CN112583364A - 自适应温度补偿电路以及偏置电路 - Google Patents

自适应温度补偿电路以及偏置电路 Download PDF

Info

Publication number
CN112583364A
CN112583364A CN202011375576.8A CN202011375576A CN112583364A CN 112583364 A CN112583364 A CN 112583364A CN 202011375576 A CN202011375576 A CN 202011375576A CN 112583364 A CN112583364 A CN 112583364A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
transistor
current
compensation
temperature coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011375576.8A
Other languages
English (en)
Inventor
杨必文
奉靖皓
倪建兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Radrock Shenzhen Technology Co Ltd
Original Assignee
Radrock Shenzhen Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Radrock Shenzhen Technology Co Ltd filed Critical Radrock Shenzhen Technology Co Ltd
Priority to CN202011375576.8A priority Critical patent/CN112583364A/zh
Publication of CN112583364A publication Critical patent/CN112583364A/zh
Priority to PCT/CN2021/133863 priority patent/WO2022111673A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/303—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters using a switching device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种自适应温度补偿电路以及偏置电路。该自适应温度补偿电路在第一温度区间内，通过第一温度补偿模块输出第一误差电流至补偿节点；在第三温度区间内，通过第二温度补偿模块输出第二误差电流至补偿节点；在第二温度区间内，输出的补偿电流为零，也即不对功率放大器进行温度补偿。从而避免了出现在低于或高于某一特定适温的时候就会开始对待补偿件进行对应的温度补偿的现象，避免了因过度的温度补偿而导致的待补偿件的性能变差的情况发生。

Description

自适应温度补偿电路以及偏置电路
技术领域
本发明涉及功率放大器领域，尤其涉及一种自适应温度补偿电路以及偏置电路。
背景技术
随着移动通讯技术的发展，对通讯***中的功率放大器要求也越来越高，而增益线性度是作为衡量功率放大器的重要性能指标，直接影响移动终端的通讯质量。由于功率放大器的性能(比如增益)容易受到外界温度的影响，因此为了保证功率放大器具有较好的性能；提高功率放大器的热稳定性，对功率放大器进行适度的温度补偿是非常重要的。
发明内容
本发明实施例提供一种自适应温度补偿电路以及偏置电路，以解决对功率放大器进行过度温度补偿，从而导致的功率放大器性能变差的问题。
一种自适应温度补偿电路，所述自适应温度补偿电路被配置为给功率放大器的偏置电路提供补偿电流，在第一温度区间内，所述补偿电流与温度呈正相关，在第二温度区间内，所述补偿电流与温度无关，在第三温度区间内，所述补偿电流与温度呈正相关，所述第二温度区间位于所述第一温度区间和所述第三温度区间之间。
一种偏置电路，被配置为提供偏置信号至功率放大器，包括：为所述功率放大器提供偏置电流的基础电路，以及所述自适应温度补偿电路；在第一温度区间内，由所述基础电路提供偏置电流和所述自适应温度补偿电路提供第一误差电流至所述功率放大器，在第二温度区间内，由所述基础电路提供偏置电流至所述功率放大器；在第三温度区间内，由所述基础电路提供偏置电流和所述自适应温度补偿电路提供第二误差电流至所述功率放大器。
上述自适应温度补偿电路，在第一温度区间内，通过第一温度补偿模块输出第一误差电流至补偿节点；在第三温度区间内，通过第二温度补偿模块输出第二误差电流至补偿节点；在第二温度区间内，输出的补偿电流为零，也即在第二温度区间内不对功率放大器进行温度补偿；从而避免了出现在低于或高于某一特定温度的时候就会开始为功率放大器的偏置电路提供补偿电流的现象，避免了因过度的温度补偿而导致的功率放大器的性能变差的情况发生。
上述偏置电路，在第一温度区间内，由所述基础电路提供偏置电流和所述自适应温度补偿电路提供第一误差电流至所述功率放大器，在第二温度区间内，由所述基础电路提供偏置电流至所述功率放大器；在第三温度区间内，由所述基础电路提供偏置电流和所述自适应温度补偿电路提供第二误差电流至所述功率放大器。使得在第一温度区间以及第三温度区间，通过基础电路以及自适应温度补偿电路共同为功率放大器补偿，在第二温度区间内，只通过基础电路提供偏置电流至功率放大器，从而在提高补偿效率同时，还可避免因过度的温度补偿而导致功率放大器的性能变差。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例中自适应温度补偿电路中一电流-温度示意图；
图2是本发明一实施例中自适应温度补偿电路的另一原理框图；
图3是本发明一实施例中自适应温度补偿电路中另一电流-温度示意图；
图4是本发明一实施例中自适应温度补偿电路的另一原理框图；
图5是本发明一实施例中自适应温度补偿电路中另一电流-温度示意图；
图7是本发明一实施例中自适应温度补偿电路的另一原理框图；
图6是本发明一实施例中自适应温度补偿电路中另一电流-温度示意图。
其中，图中各附图标记：
1-自适应温度补偿电路；2-基础电路；3-功率放大器；4-补偿节点；10-第一温度补偿模块；20-第二温度补偿模块；30-可调电阻；40-带隙基准源；50-第一调节电路；60-第二调节电路；101-第一正温度补偿单元；102-第一零温度补偿单元；201-第二正温度补偿单元；202-第二零温度补偿单元；1011-第一晶体管；1012-第二晶体管；1021-第五晶体管；1022-第六晶体管；2011-第三晶体管；2012-第四晶体管；2021-第七晶体管；2022-第八晶体管；1013-第一调节晶体管；1014-第二调节晶体管；1023-第三调节晶体管；1024-第四调节晶体管；2013-第五调节晶体管；2014-第六调节晶体管；2023-第七调节晶体管；2024-第八调节晶体管；501-第九调节晶体管；502-第十调节晶体管；601-第十一调节晶体管；602-第十二调节晶体管；K1-第一开关；K2-第二开关；K3-第三开关；K4-第四开关；K5-第五开关；K6-第六开关；K7-第七开关；K8-第八开关；K9-第九开关；K10-第十开关；K11-第十一开关；K12-第十二开关。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在一实施例中，提供一种自适应温度补偿电路1，所述自适应温度补偿电路1被配置为给功率放大器3的偏置电路提供补偿电流，在第一温度区间内，所述补偿电流与温度呈正相关，在第二温度区间内，所述补偿电流与温度无关，在第三温度区间内，所述补偿电流与温度呈正相关，所述第二温度区间位于所述第一温度区间和所述第三温度区间之间。
