CN112485499A - 基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端 - Google Patents
基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112485499A CN112485499A CN202011594549.XA CN202011594549A CN112485499A CN 112485499 A CN112485499 A CN 112485499A CN 202011594549 A CN202011594549 A CN 202011594549A CN 112485499 A CN112485499 A CN 112485499A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reference current
- chip
- target
- current
- difference value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端，发送一个目标基准电流，通过比较器比较芯片的基准电流与目标基准电流的大小，若基准电流大于目标基准电流，则减小基准电流，直至基准电流与目标基准电流的差值落入误差范围内；若基准电流小于目标基准电流，则增大基准电流，直至基准电流与目标基准电流的差值落入误差范围内；通过将传统的直接测量芯片的基准电流的做法改为将基准电流与设定的目标基准电流进行比较，通过两者的差值对基准电流进行校准，目标基准电流通过低阶测试机生成，整个过程无需使用高阶测试机，大大降低了测试的成本；而且整个过程只涉电流值的大小比较，测试程序简单，可操作性强。
Description
技术领域
本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及的是一种基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端。
背景技术
在晶圆测试环节，需要对芯片的基准电流进行测量，然后根据测量的电流判断芯片的基准电流校准是否通过。现有的做法一般是使用较为高阶的测试机（即配备测量高精度电流的测量单元的测试机）来测量芯片的基准电流，然后通过测量的电流判断芯片的基准电流校准是否通过，但使用较为高阶的测试机的测试费用较为高昂，而且测试程序比较复杂（需要使用查表的方式）。
因此，现有的技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有技术中采用高阶的测试机测量芯片的基准电流，导致芯片测试费用高，测试程序复杂的问题。
本发明的技术方案如下：一种基准电流自动校准的测试方法，其中，具体包括以下步骤：
启动芯片基准电流自动校准测试；
接收目标基准电流；
判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内，
是则芯片基准电流校准通过，输出校准结果；
否则改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流，并再次执行判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内。
所述的基准电流自动校准的测试方法，其中，所述目标基准电流由低阶测试机生成。
所述的基准电流自动校准的测试方法，其中，所述判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内，具体包括以下步骤：
s31：将芯片的基准电流转换成对应的电压，将目标基准电流转换成对应的电压；
s32：判断芯片的基准电流对应的电压与目标基准电流对应的电压的差值是否在误差范围内，是则芯片基准电流校准通过，输出校准结果；否则改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流，并再次执行判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内。
所述的基准电流自动校准的测试方法，其中，所述否则改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流，并再次执行判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内，具体包括以下步骤：
s51：判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值为正值还是负值，若为正值则跳转至s52，若为负值则跳转至s53；
s52：将芯片的基准电流减小设定电流值后跳转至判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内；
s53：将芯片的基准电流增大设定电流值后跳转至判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内。
一种基准电流自动校准的测试装置，其中，包括：
启动模块，启动芯片基准电流自动校准测试；
电流接收模块，接收目标基准电流；
判断模块，判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内；
校准结果输出模块，芯片基准电流校准通过，输出校准结果；
参数设置模块，改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流。
所述的基准电流自动校准的测试装置，其中，所述参数设置模块采用芯片内的基准电流控制模块Ierf block实现。
所述的基准电流自动校准的测试装置，其中，所述判断模块采用电流比较器实现。
所述的基准电流自动校准的测试装置，其中，所述判断模块包括：
电流电压转换模块，将芯片的基准电流转换成对应的电压，将目标基准电流转换成对应的电压；
电压比较器，比较芯片的基准电流对应的电压与目标基准电流对应的电压的差值大小。
一种存储介质，其中，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法。
一种终端，其中，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行上述任一项所述的方法。
本发明的有益效果：本发明通过提供一种基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端，通过比较器比较芯片的基准电流与目标基准电流的大小，如果芯片的基准电流大于目标基准电流，则减小芯片的基准电流，直至芯片的基准电流与目标基准电流的差值落入误差范围内；如果芯片的基准电流小于目标基准电流，则增大芯片的基准电流，直至芯片的基准电流与目标基准电流的差值落入误差范围内；通过将传统的直接测量芯片的基准电流的做法改为将芯片的基准电流与设定的目标基准电流进行比较，通过两者的差值对芯片的基准电流进行校准，目标基准电流通过低阶测试机生成，整个过程无需使用高阶测试机，大大降低了测试的成本；而且整个过程只涉电流值的大小比较，测试程序简单，可操作性强。
