CN112614780A - 一种晶圆尖峰退火监控方法 - Google Patents

一种晶圆尖峰退火监控方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112614780A
CN112614780A CN202011483367.5A CN202011483367A CN112614780A CN 112614780 A CN112614780 A CN 112614780A CN 202011483367 A CN202011483367 A CN 202011483367A CN 112614780 A CN112614780 A CN 112614780A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
annealing
monitoring method
monitoring
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011483367.5A
Other languages
English (en)
Inventor
段宗强
谢威
张立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN202011483367.5A priority Critical patent/CN112614780A/zh
Publication of CN112614780A publication Critical patent/CN112614780A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种晶圆尖峰退火监控方法,所述监控方法具体包括如下步骤:将退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量,所述电阻测量方法为线性扫描,得出关于所述晶圆中心线对称的一组电阻值数据;将所述电阻值数据进行数据处理,所述数据处理方法为中心对称加和平均;根据所述处理后的数据绘制离散分布图,偏离点的位置即为退火不均匀点,以实现对所述晶圆退火的监控,所述偏离点为偏离所述离散分布图整体趋势的点;该监控方法旨在有效监控晶圆退火的均一性,并根据监控数据进行设备的调整。

Description

一种晶圆尖峰退火监控方法
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺监控方法领域,尤其是涉及一种晶圆尖峰退火监控方法。
背景技术
随着半导体工业的发展,集成电路向体积小、速度快和低功耗方向发展。尤其是当半导体器件的特征尺寸不断按比例缩小,其掺杂元素在退火后的横向和纵向扩散程度也要求相应减小,且结深要浅。为了控制掺杂元素的扩散以及得到较浅的结深,业界普遍采用的退火工艺为尖峰退火。尖峰退火工艺是利用加热的热源将晶圆快速升到900~1200℃的温度,然后快速降温,整个过程约1.5秒。
对于尖峰退火工艺,业界主流设备采用晶圆托环支撑晶圆,请参阅图1,图1为现有技术中托环的温度分布中心点(O2点)与晶圆中心点(O1点)重合的示意图。执行尖峰退火工艺过程时,机械手臂先传送晶圆到托环的目标位置,加热单元对晶圆正面进行加热,同时,晶圆托环以一定的速度带动晶圆旋转,以确保退火的均匀性。
然而,影响托环温度分布的因素有:托环的结构形状、带动托环转动的传动装置的结构形状、晶圆的退火时间、晶圆直径、晶圆厚度和托环的转动速度等,所以托环的温度分布规律是随着不同的加工工艺而发生变化的,其温度分布的中心点也是随着不同的加工工艺而发生变化的,当晶圆的中心点与托环的温度分布中心点出现偏移时(如图2所示),会造成晶圆边缘一边吸走的热量多,而另一边吸走的热量少的情况,因此,出现了晶圆边缘热量流失不对称的情况。
那么,对于晶圆均一性的监控就显得尤为重要。目前通行的均一性监控方法为:离子注入--退火--量测方块电阻。尖峰退火的腔体加热组件为按区域环形分布的卤素灯组。方块电阻线性扫描量测可快速、直观的反映腔体不同灯区之间的温度差异,是调整探头温度的重要依据,因此对线性扫描的均一性实施有效监控尤为重要。
本发明提供了一种线性扫描的监控方法,可以有效保证晶圆尖峰退火的均一性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆尖峰退火的监控方法,旨在有效监控晶圆退火的均一性,并根据监控数据进行设备的调整。
为实现上述目的和其他相关目的,本发明提供了一种晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,所述监控方法具体包括如下步骤:
步骤S1:将退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量,所述电阻测量方法为线性扫描,得出关于所述晶圆中心线对称的一组电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn;
步骤S2:将所述电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn进行数据处理,所述数据处理方法为中心对称加和平均,处理后的数据为:(X1+Xn)/2、(X2+Xn-1)/2......(Xn-1+X2)/2、(Xn+X1)/2;
步骤S3:根据所述处理后的数据绘制离散分布图,偏离点的位置即为退火不均匀点,以实现对所述晶圆退火的监控,所述偏离点为偏离所述离散分布图整体趋势的点。
优选地,还包括步骤S4:根据所述离散分布图中的偏离点对机械手臂进行调整,改变所述晶圆的倾斜,若无偏离点则无需调整。
优选地,所述机械手臂与所述晶圆之间设置有陶瓷纤维垫片。
优选地,所述晶圆的尖峰退火加热组件为卤素灯组。
优选地,所述卤素灯组的数量为多个,多个所述卤素灯组在所述晶圆上分布成多个加热灯区。
优选地,多个所述加热灯区中每个所述加热灯区中的所述卤素灯组均由一温控探头控制,所述温控探头用以改变所述加热灯区中的所述卤素灯组的温度。
优选地,还包括步骤S4:根据所述离散分布图中的偏离点对所述温控探头进行调整,以使偏离点对应的所述加热灯区中所述卤素灯组的温度发生改变,若无偏离点则无需调整。
优选地,所述晶圆尖峰退火的方式N型离子注入形成N型轻掺杂区之后的退火。
优选地,所述晶圆尖峰退火的温度为1050℃。
优选地,包括计算机***和电路控制板,所述计算机***用于数据处理,所述电路控制板用于控制所述机械手臂和所述温控探头。
综上所述,本发明所提出的将线性扫描的原始量测数据进行中心对称镜像化处理,可以显著排干扰因素影响,精确反映腔体不同灯区间的温度差异,实现对关键制程的更加有效的监控;进一步地,本发明可以根据数据离散图,及时准确定位数据异常位置,即不均匀点,并对相应位置进行调整,调整方法主要包括机械手臂对晶圆放置的调整和通过温控探头对灯区温度的调整;最后,本发明还可以包括计算机***和电路控制板,通过计算机***进行数据处理,通过电路控制板实现机械手臂和温控探头的控制。
附图说明
图1为本发明现有技术托环的温度分布中心点(O2点)与晶圆中心点(O1点)重合的示意图。
图2为本发明现有技术托环的温度分布中心点(O2点)与晶圆中心点(O1点)不重合的示意图。
图3为本发明一实施例提供的晶圆尖峰退火监控及调整示意图。
图4为本发明一实施例提供的另一晶圆尖峰退火监控及调整示意图。
图5为本发明一实施例提供的晶圆尖峰退火电阻离散分布图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
图3和图4为本发明一实施例提供的晶圆尖峰退火监控及控制示意图,参阅图3和图4,本发明提供了一种晶圆尖峰退火监控方法,所述监控方法具体包括如下步骤:
步骤S1:将退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量,所述电阻测量方法为线性扫描,得出关于所述晶圆中心线对称的一组电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn;
步骤S2:将所述电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn进行数据处理,所述数据处理方法为中心对称加和平均,处理后的数据为:(X1+Xn)/2、(X2+Xn-1)/2......(Xn-1+X2)/2、(Xn+X1)/2;
步骤S3:参阅图5,根据所述处理后的数据绘制离散分布图,偏离点的位置即为退火不均匀点,以实现对所述晶圆退火的监控。
以上为对于晶圆尖峰退火的监控和数据处理、分析,可以根据对于数据的分析对设备进行调整,实现晶圆尖峰退火的均一性。
例如可以包括下一步骤:根据所述离散分布图中的偏离点对机械手臂进行调整,改变所述晶圆的倾斜,若无偏离点则无需调整。所述机械手臂与所述晶圆之间一般设置有陶瓷纤维垫片。
另外,对于所述晶圆的尖峰退火的加热组件一般卤素灯组,所述卤素灯组的数量为多个,可以将多个所述卤素灯组在所述晶圆上分布成多个加热灯区,使得多个所述加热灯区中每个所述加热灯区中的所述卤素灯组均由一温控探头控制,所述温控探头用以改变所述加热灯区中的所述卤素灯组的温度。
于是可以包括下一调整步骤:根据所述离散分布图中的偏离点对所述温控探头进行调整,以使偏离点对应的所述加热灯区中所述卤素灯组的温度发生改变,若无偏离点则无需调整。所述晶圆尖峰退火的方式一般为N型离子注入形成N型轻掺杂区之后的退火,所述晶圆尖峰退火的温度为1050℃。
为更好的进行数据处理和设备调整控制,一般还包括计算机***和电路控制板,所述计算机***用于数据处理,所述电路控制板用于控制所述机械手臂和所述温控探头。
本发明的优点在于将线性扫描的原始量测数据进行中心对称镜像化处理,可以显著排干扰因素影响,精确反映腔体不同灯区间的温度差异,实现对关键制程的更加有效的监控;进一步地,本发明可以根据数据离散图,及时准确定位数据异常位置,即不均匀点,并对相应位置进行调整,调整方法主要包括机械手臂对晶圆放置的调整和通过温控探头对灯区温度的调整;最后,本发明还可以包括计算机***和电路控制板,通过计算机***进行数据处理,通过电路控制板实现机械手臂和温控探头的控制。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”或“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例中以合适的方式结合。此外,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
上述仅为本发明的优选实施例而已,并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员,在不脱离本发明的技术方案的范围内,对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动,均属未脱离本发明的技术方案的内容,仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,所述监控方法具体包括如下步骤:
步骤S1:将退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量,所述电阻测量方法为线性扫描,得出关于所述晶圆中心线对称的一组电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn;
步骤S2:将所述电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn进行数据处理,所述数据处理方法为中心对称加和平均,处理后的数据为:(X1+Xn)/2、(X2+Xn-1)/2......(Xn-1+X2)/2、(Xn+X1)/2;
步骤S3:根据所述处理后的数据绘制离散分布图,偏离点的位置即为退火不均匀点,以实现对所述晶圆退火的监控,所述偏离点为偏离所述离散分布图整体趋势的点。
2.如权利要求1所述的晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,还包括步骤S4:根据所述离散分布图中的偏离点对机械手臂进行调整,改变所述晶圆的倾斜,若无偏离点则无需调整。
3.如权利要求2所述的晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,所述机械手臂与所述晶圆之间设置有陶瓷纤维垫片。
4.如权利要求1所述的晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,所述晶圆的尖峰退火加热组件为卤素灯组。
5.如权利要求4所述的晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,所述卤素灯组的数量为多个,多个所述卤素灯组在所述晶圆上分布成多个加热灯区。
6.如权利要求5所述的晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,多个所述加热灯区中每个所述加热灯区中的所述卤素灯组均由一温控探头控制,所述温控探头用以改变所述加热灯区中的所述卤素灯组的温度。
7.如权利要求6所述的晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,还包括步骤S4:根据所述离散分布图中的偏离点对所述温控探头进行调整,以使偏离点对应的所述加热灯区中所述卤素灯组的温度发生改变,若无偏离点则无需调整。