其中，补偿电流指的是在功率放大器3的性能受温度影响时，对功率放大器3进行适应性补偿的电流。示例性地，第一温度区间可以为-20℃至10℃、-30℃至20℃或者-40℃至20℃；第二温度区间可以为10℃至30℃、20℃至40℃或者20℃至50℃；第三温度区间可以为30℃至80℃、40℃至100℃或者50℃至120℃等。本实施例对第一温度区间、第二温度区间和第三温度区间的温度区间值不做具体限制。在本实施例中，第一温度区间优选为-40℃至10℃这一区间；第二温度区间优选为10℃至40℃这一区间；第三温度区间优选为40℃至120℃这一区间。
示例性地，如图1所示电流-温度示意图，横坐标表征温度值；纵坐标表征补偿电流；在第一温度区间内，也即图1中小于t1的温度区间内，补偿电流与温度呈正相关；在第二温度区间内，也即图1中t1至t2温度区间内，补偿电流与温度无关；在第三温度区间内，也即图1中大于t2的温度区间内，补偿电流与温度呈正相关。需要说明的是，第一温度区间和第三温度区间不是无穷区间，第一温度区间存在最小极限值，第三温度区间存在最大极限值。本实施例中，第一温度区间的最小极限值优选为-40℃；第三温度区间的最大极限值优选为120℃。
在本实施例中，由于在第二温度区间内，所述自适应温度补偿电路1提供给功率放大器3的偏置电路的补偿电流均与温度无关，即在第二温度区间内补偿电流为零，相比较于现有技术中的自适应温度补偿电路只要出现低于或高于某一特定温度值就开始提供补偿电流始至功率放大器的偏置电路，本实施例的自适应温度补偿电路可避免因过度的温度补偿而导致功率放大器的性能变差。
在一实施例中，所述自适应温度补偿电路1包括：
至少一个第一温度补偿模块10，被配置为接收第一正温度系数电流和第一零温度系数电流，且在第一正温度系数电流小于所述第一零温度系数电流时，输出第一误差电流至补偿节点4。
其中，第一正温度系数电流为由设置在与第一温度补偿模块10连接的正温度系数电源输出的电流，该正温度系数电源可以为正温度系数电流源，也可以为正温度系数电压源。第一零温度系数电流为由设置在与第一温度补偿模块10连接的零温度系数电源输出的电流，该零温度系数电源可以为零温度系数电流源，也可以为零温度系数电压源。第一正温度系数电流的大小与温度呈正相关。第一零温度系数电流的大小与温度无关。补偿节点4指的是自适应温度补偿电路1输出补偿电流至功率放大器3的偏置电路上的公共支路上的节点。
进一步地，在第一温度区间内，所述第一正温度系数电流小于所述第一零温度系数电流，所述第一温度补偿模块10输出所述第一误差电流至补偿节点4，所述第一误差电流为所述第一正温度系数电流与所述第一零温度系数电流之间的差值电流，所述第一误差电流与温度呈正相关。可以理解地，在第一温度区间内，所述第一温度补偿模块10输出的第一误差电流即为所述自适应温度补偿电路1给功率放大器3的偏置电路提供的补偿电流，进而表征第一温度区间内，补偿电流与温度呈正相关。
进一步地，可以根据功率放大器3具体的补偿需求确定第一温度补偿模块10的接入数量，也即可以通过调整不同数量的第一温度补偿模块10，调整输出的第一误差电流的大小。
至少一个第二温度补偿模块20，被配置为接收第二正温度系数电流和第二零温度系数电流，且在第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流时，输出第二误差电流至补偿节点4，所述第一零温度系数电流小于所述第二零温度系数电流。
其中，第二正温度系数电流为由设置在与第二温度补偿模块20连接的正温度系数电源输出的电流，该正温度系数电源可以为正温度系数电流源，也可以为正温度系数电压源，该正温度系数电源可以同时连接第一温度补偿模块10以及第二温度补偿模块20。第二零温度系数电流为由设置在与第二温度补偿模块20连接的零温度系数电源输出的电流，该零温度系数电源可以为零温度系数电流源，也可以为零温度电压源，第二零温度系数电流大于第一零温度系数电流。
进一步地，在第三温度区间，所述第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流，所述第二温度补偿模块20输出所述第二误差电流至所述补偿节点4，所述第二误差电流为所述第二正温度系数电流与所述第二零温度系数电流之间的差值电流，所述第二误差电流与温度呈正相关。可以理解地，在第三温度区间，所述第二温度补偿模块20输出的第二误差电流即是所述自适应温度补偿电路1给功率放大器3的偏置电路提供的补偿电流，进而表征第三温度区间内，补偿电流与温度呈正相关。
进一步地，可以根据具体功率放大器3补偿需求确定第二温度补偿模块20接入数量，也即可以通过调整不同数量的第二温度补偿模块20，调整输出的第二误差电流的大小。
进一步地，在第二温度区间内，第一正温度系数电流大于或等于所述第一零温度系数电流，所述第一温度补偿模块10不输出第一误差电流至补偿节点4，也即第一误差电流为零。进一步地，在第二温度区间内，第二正温度系数电流小于或等于所述第二零温度系数电流，所述第二温度补偿模块20不输出第二误差电流至补偿节点4，也即第二误差电流为零。由此可知，在第二温度区间内，给功率放大器3的偏置电路提供的补偿电流为零。
在一实施例中，所述自适应温度补偿电路1包括第一正温度系数电流、第二正温度系数电流、第一零温度系数电流和第二零温度系数电流，所述第一正温度系数电流、第二正温度系数电流、第一零温度系数电流和第二零温度系数电流的电流-温度特性确定所述第二温度区间。
具体地，所述第一正温度系数电流和所述第一零温度系数电流相等时的温度值为所述第二温度区间的最小值，所述第二正温度系数电流和所述第二零温度系数电流相等时的温度值为所述第二温度区间的最大值，进而根据最小值以及最大值确定出第二温度区间。
示例性地，如图3所示，所述第一正温度系数电流和第二正温度系数电流可以视为一条正温度电流直线(如图3中的I1)上的两个不同电流值。I2为第一零温度系数电流对应的电流直线；I3为第二零温度系数电流对应的电流直线。t1至t2为第二温度区间；在I1与I2的交点处，也即第一正温度系数电流和所述第一零温度系数电流相等时的交点处，对应的温度值即为第二温度区间的最小值t1；在I1与I3的交点处，也即第二正温度系数电流和所述第二零温度系数电流相等时的交点处，对应的温度值即为第二温度区间的最大值t2。在t1-t2-温度区间内，给功率放大器3的偏置电路提供的补偿电流均为零。
在本实施例中，在第一温度区间内，通过第一温度补偿模块10输出第一误差电流至补偿节点4；在第三温度区间内，通过第二温度补偿模块20输出第二误差电流至补偿节点4；在第二温度区间内，输出的补偿电流为零，也即此时不需对功率放大器3进行温度补偿；从而避免了出现在低于或高于某一特定温度的时候就开始为功率放大器的偏置电路提供补偿电流的现象，避免了因过度的温度补偿而导致的功率放大器的性能变差的情况发生。
在一实施例中，所述第一温度补偿模块10包括第一正温度补偿单元101和第一零温度补偿单元102，所述第一正温度补偿单元101接收所述第一正温度系数电流，所述第一零温度补偿单元102接收所述第一零温度系数电流，在所述第一正温度系数电流小于所述第一零温度系数电流时，所述第一零温度系数补偿单元输出所述第一误差电流至所述补偿节点4。
其中，第一正温度补偿单元101连接第一正温度系数电源，以接收第一正温度系数电源输出的第一正温度系数电流。第一零温度补偿单元102连接第一零温度系数电源，以接收第一零温度系数电源输出的第一零温度系数电流。
