CN112505974B - 一种走线结构及液晶显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种走线结构及液晶显示面板。本申请技术方案在涂覆有半导体硅层的短路棒经过干蚀刻后，形成第一开口，位于第一开口内的半导体硅层被蚀刻掉后，短路棒本身的金属裸露于第一开口内，且该第一开口用于与转接件贴合设置，为了减轻寄生薄膜晶体对相邻的两条转接线之间的讯号干扰，可使靠近焊接引线的半导体硅层与转接件间隔设置，使得转接件朝向转接线的一侧与靠近焊接引线的半导体硅层分开，而是使相邻的两条转接线连接靠近焊接引线的半导体硅层，形成漏电路径，漏电路径的长度加长，使得相邻的两条转接线受到寄生薄膜晶体的影响降低，保证讯号的稳定。
Description
技术领域
本申请涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种走线结构及液晶显示面板。
背景技术
目前在显示面板行业覆晶薄膜晶体的绑定作业(COF bonding)前，需要通过短路棒(shorting bar)点灯的方式来进行点灯测试。在完成测试后，需要将短路棒(shortingbar)的走线用激光器(laser)切掉。而一般的短路棒(shorting bar)走线结构M1以及焊接引线(bonding lead)之间的走线结构M2分别是金属层，该金属层存在坡度角，在半导体硅(AS)干刻蚀时时间不足或干刻蚀能量不足，则容易导致坡度角上的AS有残留，残留的AS会导致M1和两条相邻M2之间形成寄生薄膜晶体(TFT)，从而导致相邻M2之间讯号相互影响。
发明内容
本申请的主要目的是提供一种走线结构及液晶显示面板，旨在解决相邻M2之间讯号相互影响的技术问题。
为实现上述目的，本申请提出的一种走线结构，所述走线结构包括：
基板；
短路棒，所述短路棒设置于所述基板上，短路棒与外部测试设备连接，所述短路棒的表面包覆有半导体硅层，所述半导体硅层上设置有第一开口，以裸露所述短路棒；
多个转接件，多个所述转接件间隔设置于所述短路棒上，且位于所述第一开口内；
多个焊接引线，多个所述焊接引线设置于所述基板上；
多个转接线，所述转接线与所述转接件的数量一致，所述转接线与所述焊接引线的数量一致，所述转接线的一端与所述焊接引线连接，所述转接线的另一端设置于所述转接件上，并与靠近所述焊接引线的半导体硅层连接，相邻的两个所述转接线之间的半导体硅层形成漏电路径，靠近所述焊接引线的半导体硅层与所述转接件间隔设置。
优选的，所述短路棒朝向所述焊接引线的侧边设置有第二开口，所述第二开口与所述第一开口连通，在所述短路棒的长度方向上，所述第二开口的长度大于所述转接件的长度。
优选地，所述第二开口具有第一侧边和两第二侧边，所述第一侧边长度方向的两端分别连接两所述第二侧边朝向所述焊接引线的一端，两所述第二侧边远离所述第一侧边的一端分别连接所述短路棒朝向所述焊接引线的侧边，在所述短路棒的长度方向上，所述第一侧边与所述转接件之间设置有第一间隙，所述第二侧边远离所述第一侧边的一端与所述转接件之间设置有第二间隙。
优选地，所述短路棒朝向所述焊接引线的侧边设置有第三开口，所述第三开口与所述第一开口连通，所述第三开口沿所述短路棒的长度方向延伸设置，所述第三开口朝向所述焊接引线的侧边与所述转接件间隔设置，以形成第三间隙。
优选地，远离所述焊接引线的半导体硅层与所述转接件间隔设置。
优选地，所述第一间隙大于或者等于3um，所述第二间隙大于或者等于3um。
优选地，所述第三间隙大于或者等于3um。
优选地，所述转接件上开设有转层孔，所述转接线通过所述转层孔与所述短路棒连接。
本申请提出的一种液晶显示面板，包括上述所述的走线结构，以及
阻光层，所述阻光层涂覆于所述基板上，所述短路棒设置于所述阻光层上。
本申请技术方案在涂覆有半导体硅层的短路棒经过干蚀刻后，形成第一开口，位于第一开口内的半导体硅层被蚀刻掉后，短路棒本身的金属裸露于第一开口内，且该第一开口用于与转接件贴合设置，由于相邻的两个转接件通过靠近焊接引线的半导体硅层连接，设定两个转接件的相向侧边之间的半导体硅层的长度为L1，为了减轻寄生薄膜晶体对相邻的两条转接线之间的讯号干扰，可使靠近焊接引线的半导体硅层与转接件间隔设置，使得转接件朝向转接线的一侧与靠近焊接引线的半导体硅层分开，而是使相邻的两条转接线连接靠近焊接引线的半导体硅层，形成漏电路径，设定相邻的两条转接线之间的半导体硅层的长度为L2，此时L2大于L1，漏电路径的长度加长，使得相邻的两条转接线受到寄生薄膜晶体的影响降低，保证讯号的稳定。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本申请走线结构一实施例的结构示意图；