8.如权利要求1所述的晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,所述晶圆尖峰退火的方式N型离子注入形成N型轻掺杂区之后的退火。
9.如权利要求8所述的晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,所述晶圆尖峰退火的温度为1050℃。
10.如权利要求2至9任一项所述的晶圆尖峰退火监控方法,其特征在于,包括计算机***和电路控制板,所述计算机***用于数据处理,所述电路控制板用于控制所述机械手臂和所述温控探头。
CN202011483367.5A 2020-12-16 2020-12-16 一种晶圆尖峰退火监控方法 Pending CN112614780A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011483367.5A CN112614780A (zh) 2020-12-16 2020-12-16 一种晶圆尖峰退火监控方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011483367.5A CN112614780A (zh) 2020-12-16 2020-12-16 一种晶圆尖峰退火监控方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112614780A true CN112614780A (zh) 2021-04-06

Family

ID=75239467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011483367.5A Pending CN112614780A (zh) 2020-12-16 2020-12-16 一种晶圆尖峰退火监控方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112614780A (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5099504A (en) * 1987-03-31 1992-03-24 Adaptive Technologies, Inc. Thickness/density mesuring apparatus
TW421832B (en) * 1999-09-23 2001-02-11 Applied Materials Inc Method for adjusting the temperature distribution on the wafer surface in a thermal treatment
US6468131B1 (en) * 2000-11-28 2002-10-22 Speedfam-Ipec Corporation Method to mathematically characterize a multizone carrier
US20050272228A1 (en) * 2004-06-07 2005-12-08 Takayuki Ito Annealing apparatus, annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device
US20060084188A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for temperature control in a rapid thermal processing system
US20100002354A1 (en) * 2006-08-10 2010-01-07 Hiroshi Inazumachi Electrostatic chuck device
CN101894775A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 尖峰热处理设备稳定性的检测方法
US20120041705A1 (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Pillukat Alexander Method and Apparatus for the Corrected Radiometric Measurement of Object Points on Surfaces of Astronomical Bodies
CN102569145A (zh) * 2010-12-23 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 快速退火处理中晶片位置校正方法
CN102879646A (zh) * 2011-07-15 2013-01-16 日本电产理德株式会社 基板检查装置和基板检查方法
CN103972139A (zh) * 2014-05-20 2014-08-06 上海华力微电子有限公司 一种改善晶圆尖峰退火均一性的校准方法
US20150090708A1 (en) * 2012-02-27 2015-04-02 Tokyo Electron Limited Microwave heating apparatus and processing method
CN105609451A (zh) * 2016-03-24 2016-05-25 上海华力微电子有限公司 一种消除闪光退火机台首十枚效应的方法
CN206274279U (zh) * 2016-12-23 2017-06-23 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 用于测量被测物体的平均温度的测温组件及加热锅具
CN107750350A (zh) * 2015-06-18 2018-03-02 Asml荷兰有限公司 量测方法、检查设备、光刻***和器件制造方法
CN112002640A (zh) * 2020-10-27 2020-11-27 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 监控退火工艺稳定性的方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5099504A (en) * 1987-03-31 1992-03-24 Adaptive Technologies, Inc. Thickness/density mesuring apparatus
TW421832B (en) * 1999-09-23 2001-02-11 Applied Materials Inc Method for adjusting the temperature distribution on the wafer surface in a thermal treatment
US6468131B1 (en) * 2000-11-28 2002-10-22 Speedfam-Ipec Corporation Method to mathematically characterize a multizone carrier
US20050272228A1 (en) * 2004-06-07 2005-12-08 Takayuki Ito Annealing apparatus, annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device
US20060084188A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for temperature control in a rapid thermal processing system
US20100002354A1 (en) * 2006-08-10 2010-01-07 Hiroshi Inazumachi Electrostatic chuck device
CN101894775A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 尖峰热处理设备稳定性的检测方法
US20120041705A1 (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Pillukat Alexander Method and Apparatus for the Corrected Radiometric Measurement of Object Points on Surfaces of Astronomical Bodies
CN102569145A (zh) * 2010-12-23 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 快速退火处理中晶片位置校正方法
CN102879646A (zh) * 2011-07-15 2013-01-16 日本电产理德株式会社 基板检查装置和基板检查方法
US20150090708A1 (en) * 2012-02-27 2015-04-02 Tokyo Electron Limited Microwave heating apparatus and processing method
CN103972139A (zh) * 2014-05-20 2014-08-06 上海华力微电子有限公司 一种改善晶圆尖峰退火均一性的校准方法
CN107750350A (zh) * 2015-06-18 2018-03-02 Asml荷兰有限公司 量测方法、检查设备、光刻***和器件制造方法
CN105609451A (zh) * 2016-03-24 2016-05-25 上海华力微电子有限公司 一种消除闪光退火机台首十枚效应的方法
CN206274279U (zh) * 2016-12-23 2017-06-23 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 用于测量被测物体的平均温度的测温组件及加热锅具
CN112002640A (zh) * 2020-10-27 2020-11-27 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 监控退火工艺稳定性的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5831249A (en) Secondary measurement of rapid thermal annealer temperature
KR20020033425A (ko) 열처리장치 및 열처리방법
US10295590B2 (en) Probe card with temperature control function, inspection apparatus using the same, and inspection method
KR100374369B1 (ko) 램프어닐링장치및램프어닐링방법
JP4125736B2 (ja) プローバ装置の温度制御方法
US7103271B2 (en) Light irradiation heat treatment method and light irradiation heat treatment apparatus
US20080064128A1 (en) Annealing apparatus, annealing method, and method of manufacturing a semiconductor device
JPH0521876Y2 (zh)
CN113432737A (zh) 晶圆卡盘温度量测及温度校准的方法和温度量测***
EP1601004A2 (en) Electronic device manufacturing apparatus
CN112614780A (zh) 一种晶圆尖峰退火监控方法
CN103972139B (zh) 一种改善晶圆尖峰退火均一性的校准方法
US11348781B2 (en) Wafer annealing method
CN101894775B (zh) 尖峰热处理设备稳定性的检测方法
CN113281304B (zh) 一种退火炉降温速率校准的方法
CN102479690B (zh) 提高晶圆上源漏极退火时工作电流均匀性的方法
US20220151026A1 (en) Heater temperature control method, heater, and placement stand
CN108878274B (zh) 快速热退火工艺能力的监控方法
KR20180002373A (ko) 웨이퍼 검사 공정에서 척의 온도를 제어하는 방법
CN101969019A (zh) 确定半导体基板在退火炉中的中心位置的方法、对半导体基板进行热处理的设备以及对这种设备进行校准的方法
KR20180002379A (ko) 웨이퍼를 지지하는 척에서 변형된 웨이퍼를 진공 흡착하는 방법
CN116884891B (zh) 炉管设备的工艺匹配方法
JPH0751793Y2 (ja) 基板の熱処理装置
JP2004039776A (ja) 温度測定方法および装置温度の管理方法
JP2008147371A (ja) 温度測定方法および熱処理装置の温度管理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination