CN112382330A - Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器 - Google Patents

Abstract

一种Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器，Nnd Flash坏块检测方法包括：在启动对Nand Flash的软件烧录后，接收来***录器的扫描命令；响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描，以获得所述Nand Flash的坏块信息；将所述坏块信息返回至所述烧录器，以使所述烧录器根据所述坏块信息确定是否继续烧录。本发明技术方案能够简单快速地获取Nand Flash坏块信息。

Description

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器。

背景技术

坏块是指在固态硬盘与非门闪存(Nand flash)中出现某些flash区域不能进行擦写操作，称这样的一个单位区域为一个坏块。而由于Nand flash中的读和写操作是以页(page)为单位，擦除是以块(block)为单位，且写操作之前必须要先进行擦除操作，因此，一个最小的可操作单位即为一个block,整个block中产生任何不可修复的位错误，就认为这个块是坏块。固态硬盘NandFlash坏块会影响终端设备的正常使用，比如软件版本烧录到NandFlash后无法开机或者版本烧录完成后使用异常，以上情况将给厂商及使用者带来很多损失。

现有技术中，软件烧录工具直接将软件版本下载到终端设备的存储器中。终端设备获得NandFlash坏块信息主要依赖串口输出日志(Log)。

但是，通过串口输出NandFlash坏块信息，不仅需要破坏终端设备外壳引出串口飞线和占用电脑端口，而且需要人工识别NandFlash坏块数和手动停止烧录；此外，NandFlash不同厂家有不同的协议，读取NandFlash坏块信息需要通过软件识别NandFlash厂商及扫描NandFlash，该方式给软件带来了巨大的开销。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何简单快速地获取Nand Flash坏块信息。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种Nand Flash坏块检测方法，NandFlash坏块检测方法包括：在启动对Nand Flash的软件烧录后，接收来***录器的扫描命令；响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描，以获得所述Nand Flash的坏块信息；将所述坏块信息返回至所述烧录器，以使所述烧录器根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

可选的，所述扫描命令包括所述Nand Flash的生产厂商信息。

可选的，所述响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描包括：响应于所述扫描命令与所述Nand Flash进行握手；在握手成功后，对所述Nand Flash进行扫描。

可选的，所述接收来***录器的扫描命令包括：接收按照第一预设数据格式发送的所述扫描命令，所述第一预设数据格式包括头部、命令类型、数据长度、数据内容、校验码以及尾部，所述扫描命令的命令类型为第一预设值。

可选的，所述将所述坏块信息返回至所述烧录器包括：将所述坏块信息按照第二预设数据格式返回至所述烧录器，所述第二预设数据格式包括头部、命令类型、数据长度、数据内容、校验码以及尾部，所述坏块信息的命令类型为第二预设值。

为解决上述技术问题，本发明实施例还公开另一种Nand Flash坏块检测方法，Nand Flash坏块检测方法包括：在启动对Nand Flash的软件烧录后，发送扫描命令；接收所述Nand Flash的坏块信息，所述坏块信息是终端设备响应于所述扫描命令对所述NandFlash进行扫描所获得的；根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

可选的，所述坏块信息包括坏块数量，所述根据所述坏块信息确定是否继续烧录包括：在所述坏块数量小于预设门限时，继续执行对Nand Flash的软件烧录；或者，在所述坏块数量达到预设门限时，停止对Nand Flash的软件烧录。

可选的，所述扫描命令包括所述Nand Flash的生产厂商信息，所述发送扫描命令包括：将所述Nand Flash的生产厂商信息按照第一预设数据格式形成所述扫描命令，并发送出去，所述第一预设数据格式包括头部、命令类型、数据长度、数据内容、校验码以及尾部，所述扫描命令的命令类型为第一预设值。

本发明实施例还公开一种Nand Flash坏块检测装置，Nand Flash坏块检测装置包括：扫描命令接收模块，用于在启动对Nand Flash的软件烧录后，接收来***录器的扫描命令；扫描模块，用于响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描，以获得所述NandFlash的坏块信息；坏块信息发送模块，用于将所述坏块信息返回至所述烧录器，以使所述烧录器根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

本发明实施例还公开一种Nand Flash坏块检测装置，Nand Flash坏块检测装置包括：扫描命令发送模块，用于在启动对Nand Flash的软件烧录后，发送扫描命令；坏块信息接收模块，用于接收所述Nand Flash的坏块信息，所述坏块信息是终端设备响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描所获得的；烧录确定模块，用于根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

本发明实施例还公开一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行所述Nand Flash坏块检测方法的步骤。

本发明实施例还公开一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行所述Nand Flash坏块检测方法的步骤。

本发明实施例还公开一种烧录器，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求6至8中任一项所述Nand Flash坏块检测方法的步骤。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明技术方案中，终端设备通过响应于烧录器的扫描命令将Nand Flash的坏块信息反馈至烧录器，使得烧录器能够根据终端设备反馈的信息获知Nand Flash的坏块情况，从而确定是否继续烧录；避免了现有技术中破坏终端设备外壳引出串口飞线来导出日志数据，实现了坏块信息获取的简便快捷性，提升了终端生产效率。

进一步地，所述扫描命令包括所述Nand Flash的生产厂商信息。本发明技术方案实现了Nand Flash生产厂商的自动识别，减小了软件开销，进一步提升生产效率。

附图说明

图1是本发明实施例一种Nand Flash坏块检测方法的流程图；

图2是本发明实施例另一种Nand Flash坏块检测方法的流程图；

图3是本发明实施例一种终端设备与烧录器交互示意图；

图4是本发明实施例一种终端设备结构示意图；

图5本发明实施例一种Nand Flash坏块检测装置的结构示意图；

图6是本发明实施例另一种Nand Flash坏块检测装置的结构示意图。

具体实施方式

如背景技术中所述，通过串口输出NandFlash坏块信息，不仅需要破坏终端设备外壳引出串口飞线和占用电脑端口，而且需要人工识别NandFlash坏块数和手动停止烧录；此外，NandFlash不同厂家有不同的协议，读取NandFlash坏块信息需要通过软件识别NandFlash厂商及扫描NandFlash，该方式给软件带来了巨大的开销。

本发明技术方案中，终端设备通过响应于烧录器的扫描命令将Nand Flash的坏块信息反馈至烧录器，使得烧录器能够根据终端设备反馈的信息获知Nand Flash的坏块情况，从而确定是否继续烧录；避免了现有技术中破坏终端设备外壳引出串口飞线来导出日志数据，实现了坏块信息获取的简便快捷性，提升了终端生产效率。

进一步地，所述扫描命令包括所述Nand Flash的生产厂商信息。本发明技术方案实现了Nand Flash生产厂商的自动识别，减小了软件开销，进一步提升生产效率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1是本发明实施例一种Nand Flash坏块检测方法的流程图。

本发明技术方案中可以用于配置有Nand Flash的终端设备，也即可以由该终端设备执行所述方法的各个步骤。所述终端可以是各种恰当的终端，例如手机、电脑、物联网设备等，但并不限于此。具体地，可以在该终端设备中配置软件程序，由该软件程序执行所述Nand Flash坏块检测方法的各个步骤；或者，在终端设备中配置能够与Nand Flash进行交互的硬件设备，例如Nand Flash控制器，并由Nand Flash控制器执行所述Nand Flash坏块检测方法的各个步骤。

具体而言，所述Nand Flash坏块检测方法可以包括以下步骤：

步骤S101：在启动对Nand Flash的软件烧录后，接收来***录器的扫描命令；

步骤S102：响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描，以获得所述NandFlash的坏块信息；

步骤S103：将所述坏块信息返回至所述烧录器，以使所述烧录器根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

需要指出的是，本实施例中各个步骤的序号并不代表对各个步骤的执行顺序的限定。

本实施例中，烧录器可以对终端设备中的Nand Flash进行软件烧录。

需要说明的是，本发明实施例所称烧录器可以是任意可实施的能够对Nand Flash进行软件烧录的软件或硬件工具，本发明实施例对此不作限制。

在步骤S101的具体实施中，烧录器发送扫描命令的时机是在启动对Nand Flash的软件烧录后，也即开始对Nand Flash进行软件烧录后。所述扫描命令能够指示终端设备对Nand Flash的坏块进行扫描。具体地，烧录器与终端设备进行握手，并在握手成功后发送扫描命令。

在步骤S102的具体实施中，终端设备响应于所述扫描命令对Nand Flash的坏块进行扫描。Nand Flash的坏块信息能够表示Nand Flash的坏块状况，至少包括Nand Flash的坏块数量。

在步骤S103的具体实施中，终端设备将扫描出的坏块信息返回至所述烧录器。所述烧录器根据Nand Flash的坏块状况决定是否继续烧录。例如，在Nand Flash的坏块状况较差的情况下则停止烧录，以保证烧录的成功率。

具体地，终端设备所返回的坏块信息可以包括坏块数量，还可以包括NandFlash的总块数。进一步地，坏块信息还可以包括保留位数(reserved)。

本发明实施例中，终端设备通过响应于烧录器的扫描命令将Nand Flash的坏块信息反馈至烧录器，使得烧录器能够根据终端设备反馈的信息获知Nand Flash的坏块情况，从而确定是否继续烧录；避免了现有技术中破坏终端设备外壳引出串口飞线来导出日志数据，实现了坏块信息获取的简便快捷性，提升了终端生产效率。

在一个非限制性的实施例中，所述扫描命令包括所述Nand Flash的生产厂商信息。

Nand Flash的生产厂商信息多样，Nand Flash的命令格式也多样化，为了避免在读取Nand Flash的坏块时不断识别Nand Flash的生产厂商，本实施例中直接通过扫描命令将Nand Flash的生产厂商信息通知终端设备，避免不必要的软件开销。

具体实施中，终端设备在扫描命令中获取到Nand Flash的生产厂商信息后，可以按照Nand Flash的生产厂商信息相应的封装要求封装坏块信息，并将封装好的坏块信息发送出去。

在一个非限制性的实施例中，图1所示步骤S101可以包括以下步骤：接收按照第一预设数据格式发送的所述扫描命令，所述第一预设数据格式包括头部、命令类型、数据长度、数据内容、校验码以及尾部，所述扫描命令的命令类型为第一预设值。

本实施例中的第一预设格式是专用于扫描命令而设置的。其中，数据内容可以是所述Nand Flash的生产厂商信息。数据长度为所述Nand Flash的生产厂商信息的字符长度。校验码可以是循环冗余校验(Cyclic Redundancy Check,CRC)码。头部和尾部也可以是固定值。

具体地，终端设备可以通过解析接收到的命令中的命令类型来确定是否是扫描命令。也即，接收到的命令中的命令类型为第一预设值的情况下，确定该命令为扫描命令。

关于第一预设值的具体数值，可以根据实际的应用场景进行设置，本发明实施例对此不作限制。

具体请参照表1，表1示出了扫描命令的具体数据格式。

表1

如表1所示，第一预设数据格式包括头部(HEADER)、命令类型(CMD TYPE)、数据长度(DATA LENGTH)、数据内容(DATA)、校验码(CRC)以及尾部(TAIL)。其中，所述扫描命令的命令类型为第一预设值00 29。

在一个非限制性的实施例中，图1所示步骤S102可以包括以下步骤：响应于所述扫描命令与所述Nand Flash进行握手；在握手成功后，对所述Nand Flash进行扫描。

本实施例中，终端设备中的扫描软件或Nand Flash控制器尝试与Nand Flash进行握手，直至握手成功，并在握手成功后，实施对Nand Flash的扫描。

在一个非限制性的实施例中，图1所示步骤S103可以包括以下步骤：将所述坏块信息按照第二预设数据格式返回至所述烧录器，所述第二预设数据格式包括头部、命令类型、数据长度、数据内容、校验码以及尾部，所述坏块信息的命令类型为第二预设值。

本实施例中的第二预设格式是专用于返回坏块信息而设置的。其中，数据内容可以是所述Nand Flash的坏块信息。数据长度为所述坏块信息的字符长度。校验码可以是循环冗余校验(Cyclic Redundancy Check,CRC)码。头部和尾部也可以是固定值。

具体地，烧录器可以通过解析接收到的命令应答中的命令类型来确定是否是坏块信息。也即，接收到的命令应答中的命令类型为第二预设值的情况下，确定该命令应答为坏块信息。

具体请参照表1，表1示出了命令应答的具体数据格式。

表2

如表2所示，第二预设数据格式包括头部(HEADER)、命令类型(CMD TYPE)、数据长度(DATA LENGTH)、数据内容(DATA)、校验码(CRC)以及尾部(TAIL)。其中，所述命令应答的命令类型为第二预设值00B8。

在一个具体的例子中，Nand Flash的生产厂商信息为ABCD。扫描命令可以是如下形式：7E 00 29 00 04 41 42 43 44 xx xx 7E，其中，xx xx表示CRC校验码。终端设备返回的坏块信息的数据形式可以是：7e 00 b8 00 0c/00 00 00 00/00 10 00 00/00 00 0010/xx xx 7E，其中，00 00 00 00表示保留位，00 10 00 00表示总块数，00 00 00 10表示坏块数量，xx xx表示CRC校验码。

