CN112582524A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112582524A
CN112582524A CN202010625380.3A CN202010625380A CN112582524A CN 112582524 A CN112582524 A CN 112582524A CN 202010625380 A CN202010625380 A CN 202010625380A CN 112582524 A CN112582524 A CN 112582524A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
light
reflective layer
emitting device
driving substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010625380.3A
Other languages
English (en)
Inventor
黄维仕
卢英瑞
杨景仲
朱健慈
朱明辉
林芳禾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Corp filed Critical Innolux Corp
Publication of CN112582524A publication Critical patent/CN112582524A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/90—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本揭露提供一种发光装置的制造方法，其包括以下步骤。提供驱动基板。将多个发光单元设置在驱动基板上。在驱动基板上形成反射层，其中在驱动基板上形成反射层包括在驱动基板上涂布反射层。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本揭露涉及一种电子装置及其制造方法，尤其涉及一种发光装置及其制造方法。
背景技术
传统的发光装置会通过反射片来提升光利用率，或通过反射片将光反射来点亮未设置发光单元(如发光二极管)的区域。以直下式(direct type)发光装置为例，得依据发光单元的位置、尺寸或数量等在反射片中形成开口，以避免反射片在贴附至驱动基板后遮蔽到设置在驱动基板上的发光单元。随着发光单元的尺寸减缩或发光单元的数量增加，反射片的制作难度增加、反射片的结构强度降低、反射片与发光单元的组装难度(如对位难度)增加等都导致发光装置生产的困难。
发明内容
本揭露提供一种发光装置的制造方法，其有助于降低发光装置整体的组装难度。
本揭露提供一种发光装置，其具有好的信赖性。
根据本揭露的实施例，发光装置的制造方法包括以下步骤。提供驱动基板。将多个发光单元设置在驱动基板上。在驱动基板上形成反射层，其中在驱动基板上形成反射层包括在驱动基板上涂布反射层。
根据本揭露的实施例，发光装置包括驱动基板、多个发光单元以及反射层。多个发光单元设置在驱动基板上。反射层设置在驱动基板上。反射层具有用于将来自多个发光单元的光反射的上表面。反射层的材料包括光致抗蚀剂以及胶体的其中一者。
基于上述，在本揭露的实施例中，通过在驱动基板上涂布反射层，可省略传统反射片的制作及组装，而有助于降低发光装置整体的组装难度，并可降低传统反射片因胶合区域受热翘曲而导致的暗影或信赖性等问题。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1C是根据本揭露的一实施例的发光装置的制造流程的局部剖面示意图；
图2至图7是根据本揭露的一些实施例的发光装置的局部示意图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露。须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置/显示装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“具有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“包括但不限定为…”之意。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。应了解到，当元件或膜层被称为设置在另一个元件或膜层“上”或“连接”另一个元件或膜层时，所述元件或膜层可以直接在所述另一元件或膜层上或直接连接到所述另一元件或膜层，或者两者之间存在有***的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件或膜层被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有***的元件或膜层。
本文中所提到的术语“大约”、“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内，或代表落在给定数值或范围的5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构系直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“电性连接”、“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
在下述实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同实施例中的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用，且依本说明书或权利要求所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本揭露涵盖的范围内。另外，本说明书或权利要求中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名不同的元件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量上的上限或下限，也并非用以限定元件的制造顺序或设置顺序。
本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、发光装置、或拼接装置，但不以此为限。电子装置可包括可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)层或发光二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organiclight emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED，可包括QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。下文将以发光装置作为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
本揭露的发光装置可以是任何种类的发光装置。在一些实施例中，发光装置可作为光源装置。举例来说，发光装置可作为显示装置(如非自发光显示装置)中的背光模块或前光模块，以提供面光源。非自发光显示装置可包括液晶显示装置，但不以此为限。替代地，发光装置可作为户外或室内的照明装置，以提供照明。在其他实施例中，发光装置可作为自发光显示装置，以提供显示画面。自发光显示装置可包括发光二极管、光转换层或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organiclight emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED，可包括QLED、QDLED)，但不以此为限。光转换层可包括波长转换材料和/或光过滤材料，光转换层可例如包括荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(Quantum Dot，QD)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。
图1A至图1C是根据本揭露的一实施例的发光装置的制造流程的局部剖面示意图。请参照图1A，提供驱动基板100。驱动基板100可包括基板(未示出)以及线路层(未示出)。基板可以是任何适于承载线路层的基板，且基板可为硬质基板或可挠基板。举例来说，基板的材料可包括玻璃、塑胶、铝或其组合，但不以此为限。线路层的材料可包括透光导电材料或不透光导电材料。透光导电材料可包括金属氧化物或金属网格，但不以此为限。不透光导电材料可包括金属、合金或其组合，但不以此为限。
其次，在驱动基板100上形成多个接垫101。多个接垫101的材料可包括透光导电材料或不透光导电材料。透光导电材料以及不透光导电材料的相关描述请参照前述，于此不再重述。在一些实施例中，多个接垫101的材料可包括锡，但不以此为限。
多个接垫101可包括多个第一接垫101A以及多个第二接垫101B。各第一接垫101A与相邻的一个第二接垫101B组成一个接垫单元U101。接垫单元U101适于与后续形成的发光单元(未示出于图1A)连接，其中第一接垫101A与发光单元的阳极连接，而第二接垫101B与发光单元的阴极连接。在一些实施例中，多个接垫单元U101在第一方向D1以及第二方向D2上排列成阵列。第一方向D1与第二方向D2皆垂直于驱动基板100的法线方向D3，且第一方向D1与第二方向D2彼此相交。在一些实施例中，第一方向D1与第二方向D2彼此垂直，但不以此为限。在一些实施例中，第一接垫101A在第一方向D1(或第二方向D2)上的宽度可相同于第二接垫101B在第一方向D1(或第二方向D2)上的宽度。在其他实施例中，第一接垫101A在第一方向D1(或第二方向D2)上的宽度可不同于第二接垫101B在第一方向D1(或第二方向D2)上的宽度。第一接垫101A以及第二接垫101B在驱动基板100的俯视图(未示出)中的形状可依据设计需求而为相同或不同，于此不多加限制。
接着，在驱动基板100上形成反射层102。举例来说，可通过涂布(coating)制程将反射层102形成在驱动基板100上。涂布制程可依材料的选择而有所不同。举例来说，涂布制程可包括旋转涂布(spin coating)、印刷(printing)或其他已知种类的涂布方式。在一些实施例中，反射层102的材料可包括光致抗蚀剂(如白色光致抗蚀剂)，而涂布制程可包括旋转涂布，但不以此为限。
在一些实施例中，形成在驱动基板100上的反射层102可覆盖多个接垫101，即反射层102在驱动基板100的法线方向D3上的厚度T102(如反射层102的最大厚度)可大于接垫101的厚度T101(如接垫101的最大厚度)。在其他实施例中，反射层102在驱动基板100的法线方向D3上的厚度T102可小于或等于接垫101的厚度T101。
然后，图案化反射层102的材料，以形成反射层102’，如图1B所示。图案化反射层102的方法可包括微影制程(photolithography)，即利用曝光制程和显影制程在光致抗蚀剂上刻画几何图形结构，然后通过蚀刻制程将光罩(未示出)上的图形转移到反射层102’上。反射层102’具有多个开口H102，多个开口H102分别暴露出设置在驱动基板100上的多个接垫单元U101。从驱动基板100的俯视图(未示出)观之，开口H102的形状可为圆形、四边形或其他多边形，于此不多加限制。
请参照图1C，将多个发光单元103设置在驱动基板100上。举例来说，可利用表面粘着技术(Surface Mount Technology，SMT)将多个发光单元103设置在多个接垫单元U101上，以形成发光单元阵列(未示出于图1C，可参照图4)。发光单元103可包括发光二极管。发光二极管可包括发光二极管晶粒(LED die)或发光二极管封装体(LED package)。此外，发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED，可包括QLED、QDLED)，但不以此为限。
在设置多个发光单元103之后，即初步完成发光装置1的制作。发光装置1包括驱动基板100、多个发光单元103以及反射层102’。多个发光单元103设置在驱动基板100上。反射层102’设置在驱动基板100上，且反射层102’的材料例如包括光致抗蚀剂或胶体。反射层102’具有上表面S102T、下表面S102B以及侧表面S102S。上表面S102T用于将来自多个发光单元103的光(未示出)反射。下表面S102B接触驱动基板100且位于上表面S102T与驱动基板100之间。侧表面S102S连接上表面S102T与下表面S102B且面向接垫单元U101。
由于反射层102’涂布在驱动基板100上，因此可省略传统反射片的制作及组装，从而降低发光装置1整体的组装难度或组装时间。此外，由于可以不用使用粘着层或胶带将传统反射片贴附至驱动基板100上，因此可避免传统反射片因胶合区域受热翘曲而导致的暗影或信赖性等问题。另外，利用微影制程形成反射层102’可有效缩减接垫(如第一接垫101A或第二接垫101B)与反射层102’的侧表面S102S之间的距离D，而有助于提升反射层102’的面积，因而可提升反射效果或提升光利用率。在一些实施例中，距离D可落在0μm至15μm的范围内(即0μm≦D≦15μm)，且例如为10μm≦D≦15μm，但不以此为限。
图2至图7是根据本揭露的一些实施例的发光装置的局部示意图，其中图4是立体图，而图2、图3、图5至图7是剖面图。
请参照图2，发光装置1A还包括保护胶104。保护胶104设置在驱动基板100上且位于发光单元103与驱动基板100之间。在一些实施例中，保护胶104还可设置在反射层102A与驱动基板100之间。保护胶104可提供绝缘、保护或防潮等功效。保护胶104可以是三防胶(conformal coating)。举例来说，保护胶104的材料可包括硅胶(Silicone)、压克力(Acrylic)、聚氨酯(Urethane)、环氧树脂(Epoxy)或前述的组合，但不以此为限。
此外，图2的发光装置1A与图1C的发光装置1的步骤顺序、制作方式或材料等有所不同，图2其形成反射层102A的步骤是在设置多个发光单元103的步骤之后。而在图1C的发光装置1中，其形成反射层102’的步骤是在设置多个发光单元103的步骤之前。此外，反射层102’的材料包括光致抗蚀剂。另外，在驱动基板100上形成反射层102’的步骤包括图案化反射层102的材料。
另一方面，在图2的发光装置1A中，反射层102A例如是在设置多个发光单元103之后形成在驱动基板100上。此外，反射层102’的材料可包括胶体(gel)，如白胶。另外，在驱动基板100上形成反射层102A的步骤可包括烘烤(baking)反射层102A的材料，以使白胶固化。再者，发光装置1A的制造方法还可包括在设置多个发光单元103的步骤之前涂布保护胶104。
具体地，多个接垫(包括多个第一接垫101A以及多个第二接垫101B)、保护胶104、多个发光单元103以及反射层102A例如依序形成在驱动基板100上。在一些实施例中，可通过印刷制程将反射层102A形成在驱动基板100上。在一些实施例中，反射层102A还可设置在未被发光单元103覆盖的保护胶104上，其中反射层102A的侧表面S102S接触保护胶104。在一些实施例中，反射层102A的侧表面S102S还可接触发光单元103。换句话说，反射层102A的侧表面S102S与对应的发光单元103之间的距离(未标示)可为0，但不以此为限。通过缩减反射层102A的侧表面S102S与对应的发光单元103之间的距离，有助于提升反射层102A的面积，从而提升反射效果或提升光利用率。在其他实施例中，反射层102A的侧表面S102S与对应的发光单元103之间的距离可落在0μm至40μm的范围内(即0μm≦距离≦40μm)。
请参照图3，发光装置1B与图2的发光装置1A的主要差异如下所述。发光装置1B不包括图2的保护胶104。此外，发光装置1B的反射层102B除了设置在驱动基板100上之外，还位于发光单元103与驱动基板100之间。反射层102B的材料可包括胶体，如白胶。另外，在驱动基板100上形成反射层102B可包括烘烤反射层102B，以使白胶固化。在一些实施例中，反射层102B可在设置多个发光单元103之后形成在驱动基板100上。在其它实施例中，反射层102B可在设置多个发光单元103之前形成在驱动基板100上。
请参照图4，发光装置1C除了驱动基板(未示出于图4)、多个接垫(未示出于图4)、反射层(未示出于图4)以及多个发光单元103之外，还可包括背板105。背板105具有底面S105B以及侧壁面S105S，其中驱动基板设置在背板105的底面S105B上，且侧壁面S105S环绕由多个发光单元103排列而成的发光单元阵列。
在一些实施例中，发光装置1C中的驱动基板、多个接垫、反射层以及多个发光单元103的相对设置关系可参照图1C或图3。在其它实施例中，发光装置1C还可包括保护胶(未示出于图4)，且驱动基板、多个接垫、反射层、保护胶以及多个发光单元103的相对设置关系可参照图2。依据不同的需求，发光装置1C还可包括其他的元件或膜层。举例来说，发光装置1C还可包括扩散片(未示出于图4)或棱镜片(未示出于图4)等光学膜片，且驱动基板、多个接垫、反射层、保护胶(选择性)以及多个发光单元103可位于光学膜片与背板105之间。
请参照图5，发光装置1D与图4的发光装置1C的主要差异如下所述。在发光装置1D中，反射层102D除了设置在驱动基板100上之外，还可设置在背板105的侧壁面S105S上，以进一步提升光利用率或取代既有的模块侧贴。
