CN112341794A - 一种高电传输性能的电子材料制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高电传输性能的电子材料制备方法，包括以下加工步骤：材料混合、材料混合、二氧化硅处理、二氧化硅搅拌、胶液加工、成品烘干、成品处理，其中材料混合，将聚醚多元醇、聚酯多元醇混合均匀，在60‑80℃下真空脱水1‑2h，再加入甲苯二异氰酸酯、酒石酸丙酮溶液，在65‑70℃下保温反应1‑2h，冷却至室温。本发明所述的一种高电传输性能的电子材料制备方法，改进了电子材料的原材料，提高了电子材料的整体电传输性能，从而提高了电子材料的整体质量，更有效的使电子材料进行利用，改进了电子材料的生产工艺，使电子材料的生产工艺简洁明了，提高了电子材料的生产效率，并提高了电子材料生产的稳定性。

Description

一种高电传输性能的电子材料制备方法
技术领域
本发明涉及电子材料领域，特别涉及一种高电传输性能的电子材料制备方法。
背景技术
电子材料是指在电子技术和微电子技术中使用的材料，包括介电材料、半导体材料、压电与铁电材料、导电金属及其合金材料、磁性材料、光电子材料、电磁波屏蔽材料以及其他相关材料。电子材料是现代电子工业和科学技术发展的物质基础，同时又是科技领域中技术密集型学科，它涉及到电子技术、物理化学、固体物理学和工艺基础等多学科知识。根据材料的化学性质，可以分为金属电子材料，电子陶瓷，高分子电子、玻璃电介质、云母、气体绝缘介质材料，电感器、绝缘材料、磁性材料、电子五金件、电工陶瓷材料、屏蔽材料、压电晶体材料、电子精细化工材料、电子轻建纺材料、电子锡焊料材料、PCB制作材料、其它电子材料，但是电子材料的生产和使用需求提高，现有的电子材料制备已经无法满足人们的需求，需要对电子材料制备方法进行改进；在电子材料制备方法使用时，无法有效的提高电子材料的电传输性能，降低了电子材料的整体质量，同时，电子材料的生产工艺繁琐，导致了电子材料的生产效率低，并降低了电子材料生产的稳定性。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种高电传输性能的电子材料制备方法，可以有效解决背景技术中无法有效的提高电子材料的电传输性能，电子材料的生产工艺繁琐的问题。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种高电传输性能的电子材料制备方法，包括以下加工步骤：
S1、材料混合：将聚醚多元醇、聚酯多元醇混合均匀，在60-80℃下真空脱水1-2h，再加入甲苯二异氰酸酯、酒石酸丙酮溶液，在65-70℃下保温反应1-2h，冷却至室温，加入三乙胺丙酮溶液搅拌、制成乳状液，再进行抽真空，蒸出丙酮，即可得到水性聚氨脂乳液，再将水性聚氨脂乳液与去离子水混合,稀释成浓度为26-33％的水溶液，再加入氨基磺酸盐,在300-500r/min的转速下搅拌20-25min，得到混合物一；
S2、纳米材料添加：向混合物一中加入碳纳米材料，在,1800-2400r/min的转速下搅拌25-35min，再加入接枝炭黑、过渡金属卤化物，在200-300r/min的转速下搅拌10-15min，调节pH值在5-6，再加入偶联剂搅拌5h，得到混合物二；；
S3、二氧化硅处理：将介孔二氧化硅加入浓硫酸中,超声处理10分钟后过滤得到滤饼，然后将滤饼洗涤、干燥得到酸蚀介孔二氧化硅；
S4、二氧化硅搅拌：将酸蚀介孔二氧化硅与正硅酸乙酯混合后于150℃搅拌1小时后再加入3,3'-二硫代二丙酸和丙烯酸丁酯，于70℃搅拌40分钟，得到改性二氧化硅体系；
S5、胶液加工：将改性二氧化硅泡沫体系加入混合物二中，在温度120℃中进行搅拌，然后于95～105℃下，加入单官能团环氧体系，搅拌20分钟，得到胶液；
S6、成品烘干：将受阻胺类光稳定剂加入胶液中进行离心处理，离心之后投入到模具进行挤压、锻造，之后再进行烘干处理，烘干温度设为120℃，脱模后得产物；
S7、成品处理：将步骤S6中的烧结后的成品进行整修工作，确保尺寸与厚度精度，填充系数为0.84—0.86，在-55℃至150℃范围内，磁性能变化5％—10％，而且可逆，即得到软磁电子材料。
优选的，所述步骤S1的氨基磺酸盐为1，2-二胺基-γ-丙磺酸钠、1，3-二胺基-β-丙磺酸钠和乙二胺基乙基磺酸钠中的任一种或几种的混合。
优选的，所述S2中枝碳是将炭黑与甲醛混合，在60-70℃下进行羟甲基化30-40min，再经过滤、烘干后加入马来酸酐的乙酸乙酯溶液，在70-80℃下进行接枝反应，经过滤、烘干、粉碎得到接枝碳黑。
优选的，所述S3中介孔二氧化硅、浓硫酸的质量比为1∶8，酸蚀介孔二氧化硅、正硅酸乙酯、3,3'-二硫代二丙酸、丙烯酸丁酯的质量比为1∶1.5∶0.5∶0.3。
优选的，所述S4中3，3'-二硫代二内酸、二氯甲烷、内酮、间硝基苯磺酸吡啶盐﹑醋酸锰、N-羟甲基丙烯酰胺、2,3-环氧基环戊基环戊基醚、甲基环己烯四羧酸二酐、N,N'-二环己基碳二亚胺的质量比为8∶30.40.11∶1∶12∶100∶10∶6。
优选的，所述S5中采用叶片式搅拌机进行搅拌，搅拌的速率为420r/min。
优选的，所述S7中采用裁剪机对成品进行修剪，成品修剪的形状为长方体。
与现有技术相比，本发明一种高电传输性能的电子材料制备方法，具有如下有益效果：
该高电传输性能的电子材料制备方法，通过设置的材料混合、纳米材料添加、二氧化硅处理和二氧化硅搅拌，改进了电子材料的原材料，提高了电子材料的整体电传输性能，从而提高了电子材料的整体质量，更有效的使电子材料进行利用，通过设置的胶液加工、成品烘干和成品处理，改进了电子材料的生产工艺，使电子材料的生产工艺简洁明了，提高了电子材料的生产效率，并提高了电子材料生产的稳定性。
附图说明
图1为本发明一种高电传输性能的电子材料制备方法的生产方法流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1所示，一种高电传输性能的电子材料制备方法，包括以下加工步骤：
S1、材料混合：将聚醚多元醇、聚酯多元醇混合均匀，在60-80℃下真空脱水1-2h，再加入甲苯二异氰酸酯、酒石酸丙酮溶液，在65-70℃下保温反应1-2h，冷却至室温，加入三乙胺丙酮溶液搅拌、制成乳状液，再进行抽真空，蒸出丙酮，即可得到水性聚氨脂乳液，再将水性聚氨脂乳液与去离子水混合,稀释成浓度为26-33％的水溶液，再加入氨基磺酸盐,在300-500r/min的转速下搅拌20-25min，得到混合物一；
S2、纳米材料添加：向混合物一中加入碳纳米材料，在,1800-2400r/min的转速下搅拌25-35min，再加入接枝炭黑、过渡金属卤化物，在200-300r/min的转速下搅拌10-15min，调节pH值在5-6，再加入偶联剂搅拌5h，得到混合物二；；
S3、二氧化硅处理：将介孔二氧化硅加入浓硫酸中,超声处理10分钟后过滤得到滤饼，然后将滤饼洗涤、干燥得到酸蚀介孔二氧化硅；
S4、二氧化硅搅拌：将酸蚀介孔二氧化硅与正硅酸乙酯混合后于150℃搅拌1小时后再加入3,3'-二硫代二丙酸和丙烯酸丁酯，于70℃搅拌40分钟，得到改性二氧化硅体系；
S5、胶液加工：将改性二氧化硅泡沫体系加入混合物二中，在温度120℃中进行搅拌，然后于95～105℃下，加入单官能团环氧体系，搅拌20分钟，得到胶液；
S6、成品烘干：将受阻胺类光稳定剂加入胶液中进行离心处理，离心之后投入到模具进行挤压、锻造，之后再进行烘干处理，烘干温度设为120℃，脱模后得产物；
S7、成品处理：将步骤S6中的烧结后的成品进行整修工作，确保尺寸与厚度精度，填充系数为0.84—0.86，在-55℃至150℃范围内，磁性能变化5％—10％，而且可逆，即得到软磁电子材料。
所述步骤S1的氨基磺酸盐为1，2-二胺基-γ-丙磺酸钠、1，3-二胺基-β-丙磺酸钠和乙二胺基乙基磺酸钠中的任一种或几种的混合；所述S2中枝碳是将炭黑与甲醛混合，在60-70℃下进行羟甲基化30-40min，再经过滤、烘干后加入马来酸酐的乙酸乙酯溶液，在70-80℃下进行接枝反应，经过滤、烘干、粉碎得到接枝碳黑；所述S3中介孔二氧化硅、浓硫酸的质量比为1∶8，酸蚀介孔二氧化硅、正硅酸乙酯、3,3'-二硫代二丙酸、丙烯酸丁酯的质量比为1∶1.5∶0.5∶0.3；所述S4中3，3'-二硫代二内酸、二氯甲烷、内酮、间硝基苯磺酸吡啶盐﹑醋酸锰、N-羟甲基丙烯酰胺、2,3-环氧基环戊基环戊基醚、甲基环己烯四羧酸二酐、N,N'-二环己基碳二亚胺的质量比为8∶30.40.11∶1∶12∶100∶10∶6；所述S5中采用叶片式搅拌机进行搅拌，搅拌的速率为420r/min，叶片式搅拌机能够有效的提高混合反应效率；所述S7中采用裁剪机对成品进行修剪，成品修剪的形状为长方体，裁剪机能够快速的对成品进行修剪，提高修剪的速度。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.一种高电传输性能的电子材料制备方法，其特征在于，包括以下加工步骤：
S1、材料混合：将聚醚多元醇、聚酯多元醇混合均匀，在60-80℃下真空脱水1-2h，再加入甲苯二异氰酸酯、酒石酸丙酮溶液，在65-70℃下保温反应1-2h，冷却至室温，加入三乙胺丙酮溶液搅拌、制成乳状液，再进行抽真空，蒸出丙酮，即可得到水性聚氨脂乳液，再将水性聚氨脂乳液与去离子水混合,稀释成浓度为26-33％的水溶液,再加入氨基磺酸盐，在300-500r/min的转速下搅拌20-25min，得到混合物一；
S2、纳米材料添加：向混合物一中加入碳纳米材料，在,1800-2400r/min的转速下搅拌25-35min，再加入接枝炭黑、过渡金属卤化物，在200-300r/min的转速下搅拌10-15min，调节pH值在5-6，再加入偶联剂搅拌5h，得到混合物二；；
S3、二氧化硅处理：将介孔二氧化硅加入浓硫酸中,超声处理10分钟后过滤得到滤饼，然后将滤饼洗涤、干燥得到酸蚀介孔二氧化硅；
S4、二氧化硅搅拌：将酸蚀介孔二氧化硅与正硅酸乙酯混合后于150℃搅拌1小时后再加入3,3'-二硫代二丙酸和丙烯酸丁酯，于70℃搅拌40分钟，得到改性二氧化硅体系；
S5、胶液加工：将改性二氧化硅泡沫体系加入混合物二中，在温度120℃中进行搅拌，然后于95～105℃下，加入单官能团环氧体系，搅拌20分钟，得到胶液；
S6、成品烘干：将受阻胺类光稳定剂加入胶液中进行离心处理，离心之后投入到模具进行挤压、锻造，之后再进行烘干处理，烘干温度设为120℃，脱模后得产物；
S7、成品处理：将步骤S6中的烧结后的成品进行整修工作，确保尺寸与厚度精度，填充系数为0.84—0.86，在-55℃至150℃范围内，磁性能变化5％—10％，而且可逆，即得到软磁电子材料。
2.根据权利要求1所述的一种高电传输性能的电子材料制备方法，其特征在于：所述步骤S1的氨基磺酸盐为1，2-二胺基-γ-丙磺酸钠、1，3-二胺基-β-丙磺酸钠和乙二胺基乙基磺酸钠中的任一种或几种的混合。
3.根据权利要求1所述的一种高电传输性能的电子材料制备方法，其特征在于：所述S2中枝碳是将炭黑与甲醛混合，在60-70℃下进行羟甲基化30-40min，再经过滤、烘干后加入马来酸酐的乙酸乙酯溶液，在70-80℃下进行接枝反应，经过滤、烘干、粉碎得到接枝碳黑。
4.根据权利要求1所述的一种高电传输性能的电子材料制备方法，其特征在于：所述S3中介孔二氧化硅、浓硫酸的质量比为1∶8，酸蚀介孔二氧化硅、正硅酸乙酯、3,3'-二硫代二丙酸、丙烯酸丁酯的质量比为1∶1.5∶0.5∶0.3。
5.根据权利要求1所述的一种高电传输性能的电子材料制备方法，其特征在于：所述S4中3，3'-二硫代二内酸、二氯甲烷、内酮、间硝基苯磺酸吡啶盐﹑醋酸锰、N-羟甲基丙烯酰胺、2,3-环氧基环戊基环戊基醚、甲基环己烯四羧酸二酐、N,N'-二环己基碳二亚胺的质量比为8∶30.40.11∶1∶12∶100∶10∶6。
6.根据权利要求1所述的一种高电传输性能的电子材料制备方法，其特征在于：所述S5中采用叶片式搅拌机进行搅拌，搅拌的速率为420r/min。
7.根据权利要求1所述的一种高电传输性能的电子材料制备方法，其特征在于：所述S7中采用裁剪机对成品进行修剪，成品修剪的形状为长方体。
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