CN112346664A - 一种数据存储方法、装置、设备及介质 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种数据存储方法、装置、设备及介质，该方法包括：读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段；确定所述目标字段对应的存储模式类型；基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。可见，快闪存储器通过读取本地一次性可编程寄存器中预先设置的目标字段，根据目标字段确定出存储模式类型，进而确定出默认存储模式，以便根据确定出的默认存储模式进行数据存储，由此，通过设置一次性可编程寄存器中的目标字段，可以灵活变化快闪存储器出厂的默认工作模式，进而兼容不同的SSD主控厂商，同时不受快闪存储器的模式进入方式的限制，提高了快闪存储器的兼容性。

Description

一种数据存储方法、装置、设备及介质
技术领域
本发明涉及存储器领域，特别涉及一种数据存储方法、装置、设备及介质。
背景技术
当前，Nand快闪存储器通用的存储模式有四种，分别为SLC(即Single LevelCell，单层存储单元)模式、MLC(即Mulit Level Cell，双层存储单元)模式、TLC(即TripleLevel Cell，三层存储单元)模式和QLC(即Quad Level Cell，四层存储单元)模式。虽然Nand快闪存储器已经发展到TLC阶段，即一个存储单元上可以存储3个bits的数据，以及QLC阶段，即一个存储单元上可以存储4个bits的数据；但是在各个SSD(即Solid State Disk，固态硬盘)方案中，SSD主控厂商为了保证存储在Nand快闪存储器中的代码文件有较好的数据保持性，通常依旧使用SLC模式存储固件代码；但由于发展的多样性，不同类别Nand快闪存储器进入SLC模式的方式均不相同，并且不同时期也可能使用不同的进入方式，因此需要兼容不同的进入方式。
通用技术中，由SSD主控厂商通过设计启动代码(即boot代码)来兼容Nand快闪存储器进入SLC模式的方式，但是通过boot代码的兼容性来解决模式选择的方式存在局限性，即使不断提高boot代码的兼容性也会存在不兼容情况。并且，由于boot代码通常是固定在芯片的ROM当中，为了提高对不同Nand快闪存储器的兼容性，通常会使用GPIO、OTP等芯片资源，造成资源浪费。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种数据存储方法、装置、设备及介质，能够提高Nand快闪存储器的兼容性。其具体方案如下：
第一方面，本申请公开了一种数据存储方法，应用于快闪存储器，包括：
读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段；
确定所述目标字段对应的存储模式类型；
基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。
可选的，所述读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段之前，还包括：
接收主控芯片发送的模式进入指令；
基于所述模式进入指令进行上电初始化流程。
可选的，所述目标字段的创建过程，包括：
在所述一次性可编程寄存器中添加一个比特位作为所述目标字段，用于标识存储模式类型。
可选的，所述确定所述目标字段对应的存储模式类型，包括：
若所述目标字段为第一预设标识符，则确定所述目标字段对应的所述存储模式类型为单层存储单元模式；
若所述目标字段为第二预设标识符，则确定所述目标字段对应的所述存储模式类型为多层存储单元模式。
可选的，所述在所述一次性可编程寄存器中添加一个比特位作为所述目标字段之后，还包括：
将所述第一预设标识符与所述单层存储单元模式创建关联关系；
将所述第二预设标识符与所述多层存储单元模式创建关联关系。
可选的，所述基于所述存储模式类型确定默认存储模式，包括：
若所述预设存储模式类型为单层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为单层存储单元模式；
若所述预设存储模式类型为多层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为双层存储单元模式、三层存储单元模式和四层存储单元模式中的任意一种。
第二方面，本申请公开了一种数据存储装置，包括：
目标字段读取模块，用于读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段；
存储模式类型确定模块，用于确定所述目标字段对应的存储模式类型；
默认存储模式确定模块，用于基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。
可选的，所述默认存储模式确定模块，包括：
第一判定单元，用于若所述预设存储模式类型为单层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为单层存储单元模式；
第二判定单元，用于若所述预设存储模式类型为多层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为双层存储单元模式、三层存储单元模式和四层存储单元模式中的任意一种。
第三方面，本申请公开了一种电子设备，包括：
存储器，用于保存计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序，以实现前述的数据存储方法。
第四方面，本申请公开了一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序；其中计算机程序被处理器执行时实现前述的数据存储方法。
本申请，通过读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段，然后确定所述目标字段对应的存储模式类型，最后基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。可见，通过读取本地一次性可编程寄存器中预先设置的目标字段，根据目标字段确定出存储模式类型，进而确定出默认存储模式，以便快闪存储器根据确定出的默认存储模式进行数据存储，由此，通过设置一次性可编程寄存器中的目标字段，可以灵活变化快闪存储器出厂的默认工作模式，进而兼容不同的SSD主控厂商，同时不受快闪存储器的模式进入方式的限制，提高了快闪存储器的兼容性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的一种数据存储方法流程图；
图2为本申请提供的一种具体的数据存储方法流程图；
图3为本申请提供的一种数据存储装置结构示意图；
图4为本申请提供的一种电子设备结构图。
具体实施方式
现有技术中，通过提高boot代码的兼容性，来解决快闪存储器在模式选择方式的兼容性问题，但是这种方式存在局限性，降低了快闪存储器的兼容性。为了克服上述技术问题，本申请提供了一种基于快闪存储器的数据存储方法，能够提高快闪存储器的兼容性。
本申请实施例公开了一种数据存储方法，应用于快闪存储器，参见图1所示，该方法可以包括以下步骤：
步骤S11：读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段。
本实施例中，首先读取本地一次性可编程(即OTP，One Time program)寄存器中预先设置的目标字段，以针对上述快闪存储器的存储模式进行相关配置操作，并且，上述目标字段的位置可以由快闪存储器厂商根据实际应用情况进行设置；其中，上述目标字段的数据大小可以为1bit。由此，通过在OTP中增加一个1bit字段的针对存储模式的配置，可以便于快闪存储器厂商在快闪存储器封装测试阶段针对性的修改相应配置。
步骤S12：确定所述目标字段对应的存储模式类型。
本实施例中，读取一次性可编程寄存器中的目标字段后，基于上述目标字段识别出对应配置的存储模式类型，上述存储模式类型可以包括单层存储单元模式和多层存储单元模式。
步骤S13：基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。
本实施例中，在确定出存储模式类型后，根据确定的存储模式类型确定出默认存储模式，以便快闪存储器基于上述默认存储方式进行数据存储；本实施例中，上述快闪存储器可以为Nandflash。可以理解的是，若上述存储模式类型为单层存储模式则可以确认默认存储方式为单层存储单元模式；若上述存储模式类型为多层存储模式，则可以确认默认存储方式为双层存储单元模式或三层存储单元模式或四层存储单元模式。
由上可见，本实施例中通过读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段，然后确定所述目标字段对应的存储模式类型，最后基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。可见，通过读取本地一次性可编程寄存器中预先设置的目标字段，根据目标字段确定出存储模式类型，进而确定出默认存储模式，以便快闪存储器根据确定出的默认存储模式进行数据存储，由此，通过设置一次性可编程寄存器中的目标字段，可以灵活变化快闪存储器出厂的默认工作模式，进而兼容不同的SSD主控厂商，同时不受快闪存储器的模式进入方式的限制，提高了快闪存储器的兼容性。
本申请实施例公开了一种具体的数据存储方法，应用于快闪存储器，参见图2所示，该方法可以包括以下步骤：
步骤S21：接收主控芯片发送的模式进入指令；基于所述模式进入指令进行上电初始化流程。
本实施例中，上述快闪存储器在上电复位后，接收主控芯片，即SSD主控发送的模式进入指令，例如，set feature指令、A2命令、DA命令等；在接收到上述模式进入指令后，开始执行上电初始化流程。
步骤S22：读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段。
本实施例中，快闪存储器在进入上电初始化流程后，主动读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段。本实施例中，所述目标字段的创建过程，可以包括：在所述一次性可编程寄存器中添加一个比特位作为所述目标字段，用于标识存储模式类型。可以理解的是，通过预先在一次性可编程寄存器，即OTP寄存器中添加1个bit的字符，以创建上述目标字段。也可以预先在OTP寄存器中添加多个bit的字符，以创建上述目标字段。
步骤S23：若所述目标字段为第一预设标识符，则确定所述目标字段对应的所述存储模式类型为单层存储单元模式；若所述目标字段为第二预设标识符，则确定所述目标字段对应的所述存储模式类型为多层存储单元模式。
本实施例中，在读取上述目标字段后，判断上述目标字段的字符为第一预设标识符还是第二预设标识符，若目标字段为第一预设标识符，则确定目标字段对应的存储模式类型为单层存储单元模式；若目标字段为第二预设标识符，则确定目标字段对应的存储模式类型为多层存储单元模式。可以理解的是，上述目标字段可以为“1”或“0”，也可以为由1/0组成的不同的字符段，即通过预先设置存在区别的两个目标字段，能够分别表征两种存储单元模式即可。例如，当目标字段为“1”或“0”，并预先设置第一预设标识符为“1”，第二预设标识符为“0”，当识别出上述目标字段为第一预设标识符，则确定目标字段对应的存储模式类型为单层存储单元模式；若别出上述目标字段为第二预设标识符，则确定目标字段对应的存储模式类型为多层存储单元模式。
本实施例中，所述在所述一次性可编程寄存器中添加一个比特位作为所述目标字段之后，还可以包括：将所述第一预设标识符与所述单层存储单元模式创建关联关系；将所述第二预设标识符与所述多层存储单元模式创建关联关系。可以理解的是，在向一次性可编程寄存器中添加上述目标字段之前，可以将字符“1”作为第一预设标识符，并与单层存储单元模式创建关联关系；同样，将字符“0”作为第二预设标识符，并与多层存储单元模式创建关联关系。以便快闪存储器在读取目标字段后确定出相应的存储模式类型。
步骤S24：若所述预设存储模式类型为单层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为单层存储单元模式；若所述预设存储模式类型为多层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为双层存储单元模式、三层存储单元模式和四层存储单元模式中的任意一种。
由上可见，快闪存储器在接收到主控芯片的发送的模式进入指令后，通过主动读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段，然后根据目标字段确定出默认存储模式，并基于确定的默认存储模式进行数据存储。可见，本发明由存储器厂商对快闪存储器进行配置，通过在快闪存储器的OTP寄存器中增加一个bit的配置，以用于决定上电初始化完成之后是进入单层存储单元模式还是多层存储单元模式，即通过OTP配置默认存储模式，由此一来，相比于现有技术中，依赖主控厂商提升boot代码的兼容性，以及了解存储器厂商的后续规划来提高快闪存储器的兼容性的方式，通过在OTP寄存器中增加一个比特位指定快闪存储器的默认存储模式，在主控对快闪存储器进行上电复位操作之后，快闪存储器主动读取并进入默认存储模式，SSD主控在boot代码中不再需要切换模式，直接读取产品固件相关的程序代码即可，提高了快闪存储器的兼容性，同时，即使后续进入单层存储单元模式的方式发生变化，也不影响快闪存储器的兼容性。并且本发明易于实现，占用资源较少，只需要1bit的OTP资源。
相应的，本申请实施例还公开了一种数据存储装置，参见图3所示，该装置包括：
目标字段读取模块11，用于读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段；
存储模式类型确定模块12，用于确定所述目标字段对应的存储模式类型；
默认存储模式确定模块13，用于基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。
本实施例，通过读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段，然后确定所述目标字段对应的存储模式类型，最后基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。可见，通过读取本地一次性可编程寄存器中预先设置的目标字段，根据目标字段确定出存储模式类型，进而确定出默认存储模式，以便快闪存储器根据确定出的默认存储模式进行数据存储，由此，通过设置一次性可编程寄存器中的目标字段，可以灵活变化快闪存储器出厂的默认工作模式，进而兼容不同的SSD主控厂商，同时不受快闪存储器的模式进入方式的限制，提高了快闪存储器的兼容性。
在一些具体实施例中，所述存储模式类型确定模块12具体可以包括：
第一类型确定单元，用于若所述目标字段为第一预设标识符，则确定所述目标字段对应的所述存储模式类型为单层存储单元模式；
第二类型确定单元，用于若所述目标字段为第二预设标识符，则确定所述目标字段对应的所述存储模式类型为多层存储单元模式。
在一些具体实施例中，所述默认存储模式确定模块13具体可以包括：
第一模式确定单元，用于若所述预设存储模式类型为单层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为单层存储单元模式；
第二模式确定单元，用于若所述预设存储模式类型为多层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为双层存储单元模式、三层存储单元模式和四层存储单元模式中的任意一种。
进一步的，本申请实施例还公开了一种电子设备，参见图4所示，图中的内容不能被认为是对本申请的使用范围的任何限制。
图4为本申请实施例提供的一种电子设备20的结构示意图。该电子设备20，具体可以包括：至少一个处理器21、至少一个存储器22、电源23、通信接口24、输入输出接口25和通信总线26。其中，所述存储器22用于存储计算机程序，所述计算机程序由所述处理器21加载并执行，以实现前述任一实施例公开的数据存储方法中的相关步骤。
本实施例中，电源23用于为电子设备20上的各硬件设备提供工作电压；通信接口24能够为电子设备20创建与外界设备之间的数据传输通道，其所遵循的通信协议是能够适用于本申请技术方案的任意通信协议，在此不对其进行具体限定；输入输出接口25，用于获取外界输入数据或向外界输出数据，其具体的接口类型可以根据具体应用需要进行选取，在此不进行具体限定。
另外，存储器22作为资源存储的载体，可以是只读存储器、随机存储器、磁盘或者光盘等，其上所存储的资源包括操作***221、计算机程序222及包括存储模式在内的数据223等，存储方式可以是短暂存储或者永久存储。
其中，操作***221用于管理与控制电子设备20上的各硬件设备以及计算机程序222，以实现处理器21对存储器22中海量数据223的运算与处理，其可以是Windows Server、Netware、Unix、Linux等。计算机程序222除了包括能够用于完成前述任一实施例公开的由电子设备20执行的数据存储方法的计算机程序之外，还可以进一步包括能够用于完成其他特定工作的计算机程序。
进一步的，本申请实施例还公开了一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令被处理器加载并执行时，实现前述任一实施例公开的数据存储方法步骤。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种数据存储方法、装置、设备及介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种数据存储方法，其特征在于，应用于快闪存储器，包括：
读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段；
确定所述目标字段对应的存储模式类型；
基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。
2.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，所述读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段之前，还包括：
接收主控芯片发送的模式进入指令；
基于所述模式进入指令进行上电初始化流程。
3.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，所述目标字段的创建过程，包括：
在所述一次性可编程寄存器中添加一个比特位作为所述目标字段，用于标识存储模式类型。
4.根据权利要求3所述的数据存储方法，其特征在于，所述确定所述目标字段对应的存储模式类型，包括：
若所述目标字段为第一预设标识符，则确定所述目标字段对应的所述存储模式类型为单层存储单元模式；
若所述目标字段为第二预设标识符，则确定所述目标字段对应的所述存储模式类型为多层存储单元模式。
5.根据权利要求4所述的数据存储方法，其特征在于，所述在所述一次性可编程寄存器中添加一个比特位作为所述目标字段之后，还包括：
将所述第一预设标识符与所述单层存储单元模式创建关联关系；
将所述第二预设标识符与所述多层存储单元模式创建关联关系。
6.根据权利要求4所述的数据存储方法，其特征在于，所述基于所述存储模式类型确定默认存储模式，包括：
若所述预设存储模式类型为单层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为单层存储单元模式；
若所述预设存储模式类型为多层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为双层存储单元模式、三层存储单元模式和四层存储单元模式中的任意一种。
7.一种数据存储装置，其特征在于，应用于快闪存储器，包括：
目标字段读取模块，用于读取本地一次性可编程寄存器中的目标字段；
存储模式类型确定模块，用于确定所述目标字段对应的存储模式类型；
默认存储模式确定模块，用于基于所述存储模式类型确定默认存储模式，并以所述默认存储模式进行数据存储。
8.根据权利要求7所述的数据存储装置，其特征在于，所述默认存储模式确定模块，包括：
第一判定单元，用于若所述预设存储模式类型为单层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为单层存储单元模式；
第二判定单元，用于若所述预设存储模式类型为多层存储单元模式，则确定所述默认存储模式为双层存储单元模式、三层存储单元模式和四层存储单元模式中的任意一种。
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
存储器，用于保存计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序，以实现如权利要求1至6任一项所述的数据存储方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，用于存储计算机程序；其中计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述的数据存储方法。
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