CN112383301B - 晶振的时钟频率的校准方法、装置及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例公开了晶振的时钟频率的校准方法、装置及电子设备,应用于电子设备,所述方法包括:在所述电子设备定位成功后,启动晶振校准流程;所述晶振校准流程包括:控制所述电子设备执行升温指令;以及,在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,对所述电子设备的晶振的时钟频率进行校准。
Description
技术领域
本公开实施例涉及通信技术领域,更具体地,本公开实施例涉及一种晶振的时钟频率的校准方法、装置及电子设备。
背景技术
晶振,又被称为晶体振荡器(Crystal Oscillator,XO),是用来产生频率信号的电子元器件。晶振的频率会随着温度的变化而变化,这种现象被称为温度漂移,简称温漂;同时,晶振的频率也会随着时间的推移而变化,这种现象被称为老化。
晶振被广泛地应用于各种无线通信终端,例如AR设备、移动终端和物联网终端等。由于温漂和老化现象的存在,晶振会出现较大的频率偏移,一般可达0ppm~20ppm之间,甚至更高,这样会影响全球定位***(Global Positioning System,GPS)定位的准确性。
因此,有必要提供一种晶振的时钟频率的校准方案,以在提高校准的精度,从而提高电子设备卫星定位的准确性。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种晶振的时钟频率的校准方案,以在提高校准的精度,从而提高电子设备卫星定位的准确性。
根据本公开实施例第一方面,提供了一种晶振的时钟频率的校准方法,应用于电子设备,所述方法包括:
在所述电子设备定位成功后,启动晶振校准流程;
所述晶振校准流程包括:控制所述电子设备执行升温指令;以及,在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,对所述电子设备的晶振的时钟频率进行校准。
可选地,所述晶振校准流程包括依序排列的三个校准阶段,所述启动晶振校准流程包括:依序执行每一所述校准阶段;
所述执行每一所述校准阶段包括:
确定与当前校准阶段对应的目标信号量;
在接收到的卫星信号的信号量达到目标信号量时,控制所述电子设备执行升温指令;以及,
在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,根据所述卫星信号对所述晶振的时钟频率进行一次校准。
可选地,在执行每一所述校准阶段之后,所述方法还包括:
获取所述电子设备的设备温度;
在所述设备温度达到预设的第一温度时,获取当前校准阶段对应的校准结果。
可选地,在获取当前校准阶段对应的校准结果之后,所述方法还包括:
比较当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果;
在所述当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果一致的情况下,确定当前校准阶段校准成功;
在确定当前校准阶段校准成功之后,进入下一校准阶段;
在确定最后一个校准阶段校准成功之后,结束所述晶振校准流程。
可选地,所述方法还包括:
在所述当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果一致的情况下,确定当前校准阶段校准失败。
可选地,所述方法还包括:
在确定当前校准阶段校准失败的情况下,判断校准时长是否超过预设的时间阈值;
在所述校准时长未超过预设的时间阈值的情况下,重新启动晶振校准流程;
在所述校准时长超过预设的时间阈值的情况下,确定晶振校准失败,并结束所述晶振校准流程。
可选地,在确定当前校准阶段校准失败的情况下,判断当前校准阶段的校准次数是否超过预设的次数阈值;
在所述校准次数未超过预设的次数阈值的情况下,重新启动晶振校准流程;
在所述校准次数超过预设的次数阈值的情况下,确定晶振校准失败,并结束所述晶振校准流程。
可选地,所述方法还包括:接收卫星信号的步骤;
所述接收卫星信号,包括:
控制所述电子设备执行升温指令;
在所述电子设备的设备温度达到预设的第二温度时,接收卫星信号。
根据本公开实施例的第二方面,提供了一种晶振的时钟频率的校准装置,包括:
校准模块,用于在所述电子设备定位成功后,启动晶振校准流程;
所述校准模块,包括:
升温单元,用于控制所述电子设备执行升温指令;
校准单元,用于在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,对所述电子设备的晶振的时钟频率进行校准;
或者,
包括存储器和处理器,所述存储器用于存储可执行的指令;所述处理器用于根据所述指令的控制进行操作以执行如权利要求1至8中任一项所述的方法。
根据本公开实施例第三方面,提供了一种电子设备,包括定位模块和如本公开实施例的第二方面所述的晶振的时钟频率的校准装置。
根据本公开实施例,控制电子设备执行升温指令,并根据电子设备的设备温度的升高幅度触发晶振校准算法,可以保证在设备温度升温时对晶振进行校准,能够提高校准的成功率和准确性。
根据本公开实施例,通过控制电子设备执行升温指令触发晶振校准算法,可以简化校准流程,实现自动化,避免人为输入带来的误差,进一步提高校准的准确性。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定。对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为可用于实现本公开实施例的电子设备的硬件配置示意图;
图2为本公开实施例的晶振的时钟频率的校准方法的流程示意图;
图3为本公开一个例子的晶振的时钟频率的校准方法的流示意图;
图4为本公开实施例的晶振的时钟频率的校准装置的结构方框图;
图5为本公开实施例的晶振的时钟频率的校准装置的结构方框图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
<硬件配置>
如图1所示,本发明实施例提供的电子设备100的硬件配置的框图。
本公开实施例中,电子设备100例如可以是VR(虚拟现实,Virtual Reality)设备、AR(增强现实,Augmented Reality)设备及MR(混合现实,Mixed Reality)设备等。电子设备100也可以是无线通信终端,例如移动终端和物联网终端等。
在一个实施例中,电子设备100可以如图1所示,包括处理器110、存储器120、接口装置130、通信装置140、显示装置150、输入装置160、定位装置170等。
其中,处理器110可以包括但不限于中央处理器CPU、微处理器MCU等。存储器120可以包括但不限于ROM(只读存储器)、RAM(随机存取存储器)、诸如硬盘的非易失性存储器等。接口装置130可以包括但不限于串行总线接口(包括USB接口)、并行总线接口、红外接口等。通信装置140例如能够进行有线或无线通信,具体的可以包括但不限于WiFi通信、蓝牙通信、2G/3G/4G/5G通信等。显示装置150例如可以是液晶显示屏、LED显示屏、触摸显示屏等。输入装置160可以包括但不限于触摸屏、键盘、体感输入等。定位装置170例如可以包括基站定位模块、全球导航卫星***GNSS(Global Navigation Satellite System)定位模块等。全球导航卫星***GNSS定位模块例如可以是GPS(Global Positioning System,全球定位)模块或者北斗模块等。
尽管在图1中对电子设备100示出了多个装置,但是,本发明可以仅涉及其中的部分装置,例如电子设备100只涉及处理器110、存储器120和定位模块170。
在上述描述中,技术人员可以根据本公开所提供的方案设计指令。指令如何控制处理器进行操作,这是本领域公知,故在此不再详细描述。
图1所示的电子设备100仅是解释性的,并且决不是为了要限制本公开、其应用或用途。
<方法实施例>
正如背景技术所述,晶振被广泛地应用于各种无线通信终端,例如AR设备、移动终端和物联网终端等。由于温漂和老化现象的存在,晶振会出现较大的频率偏移,一般可达0ppm~20ppm之间,甚至更高,这样会影响全球定位***(Global Positioning System,GPS)定位的准确性。
基于上述缺陷,发明人发现,可以通过对电子设备的晶振的时钟频率进行校准,以提高电子设备定位的准确性。具体的,晶振校准包括粗校准和精校准。粗校准是对晶振的标称频率误差进行校准。粗校准是在室温条件下进行的。精校准的目的是刻画出晶振的频率相对温度的变化曲线,从而实现对晶振的时钟频率的校准。
但是,发明人还发现,现有的晶振精校准的步骤繁琐,耗时较长。
基于此,发明人提出了一种晶振的时钟频率的校准方法,控制方式简单,并且能够在适合的环境下触发校准算法,提高校准的成功率和准确性。
下面参见图2所示,说明本公开实施例提供的晶振的时钟频率的校准方法。该方法涉及到电子设备。该电子设备可以是如图1所示的电子设备100。
该晶振的时钟频率的校准方法包括:在电子设备定位成功后,启动晶振校准流程。
在该实施例中,应用于电子设备,电子设备内设置定位装置,该定位装置用于对电子设备进行定位。定位装置例如可以GPS定位芯片、北斗定位芯片等。对晶振的时钟频率的校准,可以理解是校准定位装置接收卫星信号的频率与晶振的时钟频率,以保证电子设备定位的准确性。因此,在电子设备定位成功后,启动晶振校准流程。
如图2所示,该晶振校准流程包括以下步骤S201-S202。
S201、控制电子设备执行升温指令。
在本实施例中,控制电子设备执行升温指令,可以是电子设备的温度升高,以满足晶振的精校准的环境要求。
S202、在电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,对电子设备的晶振的时钟频率进行校准。
第一幅度阈值可以是预先设定的。第一幅度阈值可以反映电子设备是否处于升温状态。在电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时触发晶振校准算法,以对电子设备的晶振的时钟频率进行校准。
根据本公开实施例,控制电子设备执行升温指令,并根据电子设备的设备温度的升高幅度触发晶振校准算法,可以保证在设备温度升温时对晶振进行校准,能够提高校准的成功率和准确性。根据本公开实施例,通过控制电子设备执行升温指令触发晶振校准算法,可以简化校准流程,实现自动化,避免人为输入带来的误差,进一步提高校准的准确性。
在本公开的一个实施例中,晶振校准流程包括依序排列的三个校准阶段,所述启动晶振校准流程包括:依序执行每一所述校准阶段。
在该实施例中,晶振校准流程是对晶振的时钟频率进行精校准。该晶振校准流程包括三个校准阶段,具体地,第一校准阶段(IFC)、第二校准阶段(FC1)和第三校准阶段(FC2)。每一校准阶段的校准程度不同。在执行晶振校准流程时,需要依次执行第一校准阶段、第二校准阶段和第三校准阶段。并且,在当前校准阶段校准成功的情况下进入下一校准阶段,直至三个校准阶段均校准成功,则确定晶振校准成功,可以结束晶振校准流程。
在本公开的一个实施例中,依序执行每一所述校准阶段,可以进一步包括:S301-S303。
S301、确定与当前校准阶段对应的目标信号量。
在该实施例中,应用于电子设备,电子设备内设置定位装置,该定位装置用于对电子设备进行定位。定位装置例如可以GPS定位芯片、北斗定位芯片等。对晶振的时钟频率的校准,可以理解是校准定位装置接收卫星信号的频率与晶振的时钟频率,以保证电子设备定位的准确性。
基于此,本公开实施例,在执行每一校准阶段时,需要接收卫星信号。由于不同校准阶段的校准程度不同,不同校准阶段所需要的卫星信号的信号量是不同的。示例性的,第一校准阶段需要的卫星信号的信号量最小,第三校准阶段需要的卫星信号的信号量最大。
在该实施例中,可以确定当前所处的校准阶段,进一步地确定与当前校准阶段对应的目标信号量。示例性的,预先建立校准阶段与目标信号量的映射关系,可以根据该映射关系查找与当前校准阶段对应的目标信号量。
S302、在接收到的卫星信号的信号量达到目标信号量时,控制所述电子设备执行升温指令。
在接收到的卫星信号的信号量达到目标信号量时,说明当前校准阶段所需要的卫星信号已符合要求,此时控制电子设备执行升温指令,以触发晶振校准算法。
在一个更具体的例子中,可以通过控制卫星信号的接收时长,确定卫星信号的信号量达到目标信号量。
该例子中,卫星信号的信号量受到接收时长和信号强度的影响。对于相同的信号量,当卫星信号的信号强度较强时,所需的接收时长较短,当卫星信号的信号强度较弱时,所需的接收时长较长。例如,信号强度30,时间1~2h,信号强度40~50,时间30min。
示例性的,在卫星信号的信号强度相同的情况下,可以通过控制卫星信号的接收时长,以控制接收到的卫星信号的信号量达到当前校准阶段对应的目标信号量。例如,在第一校准阶段,控制卫星信号的接收时长为30min;在第二校准阶段,控制卫星信号的接收时长为1h;在第三校准阶段,控制卫星信号的接收时长为2h。
需要说明的是,由于晶振的精校准是在升温情况下进行的,接收卫星信号的步骤也需要在升温情况下进行。
在本公开的一个实施例中,该晶振的时钟频率的校准方法还可以包括:接收卫星信号的步骤。
在一个更具体的例子中,接收卫星信号的步骤可以进一步包括:S401-S402。
S401、控制电子设备执行升温指令。
S402、在电子设备的设备温度达到预设的第二温度时,接收卫星信号。
第二温度可以根据工程经验进行设定,例如,58℃。
S303、在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,根据所述卫星信号对所述晶振的时钟频率进行一次校准。
需要说明的是,由于在执行每一校准阶段时,首先需要在升温条件下接收卫星信号,因此,在通过控制电子设备执行升温指令以触发晶振校准算法的步骤之前,需要控制电子设备停止执行升温指令,以使电子设备的设备温度降低至第三温度,例如30℃。在设备温度降低至第三温度之后,再次控制电子设备执行升温指令,以触发校准算法。这样,可以避免电子设备的设备温度过高,导致电子设备的损坏,延长电子设备的使用寿命。
在本公开的一个实施例中,在执行每一校准阶段之后,该晶振的时钟频率的校准方法还可以包括:S501-S502。
S501、获取电子设备的设备温度。
S502、在设备温度达到预设的第一温度时,获取当前校准阶段对应的校准结果。
在设备温度达到预设的第一温度时,获取当前校准阶段对应的校准结果,从而可以根据获取到的校准结果确定当前校准阶段是否校准成功。
需要说明的是,第二温度可以根据工程经验进行设定。第一温度可以与第二温度相同,也可以不同。例如,第一温度为58℃。
在本公开的一个实施例中,在获取当前校准阶段对应的校准结果之后,该晶振的时钟频率的校准方法还可以包括:S601-S604。
S601、比较当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果。
该实施例中,可以预先存储每一校准阶段对应的目标校准结果(即正确校准结果)。目标校准结果可以是数值,也可以是字母等。例如,对于安卓***的设备,可以通过查询NV67300数值中的ft_qual_ind项确定校准结果。具体地,对于安卓***的设备,第一校准阶段的目标校准结果对应的NV67300数值为6;第二校准阶段的目标校准结果对应的NV67300数值为8;第三校准阶段的目标校准结果对应的NV67300数值为11。
S602、在当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果一致的情况下,确定当前校准阶段校准成功。
例如,当前校准阶段为第一校准阶段,获取的当前校准阶段对应的校准结果为6,与预存的第一校准阶段对应的目标校准结果(NV67300数值为6)一致,说明第一校准阶段校准成功。
S603、在确定当前校准阶段校准成功之后,进入下一校准阶段。
S604、在确定最后一个校准阶段校准成功之后,确定晶振校准成功,并结束所述晶振校准流程。
在本实施例中,每一校准阶段的校准程度不同。在执行晶振校准流程时,需要依次执行第一校准阶段、第二校准阶段和第三校准阶段。并且,在当前校准阶段校准成功的情况下进入下一校准阶段,直至三个校准阶段均校准成功,则确定晶振校准成功,可以结束晶振校准流程。
在本公开的一个实施例中,在比较当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果之后,该晶振的时钟频率的校准方法还可以包括:在当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果一致的情况下,确定当前校准阶段校准失败。
例如,当前校准阶段为第二校准阶段,获取的当前校准阶段对应的校准结果为6,与预存的第二校准阶段对应的目标校准结果(NV67300数值为8)不一致,说明第二校准阶段校准失败。
在本公开的一个实施例中,在确定当前校准阶段校准失败的情况下,并且符合预设条件的情况下,可以重新启动晶振校准流程。这样,可以避免将其他因素造成的校准失败,误认为是晶振出现异常或者电子设备出现故障,能够提高校准的成功率。预设条件包括校准时长条件和校准次数条件。下面对这两种情况分别说明。
在一个更具体的例子中,该晶振的时钟频率的校准方法还可以包括:S701-S703。
S701、在确定当前校准阶段校准失败的情况下,判断校准时长是否超过预设的时间阈值。
校准时长是指执行一次晶振校准流程的时长。示例性的,可以通过启动定时器记录本次晶振校准流程的校准时长,也就是说,在启动晶振校准流程时,通过启动定时器的方式对本次晶振校准流程的校准时长进行计时,以便在本次晶振校准流程的校准时长超过预设的时间阈值时,进行相应的处理。
预设的时间阈值至少可以为用户可以接受的进行一次晶振校准流程的时长,但并不限于此,也可以根据每个用户的接受程度的不同进行适应性修改,本公开的实施例不作限制。
S702、在校准时长未超过预设的时间阈值的情况下,重新启动晶振校准流程。
S703、在校准时长超过预设的时间阈值的情况下,确定晶振校准失败,并结束晶振校准流程。
根据本公开的实施例,在确定当前校准阶段校准失败的情况下,在校准时长未超过预设的时间阈值时,可以重新启动晶振校准流程。这样,可以避免将其他因素造成的校准失败,误认为是晶振出现异常或者电子设备出现故障,能够提高校准的成功率。
在本公开的一个实施例中,该晶振的时钟频率的校准方法还可以包括:S801-S803。
S801、在确定当前校准阶段校准失败的情况下,判断当前校准阶段的校准次数是否超过预设的次数阈值。
预设的次数阈值是允许执行每一校准阶段的次数上限。预设的次数阈值可以根据工程经验进行设定,本公开的实施例对此不作限制。
S802、在校准次数未超过预设的次数阈值的情况下,重新启动晶振校准流程。
S803、在校准次数超过预设的次数阈值的情况下,确定晶振校准失败,并结束所述晶振校准流程。
根据本公开的实施例,在确定当前校准阶段校准失败的情况下,在校准次数未超过预设的次数阈值时,可以重新启动晶振校准流程。这样,可以避免将其他因素造成的校准失败,误认为是晶振出现异常或者电子设备出现故障,能够提高校准的成功率。
下面以一个具体例子对晶振的时钟频率的校准方法进行说明。如图3所示,该晶振的时钟频率的校准方法包括:S1001-S1011。
S1001、开启电子设备的定位装置。
S1002、在电子设备定位成功后,执行当前校准阶段。
S1003、控制电子设备执行升温指令,在电子设备的设备温度达到第二温度时,接收卫星信号。
S1004、在卫星信号的信号达到当前校准阶段对应的目标信号量时,控制电子设备停止执行升温指令。
S1005、在电子设备的设备温度降低至第三温度时,再次控制电子设备执行升温指令以触发晶振校准指令。
S1006、在电子设备的设备温度达到第一温度时,获取当前校阶段对应的校准结果。
S1007、判断当前校阶段对应的校准结果与目标校准结果是否一致,如果是,执行S1008,否则,执行S1009。
S1008、执行下一校准阶段。
S1009、判断校准时长是否超过预设的时间阈值,如果是,执行S1011,否则,返回S1003。
S1010、在确定最后一个校准阶段校准成功之后,确定晶振校准成功,并结束晶振校准流程。
S1011、确定晶振校准失败,结束晶振校准流程,关闭定位装置。
下面以晶振的精校准包括第一校准阶段、第二校准阶段、第三校准阶段为例对晶振的时钟频率的校准方法进行说明。
该晶振的时钟频率的校准方法包括:S2001-S2022。
S2001、开启电子设备的定位装置。
S2002、在电子设备定位成功后,执行第一校准阶段。
S2003、控制电子设备执行升温指令,在电子设备的设备温度达到58℃时,接收卫星信号。
S2004、在卫星信号的接收时长达到30min的情况下,控制电子设备停止执行升温指令。
S2005、在电子设备的设备温度降低至30℃时,再次控制电子设备执行升温指令以触发晶振校准指令。
S2006、在电子设备的设备温度达到58℃时,获取第一校阶段对应的第一校准结果。
S2007、判断第一校准结果是否为第一目标校准结果,如果是,执行S2008,否则,执行S2020。
S2008、执行第二校准阶段。
S2009、控制电子设备执行升温指令,在电子设备的设备温度达到58℃时,接收卫星信号。
S2010、在卫星信号的接收时长达到1h的情况下,控制电子设备停止执行升温指令。
S2011、在电子设备的设备温度降低至30℃时,再次控制电子设备执行升温指令以触发晶振校准指令。
S2012、在电子设备的设备温度达到58℃时,获取第二校阶段对应的第二校准结果。
S2013、判断第二校准结果与第二目标校准结果是否一致,如果是,执行S2014,否则,执行S2020。
S2014、执行第三校准阶段。
S2015、控制电子设备执行升温指令,在电子设备的设备温度达到58℃时,接收卫星信号。
S2016、在卫星信号的接收时长达到2h的情况下,控制电子设备停止执行升温指令。
S2017、在电子设备的设备温度降低至30℃时,再次控制电子设备执行升温指令以触发晶振校准指令。
S2018、在电子设备的设备温度达到58℃时,获取第三校阶段对应的第三校准结果。
S2019、判断第三校准结果与第三目标校准结果是否一致,如果是,执行S2021,否则,执行S2020。
S2020、判断校准时长是否超过预设的时间阈值,如果是,执行S2022,否则,返回S2003。
S2021、确定晶振校准成功,结束晶振校准流程,关闭定位装置。
S2022、确定晶振校准失败,结束晶振校准流程,关闭定位装置。
<装置实施例一>
参见图4所示,本公开实施例提供了晶振的时钟频率的校准装置40,该晶振的时钟频率的校准装置40包括校准模块。
该校准模块,用于在所述电子设备定位成功后,启动晶振校准流程。
该校准模块包括升温单元41和校准单元42。
该升温单元41,用于控制所述电子设备执行升温指令。
该校准单元42,用于在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,对所述电子设备的晶振的时钟频率进行校准。
在本公开的一个实施例中,所述晶振校准流程包括依序排列的三个校准阶段,该校准单元42,具体用于依序执行每一所述校准阶段。
在本公开的一个实施例中,该校准单元42,具体用于确定与当前校准阶段对应的目标信号量;在接收到的卫星信号的信号量达到目标信号量时,控制所述电子设备执行升温指令;以及,在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,根据所述卫星信号对所述晶振的时钟频率进行一次校准。
在一个更具体的例子中,在执行每一所述校准阶段之后,该校准单元42,具体用于获取所述电子设备的设备温度;在所述设备温度达到预设的第一温度时,获取当前校准阶段对应的校准结果。
在一个更具体的例子中,在获取当前校准阶段对应的校准结果之后,该校准单元42,具体用于比较当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果;在所述当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果一致的情况下,确定当前校准阶段校准成功;在确定当前校准阶段校准成功之后,进入下一校准阶段;以及,在确定最后一个校准阶段校准成功之后,确定晶振校准成功,并结束所述晶振校准流程。
在一个更具体的例子中,该校准单元42,还具体用于在所述当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果一致的情况下,确定当前校准阶段校准失败。
在本公开的一个实施例中,该校准单元42,还具体用于在确定当前校准阶段校准失败的情况下,判断校准时长是否超过预设的时间阈值;在所述校准时长未超过预设的时间阈值的情况下,重新启动晶振校准流程;以及,在所述校准时长超过预设的时间阈值的情况下,确定晶振校准失败,并结束所述晶振校准流程。
在本公开的一个实施例中,该校准单元42,还具体用于在确定当前校准阶段校准失败的情况下,判断当前校准阶段的校准次数是否超过预设的次数阈值;在所述校准次数未超过预设的次数阈值的情况下,重新启动晶振校准流程;在所述校准次数超过预设的次数阈值的情况下,确定晶振校准失败,并结束所述晶振校准流程。
参见图5所示,本公开实施例提供了晶振的时钟频率的校准装置50,该晶振的时钟频率的校准装置50包括处理器51和存储器52。存储器52用于存储计算机程序,计算机程序被处理器51执行时实现前述任一实施例公开的晶振的时钟频率的校准方法。
<装置实施例二>
本公开实施例还提供了一种电子设备。该电子设备包括定位模块和晶振的时钟频率的校准装置。
在一个实施例中,电子设备100例如可以是VR设备、AR设备及MR设备等。电子设备100也可以是无线通信终端,例如,移动终端和物联网终端等。
在一个实施例中,该晶振的时钟频率的校准装置可以是如图4所示的晶振的时钟频率的校准装置40,也可以是如图5所示的晶振的时钟频率的校准装置50。
电子设备内设置定位装置,该定位装置用于对电子设备进行定位。定位装置例如可以GPS定位芯片、北斗定位芯片等。对晶振的时钟频率的校准,可以理解是校准定位装置接收卫星信号的频率与晶振的时钟频率,以保证电子设备定位的准确性。
根据本公开实施例,控制电子设备执行升温指令,并根据电子设备的设备温度的升高幅度触发晶振校准算法,可以保证在设备温度升温时对晶振进行校准,能够提高校准的成功率和准确性。
根据本公开实施例,通过控制电子设备执行升温指令触发晶振校准算法,可以简化校准流程,实现自动化,避免人为输入带来的误差,进一步提高校准的准确性。
<计算机可读存储介质>
本公开实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,所述计算机指令被处理器运行时执行本公开实施例提供的晶振的时钟频率的校准方法。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分相互参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,但本领域技术人员应当清楚的是,上述各实施例可以根据需要单独使用或者相互结合使用。另外,对于装置实施例而言,由于其是与方法实施例相对应,所以描述得比较简单,相关之处参见方法实施例的对应部分的说明即可。以上所描述的***实施例仅仅是示意性的,其中作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的。
本发明可以是***、方法和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括计算机可读存储介质,其上载有用于使处理器实现本发明的各个方面的计算机可读程序指令。
计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读存储介质例如可以是――但不限于――电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、静态随机存取存储器(SRAM)、便携式压缩盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能盘(DVD)、记忆棒、软盘、机械编码设备、例如其上存储有指令的打孔卡或凹槽内凸起结构、以及上述的任意合适的组合。这里所使用的计算机可读存储介质不被解释为瞬时信号本身,诸如无线电波或者其他自由传播的电磁波、通过波导或其他传输媒介传播的电磁波(例如,通过光纤电缆的光脉冲)、或者通过电线传输的电信号。
这里所描述的计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理设备,或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。网络可以包括铜传输电缆、光纤传输、无线传输、路由器、防火墙、交换机、网关计算机和/或边缘服务器。每个计算/处理设备中的网络适配卡或者网络接口从网络接收计算机可读程序指令,并转发该计算机可读程序指令,以供存储在各个计算/处理设备中的计算机可读存储介质中。
用于执行本发明操作的计算机程序指令可以是汇编指令、指令集架构(ISA)指令、机器指令、机器相关指令、微代码、固件指令、状态设置数据、或者以一种或多种编程语言的任意组合编写的源代码或目标代码,所述编程语言包括面向对象的编程语言—诸如Smalltalk、C++等,以及常规的过程式编程语言—诸如“如“语言或类似的编程语言。计算机可读程序指令可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中,远程计算机可以通过任意种类的网络—包括局域网(LAN)或广域网(WAN)网连接到用户计算机,或者,可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。在一些实施例中,通过利用计算机可读程序指令的状态信息来个性化定制电子电路,例如可编程逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或可编程逻辑阵列(PLA),该电子电路可以执行计算机可读程序指令,从而实现本发明的各个方面。
这里参照根据本发明实施例的方法、装置(***)和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本发明的各个方面。应当理解,流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合,都可以由计算机可读程序指令实现。
这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理装置的处理器,从而生产出一种机器,使得这些指令在通过计算机或其它可编程数据处理装置的处理器执行时,产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中,这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作,从而,存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品,其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。
也可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上,使得在计算机、其它可编程数据处理装置或其它设备上执行一系列操作步骤,以产生计算机实现的过程,从而使得在计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。
附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的***、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分,所述模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的***来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。对于本领域技术人员来说公知的是,通过硬件方式实现、通过软件方式实现以及通过软件和硬件结合的方式实现都是等价的。
以上已经描述了本发明的各实施例,上述说明是示例性的,并非穷尽性的,并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下,对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择,旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术改进,或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (9)
1.一种晶振的时钟频率的校准方法,其特征在于,应用于电子设备,所述方法包括:
在所述电子设备定位成功后,启动晶振校准流程;
所述晶振校准流程包括:控制所述电子设备执行升温指令;以及,在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,对所述电子设备的晶振的时钟频率进行校准;
其中,所述晶振校准流程包括依序排列的三个校准阶段,所述启动晶振校准流程包括:依序执行每一所述校准阶段;
所述执行每一所述校准阶段包括:
确定与当前校准阶段对应的目标信号量;
在接收到的卫星信号的信号量达到目标信号量时,控制所述电子设备执行升温指令;以及,
在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,根据所述卫星信号对所述晶振的时钟频率进行一次校准。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在执行每一所述校准阶段之后,所述方法还包括:
获取所述电子设备的设备温度;
在所述设备温度达到预设的第一温度时,获取当前校准阶段对应的校准结果。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在获取当前校准阶段对应的校准结果之后,所述方法还包括:
比较当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果;
在所述当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果一致的情况下,确定当前校准阶段校准成功;
在确定当前校准阶段校准成功之后,进入下一校准阶段;
在确定最后一个校准阶段校准成功之后,确定晶振校准成功,并结束所述晶振校准流程。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述当前校准阶段对应的校准结果与预存的当前校准阶段对应的目标校准结果一致的情况下,确定当前校准阶段校准失败。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在确定当前校准阶段校准失败的情况下,判断校准时长是否超过预设的时间阈值;
在所述校准时长未超过预设的时间阈值的情况下,重新启动晶振校准流程;
在所述校准时长超过预设的时间阈值的情况下,确定晶振校准失败,并结束所述晶振校准流程。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在确定当前校准阶段校准失败的情况下,判断当前校准阶段的校准次数是否超过预设的次数阈值;
在所述校准次数未超过预设的次数阈值的情况下,重新启动晶振校准流程;
在所述校准次数超过预设的次数阈值的情况下,确定晶振校准失败,并结束所述晶振校准流程。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:接收卫星信号的步骤;
所述接收卫星信号,包括:
控制所述电子设备执行升温指令;
在所述电子设备的设备温度达到预设的第二温度时,接收卫星信号。
8.一种晶振的时钟频率的校准装置,其特征在于,包括:
校准模块,用于在所述电子设备定位成功后,启动晶振校准流程;
所述校准模块,包括:
升温单元,用于控制所述电子设备执行升温指令;
校准单元,用于在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,对所述电子设备的晶振的时钟频率进行校准;
其中,所述晶振校准流程包括依序排列的三个校准阶段,所述校准模块,具体用于依序执行每一所述校准阶段;所述执行每一所述校准阶段包括:确定与当前校准阶段对应的目标信号量;在接收到的卫星信号的信号量达到目标信号量时,控制所述电子设备执行升温指令;以及,在所述电子设备的设备温度的升高幅度达到第一幅度阈值时,根据所述卫星信号对所述晶振的时钟频率进行一次校准;
或者,
包括存储器和处理器,所述存储器用于存储可执行的指令;所述处理器用于根据所述指令的控制进行操作以执行如权利要求1至7中任一项所述的方法。
9.一种电子设备,其特征在于,包括定位模块和如权利要求8所述的晶振的时钟频率的校准装置。
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