CN112366107B - 一种银金属氧化物片状电触头制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种银金属氧化物片状电触头制备方法，采用磁控溅射工艺对AgMeO基材镀银；银镀层厚度为0.01mm～0.20mm,银层分布均匀度±0.005mm；磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至AgMeO基材熔点的30％‑65％。本公开应用磁控溅射技术，结合电触头的实际情况以及几种常规制备工艺各自的优点，形成独立高效且稳定的电触头制备方法，并在一定程度上规避上述工艺的缺点，在确保工作层和焊接银层结合强度的前提下，提高银层分布均匀性，降低开关电器中触点材料成本。
Description
技术领域
本公开属于电工合金材料领域，尤其是应用于接触器、断路器、继电器等领域的银金属氧化物片状电触头制备方法。
背景技术
低压电器行业中，目前应用最广泛的电接触材料为银基电接触材料，而其中银金属氧化物电接触材料由于具有优良的抗电弧侵蚀性、抗熔焊性和低而稳定的接触电阻等综合优势，在整个电触头材料体系中占有重要的地位。银金属氧化物材料应用于较大电流等级的接触器领域时，通常都是加工成为片状触点的形式，与铜触桥焊接后装配。由于银金属氧化物材料与焊料以及铜合金触桥之间的润湿性较差，所以在触头加工过程中须要在焊接面复合一层纯银层作为过渡层，来提高触头与触桥之间的焊接强度和焊接面积。根据加工过程和使用过程，同时考虑成本因素，可以将对复银层的要求分解为三个方面：
高而稳定的复合强度，在焊接和电接触过程中不能出现复合界面剥离现象；
复银层厚度均匀可控，在满足标准、焊接要求和使用要求的前提下尽可能薄；
银层焊接表面具有良好的平面度和润湿性，确保触点在焊接过程中具有足够的焊接强度和焊接面积；
目前业内已经形成批量化生产的复银工艺有四种，分别为粉末热压复银、热轧复银、挤压复银和冷镦复银。这几种工艺通常能够做到的银层波动范围约为触点厚度的5％～20％，除此之外上述四种工艺的优缺点分别如下：
所以，开发一种新的复银工艺，能够结合上述几种复银工艺各自的优点，并在一定程度上规避上述工艺的缺点，在确保工作层和焊接银层结合强度的同时提高材料利用率，具有显著的实际应用价值。专利ZL 201010190479.1公布了一种丝网印刷制作触点复银层的方法，采用丝网模具覆盖触点将银浆料涂覆到触点表面，然后在烧结炉中完成触点烧结，将银浆料烧结至触点表面，制作成为带复银层的片状触点。这种制备方法具有材料利用率高、银层一致性良好的优点，但是为了保证银浆料的流动性，必须添加一定量的有机物，对原材料银粉的粒度分布和形貌也有特殊的要求，银浆料本身的制造成本较高；烧结成型后银层中容易出现孔洞等缺陷，影响触点的焊接性能；受限于银浆料的流动性，对银层厚度的最小值有一定的限制。专利94193439.X公布了一种基于单面还原方法制备银金属氧化物触点材料连接层的制备工艺，以还原处理后的银合金层作为连接层，经过实践验证，这种方法很难获得整齐的连接层分布，在没有压力的条件下，还原性气氛在银金属氧化物材料中的扩散并不是同步的，存在局部快慢不均匀的现象，制备的触点银层分布均匀性较差；经过还原处理后，银合金层组织疏松，焊接过程中容易封闭气体，导致焊接后的剪切强度偏低。
发明内容
为了解决现有技术所存在的上述问题，本公开提供了一种银金属氧化物片状电触头制备方法，结合几种常规制备工艺各自的优点，并在一定程度上规避上述工艺的缺点，在确保工作层和焊接银层结合强度的前提下，提高银层分布均匀性，降低开关电器中触点材料成本。
本公开的技术方案如下：
一种银金属氧化物片状电触头制备方法，采用磁控溅射工艺对AgMeO基材镀银，银镀层厚度为0.01mm～0.20mm，银层分布均匀度±0.005mm；磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至AgMeO基材熔点的30％-65％。
其中，当所述AgMeO基材为圆形或者正方形，所述制备方法包括以下步骤：
①AgMeO线材制备：采用常规的内氧化工艺、预氧化工艺或者粉末冶金工艺等制备AgMeO线材，经过拉拔和退火加工至所需的规格和状态；
②冷镦成型：AgMeO线材采用冷镦成型设备制备AgMeO片状坯料，冷镦成型时AgMeO片状坯料的焊接面具有标识花纹；
③表面处理：AgMeO片状坯料采用超声清洗设备清洗去油，获得表面清洁、无有机物残留的AgMeO片状坯料；
④磁控溅射镀银：将AgMeO片状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，偏流0.01～0.10A，偏压10～100V，时间1～30h，将纯银材料溅射沉积在AgMeO片状坯料花纹面；
⑤点检包装：采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得AgMeO/Ag成品触点。
其中，当所述AgMeO基材为方形或矩形，所述制备方法包括以下步骤：
①AgMeO带材制备：采用常规的内氧化工艺、预氧化工艺或者粉末冶金工艺等制备AgMeO带材，轧制至半成品厚度，表面处理去除表面的杂质和油污；
②磁控溅射镀银：AgMeO带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，偏流0.01～0.10A，偏压10～100V，时间1～30h，将纯银材料溅射沉积在AgMeO带材外表面，获得AgMeO/Ag带材；
③将AgMeO/Ag带材纵剪至半成品宽度，经过型轧加工至成品宽度、厚度和形状，同时型轧过程中在镀银层表面轧制花纹标识，按照成品长度要求切片落料，获得AgMeO/Ag片状电触头半成品；AgMeO/Ag片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得AgMeO/Ag成品触点。
其中，当所述AgMeO基材为不规则形，所述制备方法包括以下步骤：
①AgMeO带材制备：采用常规的内氧化工艺、预氧化工艺或者粉末冶金工艺等制备AgMeO带材，轧制至半成品厚度，表面处理去除表面的杂质和油污；
②磁控溅射镀银：AgMeO带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，偏流0.01～0.10A，偏压10～100V，时间1～30h，将纯银材料溅射沉积在AgMeO带材外表面，获得AgMeO/Ag带材；
③将AgMeO/Ag带材采用冲制落料方式制备AgMeO/Ag片状电触头半成品，冲制过程中在镀银层表面冲压花纹标识；AgMeO/Ag片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得AgMeO/Ag成品触点。
优选的，所述AgMeO指银氧化锡、银氧化铜、银氧化锌、银氧化锡氧化铟、银氧化镉或银氧化铁中的一种。
其中，所述磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至300～600℃。
优选的，磁控溅射镀银期间：
当所述AgMeO基材为银氧化锡，所述银氧化锡基材加热并保温至350～450℃；
当所述AgMeO基材为银氧化铜，所述银氧化铜基材加热并保温至300～420℃；
当所述AgMeO基材为银氧化锌，所述银氧化锌基材加热并保温至320～460℃；
当所述AgMeO基材为银氧化铁，所述银氧化铁基材加热并保温至300～450℃；
当所述AgMeO基材为银氧化镉，所述银氧化镉基材加热并保温至300～400℃；
当所述AgMeO基材为银氧化锡氧化铟，所述银氧化锡氧化铟基材加热并保温至320～480℃。
优选的，所述磁控溅射工艺参数为：溅射功率500～1500W；溅射气压3.5～4.5mTorr；气体流量Ar(25～35sccm)；靶-基材距离6～15cm。
本公开具有如下有益效果：
1、触头应用过程节银效果明显。银金属氧化物材料与焊料以及触桥材料之间的润湿性较差，制备成为片状电触头时无法直接焊接，所以要增加一层纯银层作为焊接银层，焊接银层的作用主要就是连接保证焊接强度的作用。在国标中，银金属氧化物片状电触头的焊接银层厚度通常为触头总厚度的10％～20％，保障电接触性能的是剩余厚度的银金属氧化物层，所以对于电接触过程而言，焊接银层的厚度只要保证焊接后拥有足够的焊接强度即可，多余的银层厚度皆为成本浪费；常规的粉末热压工艺、热轧复银工艺、挤压复银工艺、冷镦复银工艺由于工艺手段的限制，都存在不同程度的银层波动，通常的波动范围在5％～20％之间，所以可以制备的银层最小值有限制。本公开专利采用磁控溅射镀银工艺制备片状触点复银层，银层厚度由镀银时间控制，可以制作的镀银层厚度范围为0.01～0.20mm，银层厚度的波动范围可以控制在±0.005mm以内，在满足焊接强度要求的前提下，可以制备更薄的焊接银层厚度，与传统的制备工艺相比较，在保证银金属氧化物层厚度不变的前提下，可以节约多余的焊接银层厚度，显著降低开关电器中的触点材料成本，节约贵金属资源。
2、本公开在磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至AgMeO基材熔点的60％-80％，经过研究与试验，该工艺下AgMeO的磁控溅射镀银获得了多重优势，该工艺首先能够激发AgMeO基材原子和分子的活跃性，当靶材溅射的银原子与AgMeO基材接触时，活跃的AgMeO基材粒子起到接收夹持甚至包覆银原子的作用，从而促使银原子与AgMeO基材紧密结合，形成互嵌的结构，从而增加了沉积的镀银层的抓地力，形成的镀银层与基材结合得极为牢固，由于本公开的镀银是用于后期焊接，客观上相比普通镀膜需要更厚的银镀层，较厚的镀层容易脱落，因此在磁控溅射期间对基材施加的加热与保温工艺能够促使形成更牢固稳定的银镀层；该温度下，镀银层的晶体大小适宜，若晶粒过小，晶界散射多，会造成电阻率下降；若晶粒过大，不仅缺陷增多，而且电阻率会升高，因此本公开保持的AgMeO基材温度刚好能够在促进银镀层与基材结合力的同时，还能够促使银镀层的结晶晶粒具有适宜的大小，从而具有优良的性能，使镀层尽可能的薄；此外，AgMeO基材保持该温度能够避免在磁场作用下被磁化，避免吸收过多的电子，造成镀层效果的不稳定，同时避免被磁化的基材对外部磁场产生干扰。
3、本公开针对银氧化锡、银氧化铜、银氧化锌、银氧化锡氧化铟、银氧化镉或银氧化铁的基材分别提出了基于磁控溅射镀银的基材加热区间，以及根据基材形状针对性的提出了基于磁控溅射镀银的电触头制备方法，制备的电触头具有较好且稳定的机械强度和电学性能，成品率高，工艺稳定，适宜批量化生产。
4、粉末热压工艺是所有量产工艺中材料利用率最高的工艺路线，但是由于采用这种工艺制备的触点工作层致密度较低，抗电弧烧损能力较差，所以已经逐步被挤压工艺所替代，常规生产工艺中，采用冲制落料方式，冲制工序的材料利用率只有40％-60％，严重降低了整体的材料利用率，所以冲制工艺一定需要采用其他成型方式来替代。采用冷镦制打片状触点的工艺路线，是现有制备工艺中比较成熟的一种工艺路线，材料利用率比粉末热压工艺略低，但是比挤压-冲制工艺更高，传统的冷镦复合工艺制备AgMeO片状触点时，存在的主要缺陷就是复合强度略差和银层分布不均匀，基于以上因素，设计了工作层采用冷镦制打工艺制打单层触点，然后采用磁控溅射镀膜设备在冷镦制打片状触点焊接面镀银的工艺路线。这样既可以保证整体材料利用率，也可以达到控制银层厚度和银层分布均匀的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，根据这些附图获得其他的附图仍属于本公开的范畴。
图1为本公开AgMeO/Ag片状电触头成品触点整体金相图片；
图2为本公开AgMeO/Ag片状电触头成品触点200倍下局部金相图片；
图3为本公开AgMeO/Ag片状电触头成品触点500倍下局部金相图片。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例来对本公开进行详细的说明。
参见图1至3，一种银金属氧化物片状电触头制备方法，采用磁控溅射工艺对AgMeO基材镀银，银镀层厚度为0.01mm～0.20mm，银层分布均匀度±0.005mm；磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至AgMeO基材熔点的30％-65％
进一步的，当所述AgMeO基材为圆形或者正方形，所述制备方法包括以下步骤：
①AgMeO线材制备：采用常规的内氧化工艺、预氧化工艺或者粉末冶金工艺等制备AgMeO线材，经过拉拔和退火加工至所需的规格和状态；
②冷镦成型：AgMeO线材采用冷镦成型设备制备AgMeO片状坯料，冷镦成型时AgMeO片状坯料的焊接面具有标识花纹；
③表面处理：AgMeO片状坯料采用超声清洗设备清洗去油，获得表面清洁、无有机物残留的AgMeO片状坯料；
④磁控溅射镀银：将AgMeO片状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，偏流0.01～0.10A，偏压10～100V，时间1～30h，将纯银材料溅射沉积在AgMeO片状坯料花纹面；
⑤点检包装：采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得AgMeO/Ag成品触点。
进一步的，当所述AgMeO基材为方形或矩形，所述制备方法包括以下步骤：
①AgMeO带材制备：采用常规的内氧化工艺、预氧化工艺或者粉末冶金工艺等制备AgMeO带材，轧制至半成品厚度，表面处理去除表面的杂质和油污；
②磁控溅射镀银：AgMeO带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，偏流0.01～0.10A，偏压10～100V，时间1～30h，将纯银材料溅射沉积在AgMeO带材外表面，获得AgMeO/Ag带材；
③将AgMeO/Ag带材纵剪至半成品宽度，经过型轧加工至成品宽度、厚度和形状，同时型轧过程中在镀银层表面轧制花纹标识，按照成品长度要求切片落料，获得AgMeO/Ag片状电触头半成品；AgMeO/Ag片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得AgMeO/Ag成品触点。
进一步的，当所述AgMeO基材为不规则形，所述制备方法包括以下步骤：
①AgMeO带材制备：采用常规的内氧化工艺、预氧化工艺或者粉末冶金工艺等制备AgMeO带材，轧制至半成品厚度，表面处理去除表面的杂质和油污；
②磁控溅射镀银：AgMeO带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，偏流0.01～0.10A，偏压10～100V，时间1～30h，将纯银材料溅射沉积在AgMeO带材外表面，获得AgMeO/Ag带材；
③将AgMeO/Ag带材采用冲制落料方式制备AgMeO/Ag片状电触头半成品，冲制过程中在镀银层表面冲压花纹标识；AgMeO/Ag片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得AgMeO/Ag成品触点。
进一步的，所述磁控溅射工艺参数为：溅射功率500～1500W；溅射气压3.5～4.5mTorr；气体流量Ar(25～35sccm)；靶-基材距离6～15cm。
本公开采用的AgMeO基材为银氧化锡、银氧化铜、银氧化锌、银氧化锡氧化铟、银氧化镉或银氧化铁中的一种。
所述磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至300～600℃。
进一步的，
当所述AgMeO基材为银氧化锡，所述银氧化锡基材加热并保温至350～450℃；
当所述AgMeO基材为银氧化铜，所述银氧化铜基材加热并保温至300～420℃；
当所述AgMeO基材为银氧化锌，所述银氧化锌基材加热并保温至320～460℃；
当所述AgMeO基材为银氧化铁，所述银氧化铁基材加热并保温至300～450℃；
当所述AgMeO基材为银氧化镉，所述银氧化镉基材加热并保温至300～400℃；
当所述AgMeO基材为银氧化锡氧化铟，所述银氧化锡氧化铟基材加热并保温至320～480℃。
其对应的片状电触头制备方法的具体实施例如下：
实施例一：所述AgMeO基材为银氧化锡氧化铟：
a)将22kg银、2kg锡和1kg铟在中频熔炼炉的石墨坩埚中熔化，形成银锡铟合金熔液，采用高压水雾化设备制备成银锡铟合金粉末；银锡铟合金粉末经烘干、过筛、粉体氧化，制备成为银含量85％的银氧化锡氧化铟粉末；
b)银氧化锡氧化铟粉末采用冷等静压设备压制成φ105mm的锭子，850℃烧结4小时后，挤压成为50×4mm规格的带材，轧制至50×2.25mm规格，表面处理去除表面的杂质和油污，获得银氧化锡氧化铟半成品带材；
c)银氧化锡氧化铟半成品带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化锡氧化铟半成品带材加热至350℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间25h，将纯银材料溅射沉积在银氧化锡氧化铟半成品带材外表面，获得银氧化锡氧化铟/银带材，镀银层厚度0.25mm；
d)将银氧化锡氧化铟/银带材纵剪至11.5×2.5mm规格，经过型轧加工至12×2.0mm规格，同时型轧过程中在镀银层表面轧制花纹标识，按照16mm长度切片落料，获得银氧化锡氧化铟/银片状电触头半成品；银氧化锡氧化铟/银片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得银氧化锡氧化铟/银成品触点；触点规格16×12×2mm，复银层厚度0.20mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化锡氧化铟/银根据基材的形状可以有不同的制造路线：
路线1：雾化→粉体氧化→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→冲制→表面处理→点检包装。
路线2：雾化→粉体氧化→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→纵剪→型轧→切片→表面处理→点检包装。
实施例二：所述AgMeO基材为银氧化锡：
a)将19.5kg银粉、2.73kg氧化锡粉和0.5kg添加物粉在犁铲式混粉机中混合4h，其中银粉为-200目，氧化锡粉平均粒度5μm，添加物粉平均粒度2μm，制备成为银含量88％的银氧化锡粉末；
b)银氧化锡粉末采用冷等静压设备压制成φ88mm的锭子，900℃烧结6小时后，挤压成为40×4mm规格的带材，轧制至40×2.45mm规格，表面处理去除表面的杂质和油污，获得银氧化锡半成品带材；
c)银氧化锡半成品带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化锡半成品带材加热至380℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间5h，将纯银材料溅射沉积在银氧化锡半成品带材外表面，获得银氧化锡/银带材，镀银层厚度0.05mm；
d)将银氧化锡/银带材采用冲制落料方式制备银氧化锡/银片状电触头半成品，冲制过程中在镀银层表面冲压花纹标识；银氧化锡/银片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得银氧化锡/银成品触点。触点规格φ20×2.5mm，复银层厚度0.05mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化锡/银根据基材的形状可以有不同的制造路线：
路线1：粉体制备→混粉→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→冲制→表面处理→点检包装。
路线2：粉体制备→混粉→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→纵剪→型轧→切片→表面处理→点检包装。
实施例三：所述AgMeO基材为银氧化镉：
a)将21.350kg银、3.375kg镉和0.275kg添加物在中频熔炼炉的石墨坩埚中熔化，浇铸成为φ90mm的银镉合金锭，经过车削后获得干净的φ88mm银镉合金锭；
b)银镉合金锭在中频加热设备中加热至750℃，挤压成为60×5mm规格的带材，轧制至60×0.85mm规格，获得银镉合金半成品带材，银镉合金半成品带材经内氧化处理后，获得银含量85％的银氧化镉带材，表面处理去除杂质和油污，获得银氧化镉半成品带材；
c)银氧化镉半成品带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化镉半成品带材加热至400℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间1h，将纯银材料溅射沉积在银氧化镉半成品带材外表面，获得银氧化镉/银带材，镀银层厚度0.01mm；
d)将银氧化镉/银带材纵剪至4×0.86mm规格，经过型轧加工至4×0.80mm规格，同时型轧过程中在镀银层表面轧制花纹标识，按照4mm长度切片落料，获得银氧化镉/银片状电触头半成品；银氧化镉/银片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得银氧化镉/银成品触点；触点规格4×4×0.8mm，复银层厚度0.01mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化镉/银根据基材的形状可以有不同的制造路线：
路线1：熔炼→车削→挤压→轧制→带材内氧化→表面处理→磁控溅射镀银→冲制→表面处理→点检包装。
路线2：熔炼→车削→挤压→轧制→带材内氧化→表面处理→磁控溅射镀银→纵剪→型轧→切片→表面处理→点检包装。
实施例四：所述AgMeO基材为银氧化镉：
a)将21kg银、3.75kg镉和0.25kg添加物在中频熔炼炉的石墨坩埚中熔化，浇铸成为φ90mm的银镉合金锭，经过车削后获得干净的φ88mm银镉合金锭；
b)银镉合金锭在中频加热设备中加热至750℃，挤压成为60×5mm规格的带材，轧制至60×2.40mm规格，获得银镉合金半成品带材，银镉合金半成品带材经内氧化处理后，获得银含量83％的银氧化镉带材，表面处理去除杂质和油污，获得银氧化镉半成品带材；
c)银氧化镉半成品带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化镉半成品带材加热至350℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间10h，将纯银材料溅射沉积在银氧化镉半成品带材外表面，获得银氧化镉/银带材，镀银层厚度0.10mm；
d)将银氧化镉/银带材采用冲制落料方式制备银氧化镉/银片状电触头半成品，冲制过程中在镀银层表面冲压花纹标识；银氧化镉/银片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得银氧化镉/银成品触点。触点规格28×18×2.5mm，复银层厚度0.10mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化镉/银根据基材的形状可以有不同的制造路线：
路线1：熔炼→车削→挤压→轧制→带材内氧化→表面处理→磁控溅射镀银→冲制→表面处理→点检包装。
路线2：熔炼→车削→挤压→轧制→带材内氧化→表面处理→磁控溅射镀银→纵剪→型轧→切片→表面处理→点检包装。
实施例五：所述AgMeO基材为银氧化铜：
a)将18.3kg银、1.7kg铜在中频熔炼炉的石墨坩埚中熔化，形成银铜合金熔液，采用高压水雾化设备制备成银铜合金粉末；银铜合金粉末经烘干、过筛、粉体氧化，制备成为银含量90％的银氧化铜粉末；
b)银氧化铜粉末采用冷等静压设备压制成φ105mm的锭子，800℃烧结4小时后，挤压成为40×3mm规格的带材，轧制至40×1.4mm规格，表面处理去除表面的杂质和油污，获得银氧化锡半成品带材；
c)银氧化铜半成品带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化铜半成品带材加热至400℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间5h，将纯银材料溅射沉积在银氧化铜半成品带材外表面，获得银氧化铜/银带材，镀银层厚度0.10mm；
d)将银氧化铜/银带材采用冲制落料方式制备银氧化铜/银片状电触头半成品，冲制过程中在镀银层表面冲压花纹标识；银氧化铜/银片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得银氧化铜/银成品触点。触点规格φ16×1.5mm，复银层厚度0.10mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化铜/银根据基材的形状可以有不同的制造路线：
路线1：雾化→粉体氧化→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→冲制→表面处理→点检包装。
路线2：雾化→粉体氧化→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→纵剪→型轧→切片→表面处理→点检包装。
实施例六：所述AgMeO基材为银氧化锌：
a)将25kg银粉和2.5kg氧化锌粉在犁铲式混粉机中混合6h，其中银粉为-200目，氧化锌粉平均粒度2μm，制备成为银含量90％的银氧化锌粉末；
b)银氧化锌粉末采用冷等静压设备压制成φ88mm的锭子，800℃烧结4小时后，挤压成为45×4mm规格的带材，轧制至45×2.35mm规格，表面处理去除表面的杂质和油污，获得银氧化锡半成品带材；
c)银氧化锌半成品带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化锌半成品带材加热至350℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间6h，将纯银材料溅射沉积在银氧化锌半成品带材外表面，获得银氧化锌/银带材，镀银层厚度0.06mm；
d)将银氧化锌/银带材纵剪至9.85×2.41mm规格，经过型轧加工至10×2.00mm规格，同时型轧过程中在镀银层表面轧制花纹标识，按照35mm长度切片落料，获得银氧化锌/银片状电触头半成品；银氧化锌/银片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得银氧化锌/银成品触点；触点规格35×10×2mm，复银层厚度0.05mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化锌/银根据基材的形状可以有不同的制造路线：
路线1：粉体制备→混粉→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→冲制→表面处理→点检包装。
路线2：粉体制备→混粉→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→纵剪→型轧→切片→表面处理→点检包装。
实施例七：所述AgMeO基材为银氧化铁：
a)将22.5kg银粉、2.5kg氧化铁粉在犁铲式混粉机中混合5h，其中银粉为-350目，氧化铁粉平均粒度5μm，制备成为银含量90％的银氧化铁粉末；
b)银氧化铁粉末采用冷等静压设备压制成φ88mm的锭子，850℃烧结5小时后，挤压成为挤压成为50×4mm规格的带材，轧制至50×1.47mm规格，表面处理去除表面的杂质和油污，获得银氧化铁半成品带材；
c)银氧化铁半成品带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化铁半成品带材加热至450℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间3h，将纯银材料溅射沉积在银氧化铁半成品带材外表面，获得银氧化铁/银带材，镀银层厚度0.03mm；
d)将银氧化铁/银带材采用冲制落料方式制备银氧化铁/银片状电触头半成品，冲制过程中在镀银层表面冲压花纹标识；银氧化铁/银片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得银氧化铁/银成品触点。触点规格(5+7)×8×1.50mm，复银层厚度0.03mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化铁/银根据基材的形状可以有不同的制造路线：
路线1：粉体制备→混粉→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→冲制→表面处理→点检包装。
路线2：粉体制备→混粉→等静压→烧结→挤压→轧制→表面处理→磁控溅射镀银→纵剪→型轧→切片→表面处理→点检包装。
实施例八：所述AgMeO基材为银氧化锡氧化铟：
a)将22kg银、2kg锡和1kg铟在中频熔炼炉的石墨坩埚中熔化，形成银锡铟合金熔液，采用高压水雾化设备制备成银锡铟合金粉末；银锡铟合金粉末经烘干、过筛、粉体氧化，制备成为银含量85％的银氧化锡氧化铟粉末；
b)银氧化锡氧化铟粉末采用冷等静压设备压制成φ105mm的锭子，850℃烧结4小时后，挤压成为φ12mm的丝材，丝材拉拔至φ8mm，退火处理后冷镦制打成为φ15×3.8mm规格的银氧化锡氧化铟整体片状触点，冷镦成型过程中片状触点焊接面制打花纹标识，花纹深度0.3mm；
c)银氧化锡氧化铟整体片状触点在超声清洗设备中清洗去油，烘干，获得表面清洁、无有机物残留的银氧化锡氧化铟片状坯料；
d)将银氧化锡氧化铟片状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化锡氧化铟片状坯料加热至480℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间20h，将纯银材料溅射沉积在银氧化锡氧化铟片状坯料花纹面；
e)采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得带复银层的银氧化锡氧化铟成品触点，触点规格φ15×3mm，复银层厚度0.20mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化锡氧化铟/银制造路线：
路线：雾化→粉体氧化→等静压→烧结→挤压→拉拔→退火→冷镦制打→表面处理→磁控溅射镀银→点检包装。
实施例九：所述AgMeO基材为银氧化锡：
a)将19.5kg银粉、2.73kg氧化锡粉和0.5kg添加物粉在犁铲式混粉机中混合4h，其中银粉为-200目，氧化锡粉平均粒度5μm，添加物粉平均粒度2μm，制备成为银含量88％的银氧化锡粉末；
b)银氧化锡粉末采用冷等静压设备压制成φ88mm的锭子，900℃烧结6小时后，挤压成为φ5mm的丝材，丝材拉拔至φ1.38mm，退火处理后冷镦制打成为φ2×0.19mm规格的银氧化锡整体片状触点，冷镦成型过程中片状触点焊接面制打花纹标识，花纹深度0.05mm；
c)银氧化锡整体片状触点在超声清洗设备中清洗去油，烘干，获得表面清洁、无有机物残留的银氧化锡片状坯料；
d)将银氧化锡状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化锡片状坯料加热至450℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间1h，将纯银材料溅射沉积在银氧化锡片状坯料花纹面；
e)采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得带复银层的银氧化锡成品触点，触点规格φ2×0.2mm，复银层厚度0.01mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化锡/银制造路线：
路线：粉体制备→混粉→等静压→烧结→挤压→拉拔→退火→冷镦制打→表面处理→磁控溅射镀银→点检包装。
实施例十：所述AgMeO基材为银氧化镉：
a)将21.350kg银、3.375kg镉和0.275kg添加物在撒珠机的石墨坩埚中熔化，采用撒珠机制备银镉合金球；银镉合金球烘干、分选、氧化，制备成为银含量85％的银氧化镉合金球；
b)银氧化镉合金球采用四柱液压机压制成φ88mm的锭子，880℃烧结5小时后，挤压成为φ6mm的丝材，丝材拉拔至φ4.5mm，退火处理后冷镦制打成为φ8×2SR35mm规格的银氧化镉整体片状触点，冷镦成型过程中片状触点焊接面制打花纹标识，花纹深度0.15mm；
c)银氧化镉整体片状触点在超声清洗设备中清洗去油，烘干，获得表面清洁、无有机物残留的银氧化镉片状坯料；
d)将银氧化镉状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化镉片状坯料加热至300℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间10h，将纯银材料溅射沉积在银氧化镉片状坯料花纹面；
e)采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得带复银层的银氧化镉成品触点，触点规格φ8×2.1SR35mm，复银层厚度0.10mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化镉/银的制造路线：
路线：金颗粒制备→内氧化→表面处理→等静压→挤压→拉拔→退火→冷镦制打→表面处理→磁控溅射镀银→点检包装。
实施例十一：所述AgMeO基材为银氧化镉：
a)将20.625kg银和4.375kg镉在中频熔炼炉的石墨坩埚中熔化，浇铸成为φ90mm的银镉合金锭，经过车削后获得干净的φ88mm银镉合金锭；
b)银镉合金锭采用中频加热设备加热至700℃，挤压成为φ6.0mm的银镉合金丝材，拉拔至φ2.38mm，退火处理后冷镦制打成为φ5×1.15mm规格的银镉合金整体片状触点，冷镦成型过程中片状触点焊接面制打花纹标识，花纹深度0.10mm；
c)银镉合金整体片状触点内氧化处理后，制备成为银含量80％的银氧化镉整体片状触点，银氧化镉整体片状触点经过酸洗和抛光处理，在超声清洗设备中清洗去油，烘干，获得表面清洁、无有机物残留的银氧化镉片状坯料；
d)将银氧化镉状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化镉片状坯料加热至400℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间5h，将纯银材料溅射沉积在银氧化镉片状坯料花纹面；
e)采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得带复银层的银氧化镉成品触点，触点规格φ5×1.2mm，复银层厚度0.05mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化镉/银的制造路线：
路线：熔炼→车削→挤压→拉拔→退火→冷镦制打→内氧化→表面处理→磁控溅射镀银→点检包装。
实施例十二：所述AgMeO基材为银氧化铜：
a)将18.3kg银、1.7kg铜在中频熔炼炉的石墨坩埚中熔化，形成银铜合金熔液，采用高压水雾化设备制备成银铜合金粉末；银铜合金粉末经烘干、过筛、粉体氧化，制备成为银含量90％的银氧化铜粉末；
b)银氧化铜末采用冷等静压设备压制成φ105mm的锭子，800℃烧结5小时后，挤压成为φ8mm的丝材，丝材拉拔至φ5mm，退火处理后冷镦制打成为φ10×1.95mm规格的银氧化铜整体片状触点，冷镦成型过程中片状触点焊接面制打花纹标识，花纹深度0.20mm；
c)银氧化铜整体片状触点在超声清洗设备中清洗去油，烘干，获得表面清洁、无有机物残留的银氧化铜片状坯料；
d)将银氧化铜片状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化铜片状坯料加热至420℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间5h，将纯银材料溅射沉积在银氧化铜片状坯料花纹面；
e)采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得带复银层的银氧化铜成品触点，触点规格φ10×2mm，复银层厚度0.05mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化铜/银制造路线：
路线：雾化→粉体氧化→等静压→烧结→挤压→拉拔→退火→冷镦制打→表面处理→磁控溅射镀银→点检包装。
实施例十三：所述AgMeO基材为银氧化锌：
a)将22.8kg银粉、2kg氧化锌粉和0.2kg添加物粉在犁铲式混粉机中混合6h，其中银粉为-200目，氧化锌粉平均粒度2μm，添加物粉平均粒度1μm，制备成为银含量92％的银氧化锌粉末；
b)银氧化锌粉末采用冷等静压设备压制成φ88mm的锭子，800℃烧结4小时后，挤压成为φ8mm的丝材，丝材拉拔至φ6mm，退火处理后冷镦制打成为12×12×3.9R60mm规格的银氧化锌整体片状触点，冷镦成型过程中片状触点焊接面制打花纹标识，花纹深度0.15mm；
c)银氧化锌整体片状触点在超声清洗设备中清洗去油，烘干，获得表面清洁、无有机物残留的银氧化锌片状坯料；
d)将银氧化锌状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化锌片状坯料加热至460℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间10h，将纯银材料溅射沉积在银氧化锌片状坯料花纹面；
e)采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得带复银层的银氧化锌成品触点，触点规格12×12×4R60mm，复银层厚度0.10mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化锌/银制造路线：
路线：粉体制备→混粉→等静压→烧结→挤压→拉拔→退火→冷镦制打→表面处理→磁控溅射镀银→点检包装。
实施例十四：所述AgMeO基材为银氧化铁：
a)将22.5kg银粉、2.5kg氧化铁粉在犁铲式混粉机中混合5h，其中银粉为-350目，氧化铁粉平均粒度5μm，制备成为银含量90％的银氧化铁粉末；
b)银氧化铁粉末采用冷等静压设备压制成φ88mm的锭子，880℃烧结8小时后，挤压成为φ6mm的丝材，丝材拉拔至φ1.88mm，退火处理后冷镦制打成为4×4×0.77mm规格的银氧化铁整体片状触点，冷镦成型过程中片状触点焊接面制打花纹标识，花纹深度0.05mm；
c)银氧化铁整体片状触点在超声清洗设备中清洗去油，烘干，获得表面清洁、无有机物残留的银氧化铁片状坯料；
d)将银氧化铁状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，同时开启电阻加热装置将银氧化铁片状坯料加热至450℃，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，时间3h，将纯银材料溅射沉积在银氧化铁片状坯料花纹面；
e)采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得带复银层的银氧化铁成品触点，触点规格4×4×0.8mm，复银层厚度0.03mm，复银层分布范围±0.005mm，焊接后检测复银层结合强度≥100N/mm2。
上述银氧化铁/银制造路线：
路线：粉体制备→混粉→等静压→烧结→挤压→拉拔→退火→冷镦制打→表面处理→磁控溅射镀银→点检包装。
提出一个额外的改进，将所述银靶材被设计成一弧面，所述弧面的凹面朝向AgMeO基材，所述弧面的直径为靶材与基材距离的1.5倍～2倍；由于溅射处的银原子为中性，因此无法受电场控制，靶材溅射出的银原子具有较高的速度，不利于在基材上沉积，并且由于电场与磁场的稳定，其分布相对集中，因此将银靶材设计成弧面结构，一方面使Ar离子成一非直角的角度轰击银靶材，促使Ar离子轰击银靶材时沿靶材横向传递部分能量，从而提高银原子的脱离效率，减少轰击能量转化为银靶材的内能；二是银靶材中心两侧被轰击出的银原子成交叉运动，在这过程中相互发生碰撞，从而降低其移动速度，且宏观上使银原子移动路径较为均匀，便于均匀的沉积在基材上；因此在提高镀银质量的情况下，不需要降低溅射功率，能够保障溅射效果和生产速度。
以上所述仅为本公开的实施例，并非因此限制本公开的专利范围，凡是利用本公开说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本公开的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种银金属氧化物片状电触头制备方法，其特征在于：采用磁控溅射工艺对AgMeO基材镀银，银镀层厚度为0.01mm～0.20mm，银层分布均匀度±0.005mm；磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至AgMeO基材熔点的30％-65％；所述AgMeO基材为圆形或者正方形，所述制备方法包括以下步骤：
①AgMeO线材制备：采用常规的内氧化工艺、预氧化工艺或者粉末冶金工艺制备AgMeO线材，经过拉拔和退火加工至所需的规格和状态；
②冷镦成型：AgMeO线材采用冷镦成型设备制备AgMeO片状坯料，冷镦成型时AgMeO片状坯料的焊接面具有标识花纹；
③表面处理：AgMeO片状坯料采用超声清洗设备清洗去油，获得表面清洁、无有机物残留的AgMeO片状坯料；
④磁控溅射镀银：将AgMeO片状坯料花纹面向上排列在料盘内，料盘放置在磁控溅射设备中，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，偏流0.01～0.10A，偏压10～100V，时间1～30h，将纯银材料溅射沉积在AgMeO片状坯料花纹面；
⑤点检包装：采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得AgMeO/Ag成品触点。
2.一种银金属氧化物片状电触头制备方法，其特征在于：采用磁控溅射工艺对AgMeO基材镀银，银镀层厚度为0.01mm～0.20mm，银层分布均匀度±0.005mm；磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至AgMeO基材熔点的30％-65％；所述AgMeO基材为矩形，所述制备方法包括以下步骤：
①AgMeO带材制备：采用常规的内氧化工艺、预氧化工艺或者粉末冶金工艺制备AgMeO带材，轧制至半成品厚度，表面处理去除表面的杂质和油污；
②磁控溅射镀银：AgMeO带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，偏流0.01～0.10A，偏压10～100V，时间1～30h，将纯银材料溅射沉积在AgMeO带材外表面，获得AgMeO/Ag带材；
③将AgMeO/Ag带材纵剪至半成品宽度，经过型轧加工至成品宽度、厚度和形状，同时型轧过程中在镀银层表面轧制花纹标识，按照成品长度要求切片落料，获得AgMeO/Ag片状电触头半成品；AgMeO/Ag片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得AgMeO/Ag成品触点。
3.一种银金属氧化物片状电触头制备方法，其特征在于：采用磁控溅射工艺对AgMeO基材镀银，银镀层厚度为0.01mm～0.20mm，银层分布均匀度±0.005mm；磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至AgMeO基材熔点的30％-65％；所述AgMeO基材为不规则形，所述制备方法包括以下步骤：
①AgMeO带材制备：采用常规的内氧化工艺、预氧化工艺或者粉末冶金工艺制备AgMeO带材，轧制至半成品厚度，表面处理去除表面的杂质和油污；
②磁控溅射镀银：AgMeO带材密排收卷于磁控溅射设备料筒上，将料筒装入磁控溅射镀银设备内，安装纯银靶材，关闭镀膜室后预抽真空至≤5×10-4Pa，真空度达到要求值后，关闭真空泵和镀膜室抽气阀门，在镀膜室内充入高纯氩气，打开直流电源开始溅射镀银，偏流0.01～0.10A，偏压10～100V，时间1～30h，将纯银材料溅射沉积在AgMeO带材外表面，获得AgMeO/Ag带材；
③将AgMeO/Ag带材采用冲制落料方式制备AgMeO/Ag片状电触头半成品，冲制过程中在镀银层表面冲压花纹标识；AgMeO/Ag片状电触头半成品经过表面处理后，采用视觉分选设备剔除外观和尺寸不良的产品，合格品自动包装张贴标识，获得AgMeO/Ag成品触点。
4.如权利要求1至3任一权利要求所述的银金属氧化物片状电触头制备方法，其特征在于：所述AgMeO指银氧化锡、银氧化铜、银氧化锌、银氧化锡氧化铟、银氧化镉或银氧化铁中的一种。
5.如权利要求4所述的银金属氧化物片状电触头制备方法，其特征在于：所述磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至300～600℃。
6.如权利要求5所述的银金属氧化物片状电触头制备方法，其特征在于：磁控溅射镀银期间：
当所述AgMeO基材为银氧化锡，所述银氧化锡基材加热并保温至350～450℃；
当所述AgMeO基材为银氧化铜，所述银氧化铜基材加热并保温至300～420℃；
当所述AgMeO基材为银氧化锌，所述银氧化锌基材加热并保温至320～460℃；
当所述AgMeO基材为银氧化铁，所述银氧化铁基材加热并保温至300～450℃；
当所述AgMeO基材为银氧化镉，所述银氧化镉基材加热并保温至300～400℃；
当所述AgMeO基材为银氧化锡氧化铟，所述银氧化锡氧化铟基材加热并保温至320～480℃。
7.如权利要求6所述的银金属氧化物片状电触头制备方法，其特征在于：所述磁控溅射工艺其余参数为：溅射功率500～1500W；溅射气压3.5～4.5mTorr；气体流量Ar为25～35sccm；靶-基材距离6～15cm。
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