CN112419981B - 一种amoled像素驱动电路及驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法，属于显示技术领域。该驱动电路通过直接抓取驱动薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿；通过第二电容和第一电容的并联将第六薄膜晶体管漏极电压施加至节点A进行迁移率补偿；通过补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压和迁移率，使得流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度，提升了有机发光二极管的显示质量；通过将数据电压从第六薄膜晶体管源极输入，使得电路在抓取驱动薄膜晶体管的同时读入了数据电压，提升了效率；通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了有机发光二极管不必要的发光，降低了功耗。

Description

一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法
技术领域
本发明属于显示技术领域，涉及一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容，将电压变换为电流。
如图1所示，传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路，包括第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、及电容C，第一薄膜晶体管T10为开关薄膜晶体管，第二薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管，电容C为存储电容。具体地，第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接扫描信号Scan，源极电性连接数据电压Data，漏极与第二薄膜晶体管T20的栅极、及电容C的一端电性连接；第二薄膜晶体管T20的源极电性连接电源正电压VDD0，漏极电性连接有机发光二极管D0的阳极；有机发光二极管D0的阴极电性连接地电压GND0；电容C的一端电性连接第一薄膜晶体管T10的漏极，另一端连接地电压GND0。AMOLED显示时，扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T10打开，数据电压Data经过第一薄膜晶体管T10进入到第二薄膜晶体管T20的栅极及电容C，然后第一薄膜晶体管T10闭合，由于电容C的存储作用，第二薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据电压，使得第二薄膜晶体管T20处于导通状态，驱动电流通过第二薄膜晶体管T20进入有机发光二极管D0，驱动有机发光二极管D0发光。
上述传统电路用于AMOLED的2T1C像素驱动电路对薄膜晶体管的阈值电压和迁移率变化十分敏感。第二薄膜晶体管T20，即驱动薄膜晶体管的阈值电压和迁移率会随着工作时间而发生改变，从而导致有机发光二极管D0的发光不稳定；进一步地，各个像素的第二薄膜晶体管T20，即驱动薄膜晶体管的阈值电压的漂移和迁移率发生改变，导致各个像素间的发光不均匀、亮度不一。使用这种传统的不带补偿的2T1C像素驱动电路造成的AMOLED显示亮度的不均匀性约为50％甚至更高。
因此，亟需一种新的AMOLED像素驱动电路来解决AMOLED显示亮度不均匀的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法，对每一个像素加补偿电路，即对每一个像素中的驱动薄膜晶体管阈值电压和迁移率进行补偿，使输出电流变得与这些参数无关，从而解决目前AMOLED显示亮度不均匀的问题。
为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第一电容C1、第二电容C2以及有机发光二极管OLED；
所述第一薄膜晶体管T1栅极接入第一扫描控制信号VSCAN1，源极电性连接于节点A，漏极接入初始化驱动电压VCOMP；
所述第二薄膜晶体管T2栅极接入第二扫描控制信号VSCAN2，漏极电性连接于节点A，源极电性连接于第三薄膜晶体管T3的源极；
所述第三薄膜晶体管T3栅极接入第三扫描控制信号VSCAN3，漏极电性连接于有机发光二极管OLED的阴极，源极电性连接于第二薄膜晶体管T2的源极；
所述第四薄膜晶体管T4栅极接入第四扫描控制信号VSCAN4，漏极电性连接于第五薄膜晶体管T5的源极，源极连接于第二电容C2的一端；
所述第五薄膜晶体管T5栅极电性连接于节点A，漏极电性连接于第三薄膜晶体管T3的源极，源极电性连接于第四薄膜晶体管T4的漏极；
所述第六薄膜晶体管T6栅极接入电源高压VDD，漏极电性连接于第四薄膜晶体管T4的漏极，源极接入数据电压VDATA；
所述第一电容C1一端电性连接于节点A，另一端接入地电压GND；
所述第二电容C2一端电性连接于第四薄膜晶体管T4的源极，另一端电性连接于节点A；
所述有机发光二极管OLED阳极接入电源高压VDD。
优选的，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或者有机薄膜晶体管。
优选的，所述第一、第二、第三、第四扫描控制信号VSCAN1、VSCAN2、VSCAN3、VSCAN4、初始化驱动电压VCOMP、数据电压VDATA均通过外部时序控制器提供。
优选的，所述AMOLED像素驱动电路的驱动时序依次包括：
(1)初始化阶段：第一扫描控制信号VSCAN1和初始化驱动电压VCOMP提供高电位，第二扫描控制信号VSCAN2、第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4均提供低电位；
(2)数据电压输入阶段：第一扫描控制信号VSCAN1、第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4、初始化驱动电压VCOMP提供低电位，第二扫描控制信号VSCAN2提供高电位；
所述数据电压输入阶段同时完成数据电压的输入和第五薄膜晶体管T5阈值电压的补偿；
(3)发光阶段：第一扫描控制信号VSCAN1、第二扫描控制信号VSCAN2、初始化驱动电压VCOMP提供低电位，第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4提供高电位；
所述发光阶段同时完成有机发光二极管的发光和第五薄膜晶体管T5迁移率的补偿。
进一步，所述AMOLED像素驱动电路的像素驱动方法，具体包括以下步骤：
S1：进入初始化阶段；
所述第一扫描控制信号VSCAN1和所述初始化驱动电压VCOMP提供高电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2、所述第三扫描控制信号VSCAN3、所述第四扫描控制信号VSCAN4、所述数据电压VDATA提供低电位0V；所述第一薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管(T1、T6)打开，所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管(T2、T3、T4、T5)关闭，所述第五薄膜晶体管T5栅极与初始化驱动电压VCOMP高电位短接，此时第五薄膜晶体管栅极电压VG_T5初始化为VCOMP_H，VCOMP_H是初始化驱动电压VCOMP提供的高电位；
S2：进入数据电压输入阶段；
所述第一扫描控制信号VSCAN1、所述第三扫描控制信号VSCAN3、所述第四扫描控制信号VSCAN4、所述初始化驱动电压VCOMP提供低电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2、所述数据电压VDATA提供高电位；所述第二薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管(T2、T5、T6)打开，所述第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管T1、T3、T4关闭，所述第五薄膜晶体管T5处于二极管连接状态，此时第五薄膜晶体管栅极电压VG_T5通过第二薄膜晶体管T2、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6放电至VDATA_H+Vth_T5，其中VDATA_H为数据电压VDATA的高电位，Vth_T5为第五薄膜晶体管T5的阈值电压；
S3：进入发光阶段；
所述第一扫描控制信号VSCAN1、所述第二扫描控制信号VSCAN2、所述初始化驱动电压VCOMP提供低电位、所述数据电压VDATA提供低电位0V，所述第三扫描控制信号VSCAN3、所述第四扫描控制信号VSCAN4提供高电位；所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管T3、T4、T5、T6打开，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管T1、T2关闭；所述第一电容C1和第二电容C2并联，所述第五薄膜晶体管T5的栅极电压VG_T5等于VDATA_H+Vth_T5+(C2/C1+C2)VGS_T6，其中，C1为第一电容C1的电容值，C2为第二电容C2的电容值，VDATA_H为数据电压VDATA的高电位，Vth_T5为第五薄膜晶体管T5的阈值电压，VGS_T6为第六薄膜晶体管T6栅极和源极之间的电压之差；使得流经有机发光二极管OLED的电流与第五薄膜晶体管T5的阈值电压Vth_T5无关，同时抑制了第五薄膜晶体管T5的迁移率变化对流经所述发光二极管OLED电流的影响。
本发明的有益效果在于：本发明能够有效补偿驱动薄膜阈值电压和迁移率，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
本发明的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作优选的详细描述，其中：
图1为传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路的电路图；
图2为本发明用于AMOLED的6T2C像素驱动电路的电路图；
图3为本发明用于AMOLED的6T2C像素驱动电路的时序图；
图4为本发明AMOLED像素驱动方法中初始化阶段的示意图；
图5为本发明AMOLED像素驱动方法中数据电压输入阶段的示意图；
图6为本发明AMOLED像素驱动方法中发光阶段的示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
请参阅图2～图6，本发明设计了一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第一电容C1、第二电容C2、及有机发光二极管OLED。
