CN112563123A - 用于极紫外光微影的薄膜以及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开一种用于极紫外光(EUV)微影的薄膜以及其制造方法，所述薄膜具有形成于薄膜框架上的核心层，所述核心层包括：第一层；以及第二层。所述第一层包含硅。所述第二层包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。藉此，所述薄膜在光学特性损失最小的情况下在机械、热及化学稳定性方面得到改善。
Description
[相关申请案的交叉参考]
本申请案主张于2019年9月26日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请案第10-2019-0118950号及于2019年11月5日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请案第10-2019-0140372号的优先权，所述韩国专利申请案的公开内容全文并入本案供参考。
技术领域
本公开涉及一种用于极紫外光(extreme ultraviolet，EUV)微影的薄膜以及其制造方法，且更具体而言，涉及一种满足以下条件的用于极紫外光微影的薄膜以及其制造方法，所述用于极紫外光微影的薄膜满足相对于极紫外光曝光光的透射率高于或等于85％且反射率低于或等于1％。
背景技术
称为光微影(photolithography)的曝光技术的发展已使得半导体集成电路(integrated circuit，IC)具有高整合度成为可能。为了在晶圆上形成更精细的电路图案，曝光设备中的解析度(亦称为解析度限值)必须变得更高。当转移超出解析度限值的精细图案时，存在由于因绕射及散射引起的光干扰而转移不同于原始遮罩图案的畸变影像的问题。
目前商业化的曝光制程采用使用193纳米的ArF波长的曝光设备来执行转移制程并在晶圆上形成精细图案，但在形成50纳米或小于50纳米的精细图案方面由于光的绕射及散射而受到限制。因此，已经研发了各种方法，例如使用折射率高于空气的液体介质的浸没微影(immersion lithography)；进行两次曝光的双重微影(double lithography)；将光的相位偏移180度并对相邻的透射光造成相消干扰(destructive interference)的相移技术(phase shift technology)；校正由光的干扰及绕射引起的设计图案的小尺寸或圆形末端(rounded end)的光学相位校正(optical phase correction)；等等。
然而，使用ArF波长的曝光技术不仅难以获得窄于或等于32纳米的更精细的电路线宽，而且增加了生产成本及制程复杂性。因此，其中将远远短于193纳米波长的13.5纳米波长用于主曝光波长的极紫外光(EUV)微影技术已经作为下一代制程而引起了关注。
同时，微影制程采用光遮罩(photomask)作为用于图案化的原始板，并且将光遮罩上的图案转移至晶圆。在此种情形中，若光遮罩贴附有例如颗粒、异物等杂质，则所述杂质可能损坏在吸收或反射曝光光后转移的图案，且因此导致半导体装置的效能或良率降低。
为了防止光遮罩的表面贴附有杂质，正在使用将薄膜贴附至光遮罩的方法。将薄膜贴附至光遮罩的顶面，且因此薄膜上的杂质失焦并且不被转移至晶圆的表面，乃因光遮罩的图案即使在杂质贴附至薄膜时在光微影制程中仍是聚焦的。随着电路线宽最近的精细化，可能对图案损坏有影响的杂质的尺寸减小，从而增加了薄膜对于保护光遮罩的重要性。
发明内容
因此，一或多个示例性实施例的实施方式可提供一种用于极紫外光(EUV)微影的薄膜及其制造方法，所述用于极紫外光微影的薄膜在光学特性损失最小的情况下在机械、热及化学稳定性方面得到改善。
根据本公开的一个实施例，提供一种用于极紫外光(EUV)微影的薄膜，所述薄膜具有形成于薄膜框架上的核心层，所述核心层包括：第一层，包含硅；以及第二层，形成于所述第一层的上侧及下侧中的至少一者上，并且包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。
所述轻元素可包括氧(O)、氮(N)及碳(C)中的一或多者。
所述金属可包括钼(Mo)及钌(Ru)中的一或多者。
所述第二层可包含SiNX(X＝0.5～2)、SiCX(X＝0.1～2)、SiCXO2-X(X＝0～2)、MSiX(M：金属，X＝0.3～4)、MoSiXCYOZ(X＝0.5～4、Y＝0～2、Z＝0～2)以及RuSiXCYOZ(X＝0～3、Y＝0～2、Z＝0～2)中的一者。
所述第二层可形成于所述第一层的每一侧上。
所述第二层仅形成于所述第一层的上侧上，且所述第一层可包含单晶硅。
可在所述核心层的上侧及下侧中的至少一者上进一步形成覆盖层，并且所述覆盖层包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。
所述覆盖层可包含SiNX(X＝0.5～2)、SiCX(X＝0.1～2)、SiCXO2-X(X＝0～2)、MSiX(M：金属，X＝0.3～4)、MoSiXCYOZ(X＝0.5～4、Y＝0～2、Z＝0～2)以及RuSiXCYOZ(X＝0～3、Y＝0～2、Z＝0～2)中的一者。
在所述核心层与所述覆盖层之间的介面、所述第一层与所述第二层之间的介面或者多个覆盖层之间的介面处可形成介面层；或者在具有多层式薄膜结构的所述覆盖层的最外层的表面上可形成表面层。
所述核心层相对于极紫外光曝光光可具有高于或等于85％的透射率以及低于或等于1％的反射率。
所述核心层可具有小于或等于100纳米的厚度。
由所述核心层及所述覆盖层形成的多个层的材料可通过以下结构中的一者沿着曝光光的入射方向依序堆叠：
SiCxOy/MoSiXCYOZ/SiNx/Si/SiCxOy；
SiCxOy/MoSiXCYOZ/Si/SiNx；
MoSiXCYOZ/SiNx/Si/SiCxOy；
MoSiXCYOZ/Si/SiNx；
RuSix/SiNx/Si/SiCxOy；
RuSiXCYOZ/Si/SiNx；
SiNx/Si/MoSiXCYOZ/SiCxOy；
SiNx/Si/MoSiXCYOZ；
SiNx/Si/RuSiXCYOZ；
SiCxOy/MoSiXCYOZ/Si/SiCxOy；
SiCxOy/Si/MoSiXCYOZ/SiCxOy；
MoSiXCYOZ/Si/SiCxOy；
SiCxOy/Si/MoSiXCYOZ；
RuSiXCYOZ/Si/SiCxOy；以及
SiCxOy/Si/RuSiXCYOZ。
根据本公开的另一实施例，提供一种制造用于极紫外光(EUV)微影的薄膜的方法，所述方法包括：在基板上形成蚀刻终止层；在所述蚀刻终止层上形成核心层；在所述核心层上形成蚀刻保护层，并在所述基板下方形成蚀刻遮罩层图案；通过所述蚀刻遮罩层图案蚀刻所述基板的下部及所述蚀刻终止层来形成薄膜框架；以及移除所述蚀刻保护层。此处，所述核心层可包括：第一层，包含硅；以及第二层，形成于所述第一层的上侧及下侧中的至少一者上，并且包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。
所述方法可还包括至少在所述核心层上方或下方形成覆盖层。
形成于所述核心层上方的所述覆盖层可在形成所述蚀刻保护层之前或在移除所述蚀刻保护层之后形成。
形成于所述核心层下方的所述覆盖层可在形成所述核心层之前或形成所述薄膜框架之后形成。
所述核心层或所述覆盖层可在20℃至600℃的温度下基于溅射形成，所述溅射使用具有硅/金属＝0.05～20的组成的溅射靶、或具有化合物(O、C及N中的一或多者的化合物)/硅＝0.1～4的组成的溅射靶。
所述方法可还包括在高于或等于150℃的温度下，在氮(N)、氩(Ar)、氢(H)、烃或其混合物的气氛下对所述覆盖层进行退火。
根据本公开的又一实施例，提供一种制造用于极紫外光(EUV)微影的薄膜的方法，所述方法使用绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)基板，所述绝缘体上硅基板具有硅基板层、绝缘层及硅层依序堆叠的结构，同时将所述硅基板层视为薄膜框架，将所述硅层视为核心层的第一层，并且将所述绝缘层视为蚀刻终止层，所述方法包括：在所述核心层的所述第一层上形成第二层，所述第二层包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者；在所述第二层上方形成蚀刻保护层，并在所述硅基板层下方形成蚀刻遮罩层图案；通过所述蚀刻遮罩层图案蚀刻所述硅基板层的下部来形成所述薄膜框架；以及移除所述蚀刻保护层。
所述方法可还包括至少在所述核心层上方或下方形成覆盖层。
形成于所述核心层上方的所述覆盖层可在形成所述蚀刻保护层之前或在移除所述蚀刻保护层之后形成。
所述核心层或所述覆盖层可基于溅射形成，所述溅射使用具有金属:硅＝1:0.1～3的组成的溅射靶、或具有硅:化合物(O、C及N中的一或多者的化合物)＝0.1～4的组成的溅射靶。
所述方法可还包括在高于或等于150℃的温度下、在氮(N)、氩(Ar)、氢(H)、烃或其混合物的气氛下对所述覆盖层进行退火。
结合附图阅读以下对示例性实施例的说明，上述和/或其他实施方式将变得显而易见且更易于理解。
附图说明
图1为根据本公开第一实施例的用于极紫外光(EUV)微影的薄膜的剖视图。
图2为根据本公开第二实施例的用于极紫外光微影的薄膜的剖视图。
图3为根据本公开第三实施例的用于极紫外光微影的薄膜的剖视图。
图4至图8为依序示出一种制造根据图1及图2所示的第一实施例及第二实施例的薄膜的方法的附图。
附图标记说明
10：核心层
11：第一层
12：第二层
20：覆盖层
30：介面层
40：表面层
50：硅基板
50a：支撑层图案
60：蚀刻终止层
60a：蚀刻终止层图案
70：蚀刻保护层
80：蚀刻遮罩层图案
90：薄膜框架
具体实施方式
以下，将参照附图详细阐述本公开的实施例。
图1为根据本公开第一实施例的用于极紫外光(EUV)微影的薄膜的剖视图。
根据本公开第一实施例的用于极紫外光微影的薄膜包括透射EUV曝光光的核心层10，并且核心层10包括第一层11及第二层12。
第一层11包含单晶硅、多晶硅或非晶硅。硅具有高透射率，但机械强度、热特性及化学稳定性低。
第二层12包含机械强度、热特性及化学稳定性优异同时相对于EUV曝光光保持高透射率的材料。为此，第二层12包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。硅化合物的轻元素可包括氧(O)、氮(N)及碳(C)中的一或多者。金属硅化物的金属是指周期表中原子序数小于80的过渡金属，并且可包括钼(Mo)及钌(Ru)中的一或多者。
具体而言，第二层12可包含SiNX(X＝0.5～2)、SiCX(X＝0.1～2)、SiCXO2-X(X＝0～2)、MSiX(M：金属，X＝0.3～4)、MoSiXCYOZ(X＝0.5～4、Y＝0～2、Z＝0～2)以及RuSiXCYOZ(X＝0～3、Y＝0～2、Z＝0～2)中的一者。
核心层10相对于EUV曝光光具有高于或等于85％的透射率及低于或等于1％的反射率。为此，核心层10的层11及层12可具有各种厚度组合。核心层10可具有小于或等于100纳米的厚度。
尽管在图1中未示出，但根据本公开的用于极紫外光微影的薄膜包括薄膜框架，所述薄膜框架不仅用于支撑核心层10，而且使得成品薄膜易于搬运及转移。薄膜框架包含可经受干/湿蚀刻制程的材料，并且可例如通过对石英、绝缘体上硅(SOI)基板或硅晶圆应用蚀刻制程或微机械加工技术来形成。以下，将假设根据本公开实施例的薄膜包括薄膜框架，尽管未具体提及薄膜框架。
第二层12可形成于第一层11的每一侧上，仅形成于第一层11的上侧上，或者仅形成于第一层11的下侧上。
当第二层12仅形成于第一层11的上侧上时，第一层11可包含单晶硅。由于单晶硅具有较多晶硅或非晶硅高的透光率，因此较佳地第一层11由单晶硅制成。然而，难以通过沉积等在另一层上形成单晶硅。因此，当第二层12设置在第一层11下方时，难以在形成第二层12之后使用单晶硅来形成第一层11。然而，举例来说，可使用包括硅基板层、绝缘层及硅层的SOI基板来利用单晶硅形成第一层11。换言之，当硅层(即SOI基板的最上层)被用作第一层11并且第二层12形成于第一层11上时，可将单晶硅用于第一层11。因此，当使用SOI基板时，第一层11由单晶硅制成，藉此达成显示出极好透射率的薄膜。稍后将阐述使用根据本公开的SOI基板的详细方法。
图2为根据本公开第二实施例的用于极紫外光微影的薄膜的剖视图。
根据此实施例的薄膜包括核心层10及覆盖层20，并且核心层10具有与图1所示实施例相同的结构。覆盖层20分别设置在核心层10的上侧及下侧上。作为另一选择，覆盖层20可仅设置在核心层10的上侧及下侧中的一者上。
覆盖层20用于保护核心层10免受在极紫外光微影环境下发生的化学反应，增强核心层10的机械强度，并辐射热量以改善核心层10的热稳定性。为此，覆盖层20包含与氢(H)自由基及氧(O)具有低反应性、具有化学稳定性且机械效能优异的材料。
覆盖层20的材料可与核心层10的第二层12的材料相同。换言之，覆盖层20可包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。硅化合物的轻元素可包括氧(O)、氮(N)及碳(C)中的一或多者。金属硅化物的金属是指周期表中原子序数小于80的过渡金属，并且可包括Mo及Ru中的至少一者。
具体而言，覆盖层20可包含SiNX(X＝0.5～2)、SiCX(X＝0.1～2)、SiCXO2-X(X＝0～2)、MSiX(M：金属，X＝0.3～4)、MoSiXCYOZ(X＝0.5～4、Y＝0～2、Z＝0～2)以及RuSiXCYOZ(X＝0～3、Y＝0～2、Z＝0～2)中的一者。
覆盖层20的厚度小于或等于15纳米且较佳地小于或等于10纳米，并且可基于核心层10的机械强度及光学特性具有各种厚度。覆盖层20可形成为具有相对于EUV曝光光具有尽可能低的反射率的厚度。举例而言，覆盖层20可形成为具有光学厚度，藉此对自一或多个层反射的EUV曝光光造成相消干扰。
为最终使薄膜相对于EUV曝光光具有高于或等于85％的透射率及低于或等于1％的反射率，核心层10的层11及层12以及覆盖层20可具有各种厚度组合。
每一覆盖层20可具有单层结构或多层结构。在多层结构的情形中，各层在组成或组成比上可不同。
图3为根据本公开第三实施例的用于极紫外光微影的薄膜的剖视图。
根据此实施例的薄膜包括核心层10、覆盖层20、介面层30及表面层40，并且核心层10及覆盖层20具有与图2所示实施例相同的配置。此外，在此实施例中，两个覆盖层20设置在核心层10的上侧及下侧中的每一侧处。
介面层30设置在核心层10与覆盖层20之间、核心层10的第一层11与第二层12之间、以及覆盖层20之间。表面层40形成于具有多层式薄膜结构的覆盖层20的最外层的表面上。介面层30及表面层40可在形成层的同时自然形成，或者可通过人工形成制程而形成。介面层30及表面层40可由组成或组成比不同于与其相邻的层的材料制成。介面层30及表面层40的组成可依据厚度方向上的位置线性或非线性地变化，可依据平面方向上的位置变化，或者可依据厚度方向及平面方向上的位置的组合而变化。
举例而言，当两个相邻的层分别为Si层及金属硅化物层时，金属硅化物层的组成可在Si层与金属硅化物层之间的介面上在厚度方向上变化，并且此变化的部分可形成介面层30。作为另一选择，当两个相邻的层分别为Si层及MoSix层时，介面层30可被形成为在邻近Si层的位置处具有MoSix(X＝0.9)的组成且在邻近MoSix层的位置处具有MoSix(X＝1.1)的组成，或者可被形成为在邻近Si层的位置处具有MoSix(X＝1.1)的组成且在邻近MoSix层的位置处具有MoSix(X＝0.9)的组成。
除了形成介面层30的前述实例之外，介面层30可存在于介面上，介面层30根据在其间形成有介面的相邻层的材料具有各种组成。换言之，当一或多个层可存在于各层之间的介面上、并且存在于所述介面上的层的材料或组成通过在其间形成有介面的两个相邻层的材料的组合而形成时，此可落于介面层30的范畴内。
此外，当表面上存在一或多个层、并且存在于所述表面上的层的组成通过最外层的材料、氧(O)和/或碳(C)的组合而形成时，此可落于表面层40的范畴内。
在本公开的各种实施例中，基于各层的前述结构的多层式膜的实例如下。以下分层式结构示出由核心层(具有第一层及第二层)及一或多个覆盖层形成的多个层的材料，所述材料沿着曝光光的入射方向依序堆叠：
SiCxOy/MoSiXCYOZ/SiNx/Si/SiCxOy；
SiCxOy/MoSiXCYOZ/Si/SiNx；
MoSiXCYOZ/SiNx/Si/SiCxOy；
MoSiXCYOZ/Si/SiNx；
RuSix/SiNx/Si/SiCxOy；
RuSiXCYOZ/Si/SiNx；
SiNx/Si/MoSiXCYOZ/SiCxOy；
SiNx/Si/MoSiXCYOZ；
SiNx/Si/RuSiXCYOZ；
SiCxOy/MoSiXCYOZ/Si/SiCxOy；
SiCxOy/Si/MoSiXCYOZ/SiCxOy；
MoSiXCYOZ/Si/SiCxOy；
SiCxOy/Si/MoSiXCYOZ；
RuSiXCYOZ/Si/SiCxOy；以及
SiCxOy/Si/RuSiXCYOZ。
图4至图8为依序示出一种制造根据图1及图2所示的第一实施例及第二实施例的薄膜的方法的附图。
参照图4，于硅基板50上依序形成蚀刻终止层60及核心层10。蚀刻终止层60可例如包括由氧化硅膜制成的层。
参照图5，于核心层10上形成蚀刻保护层70，以在蚀刻硅基板50的下部时保护核心层10免受蚀刻，并且于硅基板50下方形成蚀刻遮罩层图案80。蚀刻遮罩层图案80可使用单面蚀刻夹具(one-side etching jig)或通过干蚀刻或湿蚀刻形成。
如图6所示，将蚀刻遮罩层图案80用作蚀刻遮罩，以通过使用KOH、TMAH等的湿蚀刻制程蚀刻硅基板50的被暴露出的下部，藉此形成支撑层图案50a。然后，对蚀刻终止层60进行蚀刻以形成蚀刻终止层图案60a，藉此暴露出核心层10的下部。支撑层图案50a及蚀刻终止层图案60a形成用于支撑核心层10的薄膜框架90。
然后，通过干蚀刻制程或湿蚀刻制程移除位于上侧的蚀刻保护层70及位于下侧的蚀刻遮罩层图案80，藉此达成具有如图7所示结构的薄膜。图7的薄膜对应于参照图1阐述的根据本公开的第一实施例的结构。
通过在图7所示状态下暴露出的核心层10上方及下方形成覆盖层20，达成了具有如图8所示结构的薄膜。图8所示薄膜对应于参照图2阐述的根据本公开的第二实施例的结构。必要时，可仅于核心层10的上侧及下侧中的一者上形成覆盖层20。
同时，上述蚀刻终止层60、核心层10、覆盖层20、蚀刻保护层70及蚀刻遮罩层图案80可通过化学气相沉积(chemical vapor depiosition，CVD)、物理气相沉积(physicalvapor deposition，PVD)(例如，溅射)、原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)、热氧化、退火等方法形成。举例而言，该些层可在20℃至600℃的温度下通过溅射形成，所述溅射使用与对应层的材料具有相同组成的溅射靶、具有硅/金属＝0.05～20的组成的溅射靶、或具有化合物(O、C及N中的一或多者的化合物)/硅＝0.1～4的组成的溅射靶。此外，可在高于或等于150℃的温度下、在氮(N)、氩(Ar)、氢(H)、烃或其混合物的气氛下对每一层进行退火。
同时，在制造制程中，覆盖层20可以与前述实施例不同的次序形成。举例而言，前述实施例示出了形成于核心层10上方的覆盖层20是在移除蚀刻保护层70之后形成的，但形成于核心层10上方的覆盖层20可在形成蚀刻保护层70之前形成。此外，前述实施例示出了形成于核心层10下方的覆盖层20是在形成薄膜框架90之后形成的，但形成于核心层10下方的覆盖层20可在形成核心层10之前形成。
同时，本公开的薄膜可使用如上所述的SOI基板来制造。在使用SOI基板的此种情形中，可使用单晶硅形成核心层10的第一层11，藉此进一步改善透射率。
SOI基板是指在SiO2绝缘层及硅层已依序形成于硅基板层上的状态下制造的基板。根据本公开，SOI基板中的硅基板层、绝缘层及硅层分别用作最终制造的薄膜中的支撑层图案50a、蚀刻终止层图案60a及核心层10的第一层11。因此，SOI基板处于硅基板50、蚀刻终止层60及核心层10的第一层11已形成于图5所示的结构中的状态。
在此种状态中，通过在SOI基板上另外形成核心层10的第二层12而获得如图4所示的结构。以下制程与以上参照图5至图8阐述的制程相同，并且将在根据本公开实施例的方法中引用，尽管未对其予以重复阐述。
根据本公开，所述薄膜在光学特性损失最小的情况下在机械、热及化学稳定性方面得到改善，并且相对于EUV曝光光具有高于或等于85％的透射率及小于或等于1％的反射率。
尽管已参照附图使用本公开的结构详细示出并阐述了本公开的几个示例性实施例，但给出所述结构仅仅是出于说明目的，而不限制在权利要求界定的本公开的含义及范围。因此，此项技术中技术人员将理解，可在该些结构中作出各种改变及等效形式。因此，本公开的范围必须由权利要求的技术问题来界定。
Claims (28)
1.一种用于极紫外光微影的薄膜，具有形成于薄膜框架上的核心层，
所述核心层包括：
第一层，包含硅；以及
第二层，形成于所述第一层的上侧及下侧中的至少一者上，并且包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。
2.根据权利要求1所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中所述轻元素包括氧、氮及碳中的一或多者。
3.根据权利要求1所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中所述金属包括钼及钌中的一或多者。
4.根据权利要求1所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中所述第二层包含SiNX(X＝0.5～2)、SiCX(X＝0.1～2)、SiCXO2-X(X＝0～2)、MSiX(M：金属，X＝0.3～4)、MoSiXCYOZ(X＝0.5～4、Y＝0～2、Z＝0～2)以及RuSiXCYOZ(X＝0～3、Y＝0～2、Z＝0～2)中的一者。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中所述第二层形成于所述第一层的每一侧上。
6.根据权利要求2至4中任一项所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中所述第二层仅形成于所述第一层的所述上侧上。
7.根据权利要求6所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中所述第一层包含单晶硅。
8.根据权利要求1所述的用于极紫外光微影的薄膜，还包括形成于所述核心层的上侧及下侧中的至少一者上的覆盖层，并且所述覆盖层包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。
9.根据权利要求8所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中所述覆盖层包含SiNX(X＝0.5～2)、SiCX(X＝0.1～2)、SiCXO2-X(X＝0～2)、MSiX(M：金属，X＝0.3～4)、MoSiXCYOZ(X＝0.5～4、Y＝0～2、Z＝0～2)以及RuSiXCYOZ(X＝0～3、Y＝0～2、Z＝0～2)中的一者。
10.根据权利要求8所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中在所述核心层与所述覆盖层之间的介面、所述第一层与所述第二层之间的介面或者多个覆盖层之间的介面处形成介面层；或者在具有多层式薄膜结构的所述覆盖层的最外层的表面上形成表面层。
11.根据权利要求1所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中所述核心层相对于极紫外光曝光光具有高于或等于85％的透射率以及低于或等于1％的反射率。
12.根据权利要求11所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中所述核心层具有小于或等于100纳米的厚度。
13.根据权利要求8所述的用于极紫外光微影的薄膜，其中由所述核心层及所述覆盖层形成的多个层的材料通过以下结构中的一者沿着曝光光的入射方向依序堆叠：
SiCxOy/MoSiXCYOZ/SiNx/Si/SiCxOy；
