CN112533102B - 一种确定电容基准的方法、电容基准的确定装置和设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种确定电容基准的方法、电容基准的确定装置和设备，该方法应用于具有双层电容传感器的设备，该方法包括：获取所述双层电容传感器的第一差分电容值，所述第一差分电容值为所述耳机处于耳机盒外状态下获取的最小的差分电容值，所述盒子为与所述设备配对且用于容置所述设备的配套设备；根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值。通过对差分电容基准值进行跟踪并更新，以提供更准确的电容基准，从而保证电容变化量检测的准确性，继而保证了对设备的行为状态检测的准确性。

Description

一种确定电容基准的方法、电容基准的确定装置和设备
技术领域
本申请实施例涉及电容检测领域，并且更具体地，涉及一种确定电容基准的方法、电容基准的确定装置和设备。
背景技术
在各种电子设备中，经常会设置有基于电容式的各种传感器，以通过检测的电容信号进行各种控制和应用，例如，基于检测的电容信号的变化量来进行接近检测、压力检测等。再例如，基于电容式的接近检测可以确定耳机是否在用户耳内，进而来控制是否暂停耳机的音乐播放，电容式的压力检测可以基于电容变化量确定用户是否对耳机进行了单击，进而控制是否要挂掉耳机的通话或者是否要开启降噪功能。为了提高用户的交互体验，真无线立体声（True Wireless Stereo，TWS）耳机或者助听器、智能手表、智能手机等会设置有基于电容式的各种传感器。例如，可以通过在耳机或助听器等内置电容式传感器（sensor）来检测电容的变化，探测其是否靠近耳朵，并以此判断佩戴状态，或者，也可以通过电容的变化，探测这些配置有电容式传感器的设备的其他行为状态。此处以耳机为例，根据耳机中配置的传感器可以检测相应的电容变化，根据检测得到的电容变化，就可以对当前耳机的状态进行判断。该方案的前提是电容基准值必须稳定且准确，然而在实际应用场景中，耳机的电容基准值会发生变化，例如当耳机外壳材料以及sensor老化，耳机摔落或者气候变化等原因，都会导致实际的电容基准值发生变化，这种变化会对电容检测的结果造成影响，更具体地，是对电容变化量的检测结果造成影响，继而导致基于电容变化量的检测（例如佩戴检测）和后续的控制不准确。
发明内容
本申请实施例提供一种确定电容基准的方法、电容基准的确定装置和设备，能够在配置有双层电容传感器的设备的使用过程中对传感器的差分电容基准值进行追踪，以提供更加准确的电容基准，进而解决上述技术问题。
第一方面，提供了一种确定电容基准的方法，应用于具有双层电容传感器的设备，所述方法包括：获取所述双层电容传感器的第一差分电容值，所述第一差分电容值为所述耳机处于耳机盒外状态下获取的最小的差分电容值，所述盒子为与所述设备配对且用于容置所述设备的配套设备；根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值。
在通过双层电容传感器的检测差分电容值以及差分电容基准值对耳机的佩戴状况进行判断时，由于耳机材料或者sensor老化，以及耳机摔落或者气候变化等原因，会造成差分电容基准值发生缓慢变化，继而造成佩戴状态判断不准确。在该实施例中，通过获取耳机处于盒外状态下的最小的差分电容值，并将该最小值与差分电容基准值进行比较，确定最新的差分电容基准值，从而保证了差分电容基准值可以根据实际变化进行校准更新，继而保证了佩戴检测的准确性。
应理解，本申请实施例中的盒子与本申请实施例中的配置有双层电容传感器的设备配套使用，例如，当该设备为耳机时，该盒子可以为与耳机配套的耳机盒。
其中，该差分电容基准值可以是耳机在没有外部导体接近的状态下获取的基准值，例如，该值可以是耳机出厂前，在耳机对空状态（即没有外部导体接近时）下获取的差分电容值，或者，该值也可以是在耳机使用过程中，经过校准之后的差分电容基准值。
下面在对本申请实施例的确定方法和装置的有益效果进行描述时，以该设备为耳机为例，并且对该设备的接近检测表示为对耳机的佩戴状态进行检测为例，但本申请并不限于此。
在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：获取所述设备位于所述盒子内时所述双层电容传感器的第二差分电容值，根据所述第二差分电容值和所述第一差分电容值，确定所述设备是否出现异常；当确定所述设备未出现异常时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，按照预设的校准方式，确定所述最新的差分电容基准值。
应理解，本申请实施例中获取的第一差分电容值在按照正常情况下，应该是电容值的最小值，因为设备从在盒子外的状态再到盒子内的状态后，其不可能是一直贴近导体的，一旦远离导体就会产生差分电容值的较小的值，此时假定该最小值是只包括差分电容基准值的，而设备在盒子内获取的差分电容值不仅包括基准值，还包括盒子引起的电容信号变化量值，因此，可以将取得的第一差分电容值与在盒子内获取的差分电容进行比较就可以确定当前在盒外取得的第一差分电容基准值是否出现异常，例如，若第一差分电容值大于盒内获取的差分电容值就可以确定目前设备处于异常状态，此时由于设备异常，所以不对设备的差分电容基准值进行校准，不需要重新确定最新的差分电容基准值。
在确定最新的差分电容基准值之前，先通过盒内获取的第二差分电容值对当前获取的差分电容值进行判断，在确定其未出现异常时，才确定是否对差分电容基准值进行校准，可以进一步提高校准的准确性，避免对差分电容基准值进行不必要的校准和更新。
其中，该第二差分电容值可以包括耳机盒引起的电容信号以及差分电容基准值。
在一种可能的实现方式中，所述第一差分电容值为所述设备处于所述盒内之前的时间内获取的最小的差分电容值。
具体来说，当在获取了耳机在盒外状态下的最小的差分电容值后，确定最新的差分电容基准值的过程可以在耳机盒内进行，此时，该第一差分电容值可以为耳机从耳机盒中取出，到再次放入耳机盒中之间的时间内获取的，在这期间，可以按照预定的时间周期，采集双层电容传感器的实时差分电容值，并确定这一期间内的最小的差分电容值作为第一差分电容值。
在一种可能的实现方式中，所述根据所述第二差分电容值和所述第一差分电容值，确定所述设备是否出现异常包括：当所述第一差分电容值小于或等于所述第二差分电容值时，确定所述设备未出现异常；或者，当所述第一差分电容值大于所述第二差分电容值时，确定所述设备出现异常。
在一种可能的实现方式中，所述根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值包括：所述设备处于所述盒子外且耳外的状态时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，确定是否需要对所述差分电容基准值进行校准，若需要校准，则按照预设的校准方式将校准后的差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值，若不需要校准，则所述差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值。
可选地，差分电容基准值的确定过程也可以在耳机盒外进行，此时，可以对差分电容基准值进行及时的校准和更新，保证了差分电容基准值的准确性，从而保证了佩戴结果判定的准确性。
具体来说，当在获取了耳机在盒外状态下的最小的差分电容值后，确定最新的差分电容基准值的过程可以在耳机盒外进行，此时，该第一差分电容值为耳机在耳机盒外且位于耳外状态下获取的最小的差分电容值，应理解，当耳机处于耳机盒外状态时，耳机可能处于耳内，也可能处于耳外，当耳机处于耳内时，其检测得到的第一差分电容值包含了人体引起的电容，此时对耳机进行校准和更新是没有意义的，因此，当在耳机盒外确定是否需要校准差分电容基准值，并确定最新的差分电容基准值时，还需要确定耳机是处于耳外的状态下。
具体来说，该第一差分电容值可以是按照预设的时间周期，例如10min、20min等，根据采样时间周期，如每隔1s，获取双层电容传感器的实时差分电容值，然后在该时间周期内，根据采集的实时差分电容值获得该时间周期内的最小的差分电容值。
在一种可能的实现方式中，所述根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值包括：当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值大于预设的第一阈值时，确定对所述差分电容基准值进行校准；或者，当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值小于或等于预设的第一阈值时，确定不对所述差分电容基准值进行校准，所述第一阈值用于指示所述双层电容传感器处于异常状态。
通过与预设的第一阈值进行比较，当上述差值的绝对值小于或等于第一阈值时，确定不对差分电容基准值进行校准，如此，可以避免不必要的校准，减少对耳机正常工作的影响。
其中，该阈值可以是根据经验获取的阈值，例如，该值可以为10、20等。
在一种可能的实现方式中，所述预设的校准方式包括：若所述第一差分电容值大于所述差分电容基准值，确定校准后的差分电容基准值为：c(ref)校准后=c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k1；或者，若所述第一差分电容值小于所述差分电容基准值，确定校准后的差分电容基准值为：c(ref)校准后= c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k2，其中，c(ref)为所述差分电容基准值，c(ref)校准后为校准后的所述差分电容基准值，c(min)为所述第一差分电容值，k1、k2为校准系数，k1大于或等于0且小于1，k2大于或等于0且小于1。
通过选择不同的校准系数，使得耳机可以在不同的情形中获取不同的校准值，保证了差分电容基准值的准确性，继而保证了耳机佩戴状态检测的准确性。具体地，软件可以根据c(min)和c(ref)的关系来确定选择哪个K值，在c(min)和c(ref)相差比较大的情况下，则自学习的比较快，即本申请可以通过不同的K来体现，通过选择不同的K的取值，以更好的自适应调节基准。
其中，k1、k2大于或等于0且小于1，根据第一差分电容值与差分电容基准值的大小关系，选择不同的校准系数，在不同的情形下对差分电容基准值进行校准，从而保证了差分电容基准值的准确，继而保证了耳机佩戴检测的准确性。
本申请实施例中的具有双层电容传感器的设备，利用差分电容基准值对设备的行为状态进行判断，无需利用设备的前一行为状态进行判断，从而避免因前一状态判断错误时，造成的后续设备状态持续判断错误，保证了设备行为状态检测的准确性。
第二方面，提供了一种电容基准的确定装置，应用于具有双层电容传感器的设备，包括获取模块，用于获取所述双层电容传感器的第一差分电容值，所述第一差分电容值为所述设备处于盒子外的状态下获取的最小的差分电容值，所述盒子为与所述设备配对且用于容置所述设备的配套设备；处理模块，用于根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值。
在一种可能的实现方式中，所述获取模块还用于：获取所述设备位于所述盒子内时所述双层电容传感器的第二差分电容值，根据所述第二差分电容值和所述第一差分电容值，确定所述设备是否出现异常；以及，当确定所述设备未出现异常时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，按照预设的校准方式，确定所述最新的差分电容基准值。
在一种可能的实现方式中，所述第一差分电容值为所述设备处于所述盒内之前的时间内获取的最小的差分电容值。
在一种可能的实现方式中，所述处理模块具体用于：当所述第一差分电容值小于或等于所述第二差分电容值时，确定所述未出现异常；或者，当所述第一差分电容值大于所述第二差分电容值时，确定所述设备出现异常。
在一种可能的实现方式中，所述处理模块具体用于：所述设备处于所述盒子外且耳外的状态时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，确定是否需要对所述差分电容基准值进行校准。
在一种可能的实现方式中，所述第一差分电容值是所述设备处于所述设备盒子外的状态下，在预设时间周期内获取的最小的差分电容值，若需要校准，则按照预设的校准方式将校准后的差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值，若不需要校准，则所述差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值。
在一种可能的实现方式中，所述处理模块具体用于：当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值大于预设的第一阈值时，确定对所述差分电容基准值进行校准；或者，当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值小于或等于预设的第一阈值时，确定不对所述差分电容基准值进行校准，所述第一阈值用于指示所述双层电容传感器处于异常状态。
在一种可能的实现方式中，所述处理模块还用于：若所述第一差分电容值大于所述差分电容基准值，确定校准后的差分电容基准值为：c(ref)校准后=c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k1；或者，若所述第一差分电容值小于所述差分电容基准值，确定校准后的差分电容基准值为：c(ref)校准后= c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k2，其中，c(ref)为所述差分电容基准值，c(ref)校准后为校准后的所述差分电容基准值，c(min)为所述第一差分电容值，k1、k2为校准系数，k1大于或等于0且小于1，k2大于或等于0且小于1。第三方面，提供了一种设备，该设备包括：双层传感器，以及包括第二方面或第二方面的任意可能的实现方式中的电容基准的确定装置。
在一种可能的实现方式中，所述设备为无线耳机，所述盒子为与所述耳机配套的耳机盒。
第四方面，提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和存储器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于调用并运行所述存储器中存储的计算机程序，以执行第一方面或第一方面的任意可能的实现方式中的方法。
第五方面，提供了一种计算机可读存储介质，包括计算机指令，当计算机指令在电子设备上运行时，使得电子设备执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现方式中的方法。
第六方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，当其在电子设备上运行时，使得所述电子设备执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现方式中的方法。
附图说明
图1是无线耳机整体外观图。
图2是电容式sensor在耳机上的布局图。
图3是耳机的电容式sensor与耳朵接触位置示意图。
图4是双层sensor方案检测原理示意图。
图5是佩戴状态判定原理示意图。
图6是本申请实施例的确定电容基准的方法的示意性流程图。
图7是本申请实施例的盒外处理流程示意图。
图8是本申请实施例的盒内的确定最新的差分电容基准值的处理流程的示意图。
图9是本申请实施例的盒外的确定最新的差分电容基准值的处理流程的示意图。
图10是本申请实施例的一种确定电容基准的过程的流程示意图。
图11是本申请实施例中一种电容基准的确定装置的示意图。
图12是本申请实施例中一种芯片结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
在可穿戴设备，例如蓝牙耳机、智能手表、智能手机中，通常利用电容检测方案来检测用户对可穿戴设备的行为状态，例如触摸或靠近等。为了便于描述，以下以配置有电容式传感器的蓝牙耳机为例，对本申请实施例的电容基准的校准方法、装置进行描述。
图1中所示的内置有电容式传感器（sensor）110的耳机，可以通过微小电容检测技术，探测耳机靠近耳朵时电容的变化，来确定用户当前是否佩戴耳机。
目前的电容检测方案主要为单层sensor方案。在单层sensor方案中，可以通过实时检测sensor的电容C，计算电容C的相对变化量来判断耳机的佩戴状态，具体地，可以通过人耳信号signal_deta= C(t)-C(t-n)来判断，其中，C(t)代表当前时刻t时的sensor的电容值，C(t-n)代表前t-n时刻sensor的电容值。将获取的人耳信号signal_deta与预设的阈值进行比较，从而判断当前耳机的佩戴动作或者脱落动作，然后基于前一时刻的耳机状态，以及检测到的实时动作，切换耳机状态，即耳内或耳外状态。然而，在单层sensor方案中，如果初始状态判断错误，或者中间某一次动作检测错误都会导致耳机检测结果持续错误，此时，耳机必须重新上电才能恢复正常。
图2和图3中示出了具有双层sensor的耳机的示意图，其中的双层是指两个传感器存在上下两层的空间关系。相比单个的电容传感器，本身采用双层的双重电容传感器可以提高佩戴检测的准确性，减少误触，例如，耳机放在桌子上时，单个传感器可能会判断是佩戴状态，但是双层sensor就可以减少误触发，例如，差分电容值可以去除温漂影响，进而提高佩戴检测的准确性。其中，具体地，可以定义贴近人耳的sensor 111为正极，其包括正极base电容、人耳引起的电容以及温漂电容，定义贴近耳机内部的sensor 112为负极，其包括负极base电容和温漂电容。
图4给出了双层sensor方案检测的原理示意图，如图4所示，电容式传感器400包括作为信号层410的正极sensor 411，以及作为参考层420的负极sensor 421，当耳机接近耳朵时，正极传感器的电容大小会发生变化，正极传感器输出相应的检测信号到电容检测电路431中，电容检测电路对接收的检测信号进行检测之后，检测信号在模数转换器441中进行模数转换，同时，负极传感器 421也实时检测电容变化，并将检测信号输出给电容检测电路432，然后检测信号在模数转换器442中进行模数转换，进一步，对来自正极传感器411和负极传感器421的经过模数转换之后的检测信号进行信号差分450后输入至处理器460中，最终可以获得双层电容传感器的实时差分电容值。具体来说，正负极sensor（正极sensor411和负极sensor 421）的实时差分电容值可以定义为C(t)，在没有外部导体接近的正常情况下，正负极sensor中的温漂电容可以相互抵消，而且，由于没有外部导体接近，正极也不会产生因导体引起的电容变化，所以，可以定义正负极sensor的基础差分电容作为差分电容基准值C(ref)；另一方面，当有外部导体接近时，正极sensor的电容会发生变化，此时测得实时差分电容值是根据外部导体引起的电容以及正负极基础（base）电容共同决定的。
进一步地，根据实时差分电容值C(t)和差分电容基准值C(ref)就可以对当前耳机的佩戴状态进行判断。具体来说，可以通过获取人耳信号signal_deta=C(t)-C(ref)，然后根据人耳信号以及预设的阈值，判断耳机当前的佩戴状态。应理解，利用电容检测电路检测双层sensor的差分电容的具体过程可以参考现有技术，本申请实施例对此不作过多赘述。图5示出了利用人耳信号以及预设的阈值对耳机的佩戴状态进行判定的原理示意图。如图5所示，在T0时刻，耳机入耳，此时获取的人耳信号signal_deta=C(t)-C(ref)大于预设阈值，因此判定佩戴状态为耳内，在T1时刻后，耳机出耳，测试得到的人耳信号signal_deta（即电容信号变化量）=C(t)-C(ref)小于预设阈值，因此，判定佩戴状态为耳外。
在双层sensor方案中，以C(ref)为差分电容基准值，对耳机的实时佩戴状态进行判定，然而，在上述的双层sensor方案中，保持差分电容基准值C(ref)的准确是获取准确佩戴状态结果的重要因素，在实际应用中，差分电容基准值C(ref)在短时间内可以保持不变，但长期而言，随着sensor材料变化以及外部环境影响（如耳机外壳材料、sensor老化，或者耳机摔落，气候变化等因素），差分电容基准值C(ref)实际值可能会发生变化。所以，如果不根据耳机的实际情况更新上述C(ref)，则可能会导致检测的佩戴结果不准确，同理，也会导致其它的基于电容式传感器检测的电容变化量进行后续判断和控制的操作不准确。
为此，本申请实施例提供一种确定电容基准的方法，通过在耳机使用过程中对差分电容值进行长期追踪，并对差分电容基准值自适应地进行更新，从而保证差分电容基准值的准确性，继而保证了差分电容的变化量的检测的准确性。
图6示出了本申请实施例的确定电容基准的方法600的示意性流程图。图6所示的方法可以由设备中的芯片来执行，该设备可以具有双层电容传感器。如图6所示，方法600可以包括以下步骤中的部分或全部。
为了便于理解，本申请实施例中对其中的设备进行描述时，以耳机为例，对本申请中的根据电容变化量检测的设备的行为状态，以检测耳机中的佩戴状态为例，但本申请并不限于此，例如，除了耳机的佩戴检测之外，本申请的实施例还可以应用于例如智能手表、智能手机等的行为状态检测等。
S610，获取双层电容传感器的第一差分电容值。
其中，所述第一差分电容值为所述设备处于盒子外的状态下获取的最小的差分电容值，所述盒子为与所述设备配对且用于容置所述设备的配套设备。
应理解，本申请实施例中的盒子是与上述设备配套的盒子，例如，当该设备是耳机时，上述盒子可以是与耳机配套的耳机盒。
S620，根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值。
可选地，该差分电容基准值可以为耳机出厂前，耳机在对空状态（即耳机在没有外部导体接近的情况）下获取的差分电容值，或者，也可以为耳机在使用过程中，经过校准之后的差分电容值，或者，也可以是耳机刚上电的情况下的差分电容基准值。
应理解，耳机在使用过程中，由于耳机外壳材料或sensor老化，或者耳机摔落或气候变化等因素，会造成实际的差分电容基准值发生缓慢变化，但是目前的双层电容传感器耳机中，并没有考虑差分电容基准值会发生变化的情形，该实施例中，通过获取盒外状态下的耳机的最小的差分电容值，并根据获取的最小的差分电容值与差分电容基准值进行比较，确定最新的差分电容基准值，从而可以避免由于耳机实际的差分电容基准值发生变化，而导致检测的佩戴结果不准确的问题。其中，在正常情况下，若没有外部导体接近时，该实施例中获取的最小差分电容可以是对空状态下的差分电容，因此，若耳机并没有因为材料老化以及外部影响等因素导致其差分电容基准值发生变化，则在耳机盒外获取的该最小的差分电容值与差分电容基准值应该是相同的，即该实施例的实质在于，根据耳机在没有外部导体接近时的两个差分电容值，判断是否需要对差分电容基准值进行校准。
应理解，该实施例中获取第一差分电容值，可以是耳机根据预设的采样周期，采集的不同时刻的双层sensor的多个差分电容，然后从采集的多个差分电容值中选择最小值。
如图7示出了本申请实施例的一个获取第一差分电容值的流程示意图。如图7所示，首先可以获取t0时刻的双层sensor的差分电容C(0)，并记为C(min)，然后按照预设的采样周期，（例如，可以是每隔1s或者1min，本申请对此不做限制，可以依据实际情况进行取值）对双层sensor的实时差分电容值进行采样，并将采样结果记录为C(t)（其中，t可以取任意自然数），将C(t)与C(min)进行比较，若C(t)大于C(min)，则继续采样，若C(t)小于C(min)，则将当前的C(t)更新为C(min)，重复该过程，直至进入校准过程。
可选地，对于采样后，确定最新的差分电容基准值的过程，可以是在耳机盒外进行的，或者，也可以是在耳机盒内进行的。
图8示出了设备在盒子内确定最新的差分电容基准值的处理过程的流程示意图。如图8所示，设备放入盒子内后，可以先采集设备放入盒内后的第二差分电容值，记录为C(box)，该C(box)可以包含由盒子（box）引起的电容和差分电容基准值两部分。具体地，所述方法还包括：获取作数设备位于所述盒子内时所述双层电容传感器的第二差分电容值。
应理解，当耳机在耳机盒内确定最新的差分电容基准值时，图7中获取的第一差分电容是耳机从耳机盒中取出，到再放入耳机盒中间的时间段内获取的最小的差分电容值。
进一步地，根据该第二差分电容值和图7中获取的第一差分电容值，确定耳机是否出现异常。具体来说，当第一差分电容值小于或等于第二差分电容值时，确定耳机未出现异常；或者，当第一差分电容值大于第二差分电容值时，确定设备出现了异常。应理解，当第一差分电容值大于第二差分电容值时，说明第一差分电容值可能包含外部导体的电容信号，这种情况下无法对差分电容基准值进行校准，因此，如果判断当前耳机处于异常情况下，可以放弃校准（即不更新差分电容基准值）；另一方面，若第一差分电容值小于或等于第二差分电容值，即确定耳机未出现异常时，则需要进一步判断是否需要对差分电容基准是进行校准，具体地，当确定所述耳机未出现异常时，可以根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，按照预设的校准方式，确定所述最新的差分电容基准值。
本申请实施例中的在耳机盒内利用第二差分电容值判断设备是否出现异常，并进一步根据异常判断状态确定是否对设备的电容基准值进行校准，可以基于多个边界条件进行约束，这样可以进一步对需要进行校准的情况进行筛选，进而可以提供更加准确的电容基准值，提高电容变化量的检测的准确性，保证设备的行为状态检测的准确性。
以下步骤为根据第一差分电容值和差分电容基准值，进一步判断是否对差分电容基准值进行校准，以及确定最新的差分电容基准值的过程。
具体地，根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值可以包括：当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值大于预设的第一阈值时，确定对所述差分电容基准值进行校准；或者，当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值小于或等于预设的第一阈值时，确定不对所述差分电容基准值进行校准，所述第一阈值用于指示所述双层电容传感器处于异常状态。
可选地，该第一阈值可以是根据经验值获取的，预先配置的阈值，例如该阈值可以是10、20等，本申请实施例对此不作限定，可以根据实际情况进行调整设定。
进一步地，所述预设的校准方式包括：若所述第一差分电容值大于所述差分电容基准值，确定校准后的差分电容基准值为：c(ref)校准后=c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k1；或者，若所述第一差分电容值小于所述差分电容基准值，确定校准后的差分电容基准值为：c(ref)校准后= c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k2，其中，c(ref)为所述差分电容基准值，c(ref)校准后为校准后的所述差分电容基准值，C(min)为所述第一差分电容值，k1、k2为校准系数，k1大于或等于0且小于1，k2大于或等于0且小于1。
根据不同的校准系数对差分电容基准值进行校准后，耳机可以进入sleep状态。具体地，软件可以根据c(min)和c(ref)的关系来看确定选择哪个K值，在c(min)和c(ref)相差比较大的情况下，则自学习的比较快，即本申请可以通过不同的K来体现，通过选择不同的K的取值，以更好的自适应调节基准。
应理解，本申请实施例中，耳机处于耳机盒内时，若确定不需要对耳机的差分电容基准值进行校准，则耳机随后可以进入sleep状态。
可选地，k1、k2可以为相同的数值，此时，校准后的差分电容基准值在第一差分电容大于或小于差分电容基准值是相同的，或者，k1、k2也可以为不同的数值，此时，根据第一差分电容值以及差分电容基准值的大小关系，可以得到不同的校准值，本申请对k1、k2的大小关系不做限制。优选地，若所述第一差分电容值与所述差分电容基准值相差较大，则可以采用较大的校准系数K来加快所述校准的过程。例如，若所述第一差分电容值大于所述差分电容基准值，使得所述k1大于k2，则根据c(ref)校准后=c(ref)+（c(min)-c(ref)）*k1，进而可以更快的得到更准确的所述最新的差分电容基准值。
除图8中示出的设备处于盒子内状态下，确定最新的差分电容基准值的处理过程，本申请实施例还提供了如图9所示的当设备处于盒子外状态下，确定最新的差分电容基准值的处理流程的示意图。
与图8中的盒内处理流程的不同之处在于，在获取第一差分电容值后，设备并未放入盒中进行确定最新的差分电容基准值的过程，而是在盒子外的状态下，确定最新的差分电容基准值，具体地，所述根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值包括：当设备处于所述盒子外且耳外的状态时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，确定是否需要对所述差分电容基准值进行校准，若需要校准，则按照预设的校准方式将校准后的差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值，若不需要校准，则所述差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值。
应理解，当耳机处于盒外状态下对差分电容基准值进行校准时，由于耳机可能处于耳内状态，而当耳机处于耳内状态时，检测得到的第一差分电容值必然是包括了耳朵（即外部导体）引起的电容变化量，此时对差分电容基准值进行校准是没有意义的，因此，当耳机处于耳内状态时，不对差分电容基准值进行校准，也就是说，当耳机处于盒外状态，且处于耳外时才确定是否对差分电容基准值进行校准。
应理解，本申请实施例中的耳机与配套的耳机盒可以设置有对应的端子，该端子可以检测到耳机是否处于盒内，进一步地，耳机内用于佩戴检测的芯片可以接收到耳机的主控检测到的耳机是否处于盒子内的消息，进而，用于佩戴检测的芯片就可以根据该消息进行相应的处理。
应理解，当耳机处于耳机盒外状态下，确定最新的差分电容基准值时，图7中获取的第一差分电容值是在预设的时间周期内获取的，具体来说，第一差分电容值是所述设备处于所述盒子外的状态下，在预设时间周期内获取的最小的差分电容值。其中，在预设时间周期内可以按照预设的采样周期对实时差分电容值进行采集，如在预设时间周期1h内，按照预设采样周期每隔1min采样一次，确定预设时间周期1h内的第一差分电容值，具体采样过程可以参考图7中的描述，此处不再做过多重复赘述。
本申请实施例中的对设备处于盒外状态下的检测，可以对设备的差分电容基准值进行及时的检测和校准，从而避免了对设备的行为状态的错误检测结果，进一步提高了用户的体验。
进一步地，根据第一差分电容值和差分电容基准值确定是否需要对差分电容基准值进行校准。对于确定是否需要对差分电容基准值进行校准的过程与图8中的对应过程相同，此处不再做重复赘述。
应理解，若耳机在上述预设时间周期内是处于耳内状态进行采样时，则耳机在判断佩戴状态为耳内后，可以直接放弃校准，进入下一预设时间周期进行采样。例如，预设时间周期为1h，耳机在1h获取了最小的差分电容值（即第一差分电容值），并判断此时耳机处于耳内状态，则耳机确定直接放弃对差分电容基准值进行校准，并进入下一个时间周期，开始下一时间周期的最小的差分电容值的确定过程。
在该实施例中，为了对耳机的佩戴状态进行判断，可以进行如下步骤：获取第三差分电容值，所述第三差分电容值为所述耳机处于所述耳机盒外状态下获取的电容值；根据所述第三差分电容值、所述差分电容基准值以及预设的第二阈值，确定所述耳机处于耳内或耳外状态。应理解，该第三差分电容值可以为耳机处于盒外状态下的任意时刻获取的差分电容值，进一步地，可以根据人耳信号signal_deta=C(t)-C(ref)以及第二阈值的关系判断耳机的佩戴状态，具体判断过程如图5所示，此处不再做重复赘述。
应理解，当耳机处于耳机盒外状态下，确定最新的差分电容基准值时，与图8中的在耳机盒内进行处理的过程相比，耳机处于盒外时不需要获取C(box)，并将第一差分电容值与C(box)进行比较，或者可选地，耳机处于盒外时，也可以预配置一个差分电容参考值，先将第一差分电容值与预配置的差分电容参考值进行比较判断耳机是否处于异常状态后，再根据第一差分电容值与差分电容基准值确定最新的差分电容基准值。
应理解，本申请实施例中，当耳机处于盒外状态下确定最新的差分电容基准值时，在每个预设的时间周期之后可以设置一定的时间间隔，使得耳机可以在该时间间隔内对获取的第一差分电容值和差分电容基准值或第二差分电容值的关系进行比较，从而确定是否对差分电容基准值进行校准，并在确定进行校准后，确定最新的差分电容基准值；或者可选地，上述确定以及校准过程也可以是与差分电容采样过程同步进行，本申请实施例对此不作限定。
图10是本申请实施例的一种确定电容基准的过程的流程示意图。本申请实施例中以包含双层电容传感器的设备为耳机为例进行描述，但本申请实施例不限于此。
如图10所示，该流程可以包括：1010，耳机出厂时，对正负极差分电容基准值做初始化校准，具体地，可以是在没有外部导体接触时获取正负极差分电容值作为基准值。
1020，耳机出盒。
1030，在盒外采集正负极传感器sensor电容值，并根据正负极sensor电容值，获取实时的差分电容值（步骤1031），然后记录差分电容值的最小值（步骤1032）。
1040，耳机入盒。
1050，判断当次盒外记录的差分电容最小值是否异常，如果异常则直接放弃校准（即不用确定最新的差分电容基准值）进入休眠（sleep）状态，如果正常，则确定差分电容基准值可能需要校准，即需要确定最新的差分电容基准值，进入下一步骤。具体来说，可以是根据在盒内获取的盒内差分电容值C(box)与差分电容最小值进行比较，若差分电容最小值大于C(box)，则确认耳机处于异常状态，若差分电容最小值小于C(box)，则确认耳机处于正常状态。
1060，判断当次盒外记录的差分电容最小值与***内存储的差分电容基准值的偏差，若偏差较小则无需校准，可以直接放弃校准并进入睡眠sleep（步骤1080）状态，或者，若偏差较大，则可能需要校准，准备进入下一步骤。具体来说，可以将差分电容最小值与差分电容基准值的偏差的绝对值与预设的阈值进行比较，若偏差的绝对值大于预设阈值，则可能需要校准，若偏差的绝对值小于预设的阈值，不需要校准（即还是使用当前的差分电容基准值作为最新的差分电容基准值）。
1070，对比当次盒外记录的差分电容最小值与差分电容基准值的大小关系，并根据大小关系选择不同的校准系数，对差分电容基准值进行校准（即确定最新的差分电容基准值）。
1080，校准后，进入sleep状态。
应理解，该实施例中的sleep状态为耳机放入盒内后的休眠状态。
本申请实施例还提供一种电容基准的确定装置，可以应用于具有双层电容传感器的设备，该校准装置可以为设备中的芯片等。该校准装置可以执行上述任意实施例中的确定电容基准的方法，对该校准装置的详细描述可以参考针对前述确定电容基准的方法的描述。
如图11所示，该电容基准的确定装置包括获取模块1101和处理模块1102，其中，获取模块1101用于获取所述双层电容传感器的第一差分电容值，所述第一差分电容值为所述设备处于耳机盒外状态下获取的最小的差分电容值，所述盒子为与所述设备配对且用于容置所述设备的配套设备；处理模块1102用于根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值。
可选地，在一种实现方式中，所述获取模块1101还用于：获取所述设备位于所述盒子内时所述双层电容传感器的第二差分电容值，根据所述第二差分电容值和所述第一差分电容值，确定所述耳机是否出现异常；以及，当确定所述设备未出现异常时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，按照预设的校准方式，确定所述最新的差分电容基准值。
可选地，在一种实现方式中，所述第一差分电容值为在所述设备放入所述盒子之前的时间内获取的最小的差分电容值。
可选地，在一种实现方式中，所述处理模块1102具体用于：当所述第一差分电容值小于或等于所述第二差分电容值时，确定所述设备未出现异常；或者，当所述第一差分电容值大于所述第二差分电容值时，确定所述设备出现异常。
可选地，在一种实现方式中，所述处理模块1102具体用于：所述设备处于所述盒子外且耳外的状态时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，确定是否需要对所述差分电容基准值进行校准，若需要校准，则按照预设的校准方式将校准后的差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值，若不需要校准，则所述差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值。
可选地，在一种实现方式中，所述处理模块1102具体用于：当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值大于预设的第一阈值时，确定对所述差分电容基准值进行校准；或者，当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值小于或等于预设的第一阈值时，确定不对所述差分电容基准值进行校准，所述第一阈值用于指示所述双层电容传感器处于异常状态。
可选地，在一种实现方式中，所述处理模块1102还用于：若所述第一差分电容值大于所述差分电容基准值，确定校准后的差分电容基准值为：c(ref)校准后=c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k1；或者，若所述第一差分电容值小于所述差分电容基准值，确定校准后的差分电容基准值为：c(ref)校准后= c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k2，其中，c(ref)为所述差分电容基准值，c(ref)校准后为校准后的所述差分电容基准值，C(min)为所述第一差分电容值，k1、k2为校准系数，k1大于或等于0且小于1，k2大于或等于0且小于1。
本申请实施例还提供了一种设备，包括上述任一实施例中所述的电容基准的校准装置，以及双层电容传感器。
可选地，该设备可以为无线耳机，所述盒子为与所述耳机配套的耳机盒。
图12是本申请实施例的一种芯片1200的示意性结构图。图12所示的芯片1200包括存储器1201和处理器1202。
其中，存储器1201，用于存储可执行指令；处理器1202，用于调用并运行所述存储器中1201的所述可执行指令，以实现本申请实施例中的方法。
上述的处理器可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法实施例的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器、数字信号处理器（Digital Signal Processor，DSP）、专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，ASIC）、现成可编程门阵列（Field Programmable Gate Array，FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
上述的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、可编程只读存储器（Programmable ROM，PROM）、可擦除可编程只读存储器（Erasable PROM，EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（Electrically EPROM，EEPROM）或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器（Random Access Memory，RAM），其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）、动态随机存取存储器（Dynamic RAM，DRAM）、同步动态随机存取存储器（Synchronous DRAM，SDRAM）、双倍数据速率同步动态随机存取存储器（Double Data Rate SDRAM，DDR SDRAM）、增强型同步动态随机存取存储器（Enhanced SDRAM，ESDRAM）、同步连接动态随机存取存储器（Synchlink DRAM，SLDRAM）和直接内存总线随机存取存储器（Direct Rambus RAM，DRRAM）。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序。该计算机可读存储介质可应用于本申请实施例中的装置，并且该计算机程序使得该装置执行本申请实施例的各个方法。
本申请实施例还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序指令。该计算机程序产品可应用于本申请实施例中的装置，并且该计算机程序指令使得该装置执行本申请实施例的各个方法。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的***、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的***、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种确定电容基准的方法，其特征在于，应用于具有双层电容传感器的设备，所述方法包括：
获取所述双层电容传感器的第一差分电容值，所述第一差分电容值为所述设备处于盒子外的状态下获取的最小的差分电容值，所述盒子为与所述设备配对且用于容置所述设备的配套设备；
当所述设备为处于盒子内的状态，或者所述设备为处于盒子外且耳外的状态时，根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值；
所述根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值包括：
当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值大于预设的第一阈值时，按照预设的校准方式，确定所述最新的差分电容基准值；或者，
当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值小于或等于预设的第一阈值时，则所述差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值，所述第一阈值用于指示所述双层电容传感器处于异常状态。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：获取所述设备位于所述盒子内时所述双层电容传感器的第二差分电容值，根据所述第二差分电容值和所述第一差分电容值，确定所述设备是否出现异常；
当确定所述设备未出现异常时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，按照预设的校准方式，确定所述最新的差分电容基准值。
3.根据权利要求2所述的方法，所述第一差分电容值为所述设备位于所述盒子内之前的时间内获取的最小的差分电容值。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二差分电容值和所述第一差分电容值，确定所述设备是否出现异常包括：
当所述第一差分电容值小于或等于所述第二差分电容值时，确定所述设备未出现异常；或者
当所述第一差分电容值大于所述第二差分电容值时，确定所述设备出现异常。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值包括：
所述设备处于所述盒子外且耳外的状态时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，确定是否需要对所述差分电容基准值进行校准，若需要校准，则按照预设的校准方式将校准后的差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值，若不需要校准，则所述差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值包括：
当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值大于预设的第一阈值时，确定对所述差分电容基准值进行校准；或者，
当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值小于或等于预设的第一阈值时，确定不对所述差分电容基准值进行校准，所述第一阈值用于指示所述双层电容传感器处于异常状态。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设的校准方式包括：
若所述第一差分电容值大于所述差分电容基准值，确定校准后的所述最新的差分电容基准值为：
c(ref)校准后=c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k1；或者，
若所述第一差分电容值小于所述差分电容基准值，确定校准后的所述最新的差分电容基准值为：
c(ref)校准后= c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k2，
其中，c(ref)为所述差分电容基准值，c(ref)校准后为校准后的所述最新的差分电容基准值，c(min)为所述第一差分电容值，k1、k2为校准系数，k1大于或等于0且小于1，k2大于或等于0且小于1，且k1大于k2。
8.一种电容基准的确定装置，其特征在于，应用于具有双层电容传感器的设备，包括：
获取模块，用于获取所述双层电容传感器的第一差分电容值，所述第一差分电容值为所述设备处于盒子外状态下获取的最小的差分电容值，所述盒子为与所述设备配对且用于容置所述设备的配套设备；
处理模块，用于当所述设备为处于盒子内的状态，或者所述设备为处于盒子外且耳外的状态时，根据所述第一差分电容值和差分电容基准值，确定最新的差分电容基准值；
所述处理模块具体用于：
当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值大于预设的第一阈值时，按照预设的校准方式，确定所述最新的差分电容基准值；或者，
当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值小于或等于预设的第一阈值时，则所述差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值，所述第一阈值用于指示所述双层电容传感器处于异常状态。
9.根据权利要求8所述的确定装置，其特征在于，所述获取模块还用于：
获取所述设备位于所述盒子内时所述双层电容传感器的第二差分电容值，
根据所述第二差分电容值和所述第一差分电容值，确定所述设备是否出现异常；以及，
当确定所述设备未出现异常时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，按照预设的校准方式，确定所述最新的差分电容基准值。
10.根据权利要求9所述的确定装置，其特征在于，所述第一差分电容值为所述设备处于所述盒子内之前的时间内获取的最小的差分电容值。
11.根据权利要求9所述的确定装置，其特征在于，所述处理模块具体用于：
当所述第一差分电容值小于或等于所述第二差分电容值时，确定所述设备未出现异常；或者，
当所述第一差分电容值大于所述第二差分电容值时，确定所述设备出现异常。
12.根据权利要求8所述的确定装置，其特征在于，所述处理模块具体用于：
所述设备处于所述盒子外且耳外的状态时，根据所述第一差分电容值和所述差分电容基准值，确定是否需要对所述差分电容基准值进行校准，若需要校准，则按照预设的校准方式将校准后的差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值，若不需要校准，则所述差分电容基准值作为所述最新的差分电容基准值。
13.根据权利要求9-12中任一项所述的确定装置，其特征在于，所述处理模块具体用于：
当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值大于预设的第一阈值时，确定对所述差分电容基准值进行校准；或者，
当所述第一差分电容值和所述差分电容基准值的差值的绝对值小于或等于预设的第一阈值时，确定不对所述差分电容基准值进行校准，所述第一阈值用于指示所述双层电容传感器处于异常状态。
14.根据权利要求13所述的确定装置，其特征在于，所述处理模块还用于：
若所述第一差分电容值大于所述差分电容基准值，确定校准后的所述最新的差分电容基准值为：
c(ref)校准后=c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k1；或者，
若所述第一差分电容值小于所述差分电容基准值，确定校准后的所述最新的差分电容基准值为：
c(ref)校准后= c(ref) +（c(min)-c(ref)）*k2，
其中，c(ref)为所述差分电容基准值，c(ref)校准后为校准后的所述最新的差分电容基准值，c(min)为所述第一差分电容值，k1、k2为校准系数，k1大于或等于0且小于1，k2大于或等于0且小于1，且k1大于k2。
15.一种芯片，所述芯片包括处理器和存储器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于调用并运行所述存储器中存储的计算机程序，以执行如权利要求1-7中任一项所述的方法。
16.一种设备，其特征在于，包括：
双层电容传感器；以及，
根据权利要求8-14中任一项所述的确定装置。
17.根据权利要求16所述的设备，其特征在于：
所述设备为无线耳机，所述盒子为与所述耳机配套的耳机盒。
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