在一些实施例中，发光装置1D中的驱动基板100、多个接垫(未示出于图5)、设置在驱动基板100上的反射层102D以及多个发光单元103的相对设置关系可参照图1C或图3。在其他实施例中，发光装置1D还可包括保护胶(未示出于图5)，且驱动基板100、多个接垫、设置在驱动基板100上的反射层102D、保护胶以及多个发光单元103的相对设置关系可参照图2。依据不同的需求，发光装置1D还可包括其他的元件或膜层。举例来说，发光装置1D还可包括扩散片(未示出于图5)或棱镜片(未示出于图5)等光学膜片，且驱动基板100、多个接垫、设置在驱动基板100上的反射层102D、保护胶(选择性)以及多个发光单元103可位于光学膜片与背板105之间。
请参照图6，发光装置1E除了驱动基板100、多个接垫(未示出于图6)、反射层102E以及多个发光单元103之外，还可包括信号接垫106以及软性电路板107。信号接垫106设置在驱动基板100上且通过驱动基板100中的线路层(未示出于图6)而与多个发光单元103电连接。信号接垫106的材料可包括透光导电材料或不透光导电材料。透光导电材料以及不透光导电材料的相关描述可参照前述，于此不再重述。在一些实施例中，反射层102E可从多个发光单元103(发光单元阵列)所在的主动区R1延伸进信号接垫106所在的周边区R2中，并覆盖信号接垫106的边缘(如信号接垫106靠近主动区R1的边缘)，以取代既有的防水绝缘胶(如塔非(tuffy)胶)。软性电路板107设置在被反射层102E暴露出来的信号接垫106上并与信号接垫106电连接。
在一些实施例中，发光装置1E中的驱动基板100、多个接垫、在主动区R1中的反射层102E以及多个发光单元103的相对设置关系可参照图1C或图3。在其他实施例中，发光装置1E还可包括保护胶(未示出)，且驱动基板100、多个接垫、在主动区R1中的反射层102E、保护胶以及多个发光单元103的相对设置关系可参照图2。
请参照图7，发光装置1F包括驱动基板100、多个接垫(包括多个第一接垫101A以及多个第二接垫101B)、多个发光单元103以及光源108。驱动基板100包括基板1000以及线路层(未示出)。基板1000除了适于承载线路层之外，还可作为导光板。举例来说，基板1000的材料可包括玻璃、塑胶或其组合，但不以此为限。基板1000具有上表面S1000T、下表面S1000B以及侧表面S1000S。上表面S1000T与下表面S1000B彼此相对，且侧表面S1000S连接上表面S1000T与下表面S1000B。线路层(未示出于图7)设置在上表面S1000T上。线路层的材料可包括透光导电材料，以提升透光率，但不以此为限。多个接垫(包括多个第一接垫101A以及多个第二接垫101B)设置在上表面S1000T上且与驱动基板100的线路层电连接。多个发光单元103设置在上表面S1000T上且通过多个接垫单元U101而与驱动基板100的线路层电连接。光源108设置在侧表面S1000S旁且适于朝侧表面S1000S射出光(未示出)。
在一些实施例中，光源108可包括多个发光单元108A以及电路板108B。多个发光单元108A设置在电路板108B面向侧表面S1000S的表面上且例如沿着第二方向D2排列，但不以此为限。发光单元108A可包括发光二极管。发光二极管可包括发光二极管晶粒或发光二极管封装体。此外，发光二极管可例如包括有机发光二极管、次毫米发光二极管、微发光二极管或量子点发光二极管(可包括QLED、QDLED)，但不以此为限。
发光单元108A射出的光自基板1000的侧表面S1000S进入基板1000并经由全内反射(Total Internal Reflection，TIR)传递于基板1000中。在一些实施例中，基板1000的下表面S1000B可包括多个图案(未示出于图7)。多个图案适于破坏全内反射，使进入基板1000的光从上表面S1000T射出。举例来说，多个图案可包括多个网点，且多个网点可通过印刷的方式形成在基板1000的下表面S1000B上，但不以此为限。
依据不同的需求，发光装置1F还可选择性地包括其它元件或膜层。举例来说，发光装置1F还可包括反射层102F。反射层102F设置在基板1000的下表面S1000B上，以提升光利用率。反射层102F的材料可包括金属、合金、硅胶、白色光致抗蚀剂、白胶或其组合。此外，反射层102F可以是一整面的连续膜层，也可以是图案化膜层。在一些实施例中，发光装置1F还可包括保护胶104。保护胶104的相关描述请参照前述，于此不再重述。在一些实施例中，发光装置1F可包括多个光源108，多个光源可设置在基板1000的相邻两个侧表面S1000S、相对两个侧表面S1000S、三个侧表面S1000S或四个侧表面S1000S。
综上所述，在本揭露的实施例中，通过在驱动基板上涂布反射层，可省略传统反射片的制作及组装，而有助于降低发光装置整体的组装难度，并可避免传统反射片因胶合区域受热翘曲而导致的暗影或信赖性等问题。
在本揭露实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)或其它合适的方式测量各元件的厚度或距离或相关尺寸。
在一些实施例中，可通过控制接垫与反射层的侧表面之间的距离或发光单元与反射层的侧表面之间的距离，来提升反射层的面积，从而提升反射效果或提升光利用率。在一些实施例中，可在背板的侧壁面上设置反射层，以进一步提升光利用率或取代既有的模块侧贴。在一些实施例中，反射层可从多个发光单元(发光单元阵列)所在的主动区延伸进信号接垫所在的周边区中，并覆盖信号接垫的边缘，以取代既有的防水绝缘胶。在一些实施例中，发光装置还可包括设置在驱动基板的侧表面的光源，且驱动基板的下表面可包括多个图案或设置有反射层，以提升自发光装置输出的光强度或均匀性。
以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。
