CN112436042A - 一种显示基板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，为提升OLED显示器件的透过率。所述显示基板包括：基底和设置于所述基底上的多个子像素；所述子像素包括：复位信号线，初始化信号线和第一晶体管，所述复位信号线的至少部分沿第一方向延伸；所述初始化信号线的至少部分沿所述第一方向延伸；第一晶体管的栅极与复位信号线耦接，第一晶体管的第一极与初始化信号线耦接，第一晶体管的第一极的至少部分在基底上的正投影，位于复位信号线在基底上的正投影与初始化信号线在基底上的正投影之间。本发明提供的显示基板用于显示。

Description

一种显示基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)显示器件以其亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好和发光效率高等优点被广泛应用在各个领域。
在将OLED显示器件应用于对透过率有要求的屏下感测(sensor)产品中时，若OLED显示器件的透过率不达标，可能会导致sensor产品功能性不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板、显示装置，用于提升OLED显示器件的透过率。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本发明的第一方面提供一种显示基板，包括：基底和设置于所述基底上的多个子像素；所述子像素包括：
复位信号线，所述复位信号线的至少部分沿第一方向延伸；
初始化信号线，所述初始化信号线的至少部分沿所述第一方向延伸；
第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述复位信号线耦接，所述第一晶体管的第一极与所述初始化信号线耦接，所述第一晶体管的第一极的至少部分在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述初始化信号线在所述基底上的正投影之间。
可选的，所述子像素还包括导电连接部，所述导电连接部分别与所述第一晶体管的第一极和所述初始化信号线耦接，所述导电连接部在所述基底上的正投影位于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述初始化信号线在所述基底上的正投影之间；沿所述第二方向，所述导电连接部的长度，小于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述初始化信号线在所述基底上的正投影之间的距离。
可选的，所述导电连接部在所述基底上的正投影与所述复位信号线在所述基底上的正投影不交叠。
可选的，所述第一晶体管的第一极在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线在所述基底上的正投影部分交叠。
可选的，所述初始化信号线包括主体部和突出部，所述主体部沿所述第一方向延伸，所述突出部在所述基底上的正投影，与所述第一晶体管的第一极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
可选的，所述子像素还包括栅线，所述栅线的至少部分沿所述第一方向延伸；
所述初始化信号线在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述栅线在所述基底上的正投影之间。
可选的，所述子像素还包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与所述栅线耦接，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接。
可选的，所述初始化信号线在所述基底上的正投影，与所述第二晶体管的栅极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
可选的，所述第二晶体管包括第二有源图形，所述第二有源图形包括导体部分和两个半导体部分，所述导体部分分别与所述两个半导体部分耦接；
所述子像素还包括屏蔽图形，所述屏蔽图形与所述初始化信号线耦接，所述屏蔽图形在所述基底上的正投影，与所述导体部分在所述基底上的正投影至少部分交叠。
可选的，所述屏蔽图形与所述初始化信号线形成为一体结构。
可选的，所述屏蔽图形包括第一子图形和第二子图形，所述第一子图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第二子图形沿第一方向延伸，所述第二子图形在所述基底上的正投影与所述导体部分在所述基底上的正投影至少部分交叠。
可选的，所述子像素还包括发光元件和第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线耦接，所述第七晶体管的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线耦接，所述第七晶体管的第二极与所述发光元件耦接，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述第七晶体管的第一极在所述基底上的正投影，位于沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线在所述基底上的正投影，与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线在所述基底上的正投影之间。
可选的，所述第七晶体管的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的第一晶体管的第一极形成为一体结构。
可选的，所述子像素还包括：
发光控制信号线，所述发光控制信号线的至少部分沿第一方向延伸；
电源线，所述电源线的至少部分沿第二方向延伸；
数据线，所述数据线的至少部分沿所述第二方向延伸；
第四晶体管，所述第四晶体管的栅极与所述栅线耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线耦接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源线耦接，所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与所述发光元件耦接；
存储电容，所述驱动晶体管的栅极复用为所述存储电容的第一极板，所述存储电容的第二极板与所述电源线耦接。
基于上述显示基板的技术方案，本发明的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明提供的技术方案中，通过设置所述第一晶体管T1的第一极的至少部分在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影之间，使得所述初始化信号线与其所属子像素中的第一晶体管的第一极，以及沿第二方向相邻的上一个子像素中的第七晶体管的第一极之间的距离均较近，这样在通过导电连接部连接所述初始化信号线与其所属子像素中的第一晶体管的第一极，以及通过导电连接部连接所述初始化信号线与沿第二方向相邻的上一个子像素中的第七晶体管的第一极时，能够有效缩小所述导电连接部的尺寸。因此，本发明提供的技术方案中，减少所述导电连接部的遮挡面积，使显示基板具有良好的透过率，在将所述显示基板应用于对透过率有要求的屏下感测产品中时，能够保证屏下感测产品功能性良好。而且，本发明提供的技术方案中，通过缩小所述导电连接部的尺寸，更有利于避免所述导电连接部与其周边的其他结构之间产生串扰，有效提升了显示基板工作的稳定性。此外，通过缩小所述导电连接部的尺寸，降低了所述导电连接部占用的布局空降，从而更好的降低了显示基板整体的布局难度。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的子像素驱动电路的结构示意图；
图2为图1中子像素驱动电路的工作流程图；
图3为图1中子像素驱动电路的第一布局流程图；
图4为图1中子像素驱动电路的第二布局流程图；
图5为图1和图2中有源层和第一栅金属层的布局示意图；
图6为图2中有源层和第一源漏金属层的布局示意图；
图7为图2中第二栅金属层和第一源漏金属层的布局示意图；
图8为图2中有源层的布局示意图；
图9为图2中第一栅金属层的布局示意图；
图10为图2中第二栅金属层的布局示意图；
图11为图2中第一源漏金属层的布局示意图；
图12为阵列分布的四个子像素驱动电路的布局示意图。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的显示基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
请参阅图1、图3和图5，本发明提供一种显示基板，所述显示基板包括基底和设置于所述基底上的多个子像素，每个子像素均包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容Cst。
每个子像素还包括初始化信号线VINT(N)、复位信号线RST(N)、栅线GA、发光控制信号线EM，电源线ELVDD、数据线DA、第一连接部、第二连接部和第三连接部。初始化信号线VINT(N)、复位信号线RST(N)、栅线GA和发光控制信号线EM均有至少部分沿第一方向延伸。所述电源线ELVDD和所述数据线DA均有至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交。
在同一个子像素中，所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影，所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影，所述栅线GA在所述基底上的正投影，所述发光控制信号线EM在所述基底上的正投影沿所述第二方向依次排列。
所述第一晶体管T1的栅极与所述复位信号线RST(N)耦接，所述第一晶体管T1的第一极通过第三连接部403与所述初始化信号线VINT(N)耦接，所述第一晶体管T1的第二极与所述第三晶体管T3的栅极耦接。
所述第二晶体管T2的栅极与所述栅线GA耦接，所述第二晶体管T2的第一极与所述第三晶体管T3的第二极耦接，所述第二晶体管T2的第二极通过第一连接部401与所述第三晶体管T3的栅极耦接。
所述第四晶体管T4的栅极与所述栅线GA耦接，所述第四晶体管T4的第一极与数据线DA耦接，所述第四晶体管T4的第二极与所述第三晶体管T3的第一极耦接。
所述第五晶体管T5的栅极与所述发光控制信号线EM耦接，所述第五晶体管T5的第一极与电源线ELVDD耦接，所述第五晶体管T5的第二极与所述第三晶体管T3的第一极耦接。
所述第六晶体管T6的栅极与所述发光控制信号线EM耦接，所述第六晶体管T6的第一极与所述第三晶体管T3的第二极耦接，所述第六晶体管T6的第二极与子像素中的发光元件耦接。
所述第七晶体管T7的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线RST(N+1)耦接，所述第七晶体管T7的第一极通过第二连接部402与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线VINT(N+1)耦接，所述第七晶体管T7的第二极与子像素中的发光元件耦接。
所述第三晶体管T3的栅极复用为所述存储电容的第一极板，所述存储电容的第二极板与所述电源线ELVDD耦接。
需要说明，所述第二连接部复用为沿第二方向相邻的下一个子像素中的第三连接部。
上述显示基板中，由于所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线VINT(N)之间的距离较远，因此需要设置所述第三连接部403沿所述第二方向延伸的长度较长，导致所述第三连接部403的尺寸较大，这样不仅对显示基板的透过率造成一定的影响，不利于显示基板的工作稳定性，而且增加了显示基板的布局难度。
请参阅图4和图5，本发明实施例提供一种显示基板，包括：基底和设置于所述基底上的多个子像素；所述子像素包括：
复位信号线RST(N)，所述复位信号线RST(N)的至少部分沿第一方向延伸；
初始化信号线VINT(N)，所述初始化信号线VINT(N)的至少部分沿所述第一方向延伸；
第一晶体管T1，所述第一晶体管T1的栅极与所述复位信号线RST(N)耦接，所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线VINT(N)耦接，所述第一晶体管T1的第二极与驱动晶体管(即第三晶体管T3)的栅极耦接；所述第一晶体管T1的第一极的至少部分在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影之间；
示例性的，所述第一方向包括水平反向，所述第二方向包括竖直方向。
示例性的，所述显示基板包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的有源层，第一栅绝缘层，第一栅金属层，第二栅绝缘层，第二栅金属层，层间绝缘层，第一源漏金属层和平坦层等。
示例性的，所述第一栅金属层包括所述复位信号线RST(N)和栅线GA，所述第二栅金属层包括所述初始化信号线VINT(N)。
示例性的，所述子像素包括像素驱动电路和发光元件，所述像素驱动电路与所述发光元件的阳极耦接，用于驱动发光元件发光。所述多个子像素中包括的多个像素驱动电路呈阵列分布在所述基底上。
示例性的，所述多个像素驱动电路能够划分为多行像素驱动电路和多列像素驱动电路。所述多行像素驱动电路沿所述第二方向排列，每行像素驱动电路包括沿所述第一方向排列的多个像素驱动电路。所述多列像素驱动电路沿所述第一方向排列，每列像素驱动电路包括沿所述第二方向排列的多个像素驱动电路。
示例性的，所述像素驱动电路包括驱动晶体管、第一晶体管T1和第七晶体管T7，所述第一晶体管T1用于对所述驱动晶体管的栅极进行复位，所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线VINT(N)耦接，所述第七晶体管T7用于对发光元件的阳极进行复位，所述第七晶体管T7的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线VINT(N+1)耦接。
示例性的，同一行像素驱动电路中，各像素驱动电路对应耦接的复位信号线RST(N)依次耦接形成为一体结构，各像素驱动电路对应耦接的初始化信号线VINT(N)依次耦接形成为一体结构，各像素驱动电路对应耦接的栅线GA依次耦接形成为一体结构。
示例性的，当各子像素还包括发光控制信号线EM，电源线ELVDD和数据线DA时，同一行像素驱动电路中，各像素驱动电路对应耦接的发光控制信号线EM依次耦接形成为一体结构。同一列像素驱动电路中，各像素驱动电路对应耦接的电源线ELVDD依次耦接形成为一体结构。同一列像素驱动电路中，各像素驱动电路对应耦接的数据线DA依次耦接形成为一体结构。
根据上述显示基板的具体结构可知，本发明实施例提供的显示基板中，通过设置所述第一晶体管T1的第一极的至少部分在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影之间，使得所述初始化信号线VINT(N)与其所属子像素中的第一晶体管T1的第一极，以及沿第二方向相邻的上一个子像素中的第七晶体管T7的第一极之间的距离均较近，这样在通过导电连接部404连接所述初始化信号线VINT(N)与其所属子像素中的第一晶体管T1的第一极，以及通过导电连接部404连接所述初始化信号线VINT(N)与沿第二方向相邻的上一个子像素中的第七晶体管T7的第一极时，能够有效缩小所述导电连接部404的尺寸。因此，本发明实施例提供的显示基板中，减少所述导电连接部404的遮挡面积，使显示基板具有良好的透过率，在将所述显示基板应用于对透过率有要求的屏下感测(sensor)产品中时，能够保证sensor产品功能性良好。而且，本发明实施例提供的显示基板中，通过缩小所述导电连接部404的尺寸，更有利于避免所述导电连接部404与其周边的其他结构之间产生串扰，有效提升了显示基板工作的稳定性。此外，通过缩小所述导电连接部404的尺寸，降低了所述导电连接部404占用的布局空降，从而更好的降低了显示基板整体的布局难度。
如图4～图7所示，在一些实施例中，所述子像素还包括导电连接部404，所述导电连接部404分别与所述第一晶体管T1的第一极和所述初始化信号线VINT(N)耦接，所述导电连接部在所述基底上的正投影位于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述初始化信号线在所述基底上的正投影之间；沿所述第二方向，所述导电连接部404的长度，小于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影之间的距离。
示例性的，所述导电连接部404与所述电源线ELVDD和所述数据线DA均同层同材料设置。
示例性的，所述导电连接部404沿所述第二方向延伸。
示例性的，所述导电连接部404在所述第二方向的长度小于或等于所述初始化信号线VINT(N)在所述第二方向的最大宽度。
如图4～图7所示，示例性的，所述导电连接部404的第一端在所述基底上的正投影与所述第一晶体管T1的第一极在所述基底上的正投影具有第一交叠区域，所述导电连接部404的第一端与所述第一晶体管T1的第一极通过第一过孔801耦接；所述导电连接部404的第二端在所述基底上的正投影分别与所述主体部61在所述基底上的正投影和所述突出部60在所述基底上的正投影具有第二交叠区域，所述导电连接部404的第二端与所述主体部61和所述突出部60通过第二过孔802耦接。
示例性的，所述第一过孔贯穿层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层；所述第二过孔贯穿层间绝缘层和第二栅绝缘层。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置沿所述第二方向，所述导电连接部404的长度，小于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影之间的距离，有效缩小所述导电连接部404的尺寸。因此，上述实施例提供的显示基板中，减少所述导电连接部404的遮挡面积，使显示基板具有良好的透过率，在将所述显示基板应用于对透过率有要求的屏下感测(sensor)产品中时，能够保证sensor产品功能性良好。而且，本发明实施例提供的显示基板中，通过缩小所述导电连接部404的尺寸，更有利于避免所述导电连接部404与其周边的其他结构之间产生串扰，有效提升了显示基板工作的稳定性。此外，通过缩小所述导电连接部404的尺寸，降低了所述导电连接部404占用的布局空降，从而更好的降低了显示基板整体的布局难度。
如图4～图7所示，在一些实施例中，设置所述导电连接部404在所述基底上的正投影与所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影不交叠。
上述设置方式避免了所述导电连接部404与所述复位信号线RST(N)之间产生交叠电容，有利于避免所述导电连接部404与所述复位信号线RST(N)之间产生串扰，有效提升了显示基板工作的稳定性。
如图4～图8、图11所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：驱动晶体管、所述第一晶体管T1和第二晶体管T2；
所述第二晶体管T2的栅极与所述栅线GA耦接，所述第二晶体管T2的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第二晶体管T2的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接。
示例性的，所述复位信号线RST(N)复用为所述第一晶体管T1的栅极。
示例性的，所述第一晶体管T1为双栅结构，所述第一晶体管T1包括第一有源图形101，所述第一有源图形101的至少部分为类似n形结构，所述第一有源图形101在所述基底上的正投影与所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影能够形成两个独立的交叠区域。
示例性的，所述第一有源图形101的第一端作为所述第一晶体管T1的第一极，所述第二有源图形102的第二端作为所述第一晶体管T1的第二极。
示例性的，所述第二晶体管T2为双栅结构，所述第二晶体管T2包括第二有源图形102，所述第二有源图形102为类似“┓”形结构。
示例性的，所述第二晶体管T2为补偿晶体管，用于对驱动晶体管的阈值电压进行补偿。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述第一晶体管T1的第一极在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述栅线GA在所述基底上的正投影之间，使得所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线VINT(N)之间的距离较近，这样在通过导电连接部404连接所述初始化信号线VINT(N)与其所属子像素中的第一晶体管T1的第一极时，能够有效缩小所述导电连接部404的尺寸，减少所述导电连接部404的遮挡面积。因此，上述实施例提供的显示基板具有良好的透过率，在将所述显示基板应用于对透过率有要求的屏下感测(sensor)产品中时，能够保证sensor产品功能性良好。
如图4和图5所示，在一些实施例中，设置所述第一晶体管T1的第一极在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影部分交叠。
上述设置方式进一步减小了所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线VINT(N)之间的距离，在通过导电连接部404连接所述初始化信号线VINT(N)与其所属子像素中的第一晶体管T1的第一极时，能够进一步缩小所述导电连接部404的尺寸，减少所述导电连接部404的遮挡面积。
如图4、图5和图10所示，在一些实施例中，设置所述初始化信号线VINT(N)包括主体部61和突出部60，所述主体部61沿所述第一方向延伸，所述突出部60在所述基底上的正投影，与所述第一晶体管T1的第一极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
示例性的，所述主体部61和所述突出部60形成为一体结构。
示例性的，所述突出部60在所述基底上的正投影，位于所述主体部61在所述基底上的正投影与所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影之间。
示例性的，所述主体部61在所述基底上的正投影，与所述第一晶体管T1的第一极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述突出部60在所述基底上的正投影，与所述第一晶体管T1的第一极在所述基底上的正投影至少部分交叠，减小了所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线VINT(N)之间的距离，在通过导电连接部404连接所述初始化信号线VINT(N)与其所属子像素中的第一晶体管T1的第一极时，能够有效缩小所述导电连接部404的尺寸，减少所述导电连接部404的遮挡面积。
而且，上述设置方式还避免了所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线VINT(N)形成较大的交叠面积，避免了所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线VINT(N)产生较大的寄生电容，影响显示基板的工作稳定性。
如图4、图5和图9所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：栅线GA，所述栅线GA的至少部分沿所述第一方向延伸；所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述栅线GA在所述基底上的正投影之间。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述第一晶体管T1的第一极在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述栅线GA在所述基底上的正投影之间；以及所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述栅线GA在所述基底上的正投影之间；使得所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线VINT(N)之间的距离较近，这样在通过导电连接部404连接所述初始化信号线VINT(N)与其所属子像素中的第一晶体管T1的第一极时，能够有效缩小所述导电连接部404的尺寸。
如图4、图5、图9和图10所示，在一些实施例中，所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影，与所述第二晶体管T2的栅极202g在所述基底上的正投影至少部分交叠。
示例性的，设置所述主体部61在所述基底上的正投影，与所述第二晶体管T2的栅极202g在所述基底上的正投影至少部分交叠。
上述设置方式使得所述主体部61更靠近所述第二晶体管T2的第二极，有利于所述第二晶体管T2的第二极的稳定性，而所述第二晶体管T2的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，从而使得所述驱动晶体管的栅极的电位也不容易受到外界串扰。
如图4、图5、图7、图8和图10所示，在一些实施例中，所述第二晶体管T2包括第二有源图形102，所述第二有源图形102包括导体部分1021和两个半导体部分1022，所述导体部分1021分别与所述两个半导体部分1022耦接；
所述子像素还包括屏蔽图形62，所述屏蔽图形62与所述初始化信号线VINT(N)耦接，所述屏蔽图形62在所述基底上的正投影，与所述导体部分1021在所述基底上的正投影至少部分交叠。
示例性的，所述第二有源图形102包括导体部分1021和两个半导体部分1022，所述导体部分1021的导电性能优于所述两个半导体部分1022，所述两个半导体部分1022在所述基底上的正投影，位于所述第二晶体管T2的栅极在所述基底上的正投影的内部。
示例性的，所述初始化信号线VINT(N)上传输具有固定电位的初始化信号，将所述屏蔽图形62与所述初始化信号线VINT(N)耦接，使得所述屏蔽图形62具有固定电位。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述屏蔽图形62在所述基底上的正投影，与所述导体部分1021在所述基底上的正投影至少部分交叠，使得所述屏蔽图形62对所述导体部分1021具有良好的屏蔽作用，避免了沿第一方向相邻子像素中的数据线DA上的数据信号跳变对所述导体部分1021产生影响，从而很好的保证了所述第二晶体管T2和其耦接的驱动晶体管工作的稳定性。
另外，通过设置所述屏蔽图形62与所述初始化信号线VINT(N)耦接，有效缩小了所述屏蔽图形62的尺寸，减少所述屏蔽图形62的遮挡面积，使显示基板具有良好的透过率，在将所述显示基板应用于对透过率有要求的屏下感测(sensor)产品中时，能够保证sensor产品功能性良好。而且，上述实施例提供的显示基板中，通过缩小所述屏蔽图形62的尺寸，更有利于避免所述屏蔽图形62与其周边的其他结构之间产生寄生电容，有效提升了显示基板工作的稳定性。此外，通过缩小所述屏蔽图形62的尺寸，降低了所述屏蔽图形62占用的布局空降，从而更好的降低了显示基板整体的布局难度。
在一些实施例中，设置所述屏蔽图形62与所述初始化信号线VINT(N)形成为一体结构。
上述设置方式使得所述屏蔽图形62能够与所述初始化信号线VINT(N)在同一次构图工艺中形成，从而很好的简化了所述显示基板的制作工艺流程，节约了显示基板的制作成本。
如图4、图5、图7、图8和图10所示，在一些实施例中，所述屏蔽图形62包括第一子图形620和第二子图形621，所述第一子图形620沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第二子图形621沿第一方向延伸，所述第二子图形621在所述基底上的正投影与所述导体部分1021在所述基底上的正投影至少部分交叠。
示例性的，所述第一子图形620和所述第二子图形621形成为一体结构。
示例性的，所述屏蔽图形62形成为L形结构。
示例性的，所述第一子图形620在垂直于其自身延伸方向上的宽度，小于所述第二子图形621在垂直于其自身延伸方向上的宽度。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述屏蔽图形62包括所述第一子图形620和所述第二子图形621，使得所述屏蔽图形62在起到良好的屏蔽作用的同时，占用了较小的布局空间，有利于提升所述显示基板的分辨率。
如图5和图12所示，在一些实施例中，所述子像素还包括发光元件和第七晶体管T7，所述第七晶体管T7的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线RST(N+1)耦接，所述第七晶体管T7的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线VINT(N+1)耦接，所述第七晶体管T7的第二极与所述发光元件耦接，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述第七晶体管T7的第一极在所述基底上的正投影，位于沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线RST(N+1)在所述基底上的正投影，与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线VINT(N+1)在所述基底上的正投影之间。
示例性的，所述第七晶体管T7在沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线RST(N+1)的控制下导通，将所述发光元件的阳极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线VINT(N+1)耦接在一起，实现对发光元件的阳极复位。
示例性的，在所述沿第二方向相邻的下一个子像素中，初始化信号线VINT(N+1)在所述基底上的正投影，位于复位信号线RST(N+1)在所述基底上的正投影与栅线GA在所述基底上的正投影之间。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述第七晶体管T7的第一极在所述基底上的正投影，位于沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线RST(N+1)在所述基底上的正投影，与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线VINT(N+1)在所述基底上的正投影之间，使得所述第七晶体管T7的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线VINT(N+1)之间的距离较近，这样在通过导电连接部404连接所述第七晶体管T7的第一极和沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线VINT(N+1)时，能够有效缩小所述导电连接部404的尺寸，减少所述导电连接部404的遮挡面积。
如图5和图12所示，在一些实施例中，设置所述第七晶体管T7的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的第一晶体管T1的第一极形成为一体结构。
上述设置方式使得所述第七晶体管T7的第一极，以及沿第二方向相邻的下一个子像素中的第一晶体管T1的第一极，能够通过同一个导电连接部404连接至初始化信号线VINT(N)，从而进一步提升了所述阵列基板的透过率。
如图1、图4和图12所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：
发光控制信号线EM，所述发光控制信号线EM的至少部分沿第一方向延伸；
电源线ELVDD，所述电源线ELVDD的至少部分沿第二方向延伸；
数据线DA，所述数据线DA的至少部分沿所述第二方向延伸；
第四晶体管T4，所述第四晶体管T4的栅极与所述栅线GA耦接，所述第四晶体管T4的第一极与所述数据线DA耦接，所述第四晶体管T4的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第五晶体管T5，所述第五晶体管T5的栅极与所述发光控制信号线EM耦接，所述第五晶体管T5的第一极与所述电源线ELVDD耦接，所述第五晶体管T5的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第六晶体管T6，所述第六晶体管T6的栅极与所述发光控制信号线EM耦接，所述第六晶体管T6的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管T6的第二极与所述发光元件耦接；
存储电容，所述驱动晶体管的栅极复用为所述存储电容的第一极板，所述存储电容的第二极板与所述电源线ELVDD耦接。
如图1、图4和图12所示，所述子像素包括阵列分布的子像素驱动电路，以一个子像素驱动电路为例，该子像素驱动电路包括7个薄膜晶体管和1个电容。该子像素驱动电路包括的各晶体管均采用P型晶体管，每个晶体管的第一极包括源极，每个晶体管的第二极包括漏极。
第一晶体管T1(即复位晶体管)为双栅结构，第一晶体管T1的栅极201g与所述复位信号线RST(N)耦接，第一晶体管T1的源极S1通过第一过孔801、导电连接部404和第二过孔802与所述初始化信号线VINT(N)耦接，第一晶体管T1的漏极D1与第二晶体管T2的漏极D2耦接。所述第一过孔801贯穿第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层；所述第二过孔802贯穿层间绝缘层。
第二晶体管T2为双栅结构，第二晶体管T2(即补偿晶体管)的栅极202g与栅线GA耦接，第二晶体管T2的源极S2与第三晶体管T3(即驱动晶体管)的漏极D3耦接，第二晶体管T2的漏极D2通过第三过孔803、第一连接部401和第四过孔804与第三晶体管T3的栅极203g耦接。所述第三过孔803贯穿第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层；所述第四过孔804贯穿第二栅极绝缘层和层间绝缘层。
第四晶体管T4(即数据写入晶体管)的栅极204g与所述栅线GA耦接，第四晶体管T4的源极S4通过第五过孔805与数据线DA耦接，第四晶体管T4的漏极D4与第三晶体管T3的源极S3耦接。所述第五过孔805贯穿第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层。
第五晶体管T5的栅极205g与发光控制信号线EM耦接，第五晶体管T5的源极S5通过第六过孔806与电源线ELVDD耦接，第五晶体管T5的漏极D5与第三晶体管T3的源极S3耦接。所述第六过孔806贯穿第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层。
第六晶体管T6的栅极206g与发光控制信号线EM耦接，第六晶体管T6的源极S6与第三晶体管T3的漏极D3耦接，第六晶体管T6的漏极D6通过第七过孔807、第四连接部405、贯穿平坦层的过孔与发光元件EL的阳极耦接。所述第七过孔807贯穿第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层。
第七晶体管T7的栅极207g与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线RST(N+1)耦接，第七晶体管T7的漏极D7与第六晶体管T6的漏极D6耦接，第七晶体管T7的源极S7通过第八过孔808与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的所述初始化信号线VINT(N+1)耦接。
存储电容Cst的第一极板Cst1复用为第三晶体管T3的栅极203g，存储电容Cst的第二极板Cst2通过至少一个第九过孔809与电源线ELVDD耦接。所述第九过孔809贯穿层间绝缘层。
如图2所示，上述结构的子像素驱动电路在工作时，每个工作周期均包括第一复位时段P1、写入补偿时段P2、第二复位时段P3和发光时段P4。
在所述第一复位时段P1，复位信号线RST(N)输入的复位信号处于有效电平，第一晶体管T1导通，由初始化信号线VINT(N)传输的初始化信号输入至第三晶体管T3的栅极203g，使得前一帧保持在第三晶体管T3上的栅源电压Vgs被清零，实现对第三晶体管T3的栅极203g复位。
在写入补偿时段P2，所述复位信号处于非有效电平，第一晶体管T1截止，栅线GA输入的栅极扫描信号处于有效电平，控制第二晶体管T2和第四晶体管T4导通，数据线DA写入数据信号，并经所述第四晶体管T4传输至第三晶体管T3的源极S3，同时，第二晶体管T2和第四晶体管T4导通，使得第三晶体管T3形成为二极管结构，因此通过第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4配合工作，实现对第三晶体管T3的阈值电压补偿，当补偿的时间足够长时，可控制第三晶体管T3的栅极203g电位最终达到Vdata+Vth，其中，Vdata代表数据信号电压值，Vth代表第三晶体管T3的阈值电压。
在第二复位时段P3，所述栅极扫描信号处于非有效电平，第二晶体管T2和第四晶体管T4均截止，复位信号线RST(N+1)输入的复位信号处于有效电平，控制第七晶体管T7导通，由初始化信号线图形VINT(N+1)传输的初始化信号输入至发光元件EL的阳极，控制发光元件EL不发光。
在发光时段P4，发光控制信号线图形EM写入的发光控制信号处于有效电平，控制第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，使得由电源线传输的电源信号输入至第三晶体管T3的源极S3，同时由于第三晶体管T3的栅极203g保持在Vdata+Vth，使得第三晶体管T3导通，第三晶体管T3对应的栅源电压为Vdata+Vth-VDD，其中VDD为电源信号对应的电压值，基于该栅源电压产生的漏电流流向对应的发光元件EL的阳极，驱动对应的发光元件EL发光。
在制作上述子像素时，子像素对应的各膜层的布局如下：
包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的有源层，第一栅极绝缘层，第一栅金属层，第二栅极绝缘层，第二栅金属层，层间绝缘层，第一源漏金属层，第一平坦层，第二源漏金属层，第二平坦层，阳极层，有机发光功能层和阴极层。所述阴极接入负电源信号ELVSS。
如图1、图4和图5所示，本公开提供的显示基板中，在第二方向上，第四晶体管T4的栅极204g、第一晶体管T1的栅极201g和第二晶体管T2的栅极202g均位于驱动晶体管的栅极(即第三晶体管T3的栅极203g)的第一侧，第七晶体管T7的栅极、第六晶体管T6的栅极206g、第五晶体管T5的栅极均位于驱动晶体管的栅极的第二侧。示例性的，所述驱动晶体管的栅极的第一侧和第二侧为沿第二方向相对的两侧，进一步地，驱动晶体管的栅极的第一侧可以为驱动晶体管的栅极的上侧，驱动晶体管的栅极的第二侧可以为驱动晶体管的栅极的下侧。所述下侧，例如显示基板的用于绑定IC的一侧为显示基板的下侧，驱动晶体管的栅极的下侧，为驱动晶体管的栅极的更靠近IC的一侧。所述上侧为下侧的相对侧，例如为驱动晶体管的栅极的更远离IC的一侧。
在第一方向上，第四晶体管T4的栅极204g和第五晶体管T5的栅极205g均位于驱动晶体管的栅极的第三侧，第二晶体管T2的栅极202g和第六晶体管T6的栅极206g均位于驱动晶体管的栅极的第四侧。示例性的，驱动晶体管的栅极的第三侧和第四侧为沿第一方向相对的两侧；进一步地，驱动晶体管的栅极的第三侧可以为驱动晶体管的栅极的左侧，驱动晶体管的栅极的第四侧可以为驱动晶体管的栅极的右侧。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述初始化信号线在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述栅线在所述基底上的正投影之间，使得所述初始化信号线与其所属子像素中的第一晶体管的第一极，以及沿第二方向相邻的上一个子像素中的第七晶体管的第一极之间的距离均较近，这样在通过导电连接部404连接所述初始化信号线与其所属子像素中的第一晶体管的第一极，以及通过导电连接部404连接所述初始化信号线与沿第二方向相邻的上一个子像素中的第七晶体管的第一极时，能够有效缩小所述导电连接部404的尺寸，减少所述导电连接部404的遮挡面积。因此，上述实施例提供的显示基板具有良好的透过率，在将所述显示基板应用于对透过率有要求的屏下感测(sensor)产品中时，能够保证sensor产品功能性良好。
本发明实施例提供的显示装置在包括上述显示基板时同样具有上述有益效果，此处不再赘述。
需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述制作方法包括：在基底上制作多个子像素，制作每个子像素的步骤具体包括：
制作复位信号线，所述复位信号线的至少部分沿第一方向延伸；
制作初始化信号线，所述初始化信号线的至少部分沿所述第一方向延伸；
制作第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述复位信号线耦接，所述第一晶体管的第一极与所述初始化信号线耦接，所述第一晶体管的第一极的至少部分在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述初始化信号线在所述基底上的正投影之间。
采用本发明实施例提供的制作方法制作的显示基板中，通过设置所述第一晶体管T1的第一极的至少部分在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线RST(N)在所述基底上的正投影与所述初始化信号线VINT(N)在所述基底上的正投影之间，使得所述初始化信号线VINT(N)与其所属子像素中的第一晶体管T1的第一极，以及沿第二方向相邻的上一个子像素中的第七晶体管T7的第一极之间的距离均较近，这样在通过导电连接部404连接所述初始化信号线VINT(N)与其所属子像素中的第一晶体管T1的第一极，以及通过导电连接部404连接所述初始化信号线VINT(N)与沿第二方向相邻的上一个子像素中的第七晶体管T7的第一极时，能够有效缩小所述导电连接部404的尺寸。因此，采用本发明实施例提供的制作方法制作的显示基板中，减少所述导电连接部404的遮挡面积，使显示基板具有良好的透过率，在将所述显示基板应用于对透过率有要求的屏下感测(sensor)产品中时，能够保证sensor产品功能性良好。而且，采用本发明实施例提供的制作方法制作的显示基板中，通过缩小所述导电连接部404的尺寸，更有利于避免所述导电连接部404与其周边的其他结构之间产生串扰，有效提升了显示基板工作的稳定性。此外，通过缩小所述导电连接部404的尺寸，降低了所述导电连接部404占用的布局空降，从而更好的降低了显示基板整体的布局难度。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底和设置于所述基底上的多个子像素；所述子像素包括：
复位信号线，所述复位信号线的至少部分沿第一方向延伸；
初始化信号线，所述初始化信号线的至少部分沿所述第一方向延伸；
第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述复位信号线耦接，所述第一晶体管的第一极与所述初始化信号线耦接，所述第一晶体管的第一极的至少部分在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述初始化信号线在所述基底上的正投影之间。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述子像素还包括导电连接部，所述导电连接部分别与所述第一晶体管的第一极和所述初始化信号线耦接，所述导电连接部在所述基底上的正投影位于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述初始化信号线在所述基底上的正投影之间；沿所述第二方向，所述导电连接部的长度，小于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述初始化信号线在所述基底上的正投影之间的距离。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述导电连接部在所述基底上的正投影与所述复位信号线在所述基底上的正投影不交叠。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一晶体管的第一极在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线在所述基底上的正投影部分交叠。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述初始化信号线包括主体部和突出部，所述主体部沿所述第一方向延伸，所述突出部在所述基底上的正投影，与所述第一晶体管的第一极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述子像素还包括栅线，所述栅线的至少部分沿所述第一方向延伸；
所述初始化信号线在所述基底上的正投影，位于所述复位信号线在所述基底上的正投影与所述栅线在所述基底上的正投影之间。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，
所述子像素还包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与所述栅线耦接，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述初始化信号线在所述基底上的正投影，与所述第二晶体管的栅极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二晶体管包括第二有源图形，所述第二有源图形包括导体部分和两个半导体部分，所述导体部分分别与所述两个半导体部分耦接；
所述子像素还包括屏蔽图形，所述屏蔽图形与所述初始化信号线耦接，所述屏蔽图形在所述基底上的正投影，与所述导体部分在所述基底上的正投影至少部分交叠。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述屏蔽图形与所述初始化信号线形成为一体结构。
11.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述屏蔽图形包括第一子图形和第二子图形，所述第一子图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第二子图形沿第一方向延伸，所述第二子图形在所述基底上的正投影与所述导体部分在所述基底上的正投影至少部分交叠。
12.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述子像素还包括发光元件和第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线耦接，所述第七晶体管的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线耦接，所述第七晶体管的第二极与所述发光元件耦接，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述第七晶体管的第一极在所述基底上的正投影，位于沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线在所述基底上的正投影，与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线在所述基底上的正投影之间。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述第七晶体管的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的第一晶体管的第一极形成为一体结构。
14.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述子像素还包括：
发光控制信号线，所述发光控制信号线的至少部分沿第一方向延伸；
电源线，所述电源线的至少部分沿第二方向延伸；
数据线，所述数据线的至少部分沿所述第二方向延伸；
第四晶体管，所述第四晶体管的栅极与所述栅线耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线耦接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源线耦接，所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与所述发光元件耦接；
存储电容，所述驱动晶体管的栅极复用为所述存储电容的第一极板，所述存储电容的第二极板与所述电源线耦接。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～14中任一项所述的显示基板。
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