹凸部31扩散或在凹凸部31内被多次反射而衰减，因此可以抑制眩光。
注意，在根据第一实施方案的固态成像装置1中，如图3A所示，凹凸部31可以说明为包括凸部37，其中将平行于芯片13的侧面的面并且通过凹凸部31的底部的面作为基准面50。然而，在平行于芯片13的侧面的面并且通过凹凸部31的顶部的面被用作基准面51的情况下，可以将凹凸部31作为包括多个凹部进行说明。此外，在将位于基准面50和基准面51之间的面用作基准面52的情况下，可以将凹凸部31作为包括多个凹部和凸部进行说明。它们本质上都是相同的，只是使用了不同的角度进行说明。
此外，例如，有利地，凹凸部31的凹凸的间距p为0.1μm以上且小于100μm。例如，如图3A所示，作为凹凸部31的凹凸的间距p，可以使用平面图中的在连续的凸部37、37和37之间形成的相邻凹部的底部之间的距离。此外，例如，可以使用平面图中的在相邻凸部37、37的顶部之间的距离。这两者之间没有本质的区别。注意，如图9所示，在凹凸部31具有在制造过程中变圆的角部或人为磨圆的角部的情况下，仅需要通过在凹凸部31上绘制切线36来限定间距p。
在凹凸部31的凹凸的间距小于0.1μm的情况下，凹凸部31难以加工，从而凹凸部31的形状不是目标形状。另一方面，在凹凸的间距为100μm以上的情况下，在成本方面是不利的。即，当凹凸的间距为100μm并且凹凸部31的凸部37的顶点的角度θ为1°(后述的适宜角度θ的1°～80°的范围的下限值)时，由于凸部37的高度为5.73mm并且凹凸部31占用比像素区域3更多的布局，因此减少了可以在晶片26上形成的芯片13的数量并且增加了成本。此外，当凹凸部31的凹凸的间距p为100μm并且凹凸部31的凸部37的顶点的角度θ为80°(后述的适宜角度θ的1°～80°的范围的上限值)时，凸部37的高度为约60μm，但是这种布局占用程度对可以形成的芯片13的数量的影响较低，并且在成本方面是可以接受的。
此外，凹凸部31可以设置在直线槽29a～29d中的每个的全部或仅一部分中。当凹凸部31设置在直线槽29a～29d中的每个的仅一部分中时，从可以使眩光的影响不那么明显的角度来看，有利的是，将凹凸部31设置在直线槽29a～29d的中心附近。
此外，有利的是，各直线槽29a～29d包括20个以上连续的凹凸部31的凸部37。即，在来自光源等的光通过片上透镜20在凹槽部28上形成图像的情况下，要形成的光的光点直径为约2μm。因此，例如，在凹凸的间距p为0.1μm(间距p的下限值)的情况下，为了抑制由光被凹槽部28的侧壁面30反射而引起的眩光，期望连续设置至少20个凸部37以使得凸部37连续的区域大于光点直径。
此外，在使用从基板2的背面S1侧观察时为锯齿形状的凹凸部31的情况下，有利地，凸部37的顶点的角度θ为1°以上且小于80°。特别地，从入射光35的扩散的观点来看，θ更有利地为1°以上且60°以下，最有利地为30°±10°。注意，如图9所示，在凹凸部31具有在制造过程中变圆的角部或人为磨圆的角部的情况下，仅需要通过在凹凸部31上绘制切线36来限定间距p。在凸部37的顶点的角度θ为大于或等于80°(例如，90°)的情况下，如图10所示，到凸部37的入射光35被凸部37的表面反射，并且反射的入射光35被相邻的另一凸部37的表面反射，使得入射光35的行进方向与进入时的行进方向相反。因此，入射光35进入像素区域3，并且减少了眩光的抑制量。另一方面，在凸部37的顶点的角度θ小于1°的情况下，制造变难，并且稳定的批量生产变难。
相比之下，如图11A和图11B所示，在凸部37的顶点的角度θ为1°以上且小于80°的情况下，通过在各种方向上反射已经进入凸部37的入射光35以使行进方向复杂化，可以使入射光35散射并且可以更适宜地抑制眩光。
作为凹槽部28的形成方法，例如，可以采用从基板2的背面S3侧朝向深度方向选择性地蚀刻以具有包围基板2的像素区域3的四边形形状的方法。作为蚀刻方法，例如，可以采用如下的方法：在基板2的像素区域3的背面S3上层叠直到片上透镜20之后，在背面S3上设置具有用于形成凹槽部28和凹凸部31的开口的掩膜，并且通过掩膜进行蚀刻。
注意，形成凹槽部28的工序可以与形成分割前的划线区域27等的工序共用。在使这些工序共用的情况下，可以减少工序的数量。
如上所述，根据第一实施方案的固态成像装置1包括：在其上形成有多个光电转换部24的基板2；设置在基板2的受光面侧的凹槽部28；和设置在凹槽部28的面向光电转换部24侧的侧壁面30上的凹凸部31。因此，由于到凹槽部28的侧壁面30的入射光35扩散或在凹凸部31内多次反射而衰减，因此能够提供一种能够抑制眩光的固态成像装置1。此外，由于凹凸部31可以与凹槽部28同时形成，所以不需要额外的工时，并且可以实现便宜的眩光测量。
[1-3实施例]
接着，对形成有图1的固态成像装置1的芯片13的实施例进行说明。图12、图13和图14是分别示出了其中形成有根据实施例1、实施例2和比较例1的固态成像装置1的芯片13的断面构成的图。
(实施例1)
在实施例1中，如图12所示，通过将凹凸部31的凸部37的顶点的角度θ设为60°并且将间距p设为20μm来制造芯片13。
(实施例2)
在实施例2中，如图13所示，除将凹凸部31的凸部37的顶点的角度θ设为30°并且将间距p设为2μm外，以与实施例1相同的方式制造芯片13。
(比较例1)
在比较例1中，如图14所示，除省略凹凸部31以及凹槽部28的侧壁面30是没有凹凸的平坦面外，以与实施例1相同的方式制造芯片13。
(性能评估)
如图7所示，构造如下的相机模块32，其中盖玻璃33配置在根据实施例1、实施例2和比较例1的各自的固态成像装置1上并且在盖玻璃33上配置有成像透镜34a、34b、34c、34d和34e。然后，通过成像透镜34a～34e和盖玻璃33将来自光源等的入射光35照射到凹槽部28的凹凸部31。