虽然本揭露的实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何本领域技术人员，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本揭露的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本揭露揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本揭露使用。因此，本揭露的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本揭露的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本揭露的保护范围当视随附的权利要求所界定者为准。

Claims (12)

1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供驱动基板；
将多个发光单元设置在所述驱动基板上；以及
在所述驱动基板上形成反射层，包括：
在所述驱动基板上涂布所述反射层。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，形成所述反射层的步骤是在设置所述多个发光单元的步骤之前。
3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述反射层的材料是光致抗蚀剂。
4.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，形成所述反射层的步骤还包括：
图案化所述反射层的材料。
5.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，形成所述反射层的步骤是在设置所述多个发光单元的步骤之后。
6.根据权利要求5所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述反射层的材料是胶体。
7.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，形成所述反射层的步骤还包括：
烘烤所述反射层的材料。
8.根据权利要求5所述的发光装置的制造方法，其特征在于，还包括：
在设置所述多个发光单元的步骤之前涂布保护胶。
9.一种发光装置，其特征在于，包括：
驱动基板；
多个发光单元设置在所述驱动基板上；以及
反射层设置在所述驱动基板上，所述反射层具有上表面用于将来自所述多个发光单元的光反射；
其中所述反射层包括光致抗蚀剂以及胶体的其中一者。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述多个发光单元排列成阵列。
11.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，还包括：
信号接垫，设置在所述驱动基板上，其中所述反射层还覆盖所述信号接垫的边缘；以及
软性电路板，设置在被所述反射层暴露出来的所述信号接垫上并与所述信号接垫电连接。
12.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，还包括：
背板，具有底面以及侧壁面，其中所述驱动基板设置在所述背板的所述底面上，且所述反射层还设置在所述背板的所述侧壁面上。
CN202010625380.3A 2019-09-12 2020-07-02 发光装置及其制造方法 Pending CN112582524A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962899216P 2019-09-12 2019-09-12
US62/899,216 2019-09-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112582524A true CN112582524A (zh) 2021-03-30

Family

ID=75119498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010625380.3A Pending CN112582524A (zh) 2019-09-12 2020-07-02 发光装置及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112582524A (zh)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200821694A (en) * 2006-11-01 2008-05-16 Au Optronics Corp Reflective light source device and manufacture method thereof
CN101566281A (zh) * 2009-04-29 2009-10-28 苏州世鼎电子有限公司 具散热结构的发光二极管灯具
TW201334238A (zh) * 2012-01-10 2013-08-16 Koninkl Philips Electronics Nv 具有改善光輸出效率之發光陣列
CN103629557A (zh) * 2012-08-20 2014-03-12 苏州璨宇光学有限公司 光源模块及其制作方法
CN203850296U (zh) * 2014-01-07 2014-09-24 易美芯光（北京）科技有限公司 一种mcpcb基板led集成光源
CN104350621A (zh) * 2012-06-07 2015-02-11 四国计测工业株式会社 Led照明模块及led照明装置
CN204189389U (zh) * 2014-09-15 2015-03-04 群创光电股份有限公司 电子显示装置
CN104904328A (zh) * 2012-11-07 2015-09-09 印可得株式会社 用于制造金属印刷电路板的方法
