CN112563110A - 等离子体处理装置 - Google Patents

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CN112563110A CN202010977676.1A CN202010977676A CN112563110A CN 112563110 A CN112563110 A CN 112563110A CN 202010977676 A CN202010977676 A CN 202010977676A CN 112563110 A CN112563110 A CN 112563110A
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plasma processing
plasma
processing chamber
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大森贵史
山田洋平
远藤健一
东条利洋
伊藤博道
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置。能够抑制等离子体变得不稳定。在处理室的内部设有供基板载置的载置台，在该处理室中对基板实施等离子体处理。高频电源向载置台供给偏压用的高频电。多个隔板包围载置台的上表面的外周，彼此分离地配置。凹部位于至少一组相邻的隔板之间，具有包括底壁和多个侧壁的内壁部，构成与载置台相对的对向电极。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本公开涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
专利文献1公开了一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置在供基板载置的载置台的周围以分隔出用于进行等离子体处理的处理空间和与排气***相连的排气空间的方式设有分隔构件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-216260号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种抑制等离子体变得不稳定的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的等离子体处理装置具有：处理室、高频电源、多个隔板和凹部。在处理室的内部设有供基板载置的载置台，在该处理室中对基板实施等离子体处理。高频电源向载置台供给偏压用的高频电力。多个隔板包围载置台的上表面的外周，彼此分离地配置。凹部位于至少一组相邻的隔板之间，具有包括底壁和多个侧壁的内壁部，构成与载置台相对的对向电极。
发明的效果
采用本公开，能够抑制等离子体变得不稳定。
附图说明
图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一例的垂直剖视图。
图2A是表示实施方式的处理室内的结构的一例的立体图。
图2B是表示实施方式的处理室内的结构的一例的水平剖视图。
图3是表示实施方式的处理室的排气的流动的图。
图4是表示另一实施方式的翅片的配置的一例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本申请公开的等离子体处理装置的实施方式详细地进行说明。其中，公开的等离子体处理装置并不受本实施方式限定。
另外，在平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对玻璃基板等基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等等离子体处理的工序。在等离子体处理中，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等多种等离子体处理装置。
在等离子体处理装置的情况下，在进行利用等离子体的基板处理时，向作为载置台的下部电极供给偏压用的高频电力，以吸引离子。另一方面，在等离子体处理装置的情况下，谋求高压力、高能量的等离子体，以提高等离子体的处理能力，但是伴随于此，存在等离子体变得不稳定的倾向。在此，期待能够抑制等离子体变得不稳定。