图2为图1中N1的局部放大图；
图3为图2中K-K的截面图；
图4为图3经过干蚀刻后的截面图；
图5为本申请走线结构再一实施例的结构示意图；
图6为图5中N2的局部放大图；
图7为本申请走线结构又一实施例的结构示意图；
图8为图7中N3的局部放大图。
附图标号说明：
本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明，本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本申请中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。
如图1至图8本申请提出了一种走线结构100，所述走线结构100包括：基板10；短路棒20，所述短路棒20设置于所述基板10上，短路棒20与外部测试设备连接，所述短路棒20的表面包覆有半导体硅层60，所述半导体硅层60上设置有第一开口A1，以裸露所述短路棒20；多个转接件30，多个所述转接件30间隔设置于所述短路棒20上，且位于所述第一开口A1内；多个焊接引线40，多个所述焊接引线40设置于所述基板10上；多个转接线50，所述转接线50与所述转接件30的数量一致，所述转接线50与所述焊接引线40的数量一致，所述转接线50、所述转接件30以及所述焊接引线40的数量一一对应设置，所述转接线50的一端与所述焊接引线40连接，所述转接线50的另一端设置于所述转接件30上，并与靠近所述焊接引线40的半导体硅层60连接，相邻的两个所述转接线50之间的半导体硅层60形成漏电路径，靠近所述焊接引线40的半导体硅层60与所述转接件30间隔设置。
目前在显示面板行业覆晶薄膜晶体的绑定作业(COF bonding)前，需要通过短路棒20(shorting bar)点灯的方式来进行点灯测试。在完成测试后，需要将短路棒20(shorting bar)的走线用激光器(laser)切掉。而一般的短路棒20(shorting bar)以及焊接引线40(bonding lead)是金属层，该金属层(及短路棒20)存在坡度角，在半导体硅(AS)干刻蚀时，若时间不足或干刻蚀能量不足，则容易导致短路棒20坡度角上的半导体硅残留，转接件30设置于第一开口A1内，与短路棒20连接，且由于TFT生产工艺的要求，转接线50(即M2线)连接转接件30后，会与短路棒20坡度角部分的半导体硅层60(即AS层)抵接，使得相邻的两条转接线50通过半导体硅连接形成漏电路径，进而导致短路棒20和两条相邻转接线50之间形成寄生薄膜晶体(TFT)，使相邻两条转接线50之间讯号相互影响。
鉴于此，涂覆有半导体硅层60的短路棒20经过干蚀刻后，形成第一开口A1，位于第一开口A1内的半导体硅层60被蚀刻掉后，短路棒20本身的金属裸露于第一开口A1内，且该第一开口A1用于与转接件30贴合设置，由于相邻的两个转接件30通过靠近焊接引线40的半导体硅层60连接，设定两个转接件30的相向侧边之间的半导体硅层60的长度为L1，为了减轻寄生薄膜晶体对相邻的两条转接线50之间的讯号干扰，可使靠近焊接引线40的半导体硅层60与转接件30间隔设置，使得转接件30朝向转接线50的一侧与靠近焊接引线40的半导体硅层60分开，而是使相邻的两条转接线50连接靠近焊接引线40的半导体硅层60，以形成漏电路径，设定相邻的两条转接线50之间的半导体硅层60的长度为L2，此时L2大于L1，漏电路径的长度加长，使得相邻的两条转接线50受到寄生薄膜晶体的影响降低，保证讯号的稳定。
具体的，所述短路棒20朝向所述焊接引线40的侧边设置有第二开口A2，所述第二开口A2与所述第一开口A1连通，在所述短路棒20的长度方向上，所述第二开口A2的长度大于所述转接件30的长度。本实施例中，在干蚀刻半导体硅层60，可通过改变光罩的遮影面积，使短路棒20表面形成第二开口A2的遮影部分，经过干蚀刻后，该遮影部分的半导体硅层60被去除，第二开口A2内的短路棒20裸露。当转接件30贴设于第一开口A1内的短路棒20后，转接件30朝向焊接引线40的侧边与第二开口A2朝向焊接引线40一侧的半导体硅层60间隔设置，避免第二开口A2朝向焊接引线40一侧的半导体硅层60直接与转接件30抵接，进而加长漏电路径的长度。
具体的，所述第二开口A2具有第一侧边B1和两第二侧边B2，所述第一侧边B1长度方向的两端分别连接两所述第二侧边B2朝向所述焊接引线40的一端，两所述第二侧边B2远离所述第一侧边B1的一端分别连接所述短路棒20朝向所述焊接引线40的侧边，在所述短路棒20的长度方向上，所述第一侧边B1与所述转接件30之间设置有第一间隙a，所述第二侧边B2远离所述第一侧边B1的一端与所述转接件30之间设置有第二间隙b。本实施例中，为了进一步增加两条转接线50之间的漏电路径，可使第一侧边B1的长度大于转接件30的长度，且第一侧边B1在短路棒20长度方向的两端均延伸至转接件30的外部，避免第一侧边B1与转接件30抵接，形成第一间隙a和第二间隙b，可防止转接件30的侧边与第二开口A2的边缘抵接，进而使相邻的两条转接线50之间的漏电路径加长。
具体的，所述短路棒20朝向所述焊接引线40的侧边设置有第三开口A3，所述第三开口A3与所述第一开口A1连通，所述第三开口A3沿所述短路棒20的长度方向延伸设置，所述第三开口A3朝向所述焊接引线40的侧边与所述转接件30间隔设置，以形成第三间隙c。本实施例中，可以直接加宽第一开口A1域的整体宽度，例如，在短路棒20朝向焊接引线40的侧边设置有第三开口A3，第三开口A3域第一开口A1连通，当转接件30贴设在第一开口A1后，使转接件30朝向焊接引线40的侧边完全与第三开口A3朝向焊接引线40的侧边的半导体硅层60完全分隔开，进而使相邻的两条转接线50之间的漏电路径加长。
具体的，远离所述焊接引线40的半导体硅层60与所述转接件30间隔设置。本实施例中，可使远离焊接引线40的半导体硅层60与转接件30间隔设置，可进一步避免寄生薄膜晶体对转接线50的信号造成干扰。
具体的，所述第一间隙a大于或者等于3um，所述第二间隙b大于或者等于3um。本实施例中，第一间隙a大于或者等于3um，第二间隙b大于或者等于3um，以保证转接线50不与第二开口A2边缘的半导体硅层60连接。
具体的，所述第三间隙c大于或者等于3um。本实施例中，第三间隙c大于或者等于3um，以保证转接线50不与第三开口A3边缘的半导体硅层60连接。
具体的，所述转接件30上开设有转层孔C，所述转接线50通过所述转层孔C与所述短路棒20连接。本实施例中，为了便于将转接线50与短路棒20连接，可在转接线50上开设VIA孔(转层孔C)，转接线50通过转层孔C与所述短路棒20连接。
具体的，所述转接件30由金属材料制作而成。
本申请提出一种液晶显示面板(图中未示出)，包括权利要求所述的走线结构100，以及阻光层(图中未示出)，所述阻光层涂覆于所述基板10上，所述短路棒设置于所述阻光层上。该走线结构100的具体结构参照上述实施例，由于液晶显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以上所述仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是在本申请的构思下，利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种走线结构，其特征在于，所述走线结构包括：
基板；
短路棒，所述短路棒设置于所述基板上，短路棒与外部测试设备连接，所述短路棒的表面包覆有半导体硅层，所述半导体硅层上设置有第一开口，以裸露所述短路棒；
多个转接件，多个所述转接件间隔设置于所述短路棒上，且位于所述第一开口内；
多个焊接引线，多个所述焊接引线设置于所述基板上；
多个转接线，所述转接线与所述转接件的数量一致，所述转接线与所述焊接引线的数量一致，所述转接线的一端与所述焊接引线连接，所述转接线的另一端设置于所述转接件上，并与靠近所述焊接引线的半导体硅层连接，相邻的两个所述转接线之间的半导体硅层形成漏电路径，靠近所述焊接引线的半导体硅层与所述转接件间隔设置。
2.如权利要求1所述的走线结构，其特征在于，所述短路棒朝向所述焊接引线的侧边设置有第二开口，所述第二开口与所述第一开口连通，在所述短路棒的长度方向上，所述第二开口的长度大于所述转接件的长度。
3.如权利要求2所述的走线结构，其特征在于，所述第二开口具有第一侧边和两第二侧边，所述第一侧边长度方向的两端分别连接两所述第二侧边朝向所述焊接引线的一端，两所述第二侧边远离所述第一侧边的一端分别连接所述短路棒朝向所述焊接引线的侧边，在所述短路棒的长度方向上，所述第一侧边与所述转接件之间设置有第一间隙，所述第二侧边远离所述第一侧边的一端与所述转接件之间设置有第二间隙。