CN105140375A (zh) * 2011-09-29 2015-12-09 新世纪光电股份有限公司 基板以及发光二极管装置
CN108535916A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 武汉华星光电技术有限公司 直下式背光模组及其制作方法
CN108591974A (zh) * 2018-04-24 2018-09-28 武汉华星光电技术有限公司 驱动基板、制备方法及微型led阵列发光背光模组
JP2019009192A (ja) * 2017-06-21 2019-01-17 スタンレー電気株式会社 発光機能を備えた光透過プレート
CN109671734A (zh) * 2018-10-19 2019-04-23 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200821694A (en) * 2006-11-01 2008-05-16 Au Optronics Corp Reflective light source device and manufacture method thereof
CN101566281A (zh) * 2009-04-29 2009-10-28 苏州世鼎电子有限公司 具散热结构的发光二极管灯具
CN105140375A (zh) * 2011-09-29 2015-12-09 新世纪光电股份有限公司 基板以及发光二极管装置
TW201334238A (zh) * 2012-01-10 2013-08-16 Koninkl Philips Electronics Nv 具有改善光輸出效率之發光陣列
CN104350621A (zh) * 2012-06-07 2015-02-11 四国计测工业株式会社 Led照明模块及led照明装置
CN103629557A (zh) * 2012-08-20 2014-03-12 苏州璨宇光学有限公司 光源模块及其制作方法
CN104904328A (zh) * 2012-11-07 2015-09-09 印可得株式会社 用于制造金属印刷电路板的方法
CN203850296U (zh) * 2014-01-07 2014-09-24 易美芯光（北京）科技有限公司 一种mcpcb基板led集成光源
CN204189389U (zh) * 2014-09-15 2015-03-04 群创光电股份有限公司 电子显示装置
JP2019009192A (ja) * 2017-06-21 2019-01-17 スタンレー電気株式会社 発光機能を備えた光透過プレート
CN108535916A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 武汉华星光电技术有限公司 直下式背光模组及其制作方法
CN108591974A (zh) * 2018-04-24 2018-09-28 武汉华星光电技术有限公司 驱动基板、制备方法及微型led阵列发光背光模组
CN109671734A (zh) * 2018-10-19 2019-04-23 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7960748B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
CN112786577A (zh) 显示装置及其制造方法
TWI750476B (zh) 發光裝置及面發光光源
US11990499B2 (en) Display apparatus and method of fabricating the same
US20220005990A1 (en) Backplane and glass-based circuit board
CN113161332A (zh) 发光基板及其制备方法、显示装置
KR101707574B1 (ko) 차광 패턴을 갖는 백라이트 유닛 및 그의 차광 패턴 형성방법
JP4594859B2 (ja) 照明装置及びこれを用いた画像表示装置
US20240077765A1 (en) Light-emitting module and electronic device
WO2019012793A1 (ja) 発光装置、表示装置および照明装置
CN112467018A (zh) mini-LED/micro-LED面光源及其制造方法
CN115662984A (zh) 封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法
CN112582524A (zh) 发光装置及其制造方法
CN115377320A (zh) 显示面板和显示装置
CN116682838A (zh) 显示装置
CN113314509B (zh) 发光装置
US20230215973A1 (en) Light emitting device
TWI803252B (zh) 背光模組以及電子裝置
CN116435296B (zh) 显示面板及其制备方法和显示装置
CN112785931B (zh) 显示装置
CN216054697U (zh) 发光基板及显示装置
US20230343902A1 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
CN218938543U (zh) 反射片、发光基板和显示装置
CN115128862A (zh) 背光模块以及显示装置
CN115903106A (zh) 反射片、发光基板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210330

RJ01 Rejection of invention patent application after publication