请参照图2，本发明实施例还公开了一种Nand Flash坏块检测方法。所述NandFlash坏块检测方法可以用于烧录器侧，也即由烧录器执行所述方法的各个步骤。

具体而言，所述Nand Flash坏块检测方法可以包括以下步骤：

步骤S201：在启动对Nand Flash的软件烧录后，发送扫描命令；

步骤S202：接收所述Nand Flash的坏块信息，所述坏块信息是终端设备响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描所获得的；

步骤S203：根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

相对于常规的烧录器，本发明实施例中的烧录器不仅能够实现对Nand Flash的软件烧录，还能够发送扫描命令，并根据Nand Flash的坏块信息确定是否继续烧录，以保证烧录的效率。

在一个非限制性的实施例中，图2所示步骤S203可以包括以下步骤：在所述坏块数量小于预设门限时，继续执行对Nand Flash的软件烧录；或者，在所述坏块数量达到预设门限时，停止对Nand Flash的软件烧录。

需要说明的是，关于预设门限的具体数值可以根据实际的应用场景进行设置，本发明实施例对此不作限制。

在一个非限制性的实施例中，图2所示步骤S201可以包括以下步骤：将所述NandFlash的生产厂商信息按照第一预设数据格式形成所述扫描命令，并发送出去，所述第一预设数据格式包括头部、命令类型、数据长度、数据内容、校验码以及尾部，所述扫描命令的命令类型为第一预设值。

关于所述第一数据格式可以参照表1及相应实施例，本发明实施例在此不再赘述。

在一个具体应用场景中，请参照图3，图3示出了烧录器31和终端设备32之间的交互过程。

在步骤S31中，烧录器31发送扫描命令至终端设备32。

在步骤S32中，终端设备32对Nand Flash进行扫描。

在步骤S33中，终端设备32发送Nand Flash的坏块信息至烧录器31。

在步骤S34中，烧录器31判断坏块数量是否小于预设门限。

在步骤S35中，烧录器31在坏块数量小于预设门限时继续烧录，在坏块数量达到预设门限时，停止烧录。

在一个具体应用场景中，请参照图4，图4示出了本发明实施例一种终端设备的示意图。

如图4所示，片上***(System on Chip,SOC)41中可以配置有Nand Flash控制器43。Nand Flash控制器43可以作为烧录器(图未示)与Nand Flash42之间通信的接口。NandFlash控制器43包括自动扫描模块431，用于对Nand Flash42进行扫描。

具体实施中，烧录器发送携带有Nand Flash42生产厂商信息的扫描命令；自动扫描模块431响应于该扫描命令对Nand Flash42进行扫描；Nand Flash控制器43将扫描到的坏块信息反馈至烧录器。

请参照图5，本发明实施例公开了一种Nand Flash坏块检测装置50。Nand Flash坏块检测装置50可以包括：

扫描命令接收模块501，用于在启动对Nand Flash的软件烧录后，接收来***录器的扫描命令；

扫描模块502，用于响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描，以获得所述Nand Flash的坏块信息；

坏块信息发送模块503，用于将所述坏块信息返回至所述烧录器，以使所述烧录器根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

关于所述Nand Flash坏块检测装置50的工作原理、工作方式的更多内容，可以参照图1至图4中的相关描述，这里不再赘述。

请参照图6，本发明实施例公开了一种Nand Flash坏块检测装置60。Nand Flash坏块检测装置60可以包括：

扫描命令发送模块601，用于在启动对Nand Flash的软件烧录后，发送扫描命令；

坏块信息接收模块602，用于接收所述Nand Flash的坏块信息，所述坏块信息是终端设备响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描所获得的；

烧录确定模块603，用于根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

关于所述同Nand Flash坏块检测装置60的工作原理、工作方式的更多内容，可以参照图1至图2中的相关描述，这里不再赘述。

本发明实施例还公开了一种存储介质，所述存储介质为计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序运行时可以执行图3中所示的接入控制方法的步骤。所述存储介质可以包括ROM、RAM、磁盘或光盘等。所述存储介质还可以包括非挥发性存储器(non-volatile)或者非瞬态(non-transitory)存储器等。

本发明实施例还公开了一种终端，所述终端可以包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序。所述处理器运行所述计算机程序时可以执行图2中所示的接入控制方法的步骤。所述用户设备包括但不限于手机、计算机、平板电脑等终端设备。

应理解，上述的处理器可以是通用处理器、数字信号处理器(digital signalprocessor，DSP)、专用集成电路(application specific integrated circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(field programmable gate array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件，还可以是***芯片(system on chip，SoC)，还可以是中央处理器(central processor unit，CPU)，还可以是网络处理器(networkprocessor，NP)，还可以是数字信号处理电路(digital signal processor，DSP)，还可以是微控制器(micro controller unit，MCU)，还可以是可编程控制器(programmable logicdevice，PLD)或其他集成芯片。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。

还应理解，本发明实施例中提及的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory，ROM)、可编程只读存储器(programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(random access memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double datarate SDRAM，DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(synchlink DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus RAM，DR RAM)。应注意，本文描述的***和方法的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。

需要说明的是，当处理器为通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件时，存储器(存储模块)集成在处理器中。应注意，本文描述的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的***、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(read-only memory，ROM)、随机存取存储器(random access memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (13)

1.一种Nand Flash坏块检测方法，其特征在于，包括：

在启动对Nand Flash的软件烧录后，接收来***录器的扫描命令；

响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描，以获得所述Nand Flash的坏块信息；

将所述坏块信息返回至所述烧录器，以使所述烧录器根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

2.根据权利要求1所述的Nand Flash坏块检测方法，其特征在于，所述扫描命令包括所述Nand Flash的生产厂商信息。

3.根据权利要求1所述的Nand Flash坏块检测方法，其特征在于，所述响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描包括：

响应于所述扫描命令与所述Nand Flash进行握手；

在握手成功后，对所述Nand Flash进行扫描。

4.根据权利要求1所述的Nand Flash坏块检测方法，其特征在于，所述接收来***录器的扫描命令包括：

接收按照第一预设数据格式发送的所述扫描命令，所述第一预设数据格式包括头部、命令类型、数据长度、数据内容、校验码以及尾部，所述扫描命令的命令类型为第一预设值。

5.根据权利要求1所述的Nand Flash坏块检测方法，其特征在于，所述将所述坏块信息返回至所述烧录器包括：

将所述坏块信息按照第二预设数据格式返回至所述烧录器，所述第二预设数据格式包括头部、命令类型、数据长度、数据内容、校验码以及尾部，所述坏块信息的命令类型为第二预设值。

6.一种Nand Flash坏块检测方法，其特征在于，包括：

在启动对Nand Flash的软件烧录后，发送扫描命令；

接收所述Nand Flash的坏块信息，所述坏块信息是终端设备响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描所获得的；

根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

7.根据权利要求6所述的Nand Flash坏块检测方法，其特征在于，所述坏块信息包括坏块数量，所述根据所述坏块信息确定是否继续烧录包括：

在所述坏块数量小于预设门限时，继续执行对Nand Flash的软件烧录；

或者，在所述坏块数量达到预设门限时，停止对Nand Flash的软件烧录。

8.根据权利要求6所述的Nand Flash坏块检测方法，其特征在于，所述扫描命令包括所述Nand Flash的生产厂商信息，所述发送扫描命令包括：

将所述Nand Flash的生产厂商信息按照第一预设数据格式形成所述扫描命令，并发送出去，所述第一预设数据格式包括头部、命令类型、数据长度、数据内容、校验码以及尾部，所述扫描命令的命令类型为第一预设值。

9.一种Nand Flash坏块检测装置，其特征在于，包括：

扫描命令接收模块，用于在启动对Nand Flash的软件烧录后，接收来***录器的扫描命令；

扫描模块，用于响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描，以获得所述NandFlash的坏块信息；

坏块信息发送模块，用于将所述坏块信息返回至所述烧录器，以使所述烧录器根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

10.一种Nand Flash坏块检测装置，其特征在于，包括：

扫描命令发送模块，用于在启动对Nand Flash的软件烧录后，发送扫描命令；

坏块信息接收模块，用于接收所述Nand Flash的坏块信息，所述坏块信息是终端设备响应于所述扫描命令对所述Nand Flash进行扫描所获得的；

烧录确定模块，用于根据所述坏块信息确定是否继续烧录。

11.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器运行时执行权利要求1至8中任一项所述Nand Flash坏块检测方法的步骤。

12.一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至5中任一项所述Nand Flash坏块检测方法的步骤。

13.一种烧录器，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求6至8中任一项所述Nand Flash坏块检测方法的步骤。

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