进一步地，如图2所示，所述第一正温度补偿单元101包括第一晶体管1011以及第二晶体管1012；所述第一零温度补偿单元102包括第五晶体管1021以及第六晶体管1022；所述第一晶体管1011的漏极连接所述第二晶体管1012的源极；所述第二晶体管1012的漏极分别连接所述第五晶体管1021的源极和所述第六晶体管1022的漏极；所述第五晶体管1021的源极连接所述第六晶体管1022的漏极；所述第五晶体管1021的漏极连接至所述补偿节点4所处公共支路上。
其中，第一晶体管1011以及第二晶体管1012均为PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor，P型金属-氧化物-半导体)晶体管；第五晶体管1021以及第六晶体管1022均为NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体)晶体管。
在所述第一正温度系数电流小于所述第一零温度系数电流时，表征在所述第一温度区间内，所述第一晶体管1011、第二晶体管1012、第五晶体管1021以及所述第六晶体管1022均切换至导通状态，经所述第五晶体管1021输出所述第一误差电流至所述补偿节点4。
示例性地，如图2所示，设置一个正温度系数电源(图2中的A1)，该正温度系数电源输出第一正温度系数电流；设置一个第一零温度系数电源(图2中的A2)，该第一零温度系数电源输出第一零温度系数电流；第一正温度系数电流经第一晶体管1011以及第二晶体管1012，第一零温度系数电流经第六晶体管1022，在第一正温度系数电流小于第一零温度系数电流时，根据基尔霍夫定律，可以得到流经第五晶体管1021的电流值即为第一零温度系数电流与第一正温度系数电流之间的差值，进而表征此时第一晶体管1011、第二晶体管1012、第五晶体管1021以及第六晶体管1022均切换至导通状态，经第五晶体管1021输出第一误差电流(也即第一零温度系数电流与第一正温度系数电流之间的差值)至补偿节点4。
在所述第一正温度系数电流大于或等于所述第二零温度系数电流时，表征在所述第二温度区间内，所述第五晶体管1021切换至关闭状态，此时没有电流流过第五晶体管1021，所述第一误差电流为零。
示例性地，如图2所示，由于流经第一晶体管1011和第二晶体管1012的电流即为第一正温度系数电流，且流经第六晶体管1022的电流即为第一零温度系数电流；在第一正温度系数电流大于或等于所述第一零温度系数电流时，根据基尔霍夫定律可知，在所述第二温度区间内，没有电流流过第五晶体管1021，此时第五晶体管1021切换至关闭状态，未输出第一误差电流至补偿节点4，也即第一误差电流为零。
在一实施例中，所述第二温度补偿模块20包括第二正温度补偿单元201以及第二零温度补偿单元202，所述第二正温度补偿单元201接收所述第二正温度系数电流，所述第二零温度补偿单元202接收所述第二零温度系数电流，在所述第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流时，所述第二正温度补偿单元201输出所述第二误差电流至所述补偿节点4。
其中，第二正温度补偿单元201连接第二正温度系数电源，以接收第二正温度系数电源输出的第二正温度系数电流。第二零温度补偿单元202连接第二零温度系数电源，以接收第二零温度系数电源输出的第二零温度系数电流。
进一步地，所述第二正温度补偿单元201包括第三晶体管2011、第四晶体管2012；所述第二零温度补偿单元202包括第七晶体管2021以及第八晶体管2022；所述第四晶体管2012的源极分别连接所述第三晶体管2011的漏极和所述第七晶体管2021的漏极，所述第四晶体管2012的漏极连接至所述补偿节点4所处公共支路上；所述第七晶体管2021的源极连接所述第八晶体管2022的漏极。
其中，第三晶体管2011以及第四晶体管2012均为PMOS晶体管；第七晶体管2021和第八晶体管2022均为NMOS晶体管。
在所述第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流时，表征在所述第三温度区间内，所述第三晶体管2011、第四晶体管2012、第七晶体管2021以及所述第八晶体管2022均切换至导通状态，经所述第四晶体管2012输出所述第二误差电流至所述补偿节点4。
示例性地，如图2所示，设置一个正温度系数电源，该正温度系数电源输出第二正温度系数电流(与上述说明中第一正温度系数电流的正温度系数电源一致，第一正温度系数电流以及第二正温度系数电流可以视为，同一个正温度系数电源在不同温度区间下输出的不同电流)；设置一个第二零温度系数电源(如图2中的A3)，该第二零温度系数电源输出第二零温度系数电流；第二正温度系数电流经第三晶体管2011，第二零温度系数电流经过第七晶体管2021以及第八晶体管2022，在第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流时，根据基尔霍夫定律可知，在所述第三温度区间内，流经第四晶体管2012的第二误差电流即为第二正温度系数电流与第二零温度系数电流之间的差值，进而表征在第三温度区间内，第三晶体管2011，第四晶体管2012，第七晶体管2021以及第八晶体管2022均切换至导通状态，经第四晶体管2012输出第二误差电流至补偿节点4。
在所述第二正温度系数电流小于或等于所述第二零温度系数电流时，表征在所述第二温度区间内，所述第四晶体管2012切换至关闭状态，所述第二误差电流为零。
示例性地，如图2所示，由于流经第三晶体管2011的电流即为第二正温度系数电流，且流经第七晶体管2021的电流即为第二零温度系数电流；在第二正温度系数电流小于或等于第二零温度系数电流时，根据基尔霍夫定律可知，在所述第二温度区间内，没有电流流经第四晶体管2012，表征此时第四晶体管2012切换至关闭状态，未输出第二误差电流至补偿节点4，也即第二误差电流为零。
在一实施例中，至少部分第一温度补偿模块10中包括第一开关组，通过增加导通的所述第一开关组的数量，增加接入的所述第一温度补偿模块10的数量，以增大所述第一误差电流的电流值，或者，通过减少导通的所述第一开关组的数量，减少接入的所述第一温度补偿模块10的数量，以减小所述第一误差电流的电流值。
其中，如图4所示，所述第一温度补偿模块10还包括第一调节晶体管1013、第二调节晶体管1014、第三调节晶体管1023和第四调节晶体管1024；所述第一开关组包括第一开关K1、第二开关K2、第三开关K3和第四开关K4。所述第一温度补偿模块10中的第一正温度补偿单元101连接第一正温度系数电源A1，所述第一温度补偿模块10中的第一零温度补偿单元102连接第一零温度系数电源A2。
其中，正温度系数电源连接第一调节晶体管1013的源极，第一调节晶体管1013的漏极连接第二调节晶体管1014的源极，第二调节晶体管1014的漏极连接第三调节晶体管1023的源极以及第四调节晶体管1024漏极，第三调节晶体管1023的漏极连接至所述补偿节点4所处的公共支路上，第四调节晶体管1024的源极接地。
其中，所述第一调节晶体管1013的栅极通过所述第一开关K1与所述第一晶体管1011的栅极连接，所述第二开关K2分别与所述第一调节晶体管1013的栅极和所述第一开关K1连接；所述第二调节晶体管1014的栅极连接所述第二晶体管1012的栅极；所述第三调节晶体管1023的栅极连接所述第五晶体管1021的栅极；所述第四调节晶体1024管通过所述第三开关K3连接所述第六晶体管1022的栅极；所述第四开关K4的一端分别与所述第四调节晶体管1024的栅极和所述第三开关K4连接，另一端接地。
在一具体实施例中，实现多个第一温度补偿模块10之间的导通，需要将第一开关组中的第一开关K1以及第三开关K3均切换至导通状态，同时将第二开关K2以及第四开关K4均切换至切断状态。需要接入第一温度补偿模块10的具体数量可以根据实际补偿需求进行确定。