具体连接方式为：第一薄膜晶体管T1栅极接入第一扫描控制信号VSCAN1，源极电性连接于节点A，漏极接入初始化驱动电压VCOMP；第二薄膜晶体管T2栅极接入第二扫描控制信号VSCAN2，漏极电性连接于节点A，源极电性连接于第三薄膜晶体管T3的源极；第三薄膜晶体管T3栅极接入第三扫描控制信号VSCAN3，漏极电性连接于有机发光二极管OLED的阴极，源极电性连接于第二薄膜晶体管T2的源极；所述第四薄膜晶体管T4栅极接入第四扫描控制信号VSCAN4，漏极电性连接于第五薄膜晶体管T5的源极，源极连接于第二电容C2的一端；第五薄膜晶体管T5栅极电性连接于节点A，漏极电性连接于第三薄膜晶体管T3的源极，源极电性连接于第四薄膜晶体管T4的漏极；第六薄膜晶体管T6栅极接入电源高压VDD，漏极电性连接于第四薄膜晶体管T4的漏极，源极接入数据电压VDATA；第一电容C1一端电性连接于节点A，另一端接入地电压GND；第二电容C2一端电性连接于第四薄膜晶体管T4的源极，另一端电性连接于节点A；有机发光二极管OLED阳极接入电源高压VDD。
优选的，第五薄膜晶体管T5为驱动薄膜晶体管，用于驱动有机发光二极管OLED发光，AMOLED像素驱动电路能够补偿驱动薄膜晶体管即第一薄膜晶体管T1的阈值电压。
优选的，第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或者有机薄膜晶体管。
优选的，扫描控制信号VSCAN1、VSCAN2、VSCAN3、VSCAN4、初始化驱动电压VCOMP、数据电压VDATA均通过外部时序控制器提供。
如图3所示，第一扫描控制信号VSCAN1、第二扫描控制信号VSCAN2、第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4、初始化驱动电压VCOMP、数据电压VDATA相组合，先后对应初始化阶段(1)、数据电压输入阶段(2)、发光阶段(3)；
在初始化阶段(1)，第一扫描控制信号VSCAN1和所述初始化驱动电压VCOMP提供高电位，第二扫描控制信号VSCAN2、第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4、数据电压VDATA提供低电位0V；第一薄膜晶体管T1、第六薄膜晶体管T6打开，第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5关闭，第五薄膜晶体管T5栅极与初始化驱动电压VCOMP高电位短接，此时第五薄膜晶体管栅极电压VG_T5初始化为VCOMP_H,VCOMP_H是初始化驱动电压VCOMP提供的高电位。
在数据电压输入阶段(2)，第一扫描控制信号VSCAN1、第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4、初始化驱动电压VCOMP提供低电位，第二扫描控制信号VSCAN2、所述数据电压VDATA提供高电位；第二薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管T2、T5、T6打开，第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管T1、T3、T4关闭，第五薄膜晶体管T5处于二极管连接状态，此时第五薄膜晶体管栅极电压VG_T5通过第二薄膜晶体管T2、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6放电至VDATA_H+Vth_T5，其中VDATA_H为数据电压VDATA的高电位、Vth_T5为所述第五薄膜晶体管T5的阈值电压。
在发光阶段(3)，第一扫描控制信号VSCAN1、第二扫描控制信号VSCAN2、初始化驱动电压VCOMP提供低电位、数据电压VDATA提供低电位0V，第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4提供和高电位；第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6打开，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2关闭；第一电容C1和第二电容C2并联，第五薄膜晶体管T5的栅极电压VG_T5等于，VDATA_H+Vth_T5+(C1/C1+C2)VGS_T6,其中C1为第一电容C1的电容值，C2为第二电容C2的电容值，VDATA_H为数据电压VDATA的高电位、Vth_T5为第五薄膜晶体管T5的阈值电压，VGS_T6为所述第六薄膜晶体管T6栅极和源极之间的电压之差；使得流经所述有机发光二极管OLED的电流与第五薄膜晶体管T5的阈值电压Vth_T5无关，同时抑制了第五薄膜晶体管T5的迁移率变化对流经所述发光二极管OLED电流的影响。
本实施例设计的AMOLED像素驱动电路的像素驱动方法，具体包括如下步骤：
步骤1，提供如图2所示的6T2C结构的AMOLED像素驱动电路；
步骤2，进入初始化阶段：
结合图3和图4，第一扫描控制信号VSCAN1和所述初始化驱动电压VCOMP提供高电位，第二扫描控制信号VSCAN2、第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4、数据电压VDATA提供低电位0V；第一薄膜晶体管T1、第六薄膜晶体管T6打开，第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5关闭，第五薄膜晶体管T5栅极与初始化驱动电压VCOMP高电位短接，此时第五薄膜晶体管栅极电压VG_T5初始化为VCOMP_H,VCOMP_H是初始化驱动电压VCOMP提供的高电位，有机发光二极管OLED不发光。
步骤3，进入数据电压输入阶段：
结合图3和图5，第一扫描控制信号VSCAN1、第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4、初始化驱动电压VCOMP提供低电位，第二扫描控制信号VSCAN2、数据电压VDATA提供高电位；第二薄膜晶体管T2、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6打开，第一薄膜晶体管T1、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4关闭，第五薄膜晶体管T5处于二极管连接状态，此时第五薄膜晶体管栅极电压VG_T5通过第二薄膜晶体管T2、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6放电至VDATA_H+Vth_T5，其中VDATA_H为数据电压VDATA的高电位、Vth_T5为第五薄膜晶体管T5的阈值电压，有机发光二极管OLED不发光。
步骤4，进入发光阶段：
结合图3和图6，第一扫描控制信号VSCAN1、第二扫描控制信号VSCAN2、初始化驱动电压VCOMP提供低电位、数据电压VDATA提供低电位0V，第三扫描控制信号VSCAN3、第四扫描控制信号VSCAN4提供和高电位；第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6打开，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2关闭；所述第一电容C1和第二电容C2并联，第五薄膜晶体管T5的栅极电压VG_T5等于VDATA_H+Vth_T5+(C2/C1+C2)VGS_T6，其中C1为第一电容的电容值，C2为第二电容的电容值，VDATA_H为数据电压VDATA的高电位、Vth_T5为第五薄膜晶体管T5的阈值电压，VGS_T6为第六薄膜晶体管T6栅极和源极之间的电压之差；使得流经有机发光二极管OLED的电流与第五薄膜晶体管T5的阈值电压Vth_T5无关，同时抑制了第五薄膜晶体管T5的迁移率变化对流经发光二极管OLED电流的影响。
需要说明的是，根据现有技术采用薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管时，流经有机发光二极管的电流公式：
IOLED＝K(VGS_T5-Vth_T5)2
其中，IOLED为流经有机发光二极管OLED的电流，K为驱动薄膜晶体管即第五薄膜晶体管T5的结构参数，VGS_T5为驱动薄膜晶体管即第五薄膜晶体管T5栅极和源极之间的压差，Vth_T5为第五薄膜晶体管T5的阈值电压，而此时第五薄膜晶体管T5栅极和源极之间的压差为：VDATA_H+Vth_T5+(C2/C1+C1)VGS_T6-VGS_T6。
因此，IOLED＝K(VGS_T5-Vth_T5)2＝K(VDATA_H-(C1/C1+C2)VGS_T6)2，其中，C1为第一电容的电容值，C2为第二电容的电容值，VDATA_H为数据电压VDATA的高电位，VGS_T6为第六薄膜晶体管T6栅极和源极之间的电压之差，对于相同结构的薄膜晶体管K值相对稳定，(C1/C1+C2)VGS_T6的值也相对稳定，从而流经有机发光二极管OLED的电流与第五薄膜晶体管T5的阈值电压无关，(C1/C1+C2)VGS_T6能够对第五薄膜晶体管迁移率的变化对流经有机发光二极管电流产生的影响起到抑制作用，从而能有效补偿驱动薄膜晶体管T5的阈值电压和迁移率，保证了流过有机发光二极管OLED的电流的稳定性，保证了有机发光二极管的亮度均匀性提升了有机发光二极管的显示质量。
综上所述，本发明提供的AMOLED像素驱动电路，其是采用6T2C结构的像素驱动电路并搭配了有特定的驱动时序，通过直接抓取第五薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿；通过第二电容和第一电容的并联将第六薄膜晶体管漏极电压的一部分施加至节点A进行迁移率补偿；通过补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压和迁移率，使得流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度；通过将数据电压从第六薄膜晶体管源极输入，使得电路在抓取驱动薄膜晶体管的同时读入了数据电压，将阈值电压的抓取与数据电压的读入合二为一，减少了电路的工作阶段，提升了效率；通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了有机发光二极管不必要的发光，提高了有机发光二极管的显示质量而且降低了功耗。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (5)

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)以及有机发光二极管(OLED)；
所述第一薄膜晶体管(T1)栅极接入第一扫描控制信号(VSCAN1)，源极电性连接于节点(A)，漏极接入初始化驱动电压(VCOMP)；
所述第二薄膜晶体管(T2)栅极接入第二扫描控制信号(VSCAN2)，漏极电性连接于节点(A)，源极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的源极；
所述第三薄膜晶体管(T3)栅极接入第三扫描控制信号(VSCAN3)，漏极电性连接于有机发光二极管(OLED)的阴极，源极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的源极；
所述第四薄膜晶体管(T4)栅极接入第四扫描控制信号(VSCAN4)，漏极电性连接于第五薄膜晶体管(T5)的源极，源极连接于第二电容(C2)的一端；
所述第五薄膜晶体管(T5)栅极电性连接于节点(A)，漏极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的源极，源极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的漏极；
所述第六薄膜晶体管(T6)栅极接入电源高压(VDD)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的漏极，源极接入数据电压(VDATA)；
所述第一电容(C1)一端电性连接于节点(A)，另一端接入地电压(GND)；
所述第二电容(C2)一端电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极，另一端电性连接于节点(A)；
所述有机发光二极管(OLED)阳极接入电源高压(VDD)。
2.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或者有机薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四扫描控制信号(VSCAN1、VSCAN2、VSCAN3、VSCAN4)、初始化驱动电压(VCOMP)、数据电压(VDATA)均通过外部时序控制器提供。
4.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素驱动电路的驱动时序依次包括：
(1)初始化阶段：第一扫描控制信号(VSCAN1)和初始化驱动电压(VCOMP)提供高电位，第二扫描控制信号(VSCAN2)、第三扫描控制信号(VSCAN3)、第四扫描控制信号(VSCAN4)均提供低电位；
(2)数据电压输入阶段：第一扫描控制信号(VSCAN1)、第三扫描控制信号(VSCAN3)、第四扫描控制信号(VSCAN4)、初始化驱动电压(VCOMP)提供低电位，第二扫描控制信号(VSCAN2)提供高电位；
(3)发光阶段：第一扫描控制信号(VSCAN1)、第二扫描控制信号(VSCAN2)、初始化驱动电压(VCOMP)提供低电位，第三扫描控制信号(VSCAN3)、第四扫描控制信号(VSCAN4)提供高电位。
5.适用于权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路的一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
S1：进入初始化阶段；
所述第一扫描控制信号(VSCAN1)和所述初始化驱动电压(VCOMP)提供高电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)、所述第三扫描控制信号(VSCAN3)、所述第四扫描控制信号(VSCAN4)、所述数据电压(VDATA)提供低电位0V；所述第一薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管(T1、T6)打开，所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管(T2、T3、T4、T5)关闭，所述第五薄膜晶体管(T5)栅极与初始化驱动电压(VCOMP)高电位短接，此时第五薄膜晶体管栅极电压(VG_T5)初始化为VCOMP_H，VCOMP_H是初始化驱动电压(VCOMP)提供的高电位；
S2：进入数据电压输入阶段；
所述第一扫描控制信号(VSCAN1)、所述第三扫描控制信号(VSCAN3)、所述第四扫描控制信号(VSCAN4)、所述初始化驱动电压(VCOMP)提供低电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)、所述数据电压(VDATA)提供高电位；所述第二薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管(T2、T5、T6)打开，所述第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管(T1、T3、T4)关闭，所述第五薄膜晶体管(T5)处于二极管连接状态，此时第五薄膜晶体管栅极电压(VG_T5)通过第二薄膜晶体管(T2)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)放电至VDATA_H+Vth_T5，其中VDATA_H为数据电压(VDATA)的高电位，Vth_T5为第五薄膜晶体管(T5)的阈值电压；
S3：进入发光阶段；
所述第一扫描控制信号(VSCAN1)、所述第二扫描控制信号(VSCAN2)、所述初始化驱动电压(VCOMP)提供低电位、所述数据电压(VDATA)提供低电位(0V)，所述第三扫描控制信号(VSCAN3)、所述第四扫描控制信号(VSCAN4)提供高电位；所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管(T3、T4、T5、T6)打开，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管(T1、T2)关闭；所述第一电容(C1)和第二电容(C2)并联，所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电压(VG_T5)等于VDATA_H+Vth_T5+(C2/C1+C2)VGS_T6，其中，C1为第一电容(C1)的电容值，C2为第二电容(C2)的电容值，VDATA_H为数据电压(VDATA)的高电位，Vth_T5为第五薄膜晶体管(T5)的阈值电压，VGS_T6为第六薄膜晶体管(T6)栅极和源极之间的电压之差。
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