4.如权利要求1所述的走线结构，其特征在于，所述短路棒朝向所述焊接引线的侧边开设有第三开口，所述第三开口与所述第一开口连通，所述第三开口沿所述短路棒的长度方向延伸设置，所述第三开口朝向所述焊接引线的侧边与所述转接件间隔设置，以形成第三间隙。
5.如权利要求1所述的走线结构，其特征在于，远离所述焊接引线的半导体硅层与所述转接件间隔设置。
6.如权利要求3所述的走线结构，其特征在于，所述第一间隙大于或者等于3um，所述第二间隙大于或者等于3um。
7.如权利要求4所述的走线结构，其特征在于，所述第三间隙大于或者等于3um。
8.如权利要求1所述的走线结构，其特征在于，所述转接件上开设有转层孔，所述转接线通过所述转层孔与所述短路棒连接。
9.如权利要求1所述的走线结构，其特征在于，所述转接件由金属材料制作而成。
10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的走线结构，以及
阻光层，所述阻光层涂覆于所述基板上，所述短路棒设置于所述阻光层上。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101256297A (zh) * | 2008-03-28 | 2008-09-03 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其阵列基板和母基板 |
| CN103163668A (zh) * | 2011-12-15 | 2013-06-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 液晶显示装置的检测装置 |
| CN103197479A (zh) * | 2013-03-21 | 2013-07-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 走线结构、液晶显示面板及该走线结构的断线修复方法 |
| JP2015036819A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 薄膜トランジスタ表示板 |
| CN105609468A (zh) * | 2014-11-14 | 2016-05-25 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| CN111900174A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-11-06 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105589244A (zh) * | 2016-03-23 | 2016-05-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置、液晶显示面板及其制作方法 |
-
2020
- 2020-12-10 CN CN202011435658.7A patent/CN112505974B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101256297A (zh) * | 2008-03-28 | 2008-09-03 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其阵列基板和母基板 |
| CN103163668A (zh) * | 2011-12-15 | 2013-06-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 液晶显示装置的检测装置 |
| CN103197479A (zh) * | 2013-03-21 | 2013-07-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 走线结构、液晶显示面板及该走线结构的断线修复方法 |
| JP2015036819A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 薄膜トランジスタ表示板 |
| CN105609468A (zh) * | 2014-11-14 | 2016-05-25 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
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