若原始仅存在一个第一温度补偿模块10输出第一误差电流至补偿节点4，则在通过导通第一开关组中的第一开关K1以及第三开关K3，并切断第二开关K2以及第四开关K4，以接入另一个第一温度补偿模块10之后，另一个第一温度补偿模块10也可以接收第一正温度系数电流和第一零温度系数电流，且在第一正温度系数电流小于所述第一零温度系数电流时，共同输出第一误差电流至补偿节点4。也即此时由两个第一温度补偿模块10共同输出两倍的第一误差电流至补偿节点4，进而表征在增加第一温度补偿模块10的数量之后，会增大第一误差电流的电流值。
反之，在切断第一开关组中的第一开关K1以及第三开关K3之后，两个第一温度补偿模块10之间断开连接，进而减少第一温度补偿模块10的数量，此时仅存在一个第一温度补偿模块10输出第一误差电流至补偿节点4，进而表征在减少第一温度补偿模块10的数量之后，会减小第一误差电流的电流值。
在一实施例中，至少部分第二温度补偿模块20中包括第二开关组，通过增加导通的所述第二开关组的数量，增加接入的所述第二温度补偿模块20的数量，以增大所述第二误差电流的电流值，或者，通过减少导通的所述第二开关组的数量，减少接入的所述第二温度补偿模块20的数量，以减小所述第二误差电流的电流值。
如图4所示，所述第二温度补偿模块20还包括第五调节晶体管2013、第六调节晶体管2014、第七调节晶体管2023、第八调节晶体管2024；所述第二开关组包括第五开关K5、第六开关K6、第七开关K7和第八开关K8。所述第二温度补偿模块20中的第二零温度补偿单元202连接第二零温度系数电源A3；所述第二温度补偿模块20中的第二正温度补偿单元连接第二正温度系数电源A4。可以理解地，在本实施例中，第一温度补偿模块10以及第二温度补偿模块分别连接不同的正温度系数电源仅为一种示例，除此之外，还可以通过第一正温度系数电源A1直接对第一温度补偿模块10中的第一正温度补偿单元101，以及第二温度补偿模块20中的第二温度补偿单元201提供电流，仅需要将第二温度补偿模块中的第五晶体管2011以及第六晶体管2012的输入端分别接入到第一正温度系数电源A1的输出端即可。
其中，如图4所示，第二正温度系数电源A4连接第五调节晶体管2013的源极，第五调节晶体管2013的漏极连接第六调节晶体管2014的源极，第六调节晶体管2014的漏极连接所述补偿节点4所处公共支路上，第七调节晶体管2023的源极以及第八调节晶体管2024漏极，第七调节晶体管2023的漏极连接第六调节晶体管2014的源极，第八调节晶体管2024的源极接地。
其中，所述第三晶体2011管通过所述第五开关K5与所述第五调节晶体管2013的栅极连接，所述第六开关K6分别与所述第五调节晶体管2013的栅极和所述第五开关孔连接；所述第六调节晶体管2014的栅极连接所述第四晶体管2012的栅极；所述第七调节晶体管2023的栅极连接所述第七晶体管2021的栅极；所述第八调节晶体管2024通过所述第七开关K7与所述第八晶体管2022的栅极连接，所述第八开关K8的一端分别与所述第八调节晶体管2024的栅极和所述第七开关K7连接，另一端接地。
在一具体实施例中，实现多个第二温度补偿模块20之间的导通，需要将第二开关组中的第五开关K5以及第七开关K7均切换至导通状态，同时将第六开关K6以及第八开关K8均切换至切断状态。需要接入第二温度补偿模块20的具体数量可以根据实际补偿需求进行确定。
进一步地，若原始仅存在一个第二温度补偿模块20输出第二误差电流至补偿节点4，则在通过导通第二开关组中的第五开关K5以及第七开关K7，并切断第六开关K6以及第八开关K8之后，可实现两个第二温度补偿模块的同时接入。另一个第二温度补偿模块20也接收第二正温度系数电流和第二零温度系数电流，且在第二正温度系数电流小于所述第二零温度系数电流时，两个第二温度补偿模块20共同输出第二误差电流补偿节点4，也即由两个第二温度补偿模块20共同输出两倍的第二误差电流至补偿节点4，进而表征在增加第二温度补偿模块20的数量之后，会增大第二误差电流的电流值。
反之，在切断第二开关组中的第五开关K5以及第七开关K7之后，两个第二温度补偿模块20之间断开连接，第二温度补偿模块20的数量减少，则此时仅存在一个第二温度补偿模块20输出第二误差电流至补偿节点4，进而表征在减少第二温度补偿模块20的数量之后，会减小第二误差电流的电流值。
在一实施例中，在增加接入的所述第一温度补偿模块10的数量之后，增大与所述第一正温度系数电流对应的第一正温度系数直线的斜率；在减少接入的所述第一温度补偿模块10的数量之后，减小所述第一正温度系数直线的斜率。
可以理解地，在增加接入的第一温度补偿模块10的数量之后，提供第一正温度系数电流的第一正温度电源A1需要增大提供的总电流量(第一正温度电源A1的总电流量指的是分流至各第一温度补偿模块10中第一正温度补偿单元101的电流值之和)，以供给电流至接入的第一温度补偿模块10，且每一第一温度补偿模块10之间的第一正温度系数电流的电流值相同，进而表征第一正温度系数电流对应的第一正温度系数直线的斜率增大；同时，与第一零温度系数电流对应的第一零温度电源A2也需要增大提供的总电流量(第一零温度电源A2的总电流量是指分流至各第一温度补偿模块10中第一零温度补偿模块102的电流值之和)。反之，在减少接入的第一温度补偿模块10的数量之后，提供第一正温度系数电流的第一正温度电源A1需要减少提供的总电流量，进而表征第一正温度系数电流对应的第一正温度系数直线的斜率减小；同时，与第一零温度系数电流对应的第一零温度电源A2也需要减小提供的总电流量。需要说明的是，在增加接入的第一温度补偿模块10的数量，或是在减小接入第一温度补偿模块10的数量时，对于第二零温度系数电流对应的第二零温度直线不变，且第二温度区间也不发生改变。
在增加接入的所述第二温度补偿模块的数量之后，与所述第二正温度系数电流对应的第二正温度系数直线的斜率增大；在减少接入的所述第二温度补偿模块的数量之后，减小所述第二正温度系数直线的斜率减小。
可以理解地，在增加接入的第二温度补偿模块20的数量之后，提供第二正温度系数电流的第二正温度电源A4需要增大提供的总电流量(第二正温度电源A4的总电流量指的是分流至各第二温度补偿模块20中第二正温度补偿单元201的电流值之和)，以供给电流至接入的第二温度补偿模块20，且第二温度补偿模块20之间的第二正温度系数电流的电流值相同，进而表征第二正温度系数电流对应的第二正温度系数直线的斜率增大；同时，与第二零温度系数电流对应的第二零温度电源A3也需要增大提供的总电流量(第二零温度电源A3的总电流量是指分流至各第二温度补偿模块20中第二零温度补偿模块202的电流值之和)。反之，在减少接入的第二温度补偿模块20的数量之后，提供第二正温度系数电流的第二正温度电源A3需要减少提供的总电流量，进而表征第二正温度系数电流对应的第二正温度系数直线的斜率减小；同时，与第二零温度系数电流对应的第二零温度电源A3也需要减小提供的总电流量。需要说明的是，在增加接入的第二温度补偿模块20的数量，或是减小接入第二温度补偿模块20的数量时，第一零温度系数电流对应的第一零温度直线不变，且第二温度区间也不发生改变。
示例性地，如图5所示，在未加入第一温度补偿模块10，且未加入第二温度补偿模块20时，第一正温度系数电流以及第二正温度系数电流对应的温度直线为L1(可以理解地，第一正温度系数电流和第二正温度系数电流，可以视为同一温度直线上不同温度值对应的电流值)，第一零温度系数电流对应的第一零温度直线为L3，第二零温度系数电流对应的第二零温度直线为L4，进而由第一正温度系数电流、第二正温度系数电流、第一零温度系数电流以及第二零温度系数电流形成的第二温度区间为t1至t2。
进一步地，如图5所示，在接入第一温度补偿模块10，且接入第二温度补偿模块20之后，第一正温度系数电流以及第二正温度系数电流对应的温度直线从L1变成L1’，第一零温度系数电流对应的第一零温度直线从L3变成L3’，第二零温度系数电流对应的第二零温度直线从L4变成L4’，但是由第一正温度系数电流、第二正温度系数电流、第一零温度系数电流以及第二零温度系数电流形成的第二温度区间仍然为t1至t2，也即在同时加入第一温度补偿模块10以及第二温度补偿模块20之后，第二温度区间不变。
