CN112531122B - 一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法 - Google Patents

一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法，包括以下步骤：步骤1、SnO2微米线的生长制备；步骤2、利用步骤1中所得SnO2微米线制备异质结光电探测器。本发明氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器，并测试了其光电性能，该器件具有响应度高、响应速度快、稳定性好，响应光谱宽（响应波长区间：200‑350纳米）等特点，所以本发明设计的PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器件具有重要的研究和应用价值。

Description

一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法
技术领域
本发明属于光电探测器领域，具体涉及一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其的制备方法。
背景技术
半导体材料作为新材料的重要组成部分，它支撑着电子信息产业的发展。随着科学技术的高速发展，现代高科技对半导体材料需求越来越大，半导体市场具有非常大的发展潜力。近年来，宽禁带半导体材料受到了国内外科研工作者的广泛研究，其主要研究领域包括光电探测器、太阳能电池、高功率器件等。
紫外光是指光谱中波长从10～400nm波段的总称，自紫外光被发现以来，紫外探测技术便引起了国内外科研工作者的广泛研究。光电探测器是一种可以把光信号转化为电信号的器件，其中紫外光电探测器广泛应用于导弹预警、空间探测、生物医学、太空无线电通讯等领域。在现阶段，已经有宽带隙半导体材料如金刚石，氧化镓，氮化镓，氧化锌以及合金材料GaAlN、ZnMgO等应用于紫外探测。通过调研，发现在紫外波段250nm-350nm区间，只有通过调节合金GaAlN或ZnMgO组分改变带宽，才能在该波段探测。但是组分调节会引起晶格结构的改变，进而引起材料内部形成大量晶格缺陷，导致器件功能下降。
二氧化锡（SnO2）作为一种宽禁带半导体材料，在室温下，禁带宽度为3.6～4.15eV,正对应着波长在250nm-350nm之间的紫外波段。但是从目前报道来看，还没有报道利用SnO2本征带宽的特性实现紫外探测。
发明内容
本发明设计了一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法，其解决的技术问题是现有设计中对于紫外波段250nm-350nm区间，只有通过调节合金GaAlN或ZnMgO组分改变带宽，才能在该波段探测。但是组分调节会引起晶格结构的改变，进而引起材料内部形成大量晶格缺陷，导致器件功能的下降。
为了解决上述存在的技术问题，本发明采用了以下方案：
一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器的制备方法，包括以下步骤：步骤1、SnO2微米线的生长制备；步骤2、利用步骤1中所得SnO2微米线制备异质结光电探测器。
优选地，所述步骤1中包括以下分步骤：先将二氧化锡粉末和碳粉混合，并研磨均匀成混合粉末；在反应容器中放入所述混合粉末，并将洁净的硅片放在所述反应容器上方；加热装置中以固定的升温速率升至生长温度，保持所述生长温度不变，并持续向所述加热装置中通入保护气和反应气的混合气体；洁净的硅片和反应容器放置在所述加热装置中，碳粉将二氧化锡还原成单质锡的蒸气，单质锡的蒸气再与反应气气发生反应，重新结晶，在硅片上生成二氧化锡微米线，待生长完成后，可得到高结晶质量的SnO2微米线。
其中，反应容器可以为刚玉。加热装置可以为水平管式炉；刚玉放入水平管式炉之前可以先放入石英管中，再将石英管放入水平管式炉中。
优选地，所述步骤1中二氧化锡和碳粉质量比为1：0.8～1.2。
优选地，所述步骤1中所述生长温度为900～1100 ℃。
优选地，所述步骤1中保护气为氩气或者氮气的一种，反应气为氧气；保护气流量为100～200sccm，反应气流量为0～10 sccm。
优选地，所述步骤1中样品的生长时间为30-60min。
优选地，所述步骤2中包括以下分步骤：选出一根结晶度良好的SnO2微米线，将其放置在洁净的衬底上，利用掩膜或光刻工艺，在其一端蒸镀金属接触电极；然后向SnO2微米线另一端上滴PEDOT:PSS溶液，PEDOT:PSS溶液可以很好地将SnO2微米线包裹，然后将其烘干干燥，烘干后两种不同半导体形成核壳结构，最后再利用掩膜或光刻工艺，在PEDOT:PSS上再蒸镀金属接触电极，即得到PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器。
优选地，所述步骤2中的所述金属接触电极为钛、铝、铟、镍、铂、金、银、钼、钽、钴和钨构成的单层金属或它们中多种组合而成金属复合层。
优选地，所述步骤2中，所述衬底为刚性衬底或柔性衬底；所述刚性衬底为硅，石英玻璃、蓝宝石或云母；所述柔性衬底为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器，其特征在于：包括：衬底、n型SnO2半导体材料和p型有机导电聚合物PEDOT:PSS材料，以及在p、n型层上制备的金属接触电极材料；其中，单根SnO2微米线的截面宽度为1-15微米，截面厚度为1-15微米，微米线的长度为0.1-1.5厘米，PEDOT:PSS有机导电聚合物薄膜的厚度为10-1000纳米。
进一步，氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器有源区为p/n结异质结构，所述n型为SnO2宽带隙材料，所述p型为PEDOT:PSS薄膜。
该氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法具有以下有益效果：
（1）本发明氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器，并测试了其光电性能，该器件具有响应度高、响应速度快、稳定性好，响应光谱宽（响应波长区间：200-350纳米）等特点，所以本发明设计的PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器件具有重要的研究和应用价值。
（2）本发明宽谱紫外光电探测器为PN异质结结构，具有良好的整流效果。
（3）本发明宽谱紫外光电探测器具有很高的响应度，在-5V偏压下,响应度可达35A/W。微纳米器件由于尺寸小，电极间距近，光生载流子在电场作用下向两端电极渡越时间短，相比传统平面PN异质结器件，其响应速度和响应度都会提高。
（4）本发明宽谱紫外光电探测器在不加偏压的情况下，具有自驱动的特性，响应度可达50mA/W。
（5）本发明宽谱紫外光电探测器克服了SnO2自身固有的持续光电导效应，响应速度提高显著，由单根SnO2的几分钟缩短至了0.2s。导致二氧化锡持续光电导效应的原因之一为其表面对气体的吸附，由于PEDOT:PSS包裹在微米线外侧，减少了对气体的吸附，相应的改善了材料的持续光电导效应，加快了器件的响应时间。
（6）本发明宽谱紫外光电探测器具有很好的稳定性，可在自然环境下长期保存，不影响其性能。
附图说明
图1为本发明PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器的结构示意图。
图2为单根SnO2微米线的SEM图片。
图3为本发明PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器在不同波段的I-V曲线。
图4为本发明PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器在不同波段的响应度曲线。
图5为本发明PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器在不同波段的重复性曲线。
图6为本发明PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器的响应速度曲线。
具体实施方式
下面结合图1至图6，对本发明做进一步说明：
如图1所示，
实施例1：
SnO2微米线的制备。第一步清洗硅片，分别称取质量比1:1的SnO2粉末和石墨粉末，将粉末放入研钵中混合均匀，然后充分研磨，研磨时间为2小时以上。第二步清洗硅片，具体流程为①将硅片切成2cm×2cm大小的正方形薄片，所用硅片为N型硅；②将硅片放入烧杯中，先后使用丙酮、酒精、去离子水进行超声清洗，清洗时间为10min，清洗完成后用氮气吹干；③第三步准备样品，称取3g研磨均匀的混合粉末放入刚玉舟中，然后将硅片竖直放置在刚玉舟的上方；第三步管式炉升温，将石英管放入水平管式炉中，石英管一端通入混合气体，气体流量为Ar：120sccm，O2：2sccm，另一端开口。然后将管式炉200min内升温至1050℃，并保持该温度不变。第四步进行实验，将刚玉舟放入石英管，使其处于管式炉恒温区处。生长时间为60min,降至室温后取出样品，在硅片上可得到高结晶质量的SnO2微米线。
PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器的制备。第一步清洗衬底，衬底为切好的石英玻璃片,玻璃片的大小为1×1 cm，先后用丙酮、酒精、去离子水清洗10min,清洗完成后用氮气吹干。精选出一根高结晶质量的SnO2微米线，将其转移到洁净的石英玻璃片上，然后在微米线一端蒸镀金属铟作为电极，再将适量的PEDOT:PSS溶液滴在SnO2微米线另一侧，覆盖面积为单根微米线的一半,将未完成的器件放入烘箱中，烘干后取出，在另一端PEDOT：PSS薄膜上蒸镀铟作为电极，器件制备完成。
实施例2：
本实施例除下述特征外，其它均与实施例 1 相同：本实施例中称取质量比为5:4的SnO2粉末与石墨粉混合后充分研磨。
实施例3：
本实施例除下述特征外，其它均与实施例 1 相同：本实施例中管式炉升温至1000℃，并保持该温度不变。
上面结合附图对本发明进行了示例性的描述，显然本发明的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、SnO2微米线的生长制备；
步骤2、利用步骤1中所得SnO2微米线制备异质结光电探测器；
所述步骤2中包括以下分步骤：选出一根结晶度良好的SnO2微米线，将其放置在洁净的衬底上，利用掩膜或光刻工艺，在其一端蒸镀金属接触电极；然后向SnO2微米线上滴PEDOT:PSS溶液，PEDOT:PSS溶液很好地将SnO2微米线包裹，然后将其烘干干燥，烘干后两种不同半导体形成核壳结构，最后再利用掩膜或光刻工艺，在PEDOT:PSS上再蒸镀金属接触电极，即得到PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器。
2.根据权利要求1所述的氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：
所述步骤1中包括以下分步骤：
先将二氧化锡粉末和碳粉混合，并研磨均匀成混合粉末；
在反应容器中放入所述混合粉末，并将洁净的硅片放在所述反应容器上方；
加热装置中以固定的升温速率升至生长温度，保持所述生长温度不变，并持续向所述加热装置中通入保护气和反应气的混合气体；
洁净的硅片和反应容器放置在所述加热装置中，碳粉将二氧化锡还原成单质锡的蒸气，单质锡的蒸气再与反应气气发生反应，重新结晶，在硅片上生成二氧化锡微米线，待生长完成后，可得到高结晶质量的SnO2微米线。
3.根据权利要求2所述的氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：
所述步骤1中二氧化锡和碳粉质量比为1：0.8～1.2。
4.根据权利要求2所述的氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤1中所述生长温度为900～1100 ℃。
5.根据权利要求2所述的氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤1中保护气为氩气或者氮气的一种，反应气为氧气；保护气流量为100～200sccm，反应气流量为0～10 sccm。
6.根据权利要求2所述的氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤1中样品的生长时间为30-60min。
7.根据权利要求1所述的氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：
所述步骤2中的所述金属接触电极为钛、铝、铟、镍、铂、金、银、钼、钽、钴和钨构成的单层金属或它们中多种组合而成金属复合层。
8.根据权利要求1所述的氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，所述衬底为刚性衬底或柔性衬底；所述刚性衬底为硅，石英玻璃、蓝宝石或云母；所述柔性衬底为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
9.一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器，其特征在于：包括：衬底、n型SnO2半导体材料和p型有机导电聚合物PEDOT:PSS材料，以及在p、n型层上制备的金属接触电极材料；其中，单根SnO2微米线的截面宽度为1-15微米，截面厚度为1-15微米，微米线的长度为0.1-1.5厘米，PEDOT:PSS有机导电聚合物薄膜的厚度为10-1000纳米。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298082A (ja) * 2002-03-28 2003-10-17 Asahi Kasei Corp 複合半導体
WO2006107312A1 (en) * 2004-06-15 2006-10-12 President And Fellows Of Harvard College Nanosensors
WO2012167282A1 (en) * 2011-06-02 2012-12-06 Brown University High-efficiency silicon-compatible photodetectors based on ge quantumdots and ge/si hetero-nanowires
CN105355788A (zh) * 2015-11-06 2016-02-24 昆明物理研究所 ZnO纳米晶与有机聚合物异质结垂直结构紫外光伏探测器
CN110804724A (zh) * 2019-11-25 2020-02-18 东北师范大学 一种二氧化锡微米线的可控制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9685567B2 (en) * 2012-07-20 2017-06-20 Nutech Ventures Nanocomposite photodetector
US10651409B2 (en) * 2012-07-20 2020-05-12 Nutech Ventures Narrowband nanocomposite photodetector
CN105244440B (zh) * 2015-09-21 2017-09-15 长安大学 一种柔性薄膜型PEDOT‑ZnO紫外光探测器及其制备方法
CN106025080A (zh) * 2016-07-13 2016-10-12 电子科技大学 一种对紫外/可见/红外响应的宽光谱有机探测器件
CN109698278B (zh) * 2018-12-18 2023-07-21 哈尔滨工业大学 一种有机无机复合结构自驱动日盲紫外探测器及制备方法
CN110416414B (zh) * 2019-08-02 2021-05-04 华南师范大学 一种紫外探测器及其制备方法
CN111564561B (zh) * 2020-05-07 2022-03-29 东北师范大学 一种PPy/SnO2异质结、其应用、其制备方法及光电探测器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298082A (ja) * 2002-03-28 2003-10-17 Asahi Kasei Corp 複合半導体
WO2006107312A1 (en) * 2004-06-15 2006-10-12 President And Fellows Of Harvard College Nanosensors
WO2012167282A1 (en) * 2011-06-02 2012-12-06 Brown University High-efficiency silicon-compatible photodetectors based on ge quantumdots and ge/si hetero-nanowires
CN105355788A (zh) * 2015-11-06 2016-02-24 昆明物理研究所 ZnO纳米晶与有机聚合物异质结垂直结构紫外光伏探测器
CN110804724A (zh) * 2019-11-25 2020-02-18 东北师范大学 一种二氧化锡微米线的可控制备方法

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