附图说明
图1是本发明中基准电流自动校准的测试方法的步骤流程图。
图2是本发明中基准电流自动校准的测试装置的示意图。
图3是本发明中终端的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
如图1所示，一种基准电流自动校准的测试方法，具体包括以下步骤：
S1：启动芯片基准电流自动校准测试；
S2：接收目标基准电流；
S3：判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内，是则跳转至S4，否则跳转至S5；
S4：芯片基准电流校准通过，输出校准结果；
S5：改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流，并跳转至S3。
在某些具体实施例中，所述S1中，通过接收测试使能启动芯片基准电流自动校准测试。
在某些具体实施例中，所述S2中，所述目标基准电流由低阶测试机生成，所述低阶测试机为没有配备测量高精度电流的测量单元的测试机。
在某些具体实施例中，所述S3中，可以根据实际需要直接将芯片的基准电流与目标基准电流进行比较，也可以将芯片的基准电流与目标基准电流转化成对应的电压后，通过电压进行比较，若通过电压进行比较，所述S3具体包括以下步骤：
s31：将芯片的基准电流转换成对应的电压，将目标基准电流转换成对应的电压；
s32：判断芯片的基准电流对应的电压与目标基准电流对应的电压的差值是否在误差范围内，是则跳转至S4，否则跳转至S5。
在某些具体实施例中，所述S5中，具体包括以下步骤：
s51：判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值为正值还是负值，若为正值则跳转至s52，若为负值则跳转至s53；
s52：将芯片的基准电流减小设定电流值后跳转至S3；
s53：将芯片的基准电流增大设定电流值后跳转至S3。
如图2所示，一种基准电流自动校准的测试装置，包括：
启动模块101，启动芯片基准电流自动校准测试；
电流接收模块102，接收目标基准电流；
判断模块103，判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内；
校准结果输出模块104，芯片基准电流校准通过，输出校准结果；
参数设置模块105，改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流。
在某些具体实施例中，所述参数设置模块105采用芯片内的基准电流控制模块Ierf block实现。
在某些具体实施例中，所述基准电流控制模块Ierf block中的基准电流设置参数的初始值为芯片内默认的基准电流设置参数。
在某些具体实施例中，所述判断模块103采用电流比较器实现。
在某些具体实施例中，所述判断模块103包括：
电流电压转换模块，将芯片的基准电流转换成对应的电压，将目标基准电流转换成对应的电压；
电压比较器，比较芯片的基准电流对应的电压与目标基准电流对应的电压的差值大小。
在某些具体实施例中，当判断模块103采用电流/电压比较器时，所述参数设置模块105的基准电流校准过程如下：当第一次电流/电压比较器输出高电平（即芯片的基准电流大于目标基准电流），则减小基准电流的校准位，重复执行一次电流比较，直到电流比较器输出低电平；如第一次电流/电压比较器输出低电平（即芯片的基准电流小于目标基准电流），则增大基准电流的校准位，再执行一次电流比较，直到电流比较器输出高电平。
本技术方案中，通过发送一个目标基准电流，通过比较器比较芯片的基准电流与目标基准电流的大小，如果芯片的基准电流大于目标基准电流，则减小芯片的基准电流，直至芯片的基准电流与目标基准电流的差值落入误差范围内；如果芯片的基准电流小于目标基准电流，则增大芯片的基准电流，直至芯片的基准电流与目标基准电流的差值落入误差范围内；通过将传统的直接测量芯片的基准电流的做法改为将芯片的基准电流与设定的目标基准电流进行比较，通过两者的差值对芯片的基准电流进行校准，目标基准电流通过低阶测试机生成，整个过程无需使用高阶测试机，大大降低了测试的成本；而且整个过程只涉电流值的大小比较，测试程序简单，可操作性强。
请参照图3，本发明实施例还提供一种终端。如示，终端300包括处理器301和存储器302。其中，处理器301与存储器302电性连接。处理器301是终端300的控制中心，利用各种接口和线路连接整个终端的各个部分，通过运行或调用存储在存储器302内的计算机程序，以及调用存储在存储器302内的数据，执行终端的各种功能和处理数据，从而对终端300进行整体监控。
在本实施例中，终端300中的处理器301会按照如下的步骤，将一个或一个以上的计算机程序的进程对应的指令加载到存储器302中，并由处理器301来运行存储在存储器302中的计算机程序，从而实现各种功能：启动芯片基准电流自动校准测试；接收目标基准电流；判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内，是则芯片基准电流校准通过，输出校准结果；否则改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流，并再次执行判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内。
存储器302可用于存储计算机程序和数据。存储器302存储的计算机程序中包含有可在处理器中执行的指令。计算机程序可以组成各种功能模块。处理器301通过调用存储在存储器302的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。
本申请实施例提供一种存储介质，所述计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：启动芯片基准电流自动校准测试；接收目标基准电流；判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内，是则芯片基准电流校准通过，输出校准结果；否则改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流，并再次执行判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基准电流自动校准的测试方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
启动芯片基准电流自动校准测试；
接收目标基准电流；
判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内，
是则芯片基准电流校准通过，输出校准结果；
否则改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流，并再次执行判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内。
2.根据权利要求1所述的基准电流自动校准的测试方法，其特征在于，所述目标基准电流由低阶测试机生成。
3.根据权利要求1所述的基准电流自动校准的测试方法，其特征在于，所述判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内，具体包括以下步骤：
s31：将芯片的基准电流转换成对应的电压，将目标基准电流转换成对应的电压；
s32：判断芯片的基准电流对应的电压与目标基准电流对应的电压的差值是否在误差范围内，是则芯片基准电流校准通过，输出校准结果；否则改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流，并再次执行判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内。
4.根据权利要求1所述的基准电流自动校准的测试方法，其特征在于，所述否则改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流，并再次执行判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内，具体包括以下步骤：
s51：判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值为正值还是负值，若为正值则跳转至s52，若为负值则跳转至s53；
s52：将芯片的基准电流减小设定电流值后跳转至判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内；
s53：将芯片的基准电流增大设定电流值后跳转至判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内。
5.一种基准电流自动校准的测试装置，其特征在于，包括：
启动模块，启动芯片基准电流自动校准测试；
电流接收模块，接收目标基准电流；
判断模块，判断芯片的基准电流与目标基准电流的差值是否在误差范围内；
校准结果输出模块，芯片基准电流校准通过，输出校准结果；
参数设置模块，改变芯片内基准电流设置参数，以改变芯片基准电流。
6.根据权利要求5所述的基准电流自动校准的测试装置，其特征在于，所述参数设置模块采用芯片内的基准电流控制模块Ierf block实现。
7.根据权利要求5所述的基准电流自动校准的测试装置，其特征在于，所述判断模块采用电流比较器实现。
8.根据权利要求5所述的基准电流自动校准的测试装置，其特征在于，所述判断模块包括：
电流电压转换模块，将芯片的基准电流转换成对应的电压，将目标基准电流转换成对应的电压；
电压比较器，比较芯片的基准电流对应的电压与目标基准电流对应的电压的差值大小。
9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1至4任一项所述的方法。
10.一种终端，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行权利要求1至4任一项所述的方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011594549.XA CN112485499A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011594549.XA CN112485499A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112485499A true CN112485499A (zh) | 2021-03-12 |
Family
ID=74915801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011594549.XA Pending CN112485499A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112485499A (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003315405A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Yamaha Corp | 半導体装置の検査装置および方法 |
| JP2006047037A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Yamaha Corp | Ｉｃテスト方法 |
| CN1889000A (zh) * | 2006-07-17 | 2007-01-03 | 北京中星微电子有限公司 | 一种自动电流校准的电路和方法 |
| CN103116379A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-05-22 | 香港中国模拟技术有限公司 | 自校准电流源*** |
| CN106324479A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-11 | 上海东软载波微电子有限公司 | 一种芯片校准方法、电路及芯片 |
| CN108198587A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-22 | 珠海博雅科技有限公司 | 基准电流产生电路以及基准电流产生方法 |
| CN108445948A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-08-24 | 河南驰诚电气股份有限公司 | 电流自动校准装置 |
| CN108564984A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-09-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种闪存芯片测试方法和*** |
| CN110471482A (zh) * | 2019-08-12 | 2019-11-19 | 兆讯恒达微电子技术(北京)有限公司 | 一种电压校准方法和校准电路 |
| CN111929569A (zh) * | 2020-09-18 | 2020-11-13 | 深圳英集芯科技有限公司 | Ic芯片的校准方法、***及装置 |
-
2020