SiCxOy/MoSiXCYOZ/Si/SiNx；
MoSiXCYOZ/SiNx/Si/SiCxOy；
MoSiXCYOZ/Si/SiNx；
RuSix/SiNx/Si/SiCxOy；
RuSiXCYOZ/Si/SiNx；
SiNx/Si/MoSiXCYOZ/SiCxOy；
SiNx/Si/MoSiXCYOZ；
SiNx/Si/RuSiXCYOZ；
SiCxOy/MoSiXCYOZ/Si/SiCxOy；
SiCxOy/Si/MoSiXCYOZ/SiCxOy；
MoSiXCYOZ/Si/SiCxOy；
SiCxOy/Si/MoSiXCYOZ；
RuSiXCYOZ/Si/SiCxOy；以及
SiCxOy/Si/RuSiXCYOZ。
14.一种制造用于极紫外光微影的薄膜的方法，所述方法包括：
在基板上形成蚀刻终止层；
在所述蚀刻终止层上形成核心层；
在所述核心层上形成蚀刻保护层，并在所述基板下方形成蚀刻遮罩层图案；
通过所述蚀刻遮罩层图案蚀刻所述基板的下部及所述蚀刻终止层来形成薄膜框架；以及
移除所述蚀刻保护层，
所述核心层包括：
第一层，包含硅；以及
第二层，形成于所述第一层的上侧及下侧中的至少一者上，并且包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括
至少在所述核心层上方或下方形成覆盖层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中形成于所述核心层上方的所述覆盖层是在形成所述蚀刻保护层之前形成。
17.根据权利要求15所述的方法，其中形成于所述核心层上方的所述覆盖层是在移除所述蚀刻保护层之后形成。
18.根据权利要求15所述的方法，其中形成于所述核心层下方的所述覆盖层是在形成所述核心层之前形成。
19.根据权利要求15所述的方法，其中形成于所述核心层下方的所述覆盖层是在形成所述薄膜框架之后形成。
20.根据权利要求15所述的方法，其中所述核心层或所述覆盖层是在20℃至600℃的温度下基于溅射形成的，所述溅射使用具有硅/金属＝0.05～20的组成的溅射靶、或具有化合物(O、C及N中的一或多者的化合物)/硅＝0.1～4的组成的溅射靶。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述覆盖层在高于或等于150℃的温度下，在氮、氩、氢、烃或其混合物的气氛下退火。
22.一种制造用于极紫外光微影的薄膜的方法，使用绝缘体上硅基板，所述绝缘体上硅基板具有硅基板层、绝缘层及硅层依序堆叠的结构，同时将所述硅基板层视为薄膜框架，将所述硅层视为核心层的第一层，并且将所述绝缘层视为蚀刻终止层，所述方法包括：
在所述核心层的所述第一层上形成第二层，所述第二层包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者；
在所述第二层上方形成蚀刻保护层，并在所述硅基板层下方形成蚀刻遮罩层图案；
通过所述蚀刻遮罩层图案蚀刻所述硅基板层的下部来形成所述薄膜框架；以及
移除所述蚀刻保护层。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括
至少在所述核心层上方或下方形成覆盖层。
24.根据权利要求23所述的方法，其中形成于所述核心层上方的所述覆盖层是在形成所述蚀刻保护层之前形成。
25.根据权利要求23所述的方法，其中形成于所述核心层上方的所述覆盖层是在移除所述蚀刻保护层之后形成。
26.根据权利要求23所述的方法，其中形成于所述核心层下方的所述覆盖层是在形成所述薄膜框架之后形成。
27.根据权利要求23所述的方法，其中所述核心层或所述覆盖层是基于溅射形成的，所述溅射使用具有金属:硅＝1:0.1～3的组成的溅射靶、或具有硅:化合物(O、C及N中的一或多者的化合物)＝0.1～4的组成的溅射靶。
28.根据权利要求23所述的方法，其中所述覆盖层在高于或等于150℃的温度下，在氮、氩、氢、烃或其混合物的气氛下退火。
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