在一实施例中，所述自适应温度补偿电路1还包括第一调节电路50和第二调节电路60；所述第一调节电路50与所述第一零温度补偿单元102连接，被配置为对所述第二温度区间的最小值进行调节，所述第二调节电路50与所述第二零温度补偿单元202连接，被配置为对所述第二温度区间的最大值进行调节。
如图6所示，第一调节电路50中包括第九调节晶体管501、第十调节晶体管502、第九开关K9以及第十开关K10；第一正温度补偿单元101的第二晶体管1012的漏极连接第九调节晶体管501的源极以及第十调节晶体管502的漏极；第九调节晶体管501的漏极连接至所述补偿节点4所处的公共支路上，第十调节晶体管502的漏极接地；第九调节晶体管501连接第一零温度补偿单元102中的第五晶体管1021的栅极，第十晶体管的栅极通过第九开关K9连接第一零温度补偿单元102中的第六晶体管1022的栅极，第十开关K10的一端连接第十调节晶体管502的栅极，第十开关K10的另一端接地。
所述自适应温度补偿电路还包括第三开关组；
所述第一调节电路50通过所述第三开关组与所述第一零温度补偿单元101连接，在导通所述第三开关组之后，所述第二温度区间中的最小值增大；在关断所述第三开关组之后，所述第二温度区间中的最小值减小。
其中，第三开关组包括第九开关K9以及第十开关K10。
可以理解地，在自适应温度补偿电路1中，存在多组与第一零温度补偿单元102连接的第一调节电路50，该第一调节电路50的接入与断开，可以通过切换第一调节电路50的第三开关组中的第九开关K9以及第十开关K10的导通和切断状态进行实现，如需要将第一调节电路50接入第一零温度补偿单元102时，将第九开关K9切换至导通状态，同时将第十开关K10切换至切断状态。第一调节电路50用于调整第一零温度系数电流，在通过第三开关组接入第一调节电路50至第一零温度补偿单元101之后，第一零温度系数电流变大，进而导致第二温度区间的最小值变大；在关断第三开关组之后，第二温度区间的最小值变小。在示例性地，如图7所示，在未将第一调节电路50接入第一零温度补偿单元101时，第一正温度系数电流对应的直线为L1，第一零温度系数电流对应的直线为L3，第二零温度系数电流对应的直线为L4，进而形成的第二温度区间为t1至t2；在导通第三开关组，将第一调节电路50接入第一零温度补偿单元101之后，第一零温度系数电流对应的直线从L3变成L3’(L1和L4均不改变)，进而第二温度区间中的最小值从t1变成t1’，也即增大第二温度区间的最小值，从而减小第二温度区间中最小值与最大值之间的间隔。反之，若关断所述第三开关组，将第一调节电路50与第一零温度补偿单元102切断之后，第一零温度系数电流对应的直线从L3’变成L3，进而第二温度区间中的最小值从t1’变成t1，也即减小第二温度区间的最小值，从而增大第二温度区间中最小值与最大值之间的间隔。
如图6所示，第二调节电路60中包括第十一调节晶体管601、第十二调节晶体管602、第十一开关K11以及第十二开关K12；第十一调节晶体管601的漏极连接第二正温度补偿单元201中第四晶体管2012的源极，第十一调节晶体管601的源极连接第十二调节晶体管602的漏极，第十二调节晶体管602的源极接地；第十一调节晶体管601的栅极连接第二零温度补偿单元202中第七晶体管2021的栅极，第十二调节晶体管602的栅极通过第十一开关K11连接第二零温度补偿单元202中第八晶体管2022的栅极；第十二开关K12的一端连接第十二调节晶体管602的栅极，第十二开关K12的另一端接地。
所述自适应温度补偿电路还包括第四开关组；
所述第二调节电路通过所述第四开关组与所述第二零温度补偿单元连接，在导通所述第四开关组之后，所述第二温度区间中的最大值增大，在关断所述第四开关组之后，所述第二温度区间中的最大值减小。
其中，第四开关组包括第十一开关K11以及第十二开关K12。
可以理解地，在自适应温度补偿电路1中，存在多组与第二零温度补偿单元202连接的第二调节电路60，该第二调节电路60的接入与断开，可以通过切换第二调节电路60的第四开关组中的的第十一开关K11以及第十二开关K12的导通和切断状态进行实现，如需要将第二调节电路60接入第二零温度补偿单元202时，将第十一开关K11切换至导通状态，同时将第十二开关K12切换至切断状态。第二调节电路60用于调整第二零温度电流，在通过第四开关组接入第二调节电路60至第二零温度补偿单元102之后，第二零温度系数电流变大，进而导致第二温度区间的最大值变大；在关断第四开关组之后，第二温度区间的最大值变小。示例性地，如图7所示，在未将第二调节电路60接入第二零温度补偿单元202时，第一正温度系数电流对应的直线为L1，第一零温度系数电流对应的直线为L3，第二零温度系数电流对应的直线为L4，进而形成的第二温度区间为t1至t2；在导通第四开关组，将第二调节电路50接入第二零温度补偿单元102之后，第二零温度系数电流对应的直线从L4变成L4’(L1和L3均不改变)，进而第二温度区间中的最大值从t2变成t2’，也即增大第二温度区间的最大值，从而增大第二温度区间中最小值与最大值之间的间隔。反之，若关断第四开关组，将第二调节电路60与第二零温度补偿单元202切断之后，第二零温度系数电流对应的直线从L4’变成L4，进而第二温度区间中的最大值从t2’变成t2，也即减小第二温度区间中的最大值，从而减小第二温度区间中最小值与最大值之间的间隔。
在一实施例中，提供一种偏置电路，被配置为提供偏置信号至功率放大器3，所述偏置电路包括：为所述功率放大器3提供偏置电流的基础电路2，以及所述自适应温度补偿电路1；在第一温度区间内，由所述基础电路2和所述自适应温度补偿电路共同提供第一偏置信号至所述功率放大器3，所述第一偏置信号与温度呈正相关；在第二温度区间内，由所述基础电路提供第二偏置信号至所述功率放大器，所述第二偏置信号与温度无关；在第三温度区间内，由所述基础电路提供偏置电流和所述自适应温度补偿电路共同提供第三偏置信号至所述功率放大器，所述第三偏置信号与温度呈正相关。其中，第一偏置信号/第二偏置信号/第三偏置信号可以为偏置电流或者偏置电压。
其中，如图2所示，基础电路2中包含带隙基准源40以及可调电阻30，带隙基准源40与可调电阻30连接，经带隙基准源40和可调电阻30输出偏置电流至功率放大器。
具体地，在第一温度区间内，第一正温度系数电流小于第一零温度系数电流；第一正温度系数电流流经第一晶体管1011以及第二晶体管1012，第一零温度系数电流经第六晶体管1022，在第一正温度系数电流小于第一零温度系数电流时，根据基尔霍夫定律，可以得到流经第五晶体管1021的电流值即为第一零温度系数电流与第一正温度系数电流之间的差值，进而表征此时第一晶体管1011、第二晶体管1012、第五晶体管1021以及第六晶体管1022均切换至导通状态，经第五晶体管1021输出第一误差电流(也即第一零温度系数电流与第一正温度系数电流之间的差值)至补偿节点4。
进一步地，从带隙基准源40输出的偏置电流分流至流经第五晶体管1021以及功率放大器3，因此最终输出至功率放大器3的电压值为VBG-R*(I2-I1)(其中，为带隙基准源40的电压值，R为可调电阻30的电阻值，I2为第一零温度系数电流，I1为第一正温度系数电流)。
进一步地，在通过增加导通的第一开关组的数量，增加接入的第一温度补偿模块10的数量后，假设增加接入的第一温度补偿模块10之后第一温度补偿模块的总数量为K1，则最终输出至功率放大器3的电压值为VBG-R*K1(I2-I1)；可以理解地，在增加接入的第一温度补偿模块10的数量之后第一温度补偿模块的总数量为K1，从带隙基准源40输出的偏置电流分流至流经各第一温度补偿模块的第五晶体管1021均为(I2-I1)，因此分流至K1个第一温度补偿模块10的电流为K1(I2-I1)。
进一步地，在通过导通第三开关组，将第一调节电路50接入第一零温度补偿单元102之后，假设接入第一零温度补偿单元102的第一调节电路50之后，第一零温度补偿单元102与第一调节电路50的总数量为K2。则最终输出至功率放大器3的电压值为VBG-R*(K2*I2-I1)。
在第二温度区间内，自适应温度补偿电路1提供的补偿电流为0，则输出至功率放大器3的电压值为VBG，也即在第二温度区间内，仅由所述基础电路2提供偏置电流至所述功率放大器3。
在第三温度区间内，第二正温度系数电流大于第二零温度系数电流；第二正温度系数电流经第三晶体管2011，第二零温度系数电流经过第七晶体管2021以及第八晶体管2022，在第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流时，表征在所述第三温度区间内，根据基尔霍夫定律可知，流经第四晶体管2012的电流值即为第二正温度系数电流与第二零温度系数电流之间的差值，进而表征在第三温度区间内，第三晶体管2011，第四晶体管2012，第七晶体管2021以及第八晶体管2022均切换至导通状态，经第四晶体管2012输出第二误差电流至补偿节点4。
进一步地，从带隙基准源40输出的偏置电流以及经第四晶体管2012输出第二误差电流均输出至补偿节点4，因此最终输出至功率放大器3的电压值为VBG+R*(I4-I3)(其中，I3为第二零温度系数电流，I4为第二正温度系数电流)。
进一步地，在通过增加导通的第二开关组的数量，增加接入的第二温度补偿模块20的数量后，假设增加接入的第二温度补偿模块20之后第二温度补偿模块的总数量为K3，则最终输出至功率放大器3的电压值为VBG+R*K3(I4-I3)；可以理解地，在增加接入的第二温度补偿模块20的数量之后第二温度补偿模块的总数量为K3，从经各第二温度补偿模块的第四晶体管2012输出的第二误差电流均为(I4-I3)，因此K3个第二温度补偿模块20输出的第二误差电流的总和为K3(I4-I3)。
进一步地，在通过导通第四开关组，将第二调节电路60接入第二零温度补偿单元202之后，假设接入第二零温度补偿单元202的第二调节电路60之后，第二零温度补偿单元202与第二调节电路60的总数量为K4。则最终输出至功率放大器3的电压值为VBG+R*(I4-K4I3)。
在此提出，除了上述实施例中自适应温度补偿电路1可以通过增加或者减少第一温度补偿模块10，或者第二温度补偿模块20，亦或者接入或切断第一调节电路50以及第二调节电路60，以改变输出至功率放大器3的电压值之外，还可以通过调整与带隙基准源40连接的可调电阻30的大小。示例性地，上述说明中指出，在第一正温度系数电流小于第一零温度系数电流时，输出至功率放大器3的电压值为VBG-R*(I2-I1)，若可调电阻30增大一倍，则输出至功率放大器3的电压值为VBG-2R*(I2-I1)，进而改变输出至功率放大器3的电压值(也即电流值，电压值与电流值成正比)。
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种自适应温度补偿电路，其特征在于，所述自适应温度补偿电路被配置为给功率放大器的偏置电路提供补偿电流，在第一温度区间内，所述补偿电流与温度呈正相关，在第二温度区间内，所述补偿电流与温度无关，在第三温度区间内，所述补偿电流与温度呈正相关，所述第二温度区间位于所述第一温度区间和所述第三温度区间之间。
2.如权利要求1所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述自适应温度补偿电路包括：
至少一个第一温度补偿模块，被配置为接收第一正温度系数电流和第一零温度系数电流，且在第一正温度系数电流小于所述第一零温度系数电流时，输出第一误差电流至补偿节点；
至少一个第二温度补偿模块，被配置为接收第二正温度系数电流和第二零温度系数电流，且在第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流时，输出第二误差电流至补偿节点，所述第一零温度系数电流小于所述第二零温度系数电流。
3.如权利要求1所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，在所述第二温度区间内，所述补偿电流为零。
4.如权利要求1所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述自适应温度补偿电路包括第一正温度系数电流、第二正温度系数电流、第一零温度系数电流和第二零温度系数电流，所述第一正温度系数电流、第二正温度系数电流、第一零温度系数电流和第二零温度系数电流的电流-温度特性确定所述第二温度区间。
5.如权利要求4所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，
所述第一正温度系数电流和所述第一零温度系数电流相等时的温度值为所述第二温度区间的最小值，所述第二正温度系数电流和所述第二零温度系数电流相等时的温度值为所述第二温度区间的最大值。
6.如权利要求2所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，在所述第一温度区间内，所述第一正温度系数电流小于所述第一零温度系数电流，所述第一温度补偿模块输出所述第一误差电流至所述补偿节点；所述第一误差电流与温度呈正相关。
7.如权利要求2所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，在所述第三温度区间内，所述第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流，所述第二温度补偿模块输出所述第二误差电流至所述补偿节点；所述第二误差电流与温度呈正相关。
8.如权利要求2所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，至少部分第一温度补偿模块中包括第一开关组；
通过增加导通的所述第一开关组的数量，增加接入的所述第一温度补偿模块的数量，以增大所述第一误差电流的电流值；
或者，通过减少导通的所述第一开关组的数量，减少接入的所述第一温度补偿模块的数量，以减小所述第一误差电流的电流值；
至少部分第二温度补偿模块中包括第二开关组；
通过增加导通的所述第二开关组的数量，增加接入的所述第二温度补偿模块的数量，以增大所述第二误差电流的电流值；
或者，通过减少导通的所述第二开关组的数量，减少接入的所述第二温度补偿模块的数量，以减小所述第二误差电流的电流值。
9.如权利要求8所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，在增加接入的所述第一温度补偿模块的数量之后，与所述第一正温度系数电流对应的第一正温度系数直线的斜率增大；在减少接入的所述第一温度补偿模块的数量之后，所述第一正温度系数直线的斜率减小；
在增加接入的所述第二温度补偿模块的数量之后，与所述第二正温度系数电流对应的第二正温度系数直线的斜率增大；在减少接入的所述第二温度补偿模块的数量之后，所述第二正温度系数直线的斜率减小。
10.如权利要求8所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述第一温度补偿模块包括第一正温度补偿单元和第一零温度补偿单元，所述第一正温度补偿单元接收所述第一正温度系数电流，所述第一零温度补偿单元接收所述第一零温度系数电流，在所述第一正温度系数电流小于所述第一零温度系数电流时，所述第一零温度系数补偿单元输出所述第一误差电流至所述补偿节点。