[等离子体处理装置的结构]
首先，对实施方式的等离子体处理装置10的结构进行说明。图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一例的垂直剖视图。本实施方式的等离子体处理装置10构成为产生电感耦合等离子体并对例如FPD用玻璃基板这样的矩形的基板进行蚀刻处理、灰化处理等电感耦合等离子体处理的电感耦合型的等离子体处理装置。
等离子体处理装置10具有由导电性材料，例如内壁面进行了阳极氧化处理的铝构成的方筒形状的气密的主体容器1。主体容器1以能够分解的方式组装，利用接地线1a接地。主体容器1由电介质壁2在上下划分为天线室3和处理室4。电介质壁2构成处理室4的顶壁。电介质壁2由Al2O3等陶瓷、石英等构成。
在主体容器1的、天线室3的侧壁3a和处理室4的侧壁4a之间设有向内侧突出的支承架5。在支承架5之上载置有电介质壁2。
在电介质壁2的下侧部分嵌入有处理气体供给用的喷射壳体11。喷射壳体11设为十字状，为从下方支承电介质壁2的构造，例如是梁构造。其中，支承上述电介质壁2的喷射壳体11是利用多根吊杆(未图示)吊在主体容器1的顶壁的状态。支承架5和喷射壳体11也可以由电介质构件覆盖。
喷射壳体11由导电性材料，优先的是金属，例如为了不产生污染物而内表面或者外表面进行了阳极氧化处理的铝构成。在喷射壳体11形成有沿水平延伸的气体流路12。气体流路12与朝向下方延伸的多个气体喷出孔12a连通。另一方面，在电介质壁2的上表面中央以与气体流路12连通的方式设有气体供给管20a。气体供给管20a从主体容器1的顶壁向外侧贯通，与包括处理气体供给源和阀***等的处理气体供给***20相连接。在等离子体处理中，从处理气体供给***20供给来的处理气体经由气体供给管20a向喷射壳体11的气体流路12供给，从形成于喷射壳体11的下表面的气体喷出孔12a向处理室4内喷出。
在天线室3内配设有高频(RF)天线13。高频天线13是将由铜、铝等导电性良好的金属构成的天线13a配置为环状、螺旋状等以往使用的任意的形状而构成的。高频天线13也可以是具有多个天线部的多重天线。
在天线13a的端子22连接有向天线室3的上方延伸的供电构件16。在供电构件16的上端利用供电线19连接有高频电源15。另外，在供电线19设有匹配器14。此外，高频天线13利用由绝缘构件构成的间隔件17与电介质壁2分离。在等离子体处理时，从高频电源15向高频天线13供给例如频率是13.56MHz的高频电力。由此，在处理室4内形成有感应电场，在感应电场的作用下从喷射壳体11供给来的处理气体被等离子体化，产生电感耦合等离子体。
在处理室4内的底壁4b上以与高频天线13隔着电介质壁2相对的方式设有具有用于载置矩形状的基板G的载置面23d的载置台23。载置台23隔着绝缘体构件24固定。绝缘体构件24形成为框状。载置台23具有主体23a，该主体23a由导电性材料，例如表面进行了阳极氧化处理的铝构成。主体23a形成为与基板G相同程度或者略大于基板G的矩形状。在载置台23以包围主体23a的侧面的整面和下表面的外周的方式设有绝缘体框23b，还以包围绝缘体框23b的侧面的整面的方式设有由导电性材料构成的侧部电极23c。侧部电极23c利用绝缘体框23b与主体23a绝缘。侧部电极23c利用未图示的接地构件与接地电位相连接。其中，也可以使侧部电极23c与后述的隔板50电连接，借助隔板50使侧部电极23c接地。载置于载置台23的基板G由静电吸盘(未图示)吸附保持。
用于基板G的送入送出的升降销(未图示)经由主体容器1的底壁4b、绝缘体构件24贯通载置台23。升降销形成为由设于主体容器1外的升降机构(未图示)驱动升降，进行基板G的送入送出。其中，也可以是，载置台23是能够利用升降机构升降的构造。
载置台23的主体23a利用供电线25经由匹配器26与偏压用的高频电源27连接。高频电源27在等离子体处理过程中向主体23a供给偏压用高频电力，以形成高频偏压。载置台23的主体23a作为下部电极发挥功能。偏压用高频电力的频率例如是6MHz。产生于处理室4内的等离子体中的离子在高频偏压的作用下被有效地向基板G吸引。
另外，在载置台23内设有包括陶瓷加热器等加热单元、制冷剂流路等的温度控制机构和温度传感器(均未图示)，以用于控制基板G的温度。
此外，在载置台23的情况下，在载置面23d存在微小的凹凸，因此在载置有基板G时，在基板G的背面和载置面23d之间形成有微小的间隙(未图示)，该间隙作为冷却空间发挥功能。其中，也可以是，由微小的无数个凸部构成载置面23d。在冷却空间连接有用于以预定的压力供给作为热传递用气体的He气体的He气体流路28。如此，向基板G的背面侧供给热传递用气体，从而能够在真空下使基板G的温度控制性较为良好。
在处理室4的底壁4b的底部中央形成有开口部4c。供电线25、He气体流路28和温度控制机构的配管、配线穿过开口部4c向主体容器1外导出。
在处理室4的四个侧壁4a中的一个设有用于送入送出基板G的送入送出口29a和开闭该送入送出口29a的闸阀29。
在处理室4的底壁4b并且是在载置台23的侧部设有排气口30。排气口30以位于低于载置台23的载置面23d的位置的方式设于底壁4b。在排气口30设有排气部40。排气部40具有：排气配管31，其与排气口30相连接；自动压力控制阀(APC)32，其通过调整排气配管31的开度来控制处理室4内的压力；和真空泵33，其用于经由排气配管31对处理室4内进行排气。并且，利用真空泵33对处理室4内进行排气，在等离子体处理过程中，调整自动压力控制阀(APC)32的开度，将处理室4内设定并维持为预定的真空气氛。
图2A是表示实施方式的处理室内的结构的一例的立体图。图2B是表示实施方式的处理室内的结构的一例的水平剖视图。图2A展示了表示处理室4内的载置台23附近的结构的立体图。图2B展示了从上方观察处理室4内的载置台23附近的剖视图。在处理室4内的中央配置有载置台23。载置台23的载置面23d形成为矩形状，以用于载置矩形状的基板G。排气口30在处理室4的载置台23的周围形成有多个。在本实施方式的情况下，在矩形状的载置台23的各边的两端附近的总共8个部位分别设有排气口30。其中，排气口30的数量、位置根据装置的大小适当地设定。
在处理室4的内壁(侧壁4a的内侧部分)和载置台23之间，在对应于载置台23的各边的排气口30的部分设有板状的隔板50。在本实施方式的情况下，在载置台23的各边的侧面侧以分别覆盖排气口30的方式设有8张隔板50。隔板50包围载置台23的上表面的外周，彼此分离地设置。各边的排气口30之间的部分未被隔板50覆盖，形成有低于隔板50和载置台23的凹部51。
如图1所示，处理室4被隔板50分隔为对基板G进行等离子体处理的处理空间41和与排气口30相连的排气空间42。处理空间41是处理室4中的比隔板50靠上的区域，是形成用于对基板G进行等离子体处理的电感耦合等离子体的区域。排气空间42是处理室4中的比隔板50靠下的区域，是用于引导来自处理空间41的处理气体，使处理气体排出的区域。
隔板50由金属等导电性材料构成，形成为不具有开口部的矩形的板材。各隔板50以上表面位于低于载置台23的载置面23d的位置的方式配置于载置台23的各侧面。各隔板50利用接地线50a与接地电位相连接。其中，也可以使隔板50与侧壁4a电连接，借助主体容器1接地。
如图2A所示，在角部相邻的隔板50彼此以在它们之间形成将供给于处理空间41的气体向排气空间42引导的开口60的方式分离地配置。在本实施方式的情况下，开口60存在于处理室4的四个角部。被隔板50覆盖的排气空间42的凹部51侧由密封板80密封。排气空间42的四个角部侧未被密封，使排气能够向排气口30流动。排气不从凹部51侧向排气口30流动，而是从开口60侧向排气口30流动。图3是表示实施方式的处理室的排气的流动的图。导入处理空间41的处理气从开口60到排气空间42，再从排气口30经由排气配管31向排气部40排出。
凹部51具有包括底壁52和多个侧壁53a～53d的内壁部。底壁52由处理室4的底面(底壁4b)构成。侧壁53a由侧部电极23c构成。侧壁53b、53d由密封板80构成。侧壁53c由处理室4的侧壁4a构成。处理室4的底壁4b、侧壁4a、侧部电极23c和密封板80均与接地电位相连接。因此，凹部51的内壁部是接地电位。另外，底壁52也可以由与处理室4的底面不同的构件构成，在该情况下，既可以与底面相接触，或者也可以悬浮配置。
在排气空间42配置有多个翅片61。在图2A和图2B中，在被隔板50覆盖的部分并列地配置有多个翅片61。翅片61由金属等导电性材料构成，形成为矩形的板状构件。各翅片61在排气口30的上部以外的部分与处理室4的底面(底壁4b)相连接，以板状构件的板面与载置台23的侧面平行的方式配置。即，各翅片61在排气空间42中以形成排气向排气口30流动的流向的方式配置。各翅片61的间隔优选10mm～200mm。各翅片61利用未图示的接地构件与接地电位相连接。另外，也可以是，使各翅片61的至少一部分与隔板50电连接，借助隔板50接地。处理室4的处理空间41的气体从各开口60向排气空间42流动，穿过翅片61b之间，从各排气口30排出。
回到图1。在排气口30分别设有排气网部70。排气网部70具有对应于排气口30的尺寸的开口，能够安装于排气口30。在排气网部70的开口设有排气网。排气网由形成有多个缝隙的构件、网状构件或具有多个冲孔的构件形成，使气体能够通过。其中，排气网部70也可以是排气网重叠多个地设置。
实施方式的等离子体处理装置10具有由微处理器(计算机)构成的控制部100、用户接口101和存储部102。控制部100向等离子体处理装置10的各构成部，例如阀、高频电源、真空泵等发送指令，对它们进行控制。另外，用户接口101具有：供操作员进行用于管理等离子体处理装置10的指令输入等输入操作的键盘、可视化地显示等离子体处理装置10的工作状况的显示器等。用户接口101与控制部100相连接。存储部102存储有：用于通过控制部100的控制实现在等离子体处理装置10中执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件使等离子体处理装置10的各构成部执行处理的程序，即处理制程。存储部102与控制部100相连接。处理制程存储于存储部102中的存储介质。存储介质既可以是内置于计算机的硬盘、半导体存储器，也可以是CDROM、DVD、闪存等可移动性的设备。另外，也可以从其他的设备借助例如专线适当地传输制程。于是，根据需要，按照来自用户接口101的指示等从存储部102读出任意的处理制程并使控制部100执行该处理制程，从而在控制部100的控制下，在等离子体处理装置10中进行期望的处理。
接着，对使用像以上这样构成的等离子体处理装置10对基板G实施等离子体处理例如等离子体蚀刻、等离子体灰化时的处理动作进行说明。
首先，使等离子体处理装置10为闸阀29打开了的状态。基板G利用输送机构(未图示)从送入送出口29a向处理室4内送入，载置于载置台23的载置面23d。等离子体处理装置10利用静电吸盘(未图示)将基板G固定于载置台23上。接着，等离子体处理装置10从处理气体供给***20经由喷射壳体11的气体喷出孔12a向处理室4内供给处理气体。另外，等离子体处理装置10一边利用自动压力控制阀(APC)32控制压力，一边利用真空泵33经由排气配管31从排气口30对处理室4内进行真空排气，从而将处理室内维持为例如0.66Pa～26.6Pa程度的压力气氛。
另外，此时，等离子体处理装置10经由He气体流路28向基板G的背面侧的冷却空间供给作为热传递用气体的He气体，以避免基板G的温度上升、温度变化。
接着，等离子体处理装置10从高频电源15向高频天线13供给例如13.56MHz的高频电力，由此借助电介质壁2在处理室4内形成均匀的感应电场。在像这样形成了的感应电场的作用下，在处理室4内处理气体等离子体化，产生高密度的电感耦合等离子体。利用该等离子体对基板G进行等离子体处理，例如对基板G的预定的膜进行等离子体蚀刻、等离子体灰化。与此同时，等离子体处理装置10从高频电源27向载置台23供给例如频率是6MHz的高频电力，形成高频偏压，将产生于处理室4内的等离子体中的离子有效地向基板G吸引。
在处理气在处理室4内的处理空间41中等离子体化而被提供给等离子体处理后，未等离子体化的残余部分与反应生成物等一起被真空泵33抽吸，从而从开口60到排气空间42，从排气口30经由排气配管31排出。
在此，在等离子体处理装置10的情况下，基板G越大型化，越需要向载置台23供给高能量的高频电力。但是，在等离子体处理装置10的情况下，若向载置台23供给高能量的高频电力，则会产生电弧，在电气方面变得不稳定。例如，在等离子体处理装置10的情况下，若基板G的尺寸是第8代的尺寸(2160mm×2460mm)以上的尺寸，则需要向载置台23供给更加高能量的高频电力。但是，在等离子体处理装置10的情况下，即使在随着基板G的大型化而使载置台23大型化了的情况下，也无法与基板G的尺寸成比例地增大装置整体的尺寸。例如，制造完成的等离子体处理装置10利用卡车向顾客的工厂运送，但是卡车能够运送的尺寸存在限制。在等离子体处理装置10的尺寸大于能够由卡车运送的尺寸的情况下，需要将等离子体处理装置10构成为能够分割成可运送的尺寸，特别是在横向分割的情况下，结构会变得繁杂。因此，优选等离子体处理装置10至少在横向上是能够由卡车运送的尺寸，以减少为了运送而分割等离子体处理装置10的工作量、在顾客的工厂组装等离子体处理装置10的工作量。另外，在等离子体处理装置10的情况下，若喷射壳体11和载置台23之间的空间的高度较宽，则会使产生的等离子体的密度下降，使处理效率下降。因此，在等离子体处理装置10的情况下，即使在随着基板G的大型化而使载置台23大型化了的情况下，也应维持处理室4的高度。由此，在等离子体处理装置10的情况下，使载置台23大型化从而使能够处理的基板G的尺寸增大，越这样越会使作为对向电极发挥功能的处理室4的内壁(侧壁4a的内侧部分)的面积相对于用于载置基板G的载置台23的面积的比率下降。结果，在等离子体处理装置10的情况下，能够处理的基板G的尺寸越大，越会使相对于对向电极的返回电流密度增加，越易于产生电弧等，在电气方面变得不稳定。
在此，在实施方式的等离子体处理装置10的情况下，以包围载置台23的上表面的外周的方式彼此分离地设有多个隔板50，在隔板50之间形成凹部51。并且，在等离子体处理装置10的情况下，凹部51的内壁部为接地电位。凹部51的内壁部作为与形成高频偏压的载置台23相对的对向电极发挥功能。由此，在等离子体处理装置10的情况下，与凹部51的内壁部(底壁52、侧壁53a～53d)相对应地，对向电极的面积扩大，因此即使在随着基板G的大型化而使载置台23大型化了的情况下，也能够确保电稳定性，能够抑制不稳定的放电。
另外，在等离子体处理装置10的情况下，不仅是凹部51的内壁部，而且，在载置台23的外周的侧面的整面设有侧部电极23c，侧部电极23c也为接地电位。侧部电极23c作为与形成高频偏压的载置台23相对的对向电极发挥功能。由此，在等离子体处理装置10的情况下，与侧部电极23c相对应地，对向电极的面积扩大，因此即使在随着基板G的大型化而使载置台23大型化了的情况下，也能够确保电稳定性，能够抑制不稳定的放电。
另外，在等离子体处理装置10的情况下，隔板50为接地电位。隔板50作为与形成高频偏压的载置台23相对的对向电极发挥功能。由此，在等离子体处理装置10的情况下，与隔板50相对应地，对向电极的面积扩大，因此即使在随着基板G的大型化而使载置台23大型化了的情况下，也能够确保电稳定性，能够抑制不稳定的放电。
另外，在等离子体处理装置10的情况下，在排气向排气口30流动的流向的上游侧并列地配置有多个翅片61。由此，在等离子体化了的气体向排气口30流动时，气体与翅片61接触而失活。由此，能够抑制等离子体化了的气体流经排气口30而在排气部40的内部产生不稳定的放电。其中，气体能够通过即可，不一定要限定为并列配置，也可以是其他的配置。另外，在翅片61为接地电位的情况下，翅片61作为与载置台23相对的对向电极发挥功能，因此能够抑制不稳定的放电。另外，隔板50在载置台23的周围以在相邻的隔板50之间形成开口60的方式分离地配置有多个。翅片61配置于被隔板50覆盖了的部分。
其中，在图2A和图2B的例子中，以仅在被隔板50覆盖了的部分配置翅片61的情况作为示例进行了说明，但是翅片61的配置并不限定于此。翅片61在有助于对向电极的扩大的情况下，配置于处理室4的内表面即可，可以设于任何位置。其中，翅片61优选配置于低于载置台23的载置面23d的位置，以抑制附着的沉积物等副产物落于载置台23的载置面23d。
图4是表示另一实施方式的翅片的配置的一例的图。在图4的情况下，在凹部51也并列地设有多个翅片62。翅片62由金属等导电性材料构成，形成为矩形的板状构件。各翅片62借助未图示的接地构件与接地电位相连接。其中，也可以使各翅片62与处理室4的底壁4b电连接，从而使各翅片62接地。翅片62未被隔板50覆盖，因此暴露于等离子体中。在该情况下，翅片62直接作为与载置台23相对的对向电极发挥功能，因此能够提高对向电极的扩大效果。
像以上这样，本实施方式的等离子体处理装置10具有：处理室4、高频电源27、多个隔板50和凹部51。在处理室4的内部设有供基板G载置的载置台23，在该处理室4中对基板G实施等离子体处理。高频电源27向载置台23供给偏压用的高频电力。多个隔板50包围载置台23的上表面的外周，彼此分离地配置。凹部51设于至少一组相邻的隔板50之间，具有包括底壁52和多个侧壁53a～53d的内壁部，构成与载置台23相对的对向电极。由此，等离子体处理装置10能够扩大与载置台23相对的对向电极的面积，因此能够抑制等离子体变得不稳定。
另外，在载置台23的外周的侧面的整面设有构成与载置台23相对的对向电极的侧部电极23c。由此，等离子体处理装置10能够扩大与载置台23相对的对向电极的面积，因此能够抑制等离子体变得不稳定。
另外，在隔板50的下部形成有与对处理室4内进行排气的排气口30相连的排气空间42。等离子体处理装置10在凹部51和排气空间42之间具有密封板80。密封板80、载置台23的侧面和处理室4的内部侧面构成凹部51的侧壁。由此，等离子体处理装置10能够使凹部51形成得较宽，能够扩大内壁部的面积。
另外，等离子体处理装置10在排气空间42内的相对于排气向排气口30流动的流向而言比排气口30靠上游侧的位置还具有由导电性材料构成的与接地电位相连接的多个板状构件(翅片61)。由此，等离子体处理装置10能够使向排气口30流动的等离子体化了的气体在翅片61处失活，因此能够抑制不稳定的放电。
以上，对实施方式进行了说明，但是须知本次公开了的实施方式的所有方面均是例示，并非用于限制本发明。实际上，上述的实施方式能够以多种多样的形态具体化。另外，上述的实施方式在不脱离权利要求书和其主旨的前提下，也可以以多种多样的形态进行省略、置换、变更。
例如，在上述实施方式中，作为电感耦合型的等离子体处理装置10，对在处理室的上部借助电介质窗(电介质壁2)设有高频天线的情况进行了展示，但是也能够适用于不借助电介质窗而是借助金属窗设置高频天线的情况。在该情况下，处理气的供给也可以不是从梁构造等十字状的喷射壳体供给，而是在金属窗设置气体喷射件，从而进行供给。
另外，上述实施方式对在处理室的四个角部形成了开口60的例子进行了展示，但是并不限定于此。
另外，上述实施方式以进行等离子体蚀刻、等离子体灰化的装置进行了说明，但是也能够适用于CVD成膜等其他的等离子体处理装置10。此外，上述实施方式对作为基板使用了FPD用的矩形基板的例子进行了展示，但是也能够适用于处理其他的矩形基板的情况，并不局限于矩形，也能够适用于例如半导体晶元等圆形的基板。

Claims (8)

1.一种等离子体处理装置，其具有：
处理室，在其内部设有供基板载置的载置台，在该处理室中对基板实施等离子体处理；
高频电源，其向所述载置台供给偏压用的高频电力；
多个隔板，它们包围所述载置台的上表面的外周，彼此分离地配置；以及
凹部，其位于至少一组相邻的所述隔板之间，具有包括底壁和多个侧壁的内壁部，构成与所述载置台相对的对向电极。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
在所述载置台的外周的侧面的整面设有侧部电极，该侧部电极构成与所述载置台相对的对向电极。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
在所述隔板的下部形成有与对所述处理室内进行排气的排气口相连的排气空间，
在所述凹部和所述排气空间之间还具有密封板，
所述密封板、所述载置台的侧面和所述处理室的内部侧面构成所述凹部的侧壁。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置在所述排气空间内的相对于排气向所述排气口流动的流向而言比所述排气口靠上游侧的位置还具有由导电性材料构成并与接地电位相连接的多个板状构件。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述底壁设于所述处理室的底面上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述载置台在俯视时为矩形状，
所述处理室在俯视剖面中为矩形状，
多个所述隔板以在所述处理室的角部形成开口的方式分离地配置，
所述凹部形成于所述载置台的边部分的侧面。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述隔板构成与所述载置台相对的对向电极。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述对向电极是与接地电位相连接的接地电极。
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