结果，在根据实施例1和实施例2的固态成像装置1中，确认了已经进入如图3A所示的凹凸部31的入射光35在各种方向上被反射，入射光35的行进方向复杂化，并且入射光35被散射，由此使得能够抑制眩光。特别地，通过根据实施例2的固态成像装置1，确认了当凸部37的顶点的角度θ较小时，由于眩光抑制效果潜在地较高，所以通过缩小间距p，可以抑制凹凸部31的布局所占用的面积的增大。另一方面，通过根据实施例1的固态成像装置1，确认了当凸部37的顶点的角度θ较大时，通过尽可能增大间距p，从三维结构的观点来看，由于不太可能发生凸部37之间的双重反射，所以能够增强抑制眩光的效果。
另一方面，在根据比较例1的固态成像装置1中，如图7A和图7B所示，已经进入凹凸部31的入射光35在相反方向上被反射，反射的入射光35被盖玻璃33或成像透镜34a～34e反射，并且入射光35进入像素区域3而产生了眩光。
[1-4变形例]
(1)注意，在第一实施方案中已经示出了其中凹凸部31具有三角形连续的锯齿形状的示例，但是可以采用其他构成。例如，如图15所示，凹凸部31可以具有其中多个锥状立体物53配置成阵列状的形状(在下文中，也称为“蛾眼结构(moth-eye structure)”)。作为锥状立体物53，例如，可以采用四角锥或圆锥。图15示出了其中四角锥用作锥状立体物53的示例。通过使凹凸部31具有蛾眼结构，由于折射率从锥状立体物53的前端到根部逐渐变化，因此可以抑制侧壁面30上的入射光35的反射，并且可以降低反射光的强度。注意，本变形例不限于图15所示的构成。例如，凹槽部28的侧壁面中的与侧壁面30对向的侧壁面54也可以具有蛾眼结构。
作为侧壁面30和54上的锥状立体物53的形成方法，例如，可以使用DSA(DirectSelf-Assembly：定向自组装)技术。具体地，首先，如图16A所示，在凹槽部28的两个侧壁面30和54以及底面S6上涂布二嵌段共聚物62。作为二嵌段共聚物62，例如，可以采用聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-PMMA)。此外，在基板2的背面S3上涂布抗蚀剂56。图16A示出了在基板2和配线层22之间的界面处设有氮化硅膜57的示例。随后，如图16B所示，用紫外线58照射所涂布的二嵌段共聚物62。在紫外线58的照射下，如图16C所示，聚苯乙烯与聚甲基丙烯酸甲酯的排斥作用产生从几纳米到几十纳米的相分离结构。图16C示出了聚甲基丙烯酸甲酯形成球体59并且聚苯乙烯交联而形成蚀刻板60的示例。
通过聚苯乙烯与聚甲基丙烯酸甲酯的体积比来调整相分离结构的形状和间距。随后，如图16D所示，通过去除聚甲基丙烯酸甲酯的球体59并且使用聚苯乙烯的蚀刻板60执行各向同性干法蚀刻(isotropic dry etching)，如图16E所示，在侧壁面30上形成多个锥状立体物53。在图16E中，已经去除了蚀刻板60和抗蚀剂56。
(2)此外，例如，如图17所示，凹槽部28的底面S6可以具有其中多个锥状立体物53配置成阵列状的形状(蛾眼结构)。图17示出了其中凹槽部28的侧壁面30和底面S6中的每个具有蛾眼结构的示例。注意，该变形例不限于图17所示的构成。例如，凹槽部28的侧壁面30不必须具有蛾眼结构，并且可以仅底面S6具有蛾眼结构。当凹槽部28的底面S6具有蛾眼结构时，折射率从锥状立体物53的前端到根部逐渐变化，因此可以抑制底面S6上的入射光35的反射，并且可以降低反射光的强度。
(3)此外，在第一实施方案中已经示出了凹凸部31的形状是相同三角形重复地出现的形状的示例，但是可以采用其他构成。例如，凹凸部31的形状，即，三角形形状可以在凹槽部28的纵向方向的各个位置上各不相同。具体地，如图18A和图18B所示，在包围像素区域3的四个直线槽29a、29b、29c和29d中的像素区域3的中央侧部分的侧壁面30上设有呈等腰三角形形状的凸部37。通过使用这种三角形形状，与完全没有凸部37的情况相比，能够增加直线槽29a、29b、29c和29d的纵向方向的中央附近的入射光35的反射次数，并且分散了反射的入射光35的光学路径。图18A中的虚线表示进入凸部37的各顶点的入射光35的光学路径。
此外，如图18A和图18C所示，设置在包围像素区域3的四个直线槽29a、29b、29c和29d中的像素区域3的端部侧部分的侧壁面30上的凸部37具有在端部侧的边长于在中央侧的边的三角形形状。通过使用这种三角形，与使用等腰三角形61的情况相比，能够增加直线槽29a、29b、29c和29d的纵向方向的端部附近的入射光35的反射次数，并且分散了反射的入射光35的光学路径。作为凸部37的顶点的移动距离x，例如，如图18D所示，可以采用基于俯视图中的入射光35的投影角ψ和凸部37的高度h的由公式x＝h·tanψ表示的距离。注意，在通过上式难以计算x的情况下，可以省略在像素区域3的端部侧部分的侧壁面30的凸部37并且使其平坦化。
顺便提及地，在使设置在包围像素区域3的四个直线槽29a、29b、29c和29d中的像素区域3的端部侧部分的凸部37也具有等腰三角形形状的方法中，减少了入射光35的反射次数，并且增加了反射的入射光35返回到像素区域3的中央侧的光学路径的数目。特别地，这种趋势越靠近像素区域3的端部侧越明显，并且因此，存在由于反射的入射光35导致的光学路径向像素区域3的中央侧集中的担忧。