- 2020-12-29 CN CN202011594549.XA patent/CN112485499A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003315405A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Yamaha Corp | 半導体装置の検査装置および方法 |
| JP2006047037A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Yamaha Corp | Ｉｃテスト方法 |
| CN1889000A (zh) * | 2006-07-17 | 2007-01-03 | 北京中星微电子有限公司 | 一种自动电流校准的电路和方法 |
| CN103116379A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-05-22 | 香港中国模拟技术有限公司 | 自校准电流源*** |
| CN106324479A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-11 | 上海东软载波微电子有限公司 | 一种芯片校准方法、电路及芯片 |
| CN108198587A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-22 | 珠海博雅科技有限公司 | 基准电流产生电路以及基准电流产生方法 |
| CN108564984A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-09-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种闪存芯片测试方法和*** |
| CN108445948A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-08-24 | 河南驰诚电气股份有限公司 | 电流自动校准装置 |
| CN110471482A (zh) * | 2019-08-12 | 2019-11-19 | 兆讯恒达微电子技术(北京)有限公司 | 一种电压校准方法和校准电路 |
| CN111929569A (zh) * | 2020-09-18 | 2020-11-13 | 深圳英集芯科技有限公司 | Ic芯片的校准方法、***及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112578270A (zh) | 基准电压自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端 | |
| CN114528172A (zh) | 一种晶圆芯片的测试方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN111596802B (zh) | 一种触摸屏校准方法、装置及计算机可读存储介质 | |
| CN112540290A (zh) | 一种时钟频率校准的测试方法、装置、存储介质和终端 | |
| CN114636917A (zh) | 芯片的测试方法、***、设备及存储介质 | |
| JP5025524B2 (ja) | 試験装置および試験システムならびに試験方法 | |
| CN109117299B (zh) | 服务器的侦错装置及其侦错方法 | |
| CN112485499A (zh) | 基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端 | |
| CN111274128A (zh) | 测试方法、装置、计算机设备及计算机可读存储介质 | |
| CN113608953B (zh) | 测试数据生成方法、装置、电子设备及可读存储介质 | |
| CN111274687B (zh) | 元器件失效率预计方法、装置、计算机设备及存储介质 | |
| CN109061434B (zh) | 板级电路退化测试方法 | |
| CN116609642B (zh) | 芯片测试误差的补偿方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN111812445A (zh) | 智能电容器误差校正方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| CN109597013A (zh) | 电池测试设备电流精度确定的方法及可读存储介质 | |
| CN113030821A (zh) | 一种电量校准方法及装置 | |
| CN117310454B (zh) | 芯片测试方法及相关装置 | |
| CN211453929U (zh) | 一种参数检测电路 | |
| CN116933102B (zh) | 一种橡胶质量检验方法、装置、介质、设备及程序产品 | |
| CN117849597B (zh) | 电路板测试装置 | |
| CN113704070B (zh) | Gpu服务器的性能测试方法、装置、设备及可读存储介质 | |
| CN117872093A (zh) | 一种使用ate在线检测的方法及*** | |
| CN118348330A (zh) | 设备性能的确定方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN108650146B (zh) | 一种dsl单端测试方法及*** | |
| CN104111384A (zh) | 电子装置测试***及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 518000 Room 101, building 10, Dayun software Town, 8288 Longgang Avenue, he'ao community, Yuanshan street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: XTX Technology Inc. Address before: 518000 1st floor, building 10, Dayun software Town, 8288 Longgang Avenue, Henggang street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Paragon Technology (Shenzhen) Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210312 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |