CN112359344B - 半导体工艺设备及其进气机构 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其进气机构。该进气机构设置于半导体工艺设备的工艺腔室上，用于将气体导入工艺腔室内，其包括：包括进气筒组件；进气筒组件内形成有气体通路，并且进气筒组件的两端分别为进气口及出气口；气体通路的内径沿进气口至出气口的方向变小；进气口与半导体工艺设备的供气源连接，出气口与工艺腔室的顶部连接；进气筒组件的内壁上还设置有螺旋线组，螺旋线组用于使流经气体通路的气体产生涡旋，以使得进入工艺腔室内的气体呈涡旋状态。本申请实施例实现了大幅缩短气体的饱和吸附时间以及对工艺腔室的吹扫时间，因此大幅提高半导体工艺设备的产能，并且能有效降低设备的应用成本。

Description

半导体工艺设备及其进气机构

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及其进气机构。

背景技术

目前，随着集成电路技术的快速迭代更新，促使电子元器件不断向着微型化、集成化、高效能的方向发展，集成电路的线宽不断缩小。当集成电路的线宽微缩到14nm(纳米)以下时，传统的薄膜沉积技术，例如：物理气相沉积技术(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积技术(Chemical Vapor Deposition，CVD)等，越来越难以满足小尺寸、高深宽比的深孔/沟槽的填充。因此原子层沉积技术(Atomic layer deposition，ALD)在目前先进的技术代产线中得到了广泛的应用，包括并不限于金属、非金属材料的沉积。

ALD技术是一种以单原子层逐层吸附在衬底上的薄膜沉积技术，其最大的特点就是自限制性，这决定了以原子层沉积技术制备的薄膜具有厚度高度可控、均匀性优良、台阶覆盖率高等多种优点。通过将两种气相前驱体交替通入工艺腔室并发生化学反应而形成沉积薄膜的一种技术，该技术可以将物质以单原子膜的形式逐层沉积在衬底表面。在两种前驱体脉冲之间需要用惰性气体对工艺腔室进行吹扫，以清除未吸附在衬底表面的过剩前驱体，以保证化学反应只在衬底表面发生。

在ALD工艺生长过程中，不同前驱体交替进入工艺腔室内执行工艺，在两种前驱体脉冲之间，通过惰性气体对气体管路和工艺腔室进行吹扫，现有技术中主要通过气体传输***中脉冲阀的开启和关闭实现。理想ALD工艺生长是两种前躯体与衬底表面交替反应，避免两种前躯体相互发生CVD反应沉积在衬底表面。因此在第一种前躯体通入到衬底表面完成反应后，第二种前躯体进入工艺腔室前，必须去除滞留在工艺腔室和气体管路里第一种前躯体的残留物。这些残留物容易相互反应形成化合物，对衬底表面带来杂质颗粒污染。ALD工艺受其生长原理限制，其相较于CVD和PVD工艺来说生长速率较低，因此导致原子层沉积设备的产能相应较低。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备及其进气机构，用以解决现有技术存在原子层沉积设备产能较低的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种进气机构，设置于半导体工艺设备的工艺腔室上，用于将气体导入所述工艺腔室内，包括：包括进气筒组件；所述进气筒组件内形成有气体通路，并且所述进气筒组件的两端分别为进气口及出气口；所述气体通路的内径沿所述进气口至所述出气口的方向变小；所述进气口与所述半导体工艺设备的供气源连接，所述出气口与所述工艺腔室的顶部连接；所述进气筒组件的内壁上还设置有螺旋线组，所述螺旋线组用于使流经所述气体通路的气体产生涡旋，以使得进入所述工艺腔室内的气体呈涡旋状态。

于本申请的一实施例中，所述进气机构还包括相互连接的安装套筒和进气组件，其中，所述安装套筒与所述进气口连接，所述进气组件与所述半导体工艺设备的供气源连接，所述进气组件用于通过所述安装套筒向所述进气筒组件内导入气体。

于本申请的一实施例中，所述进气组件包括主管路、以及与所述主管路连通的至少两条进气支路，所述主管路设置于所述安装套筒顶面的中部位置；至少两条所述进气支路设置于所述供气源与所述主管路之间，用于向所述主管路导入气体。

于本申请的一实施例中，所述进气筒组件包括至少一个锥形筒，至少一个所述锥形筒内形成所述气体通路，所述锥形筒的内壁上自所述进气口至所述出气口的任意一条直线与轴线之间呈预设夹角，所述预设夹角的数值小于45度。

于本申请的一实施例中，所述进气筒组件包括多个锥形筒，所述锥形筒的两端分别为子进气口及子出气口，且多个所述锥形筒首尾相连接，并且任意两相邻的所述锥形筒的子出气口与子进气口内径相同。

于本申请的一实施例中，所述气体通路的内径变化状态为线性变小、非线性变小或者间接变小。

于本申请的一实施例中，所述进气筒组件还包括连接管，所述连接管用于连接任意两相邻的所述锥形筒。

于本申请的一实施例中，所述螺旋线组包括多条螺旋线，多条所述螺旋线均由所述进气口延伸至所述出气口，并且多条所述螺旋线在所述进气筒组件的内壁均匀分布。

于本申请的一实施例中，多条所述螺旋线为凹设于所述进气筒组件的内壁上的阴线和/或凸设于所述进气筒组件的内壁上的阳线。

第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括供气源、工艺腔室以及如第一个方面提供的进气机构，其中，所述进气口与所述半导体工艺设备的供气源连接，所述出气口与所述工艺腔室的顶部连接。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例通过气体通路的内径变化以及进气筒组件的内壁上设置有螺旋线组，不仅能大幅提高气体的流动速度，而且使气体通路及工艺腔室内的气体产生涡旋。由于进气机构提高了气体流动速度以及使气体产生涡旋，使得气体在工艺腔室内的流动路径长度以及湍流程度大幅增加，从而增强气体在工艺腔室内扩散及混合的效果，进而大幅缩短气体的饱和吸附时间以及对工艺腔室的吹扫时间，因此大幅提高半导体工艺设备的产能，并且能有效降低设备的应用成本。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种进气机构与工艺腔室配合结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种进气机构的剖视示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种进气机构的剖视示意图；

图4为本申请实施例提供的一种锥形筒与螺旋线组配合的透视示意图；

图5为图4示出的锥形筒与螺旋线组配合的A-A向剖示意图；

图6为本申请实施例提供的一种气体在晶圆表面流动状态的示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种进气机构100，设置于半导体工艺设备的工艺腔室200上，用于将气体导入工艺腔室200内，该进气机构100的结构示意图如图1所示，包括：进气筒组件1；其中，进气筒组件1内形成有气体通路11，并且进气筒组件1的两端分别为进气口12及出气口13；气体通路11的内径沿进气口12至出气口13的方向变小；进气口12与半导体工艺设备的供气源(图中未示出)连接，出气口13与工艺腔室200的顶部连接，实现向工艺腔室200内导气。进气筒组件1的内壁上还设置有螺旋线组14，螺旋线组14用于使流经气体通路11的气体产生涡旋，以使得进入工艺腔室200内的气体呈涡旋状态。

如图1所示，半导体工艺设备具体是用于执行原子层沉积工艺的设备，或者该半导体工艺设备也可以是执行整合工艺的设备，本申请实施例并不以此为限。进气筒组件1设置于半导体工艺设备的工艺腔室200上，用于向工艺腔室200通入气体，气体具体可以包括反应气体(诸如，ALD反应中的前驱体)及吹扫气体。具体来说，进气筒组件1可以设置于工艺腔室200的上盖201的中部位置，进气筒组件1的进气口12具体可以与半导体工艺设备的供气源连接，进气筒组件1出气口13可以与工艺腔室200连接，实现气体通路11与工艺腔室200连通。进气筒组件1内形成有气体通路11，气体通路11的内径沿进气口12至出气口13的方向变小，即气体通路11的内径沿气流方向变小，气体通路11采用上述设计可以大幅提高气体的流动速度。进气筒组件1的内壁上设置有螺旋线组14，气体进入气体通路11后在螺旋线组14的作用下产生涡旋，以使得进入工艺腔室200内的气体产生涡旋，以增加气体在工艺腔室200内的流动路径长度以及湍流程度。在实际应用中，例如半导体工艺设备用于执行原子层沉积工艺时，由于气体通路11的设计可以大幅提高反应气体饱和吸附效率以及提高吹扫气体对工艺腔室200吹扫的效率，从而大幅提高半导体工艺设备的产能，并且能有效降低设备的应用成本。

本申请实施例通过气体通路的内径变化以及进气筒组件的内壁上设置有螺旋线组，不仅能大幅提高气体的流动速度，而且使气体通路及工艺腔室内的气体产生涡旋。由于进气机构提高了气体流动速度以及使气体产生涡旋，使得气体在工艺腔室内的流动路径长度以及湍流程度大幅增加，从而增强气体在工艺腔室内扩散及混合的效果，进而大幅缩短气体的饱和吸附时间以及对工艺腔室的吹扫时间，因此大幅提高半导体工艺设备的产能，并且能有效降低设备的应用成本。

需要说明的是，本申请实施例并不限定进气机构100的具体形状，只要其内部形成有气体通路11，并且气体通路11的内径沿气流方向变小即可。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，进气机构100还包括相互连接的安装套筒2和进气组件3，其中，安装套筒2与进气口12连接，进气组件3与半导体工艺设备的供气源连接，进气组件3用于通过安装套筒2向进气筒组件1的气体通路11内导入气体。

如图1及图2所示，安装套筒2具体采用金属材质制成的套筒结构。安装套筒2包括有开放端及封闭端，安装套筒2的开放端与进气筒组件1的进气口12密封连接，例如采用螺接或卡接等连接方式。进气组件3设置于安装套筒2的封闭端，并且进气组件3与供气源连接，以用于通过安装套筒2将气体导入至进气筒组件1内。采用上述设计，使得本申请实施例结构简单，从而大幅提高拆装维护效率。需要说明的是，本申请实施例并不限安装套筒2的具体实施方式以及与进气筒组件1连接方式，例如安装套筒2可以采用非金属材质制成。另外，本申请实施例并不限定必须包括有安装套筒2，例如进气组件3能直接与进气筒组件1的进气口12连接。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，进气组件3包括主管路31、以及与主管路31连通的至少两条进气支路32，主管路31设置于安装套筒2顶面的中部位置；至少两条进气支路32设置于供气源与主管路31之间，用于向主管路31内导入气体。

如图1及图2所示，主管路31及进气支路32均可以采用金属材质制成的管状结构。主管路31底端与安装套筒2顶面的中部位置连接，例如两者的连接方式具体可以采用螺接或者焊接方式，但是本申请实施例并不以此为限。两条进气支路32均设置于主管路31的顶端，例如两条进气支路32通过三通接头与主管路31连接，但是本申请实施例并不以此为限。在实际应用中，两条进气支路32均与供气源连接，其中一条进气支路32可以用于向进气筒组件1内通入执行原子层沉积工艺的第一反应气体及第一吹扫气体；而另一条进气支咱32用于向进气筒组件1内通入执行原子层沉积工艺的第二反应气体及第二吹扫气体。但是本申请实施例并不以此为限，例如两条进气支路通入的气体也可以完全相同。采用上述设计，使得本申请实施例能够适用于多种工艺，从而大幅提高适用范围及适用性。

需要说明的是，本申请实施例并不限进气组件3的具体实施方式，例如进气组件3可以包括多个进气支路，用于通入多种相同类型或者不同类型的气体。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，进气筒组件1包括至少一个锥形筒10，至少一个锥形筒10内形成气体通路11，锥形筒10的内壁上自进气口12至出气口13的任意一条直线与轴线之间呈预设夹角，预设夹角的数值小于45度。

如图1及图2所示，进气筒组件1可以仅包括一个锥形筒10，锥形筒具体可以采用金属材质的圆台形结构。锥形筒10为中空结构，该中空结构形成上述气体通路11，锥形筒10的两端分别为进气口12及出气口13。该气体通路11的内径变化状态为线性变小，但是本申请实施例并不以此为限。具体来说，锥形筒10的内壁上自进气口12至出气口13的任意一条直线与轴线之间形有预设夹角，该预设夹角的数值可以小于45度。换言之，如图2所示，在锥形筒10的剖面示意图中，位于轴线两侧内壁上的直线均与轴线之间形成一预设夹角，且该预设夹角小于45度。采用锥形筒10的并且内径逐渐减小，使得气体通路11的内径呈线性状态逐渐变小。在本申请的一具体实施例中，锥形筒10的末端内径可以大于5mm(毫米)，即出气口13的内径大于5mm，以避免影响气体的流动速度；锥形筒10与安装套筒2的总长度可以大于30mm，以提高气体的流动速度，从而提高本申请实施例的进气效率。采用上述设计，由于进气组件3采用锥形筒的设计，能大幅降低制造及应用成本，并且由于结构简单还能大幅降低故障率，进而大幅提高半导体工艺设备的产能。

需要说明的是，本申请实施例并不限定锥形筒10的具体实施方式，例如锥形筒10也可以采用非金属材质制成的圆柱形结构，内部开设有气体通路11。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图3所示，进气筒组件1包括多个锥形筒10，多个锥形筒10首尾相连接，并且任意两相邻的锥形筒10的子出气口102与子进气口101内径相同。

可选地，气体通路11的内径变化状态为线性变小、非线性变小或者间接变小。可选地，进气筒组件1还包括连接管15，连接管15用于连接任意两相邻的锥形筒10。

如图1至图3所示，为了加强气体在进入工艺腔室200前的切向自旋速度，进气筒组件1可以包括多个锥形筒10，并且多个锥形筒10可以采用首尾连接的设置方式。进气筒组件1内的气体通路11的内径变化状态为间接变小，但是本申请实施例并不以此为限。例如气体通路11的内径变化状态还可以是非线性变小状态，因此本申请实施例并不以此为限。具体来说，进气筒组件1可以包括自上至下设置的两个锥形筒10，位于上方的锥形筒10的子进气口101作为进气筒组件1的进气口12，而位于下方的锥形筒10的子出气口102作为进气筒组件1的出气口13；位于上方的锥形筒10顶部设置有安装套筒2及进气组件3，位于下方的锥形筒10可以通过连接管15与上方的锥形筒10连接。另外，当进气筒组件11包括两个以上的锥形筒10时，位于最下方的锥形筒10的子出气口102作为进气筒组件1的出气口13。为了便于设置，位于上方的锥形筒10的子出气口102与位于下方的锥形筒10的子进气口101内径相同，连接管15具体可以采用恒定内径，由于设置有连接管15，使得气体通路11的内径呈间接变小的状态。此外，气体通路11为非线性变小是指气体通路11的内径整体为变小状态，但是变小幅度不同，其具体可以是在单个锥形筒10内加工形成，或者也可以是多个锥形筒10组合形成，本申请实施例对此并不限定。

在实际应用中，气体经由进气组件3及安装套筒2后进入位于上方的锥形筒10内，经由该锥形筒10的引导加速并产生涡旋流动后，再经由位于下方的锥形筒10进一步增强气体的涡旋角动量与前进的动量。进一步的，进气筒组件1可以仅包括两个以上的锥形筒10，不同锥形筒10的预设角度可以相同或者不同，但是各锥形筒10的预设角度均小于45度。于本申请的一具体实施例中，整个进气筒组件1的总长度大于30mm，通常为50mm以上，而进气筒组件1的出气口13的内径例如可以大于3mm，通常可以采用5mm以上。但是本申请实施例并不限定进气筒组件1的具体规格，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

需要说明的是，本申请实施例并不限定所有实施例中必须包括安装套筒2及连接管15，例如在一些实施例中也可以将两者省略。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图4及图5所示，螺旋线组14包括多条螺旋线141，多条螺旋线141均由进气口12延伸至出气口13，并且多条螺旋线141在进气筒组件1的内壁均匀分布。可选地，多条螺旋线141为凹设于进气筒组件1的内壁上的阴线和/或凸设于内壁上的阳线。可选地，多条螺旋线141的数量为6条以上。

如图1至图5所示，螺旋线组14设置于锥形筒10的内壁上，螺旋线组14与锥形筒10配合的透视示意图具体参照如图4所示，螺旋线组14具体可以包括6条或6条以上均匀分布的螺旋线141，螺旋线141可以由进气口12延伸至出气口13，但是本申请实施例并不以此为限，例如螺旋线141也可以由安装套筒2内开始延伸至出气口13。需要说明的是，本申请实施例并不限定螺旋线141的具体数量，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。图5为图4中的A-A向剖视示意图，在锥形筒10的内壁上设置多条螺旋线141，多条螺旋线141具体可以是凹设于内壁上的阴线，或者是凸设于内壁上的阳线，再或者也可以是阴线和阳线的组合，因此本申请实施例并不以此为限。

在实际使用中，当气体经由进气组件3及安装套筒2进入锥形筒10后，在螺旋线组14的引导作用下会螺旋前进，从而使气体产生涡旋，气体产生涡旋后具有竖直方向上的角动量。同时由于气体流动路径上，由于气体通路11的内径逐渐减小，在气体通路11的挤压作用下，气体会进一步压缩加速，产生更大的自旋速度以及流动速度。当气体经由涡旋加速喷射进入工艺腔室200后，由于角动量守恒原理，气体在工艺腔室内部以及晶圆300表面将继续保持涡旋流动。结合参照如图1及图6所示，当气体经由进气机构100进入工艺腔室200后，在晶圆300表面保持涡旋流动，如图中黑色箭头示出的气体流动方向，最后气体由抽气口202从工艺腔室200下部抽走。由于气体在工艺腔室200内涡旋流动，能大幅增加气体在工艺腔室200内的流动路径长度以及湍流程度，从而增强气体在工艺腔室200内扩散及混合的效果，进而可以缩短反应气体的饱和吸附时间，以及吹扫气体对工艺腔室200的吹扫时间。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括供气源、工艺腔室以及如上述各实施例提供的半导体工艺设备中的进气机构，进气口与半导体工艺设备的供气源连接，出气口与工艺腔室的顶部连接。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例通过气体通路的内径变化以及进气筒组件的内壁上设置有螺旋线组，不仅能大幅提高气体的流动速度，而且使气体通路及工艺腔室内的气体产生涡旋。由于进气机构提高了气体流动速度以及使得气体产生涡旋，使得气体在工艺腔室内的流动路径长度以及湍流程度大幅增加，从而增强气体在工艺腔室内扩散及混合的效果，进而大幅缩短气体的饱和吸附时间以及对工艺腔室的吹扫时间，因此大幅提高半导体工艺设备的产能，并且能有效降低设备的应用成本。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种进气机构，设置于半导体工艺设备的工艺腔室上，用于将气体导入所述工艺腔室内，其特征在于，包括进气筒组件；

所述进气筒组件内形成有气体通路，并且所述进气筒组件的两端分别为进气口及出气口；所述气体通路的内径沿所述进气口至所述出气口的方向变小；所述进气口与所述半导体工艺设备的供气源连接，所述出气口与所述工艺腔室的顶部连接；

所述进气筒组件的内壁上还设置有螺旋线组，所述螺旋线组用于使流经所述气体通路的气体产生涡旋，以使得进入所述工艺腔室内的气体呈涡旋状态；

所述螺旋线组包括多条螺旋线，多条所述螺旋线为凹设于所述进气筒组件的内壁上的阴线和/或凸设于所述进气筒组件的内壁上的阳线。

2.如权利要求1所述的进气机构，其特征在于，所述进气机构还包括相互连接的安装套筒和进气组件，其中，所述安装套筒与所述进气口连接，所述进气组件与所述半导体工艺设备的供气源连接，所述进气组件用于通过所述安装套筒向所述进气筒组件内导入气体。

3.如权利要求2所述的进气机构，其特征在于，所述进气组件包括主管路、以及与所述主管路连通的至少两条进气支路，所述主管路设置于所述安装套筒顶面的中部位置；至少两条所述进气支路设置于所述供气源与所述主管路之间，用于向所述主管路导入气体。

4.如权利要求1所述的进气机构，其特征在于，所述进气筒组件包括至少一个锥形筒，至少一个所述锥形筒内形成所述气体通路，所述锥形筒的内壁上自所述进气口至所述出气口的任意一条直线与轴线之间呈预设夹角，所述预设夹角的数值小于45度。

5.如权利要求4所述的进气机构，其特征在于，所述进气筒组件包括多个锥形筒，所述锥形筒的两端分别为子进气口及子出气口，且多个所述锥形筒首尾相连接，并且任意两相邻的所述锥形筒的子出气口与子进气口内径相同。

6.如权利要求5所述的进气机构，其特征在于，所述气体通路的内径变化状态为线性变小、非线性变小或者间接变小。

7.如权利要求5所述的进气机构，其特征在于，所述进气筒组件还包括连接管，所述连接管用于连接任意两相邻的所述锥形筒。

8.如权利要求1所述的进气机构，其特征在于，多条所述螺旋线均由所述进气口延伸至所述出气口，并且多条所述螺旋线在所述进气筒组件的内壁均匀分布。

9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括供气源、工艺腔室以及如权利要求1至8的任一所述的进气机构，其中，所述进气口与所述半导体工艺设备的供气源连接，所述出气口与所述工艺腔室的顶部连接。

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