(4)此外，在第一实施方案中已经说明了凹凸部31仅设置在凹槽部28的面向像素区域3侧的侧壁面30上的示例，但是可以采用其他构成。例如，如图19A和图19B所示，凹凸部31可以设置在凹槽部28的两个侧壁面30和54中的每个上。图19A示出了其中侧壁面30的凹凸部31的凸部37和侧壁面54的凹凸部31的凸部37彼此对向设置的示例。此外，图19B示出了其中侧壁面30的凹凸部31的凸部37和侧壁面54的凹凸部31的凸部37交替设置的示例。通过在两个侧壁面30和54上设置凹凸部31，在被侧壁面30的凸部37反射的入射光35进入侧壁面54的凸部37的情况下，到侧壁面54的凸部37的入射光35可以被凸部37的表面反射，该反射的入射光35可以被相邻的另一凸部37的表面反射，并且可以使得行进方向更加复杂化，由此使得能够散射入射光35并且更适宜地抑制眩光。
(5)此外，在第一实施方案中已经说明了凹凸部31设置在包围像素区域3的整个凹槽部28中的示例，但是可以采用其他构成。例如，如图20所示，凹凸部31可以仅设置在包围像素区域3的凹槽部28中的到像素区域3的距离小于或等于预定值a的部分的面向像素区域3侧的侧壁面30上。图20示出了其中包围像素区域3的四个直线槽29a、29b、29c和29d中的直线槽29a和29c与像素区域3的距离大于预定值a并且直线槽29b和29d与像素区域3的距离小于或等于预定值a的示例。在图20所示的示例中，凹凸部31仅设置在直线槽29b和29d的侧壁面30上。作为预定值a，例如，能够采用不会由于被凹槽部28反射的入射光35而产生眩光的在像素区域3和凹槽部28之间的距离。例如，使用10μm。即，本发明人已经发现，尽管在入射光35被凹槽部28的到像素区域3的距离小于或等于预定值a的部分反射的情况下发生眩光，但是在入射光35被到像素区域3的距离小于或等于预定值a的部分反射的情况下，不发生眩光。因此，例如，通过仅在到像素区域3的距离等于或小于预定值a的凹槽部28的部分的侧壁面30上设置凹凸部31，与在包围像素区域3的整个凹槽部28中设置凹凸部31的方法相比，能够缩小形成凹凸部31的范围，并且能够抑制由于凸部37等的前端部的碎裂等而产生的粉尘。结果，能够更适宜地防止粉尘粘附并且防止固态成像装置1不良化。
(6)此外，在实施方案1中已经说明了其中侧壁面30形成为垂直于基板2的背面S1延伸的直线状，但是可以采用其他构成。例如，侧壁面30和侧壁面54中的至少一者可以形成为使得具有越靠近底面S6侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的形状。作为越靠近底面S6侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的形状，例如，可以采用如图21所示的越靠近底面S6侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的阶梯形状或如图22所示的越靠近底面S6侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的斜面形状。通过将侧壁面30形成为具有这样的形状，能够降低如下可能性：被凹槽部28的底面S6反射的入射光35照到侧壁面30以及被底面S6反射的入射光35进一步被侧壁面30反射并进入光电转换部24。此外，通过将侧壁面54形成为具有这样的形状，当被侧壁面30反射的入射光35照到侧壁面54时，能够使得入射光35朝向侧壁面30的上方反射，并且能够降低如下可能性：由侧壁面54反射的入射光35被侧壁面30进一步反射并进入光电转换部24。
(7)图21示出了其中在凹槽部28的侧壁面30上未设置凹凸部31并且凹槽部28的两个侧壁面30和54中的每个都具有阶梯形状的示例。然而，本变形例不限于图21所示的构成。例如，凹槽部28的侧壁面30和54可以具有阶梯形状，并且凹凸部31可以设置在侧壁面30上。凹槽部28的两个侧壁面30和54中的侧壁面54不必须具有阶梯形状，并且可以仅面向光电转换部24侧的侧壁面30具有阶梯形状。可选择地，面向光电转换部24侧的侧壁面30不必须具有阶梯形状，并且可以仅侧壁面54具有阶梯形状。此外，如图21所示，在凹槽部28的侧壁面30具有越靠近底面S6侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的阶梯形状的情况下，当反射光进入光电转换部24时，能够将光学路径分成多条路径以减弱各反射光的强度，并且抑制眩光，原因是：例如，在存在已进入凹槽部28的入射光35的情况下，反射目的地对于入射光35的各部分是不同的，例如，入射光35的一部分被阶梯中的中段阶梯反射，并且另一些部分被底面S6反射。
(8)类似地，图22示出了其中在凹槽部28的侧壁面30上未设置凹凸部31并且凹槽部28的侧壁面30和54中的每个都具有斜面形状的示例。然而，本变形例不限于图22所示的构成。例如，凹槽部28的侧壁面30可以具有斜面形状并且可以设置凹凸部31。凹槽部28的两个侧壁面30和54中的侧壁面54不必须具有斜面形状，并且可以仅面向光电转换部24侧的侧壁面30具有斜面形状。可选择地，面向光电转换部24侧的侧壁面30不必须具有斜面形状，并且可以仅侧壁面54具有斜面形状。此外，如图22所示，在凹槽部28的侧壁面30具有越靠近底面6S侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的斜面形状的情况下，从凹槽部28的纵向方向观察时，由凹槽部28的侧壁面30和凹槽部28的底面6S的法线形成的角度
Figure BDA0002956558290000171
小于或等于由入射光35和凹槽部28的底面S6的法线形成的角度γ，在利用固态成像装置1来构造图7A和图8所示的相机模块32的情况下假定该入射光35进入凹槽部28。注意，入射光35到凹槽部28的底面S6上的入射角度具有一定范围，但是角度γ是在具有一定范围的入射角度中入射光35的强度最强的角度。例如，在构造相机模块32的情况下，可以通过模拟光学***来进行计算。如图22所示，在
Figure BDA0002956558290000181
的情况下，例如，能够防止被面向光电转换部24侧的侧壁面30反射的入射光35进入光电转换部24，并且抑制眩光。
(9)此外，例如，侧壁面30和侧壁面54中的至少一者可以具有越靠近开口部侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的形状。作为越靠近开口部侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的形状，例如，可以采用如图23所示的越靠近开口部侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的阶梯形状或如图24所示的越靠近开口部侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的斜面形状。通过将侧壁面30形成为具有这样的形状，能够减少到达凹槽部28的底面S6的入射光35。此外，被凹槽部28的底面S6反射的入射光35可以在凹槽部28的侧壁面30和54之间重复地反射，并且通过增加反射次数，可以减弱入射光35的强度。此外，通过将侧壁面54形成为具有这样的形状，已被侧壁面30反射且照到侧壁面54的入射光35可以在凹槽部28的侧壁面30和54之间重复地反射，并且通过增加反射次数，可以减弱入射光35的强度。
(10)图23示出了其中在凹槽部28的侧壁面30上未设置凹凸部31并且凹槽部28的侧壁面30和54中的每个都具有阶梯形状的示例。然而，本变形例不限于图23所示的构成。例如，凹槽部28的侧壁面30和54可以具有阶梯形状并且在侧壁面30上可以设置凹凸部31。凹槽部28的两个侧壁面30和54中的侧壁面54不必须具有阶梯形状，并且可以仅面向光电转换部24侧的侧壁面30具有阶梯形状。可选择地，面向光电转换部24侧的侧壁面30不必须具有阶梯形状，并且可以仅侧壁面54具有阶梯形状。此外，如图23所示，在凹槽部28的侧壁面30具有越靠近开口部侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的阶梯形状的情况下，例如，被凹槽部28的底面S6反射的入射光35可以在底面S6和侧壁面30之间重复地反射，并且通过增加反射次数，可以减弱入射光35的强度。
(11)类似地，图24示出了其中在凹槽部28的侧壁面30上未设置凹凸部31并且凹槽部28的侧壁面30和54中的每个都具有斜面形状的示例。然而，本变形例不限于图24所示的构成。例如，凹槽部28的侧壁面30可以具有斜面形状并且可以设置凹凸部31。凹槽部28的两个侧壁面30和54中的侧壁面54不必须具有斜面形状，并且可以仅面向光电转换部24侧的侧壁面30具有斜面形状。可选择地，面向光电转换部24侧的侧壁面30不必须具有斜面形状，并且可以仅侧壁面54具有斜面形状。此外，如图24所示，在凹槽部28的侧壁面30具有越靠近开口部侧越向凹槽部28的宽度方向内侧突出的斜面形状的情况下，从凹槽部28的纵向方向观察时，由凹槽部28的侧壁面30和凹槽部28的底面6S的法线形成的角度
Figure BDA0002956558290000191
大于或等于由入射光35和凹槽部28的底面S6的法线形成的角度γ，在利用固态成像装置1来构造图7A和图8所示的相机模块32的情况下假定该入射光35进入凹槽部28。如图24所示，在
Figure BDA0002956558290000192
的情况下，例如，被凹槽部28的底面S6反射的入射光35可以在底面S6和斜面之间重复地反射，并且通过增加反射次数，可以减弱入射光35的强度。
(12)此外，在第一实施方案中，例如，侧壁面30的断面形状和侧壁面54的断面形状中的至少一者可以是如图25所示的向凹槽部28的宽度方向外侧突出的圆弧形状或如图26所示的向凹槽部28的宽度方向内侧突出的圆弧形状。图25和图26示出了其中在凹槽部28的侧壁面30上未设置凹凸部31并且凹槽部28的两个侧壁面30和54中的每个的断面形状是圆弧形状的示例。然而，本变形例不限于图25和图26所示的构成。例如，凹槽部28的侧壁面30的断面形状可以是圆弧形状并且可以设置凹凸部31。侧壁面54的断面形状不必须是圆弧形状，并且可以仅面向光电转换部24侧的侧壁面30的断面形状是圆弧形状。可选择地，面向光电转换部24侧的侧壁面30的断面形状不必须是圆弧形状，并且可以仅侧壁面54的断面形状是圆弧形状。
此外，例如，在侧壁面30的断面形状和侧壁面54的断面形状中的至少一者是如图25所示的向凹槽部28的宽度方向外侧突出的圆弧形状的情况下，可以减少到达凹槽部28的底面S6的入射光35。此外，被凹槽部28的底面S6反射的入射光35可以在凹槽部28的侧壁面30和54之间重复地反射，并且通过增加反射次数，可以减弱入射光35的强度。此外，如图26所示，例如，可以降低被凹槽部28的底面S6反射的入射光35照到侧壁面30的可能性，并且可以降低被底面S6反射的入射光35被侧壁面30进一步反射而进入光电转换部24的可能性。
(13)此外，在第一实施方案中已经示出了其中凹槽部28的内部是空隙的示例，但是可以采用其他构成。例如，如图27所示，凹槽部28内的一部分或全部可以由与基板2的材料不同的材料55填充到开口部。图27示出了其中在凹凸部31未设置于侧壁面30上的情况下凹槽部28的侧壁面30被平坦化的示例。然而，本变形例不限于图27所示的构成。例如，凹槽部28内的一部分或全部可以由材料55填充到开口部，并且可以设置凹凸部31。作为填充到凹槽部28内的材料55，例如，氧化硅(SiO2)是有利的。氧化硅(SiO2)易于作为半导体材料处理，例如，其也用于配线层22的绝缘膜。此外，如图28所示，在入射光35到凹槽部28的进入角度为45度并且入射光35的波长λ＝630nm的情况下，与其中在侧壁面30和54以及底面S6由硅(Si)形成的凹槽部28内未埋入氧化硅(SiO2)的构成相比，反射率在凹槽部28的开口部处预计增加约10％，从而可以减少导致眩光的光量。注意，存在如下的可能性：用材料55填充凹槽部28会削弱凹槽部28防止裂纹进行到像素区域3内的能力，但是氧化硅(SiO2)的机械强度低于硅(Si)的机械强度，因此，吸收裂纹能量并阻止裂纹进行到像素区域3内的效果是可期的。
(14)此外，例如，如图29所示，凹槽部28的宽度可以在凹槽部28的纵向方向的各个位置上各不相同，使得由凹槽部28反射的入射光35从凹槽部28出来时被导向与光电转换部24侧相反的侧。图29示出了其中在凹槽部28的侧壁面30上未设置凹凸部31的情况下侧壁面30是平坦的示例。然而，本变形例不限于图29所示的构成。例如，可以在凹槽部28的侧壁面30上设置凹凸部31。可以设置凹凸部31并且凹槽部28内的全部或一部分可以由材料55来填充。可选择地，在未设置凹凸部31的情况下，凹槽部28内的全部或一部分可以由材料55填充到开口部。
这里，通过改变凹槽部28的宽度等，如图30A所示，以角度η进入凹槽部28的入射光35可以返回到入射光35进入的方向(在下文中，也称为“逆方向”)或者可以在与入射光35进入的方向相反的方向(在下文中，也称为“顺方向”)上行进。首先，如图30B所示，假定凹槽部28的断面形状是矩形形状，创建包括其中在凹槽部28的右方向上排列有具有与凹槽部28的断面形状相同形状的多个矩形的第一矩形列63和其中在第一矩形列63的下方排列有与第一矩形列63类似的矩形列的第二矩形列64的格子图。随后，在创建的格子图中绘制以一定角度η进入凹槽部28的入射光35。在格子图中，在没有被侧壁面30反射的情况下，入射光35绘制为通过第一矩形列63的其他矩形和第二矩形列64。通过参照如此绘制入射光35的格子图，在入射光35通过构成第二矩形列64的矩形中的从凹槽部28数起的奇数号矩形的底部的情况下，可以确定入射光35在逆方向上行进。另一方面，在入射光通过从凹槽部28数起的偶数号矩形的底部的情况下，可以确定入射光35在顺方向上行进。
因此，在格子图中绘制了以一定角度η进入凹槽部28的侧壁面30的开口端的入射光35和以一定角度η进入凹槽部28的侧壁面54的开口端的入射光35，并且调整凹槽部28的宽度，使得两个绘制的入射光35都通过构成第二矩形列64的矩形中的从凹槽部28数起的偶数号矩形的底部，由此使得入射光35能够被导向顺方向，即，与光电转换部24侧相反的侧。此外，入射光35进入的角度η在凹槽部28的纵向方向的各个位置上各不相同。因此，通过在凹槽部28的纵向方向的各个位置上调整凹槽部28的宽度，在凹槽部28的纵向方向的各位置处，由凹槽部28反射的入射光35当从凹槽部28出来时可以被导向顺方向，即，与光电转换部24侧相反的侧。
(15)此外，在第一实施方案中已经说明了其中像素区域3与凹槽部28之间的距离(像素区域3与直线槽29a之间的距离，像素区域3与直线槽29b之间的距离，像素区域3与直线槽29c之间的距离，像素区域3与直线槽29d之间的距离)是恒定的示例，但是可以采用其他构成。例如，如图29所示，像素区域3与凹槽部28之间的距离可以在凹槽部28的纵向方向的各个位置上各不相同，使得由凹槽部28反射的入射光35从凹槽部28出来时被导向与光电转换部24侧相反的侧。图29示出了其中在凹槽部28的侧壁面30上未设置凹凸部31的情况下侧壁面30是平坦的示例。然而，本变形例不限于图29所示的构成。例如，在凹槽部28的侧壁面30上可以设置凹凸部31。在凹槽部28的侧壁面30上可以设置凹凸部31，并且凹槽部28的内部的全部或一部分可以由材料55填充到开口部。可选择地，在凹槽部28的侧壁面30上不必须设置凹凸部31，并且凹槽部28的内部的全部或一部分可以由材料55填充到开口部。此外，凹槽部28的宽度在纵向方向上可以是恒定的。
这里，在使用参照如上所述图30B的格子图的方法的情况下，如图31A和图31B所示，当逐渐改变入射光35进入的角度η时，使入射光35在逆方向上反射的角度和使入射光35在顺方向上反射的角度交替出现。图31B示出了由凹槽部28反射并且进入像素区域3中的入射光35的量。此外，图31B的角度η1和η2对应于图31A中的角度η1和η2。此外，像素区域3与凹槽部28之间的距离越长，角度η越大，并且像素区域3与凹槽部28之间的距离越短，角度η越小。因此，通过在凹槽部28的纵向方向的各个位置上调整像素区域3与凹槽部28之间的距离，在凹槽部28的纵向方向的各位置处，由凹槽部28反射的入射光35当从凹槽部28出来时可以被导向与光电转换部24侧相反的侧。注意，可以同时进行上面(14)中说明的凹槽部28的宽度的调整。
<2.第二实施方案：电子设备>
接着，对根据本公开第二实施方案的电子设备进行说明。图32是根据本公开第二实施方案的电子设备100的示意性构成图。
根据第二实施方案的电子设备100包括固态成像装置101、光学透镜102、快门装置103、驱动电路104和信号处理电路105。根据第二实施方案的电子设备100示出了在根据本公开第一实施方案或比较例的固态成像装置1作为固态成像装置101而用于电子设备(例如，相机)的情况下的示例。
光学透镜102将来自被摄体的图像光(入射光106)成像在固态成像装置101的成像面上。结果，信号电荷在固定成像装置101中累积一定时间。快门装置103控制光照射固态成像装置101的时段和光被遮挡的时段。驱动电路104供给用于控制固态成像装置101的传输操作和快门装置103的快门操作的驱动信号。根据从驱动电路104供给的驱动信号(时序信号)，进行固态成像装置101的传输操作。信号处理电路105对从固态成像装置101输出的信号(像素信号)进行各种类型的信号处理。已经进行了信号处理的视频信号被存储在诸如存储器等存储介质中，或被输出到监视器。
通过这种构成，在根据第二实施方案的电子设备100中，由于在固态成像装置101中抑制了光学混色，因此可以提高视频信号的图像质量。
注意，固态成像装置1可以适用的电子设备不限于相机，并且固态成像装置1可以适用于其他电子设备。例如，固态成像装置1可以适用于诸如用于如移动电话等移动装置的相机模块等成像装置。
此外，根据第一实施方案的固态成像装置1作为第二实施方案中的固态成像装置101而用于电子设备，但是可以使用其他构成。例如，根据变形例的固态成像装置1可以用于电子设备。
注意，本技术可以采用如下构成。
(1)一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；和
凹凸部，所述凹凸部设置在所述凹槽部的面向所述多个光电转换部侧的侧壁面上。
(2)根据上面(1)所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部具有使来自所述基板的受光面侧的入射光散射的形状。
(3)根据上面(1)或(2)所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部的凹凸的间距为0.1μm以上且小于100μm，所述间距是平面图中的在相邻凹部的底部之间的距离或在相邻凸部的顶部之间的距离。
(4)根据上面(1)～(3)中任一项所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部具有其中从所述基板的受光面侧观察时三角形连续的锯齿形状。
(5)根据上面(4)所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部的所述三角形的角度为1°以上且小于80°。
(6)根据上面(5)所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部的所述三角形的角度为1°以上且60°以下。
(7)根据上面(6)所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部的所述三角形的角度为30°±10°。
(8)根据上面(3)～(7)中任一项所述的固态成像装置，其中
所述三角形的形状在所述凹槽部的纵向方向的各个位置上各不相同。
(9)根据上面(8)所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部在划线区域与像素区域之间设置为包围所述像素区域的四边形形状，所述划线区域被刀片切割，所述像素区域包括所述多个所述光电转换部，和
所述凹凸部在形成所述四边形形状的边的所述凹槽部中的所述像素区域的中央侧部分的所述侧壁面上形成为等腰三角形形状，并且在所述像素区域的端部侧部分的所述侧壁面上形成为在所述端部侧的边长于在所述中央侧的边的三角形形状。
(10)根据上面(1)～(9)中任一项所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部具有通过将多个锥状立体物配置成阵列状而获得的形状。
(11)根据上面(1)～(10)中任一项所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部设置在所述凹槽部的两个侧壁面中的每个上。
(12)根据上面(1)～(11)中任一项所述的固态成像装置，其中
所述基板由硅形成。
(13)根据上面(1)～(12)中任一项所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部在划线区域和像素区域之间设置为包围所述像素区域的四边形形状，所述划线区域被刀片切割，所述像素区域包括所述多个所述光电转换部。
(14)根据上面(13)所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部仅设置在形成所述四边形形状的边的所述凹槽部的面向所述像素区域的侧的侧壁面上，所述侧壁面与所述像素区域之间的距离小于或等于预定值。
(15)一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近底面侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的形状。
(16)根据上面(15)所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近底面侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的阶梯形状。
(17)根据上面(15)所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近底面侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的斜面形状。
(18)根据上面(17)所述的固态成像装置，其中
从所述凹槽部的纵向方向观察时，由所述凹槽部的侧壁面和所述凹槽部的底面的法线形成的角度小于或等于由入射光和所述凹槽部的底面的法线形成的角度，在利用所述固态成像装置构造相机模块的情况下假定所述入射光进入所述凹槽部。
(19)一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近开口部侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的形状。
(20)根据上面(19)所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近开口部侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的阶梯形状。
(21)根据上面(19)所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近开口部侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的斜面形状。
(22)根据上面(21)所述的固态成像装置，其中
从所述凹槽部的纵向方向观察时，由所述凹槽部的侧壁面和所述凹槽部的底面的法线形成的角度大于或等于由入射光和所述凹槽部的底面的法线形成的角度，在利用所述固态成像装置构造相机模块的情况下假定所述入射光进入所述凹槽部。
(23)一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的侧壁面的断面形状是向所述凹槽部的宽度方向外侧或宽度方向内侧突出的圆弧形状。
(24)一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的底面具有其中多个锥状立体物配置为阵列状的形状。
(25)一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部内的一部分或全部由与所述基板的材料不同的材料填充到开口部。
(26)一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的宽度在所述凹槽部的纵向方向的各个位置上各不相同，使得由所述凹槽部反射的入射光从所述凹槽部离开时被导向与光电转换部侧相反的侧。
(27)一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
包括多个光电转换部的像素区域与所述凹槽部之间的距离在所述凹槽部的纵向方向的各个位置上各不相同，使得由所述凹槽部反射的入射光从所述凹槽部离开时被导向与光电转换部侧相反的侧。
(28)一种电子设备，包括：
固态成像装置，所述固态成像装置包括：基板，在所述基板上形成有多个光电二极管；凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；和凹凸部，所述凹凸部设置在所述凹槽部的内部；
光学透镜，所述光学透镜将来自被摄体的图像光的图像形成在所述固态成像装置的成像面上；和
信号处理电路，所述信号处理电路对从所述固态成像装置输出的信号进行信号处理。
附图标记列表
1 固态成像装置 2 基板
3 像素区域 4 垂直驱动电路
5 列信号处理电路 6 水平驱动电路
7 输出电路 8 控制电路
9 像素 10 像素驱动配线
11 垂直信号线 12 水平信号线
13 芯片 14 周围区域
15 保护膜 16 遮光膜
17 平坦化膜 18 受光层
19 滤色器层 20 片上透镜
21 集光层 22 配线层
23 支撑基板 24 光电转换部
25 划线区域 26 晶片
27 划线区域 28 凹槽部
29a、29b、29c、29d 直线槽 30 侧壁面
31 凹凸部 32 相机模块
33 盖玻璃 34a 成像透镜
34b 成像透镜 34c 成像透镜
34d 成像透镜 34e 成像透镜
35 入射光 36 切线
37 凸部 50、51、52 基准面
53 锥状立体物 54 侧壁面
55 材料 56 抗蚀剂
57 氮化硅膜 58 紫外线
59 球体 60 蚀刻板
61 等腰三角形 62 二嵌段共聚物
63 第一矩形列 64 第二矩形列
100 电子设备 101 固态成像装置
102 光学透镜 103 快门装置
104 驱动电路 105 信号处理电路
106 入射光

Claims (28)

1.一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；和
凹凸部，所述凹凸部设置在所述凹槽部的面向所述多个光电转换部侧的侧壁面上。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部具有使来自所述基板的受光面侧的入射光散射的形状。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部的凹凸的间距为0.1μm以上且小于100μm，所述间距是平面图中的在相邻凹部的底部之间的距离或在相邻凸部的顶部之间的距离。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部具有其中从所述基板的受光面侧观察时三角形连续的锯齿形状。
5.根据权利要求4所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部的所述三角形的角度为1°以上且小于80°。
6.根据权利要求5所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部的所述三角形的角度为1°以上且60°以下。
7.根据权利要求6所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部的所述三角形的角度为30°±10°。
8.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中
所述三角形的形状在所述凹槽部的纵向方向的各个位置上各不相同。
9.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部在划线区域与像素区域之间设置为包围所述像素区域的四边形形状，所述划线区域被刀片切割，所述像素区域包括所述多个所述光电转换部，和
所述凹凸部在形成所述四边形形状的边的所述凹槽部中的所述像素区域的中央侧部分的所述侧壁面上形成为等腰三角形形状，并且在所述像素区域的端部侧部分的所述侧壁面上形成为在所述端部侧的边长于在所述中央侧的边的三角形形状。
10.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部具有通过将多个锥状立体物配置成阵列状而获得的形状。
11.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部设置在所述凹槽部的两个侧壁面中的每个上。
12.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述基板由硅形成。
13.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部在划线区域和像素区域之间设置为包围所述像素区域的四边形形状，所述划线区域被刀片切割，所述像素区域包括所述多个所述光电转换部。
14.根据权利要求13所述的固态成像装置，其中
所述凹凸部仅设置在形成所述四边形形状的边的所述凹槽部的面向所述像素区域的侧的侧壁面上，所述侧壁面与所述像素区域之间的距离小于或等于预定值。
15.一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近底面侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的形状。
16.根据权利要求15所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近底面侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的阶梯形状。
17.根据权利要求15所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近底面侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的斜面形状。
18.根据权利要求17所述的固态成像装置，其中
从所述凹槽部的纵向方向观察时，由所述凹槽部的侧壁面和所述凹槽部的底面的法线形成的角度小于或等于由入射光和所述凹槽部的底面的法线形成的角度，在利用所述固态成像装置构造相机模块的情况下假定所述入射光进入所述凹槽部。
19.一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近开口部侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的形状。
20.根据权利要求19所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近开口部侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的阶梯形状。
21.根据权利要求19所述的固态成像装置，其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近开口部侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的斜面形状。
22.根据权利要求21所述的固态成像装置，其中
从所述凹槽部的纵向方向观察时，由所述凹槽部的侧壁面和所述凹槽部的底面的法线形成的角度大于或等于由入射光和所述凹槽部的底面的法线形成的角度，在利用所述固态成像装置构造相机模块的情况下假定所述入射光进入所述凹槽部。
23.一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的侧壁面的断面形状是向所述凹槽部的宽度方向外侧或宽度方向内侧突出的圆弧形状。
24.一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的底面具有其中多个锥状立体物配置为阵列状的形状。
25.一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部内的一部分或全部由与所述基板的材料不同的材料填充到开口部。
26.一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
所述凹槽部的宽度在所述凹槽部的纵向方向的各个位置上各不相同，使得由所述凹槽部反射的入射光从所述凹槽部离开时被导向与光电转换部侧相反的侧。
27.一种固态成像装置，包括：
基板，在所述基板上形成有多个光电转换部；和
凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；其中
包括多个光电转换部的像素区域与所述凹槽部之间的距离在所述凹槽部的纵向方向的各个位置上各不相同，使得由所述凹槽部反射的入射光从所述凹槽部离开时被导向与光电转换部侧相反的侧。
28.一种电子设备，包括：
固态成像装置，所述固态成像装置包括：基板，在所述基板上形成有多个光电二极管；凹槽部，所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧；和凹凸部，所述凹凸部设置在所述凹槽部的内部；
光学透镜，所述光学透镜将来自被摄体的图像光的图像形成在所述固态成像装置的成像面上；和
信号处理电路，所述信号处理电路对从所述固态成像装置输出的信号进行信号处理。
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