11.如权利要求10所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述第一正温度补偿单元包括第一晶体管以及第二晶体管；所述第一零温度补偿单元包括第五晶体管以及第六晶体管；所述第一晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极；所述第二晶体管的漏极分别连接所述第五晶体管的源极和所述第六晶体管的漏极；所述第五晶体管的源极连接所述第六晶体管的漏极；所述第五晶体管的漏极连接至所述补偿节点所处公共支路上；
在所述第一正温度系数电流小于所述第一零温度系数电流时，表征在所述第一温度区间内，所述第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管以及所述第六晶体管均切换至导通状态，经所述第五晶体管输出所述第一误差电流至所述补偿节点；
在所述第一正温度系数电流大于或等于所述第二零温度系数电流时，表征在所述第二温度区间内，所述第五晶体管切换至关闭状态，所述第一误差电流为零。
12.如权利要求11所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述第二温度补偿模块包括第二正温度补偿单元以及第二零温度补偿单元，所述第二正温度补偿单元接收所述第二正温度系数电流，所述第二零温度补偿单元接收所述第二零温度系数电流，在所述第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流时，所述第二正温度补偿单元输出所述第二误差电流至所述补偿节点。
13.如权利要求12所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述第二正温度补偿单元包括第三晶体管、第四晶体管；所述第二零温度补偿单元包括第七晶体管以及第八晶体管；所述第四晶体管的源极分别连接所述第三晶体管的漏极和所述第七晶体管的漏极，所述第四晶体管的漏极连接至所述补偿节点所处公共支路上；所述第七晶体管的源极连接所述第八晶体管的漏极；
在所述第二正温度系数电流大于所述第二零温度系数电流时，表征在所述第三温度区间内，所述第三晶体管、第四晶体管、第七晶体管以及所述第八晶体管均切换至导通状态，经所述第四晶体管输出所述第二误差电流至所述补偿节点；
在所述第二正温度系数电流小于或等于所述第二零温度系数电流时，表征在所述第二温度区间内，所述第四晶体管切换至关闭状态，所述第二误差电流为零。
14.如权利要求13所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述第一温度补偿模块还包括第一调节晶体管、第二调节晶体管、第三调节晶体管和第四调节晶体管；所述第一开关组包括第一开关、第二开关、第三开关和第四开关；
所述第一调节晶体管的栅极通过所述第一开关与所述第一晶体管的栅极连接，所述第二开关分别与所述第一调节晶体管的栅极和所述第一开关连接；所述第二调节晶体管的栅极连接所述第二晶体管的栅极；所述第三调节晶体管的栅极连接所述第五晶体管的栅极；所述第四调节晶体管通过所述第三开关连接所述第六晶体管的栅极；所述第四开关的一端分别与所述第四调节晶体管的栅极和所述第三开关连接，另一端接地。
15.如权利要求13所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述第二温度补偿模块还包括第五调节晶体管、第六调节晶体管、第七调节晶体管、第八调节晶体管；所述第二开关组包括第五开关、第六开关、第七开关和第八开关；
所述第三晶体管通过所述第五开关与所述第五调节晶体管的栅极连接，所述第六开关分别与所述第五调节晶体管的栅极和所述第五开关连接；所述第六调节晶体管的栅极连接所述第四晶体管的栅极；所述第七调节晶体管的栅极连接所述第七晶体管的栅极；所述第八调节晶体管通过所述第七开关与所述第八晶体管的栅极连接，所述第八开关的一端分别与所述第八调节晶体管的栅极和所述第七开关连接，另一端接地。
16.如权利要求12所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述自适应温度补偿电路还包括第一调节电路和第二调节电路；所述第一调节电路与所述第一零温度补偿单元连接，被配置为对所述第二温度区间的最小值进行调节，所述第二调节电路与所述第二零温度补偿单元连接，被配置为对所述第二温度区间的最大值进行调节。
17.如权利要求16所述的自适应温度补偿电路，其特征在于，所述自适应温度补偿电路还包括第三开关组和第四开关组；
所述第一调节电路通过所述第三开关组与所述第一零温度补偿单元连接，在导通所述第三开关组之后，所述第二温度区间中的最小值增大；在关断所述第三开关组之后，所述第二温度区间中的最小值减小；
所述第二调节电路通过所述第四开关组与所述第二零温度补偿单元连接，在导通所述第四开关组之后，所述第二温度区间中的最大值增大，在关断所述第四开关组之后，所述第二温度区间中的最大值减小。
18.一种偏置电路，被配置为提供偏置信号至功率放大器，其特征在于，包括：为所述功率放大器提供偏置电流的基础电路，以及如权利要求1至17任一项所述的自适应温度补偿电路；在第一温度区间内，由所述基础电路和所述自适应温度补偿电路共同提供第一偏置信号至所述功率放大器，所述第一偏置信号与温度呈正相关；在第二温度区间内，由所述基础电路提供第二偏置信号至所述功率放大器，所述第二偏置信号与温度无关；在第三温度区间内，由所述基础电路提供偏置电流和所述自适应温度补偿电路共同提供第三偏置信号至所述功率放大器，所述第三偏置信号与温度呈正相关。
CN202011375576.8A 2020-11-30 2020-11-30 自适应温度补偿电路以及偏置电路 Pending CN112583364A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011375576.8A CN112583364A (zh) 2020-11-30 2020-11-30 自适应温度补偿电路以及偏置电路
PCT/CN2021/133863 WO2022111673A1 (zh) 2020-11-30 2021-11-29 自适应温度补偿电路以及偏置电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011375576.8A CN112583364A (zh) 2020-11-30 2020-11-30 自适应温度补偿电路以及偏置电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112583364A true CN112583364A (zh) 2021-03-30

Family

ID=75126461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011375576.8A Pending CN112583364A (zh) 2020-11-30 2020-11-30 自适应温度补偿电路以及偏置电路

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN112583364A (zh)
WO (1) WO2022111673A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022111673A1 (zh) * 2020-11-30 2022-06-02 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 自适应温度补偿电路以及偏置电路

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050194997A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Oki Electric Industry Co., Ltd. Amplitude limiting circuit
CN101908860A (zh) * 2009-06-05 2010-12-08 联发科技股份有限公司 增益补偿装置以及根据温度补偿放大器的增益的方法
CN106788283A (zh) * 2016-12-16 2017-05-31 武汉邮电科学研究院 一种带有温度补偿的射随输出电路
CN110011622A (zh) * 2019-04-15 2019-07-12 厦门雷迅科微电子股份有限公司 一种射频功率放大器的偏置电路
CN111294004A (zh) * 2020-05-13 2020-06-16 锐石创芯（深圳）科技有限公司 增益补偿装置和偏置电路装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4901703B2 (ja) * 2007-11-28 2012-03-21 株式会社東芝 温度補償回路
CN102064765B (zh) * 2010-12-24 2012-08-22 烽火通信科技股份有限公司 应用于激光驱动器的温度补偿电路
KR101214752B1 (ko) * 2011-09-29 2012-12-21 삼성전기주식회사 바이어스 제어 장치
CN103051292B (zh) * 2012-12-10 2015-10-07 广州润芯信息技术有限公司 射频发射机、其增益补偿电路及方法
KR102262903B1 (ko) * 2019-04-18 2021-06-09 삼성전기주식회사 듀얼 보상 기능을 갖는 바이어스 회로 및 증폭 장치
CN111562807A (zh) * 2020-05-29 2020-08-21 广东华芯微特集成电路有限公司 带隙基准电压源
CN112583364A (zh) * 2020-11-30 2021-03-30 锐石创芯（深圳）科技有限公司 自适应温度补偿电路以及偏置电路

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050194997A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Oki Electric Industry Co., Ltd. Amplitude limiting circuit
CN101908860A (zh) * 2009-06-05 2010-12-08 联发科技股份有限公司 增益补偿装置以及根据温度补偿放大器的增益的方法
CN106788283A (zh) * 2016-12-16 2017-05-31 武汉邮电科学研究院 一种带有温度补偿的射随输出电路
CN110011622A (zh) * 2019-04-15 2019-07-12 厦门雷迅科微电子股份有限公司 一种射频功率放大器的偏置电路
CN111294004A (zh) * 2020-05-13 2020-06-16 锐石创芯（深圳）科技有限公司 增益补偿装置和偏置电路装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022111673A1 (zh) * 2020-11-30 2022-06-02 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 自适应温度补偿电路以及偏置电路

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022111673A1 (zh) 2022-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6771097B1 (en) Series terminated CMOS output driver with impedance calibration
WO2022105890A1 (zh) 一种输出可调的电压偏置电路、芯片及通信终端
US5585741A (en) Impedance emulator
US7532063B2 (en) Apparatus for generating reference voltage in semiconductor memory apparatus
JP2002232240A (ja) 電力増幅器の温度補償回路
TW202005275A (zh) 一種端接電阻校準電路及其控制方法
US20080116965A1 (en) Reference voltage generation circuit
JP2010136229A (ja) Ｄ／ａ変換回路
CN112583364A (zh) 自适应温度补偿电路以及偏置电路
WO2021227275A1 (zh) 增益补偿装置和偏置电路装置
WO2005109626A1 (en) Dynamic gain compensation and calibration
CN115061525B (zh) 一种高精度电压校正电路
US8970187B2 (en) Voltage generator
KR0154782B1 (ko) 저항 어레이를 이용한 선로 등화기
US6862714B2 (en) Accurately tuning resistors
CN117200783A (zh) 支持lvds传输协议和cml传输协议相互切换的高速驱动电路
US11476018B2 (en) On-chip resistor trimming to compensate for process variation
CN115494903A (zh) 电压电流转换器
JP4125602B2 (ja) 集積回路のための改良された反復セル整合法
CN115808949A (zh) 低压降稳压器与使用其的电路***
US7436224B2 (en) Low variation voltage output differential for differential drivers
CN101282076A (zh) 多模块电流共享方案
US6275583B1 (en) Circuits and methods for improved network interface circuit protection
US7286014B2 (en) Variable gain device
US10439421B2 (en) Linear charger circuit and method of operating linear charger circuit

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 room 2001, building 3, Shenzhen new generation industrial park, 136 Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant after: Ruishi Chuangxin (Shenzhen) Technology Co.,Ltd.

Address before: 518000 room 2001, building 3, Shenzhen new generation industrial park, 136 Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant before: AN ADVANCED RF POWER AMPLIFIER AND COMMUNICATION DEVICE

CB02 Change of applicant information