CN112310318A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 204
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 328
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 241
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 170
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 170
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 169
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 147
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1140
- 239000010408 film Substances 0.000 description 159
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 101
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 67
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 67
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 65
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 56
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 4
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括基底、设置在基底上的发光结构层以及设置在发光结构层上的封装结构层；封装结构层包括封装层和至少一个过渡层，过渡层邻近基底的一侧与第一侧膜层接触，过渡层远离基底的一侧与第二侧膜层接触，至少一个过渡层的附着力大于第一侧膜层和第二侧膜层中一个膜层的附着力，小于第一侧膜层和第二侧膜层中另一个膜层的附着力。本公开通过设置过渡层，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性，不仅可以大幅度提高薄膜封装的可靠性，而且可以大幅度提升显示基板的耐弯折性能和卷曲能力。
Description
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
由于外界空气中的水氧入侵到发光器件会使有机发光材料受水氧侵蚀，发生氧化反应，致使像素收缩或不发光，器件性能劣化，影响显示装置的使用寿命，因此基于有机材料的OLED对封装有非常高的要求。目前，柔性OLED通常采用薄膜封装方式，虽然薄膜封装方式具有轻薄、易弯折等特点，但薄膜封装方式的封装膜层存在界面剥离等问题，降低了良品率和使用寿命。
因此，如何解决现有封装膜层存在界面剥离等问题，是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有封装膜层存在界面剥离等问题。
本公开提供了一种显示基板，包括基底、设置在所述基底上的发光结构层以及设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层；所述封装结构层包括封装层和至少一个过渡层，所述过渡层邻近所述基底的一侧与第一侧膜层接触，所述过渡层远离所述基底的一侧与第二侧膜层接触，所述至少一个过渡层的附着力大于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中一个膜层的附着力，小于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中另一个膜层的附着力。
在示例性实施方式中，所述封装层包括沿着远离所述基底方向依次设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述过渡层包括如下任意一种或多种：第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层，所述第一过渡层设置在所述发光结构层的阴极与所述第一封装层之间，所述第二过渡层设置在所述第一封装层与所述第二封装层之间，所述第三过渡层设置在所述第二封装层与所述第三封装层之间。
在示例性实施方式中，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力，所述第一过渡层的附着力小于所述第一封装层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力，所述第二过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力，所述第三过渡层的附着力大于所述第三封装层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一阻水层；
所述第一子过渡层设置在所述发光结构层的阴极远离所述基底的一侧，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；所述第二子过渡层设置在所述第一子过渡层远离所述基底的一侧，所述第二子过渡层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；所述第一阻水层设置在所述第二子过渡层远离所述基底的一侧，所述第一阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一子阻水层和第二子阻水层；
所述第一子过渡层设置在所述发光结构层的阴极远离所述基底的一侧，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；所述第一子阻水层设置在所述第一子过渡层远离所述基底的一侧，所述第一子阻水层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；所述第二子过渡层设置在所述第一子阻水层远离所述基底的一侧；所述第二子阻水层设置在所述第二子过渡层远离所述基底的一侧，所述第二子阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第一子过渡层的密度小于所述第一子阻水层的密度；或者，所述第一子过渡层的模量小于所述第一子阻水层的模量；或者，所述第一子过渡层的硬度小于所述第一子阻水层的硬度。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在基底上形成发光结构层；
在所述发光结构层上形成封装结构层，所述封装结构层包括封装层和至少一个过渡层，所述过渡层邻近所述基底的一侧与第一侧膜层接触，所述过渡层远离所述基底的一侧与第二侧膜层接触，所述至少一个过渡层的附着力大于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中一个膜层的附着力，小于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中另一个膜层的附着力。
在示例性实施方式中，在所述发光结构层上形成封装结构层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上形成第一封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第一封装层依次形成第二封装层和第三封装层；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一封装层；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上依次形成第二封装层和第三封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上依次形成第一封装层和第二封装层；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上形成第一封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上依次形成第二封装层和第三封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上依次形成第一封装层和第二封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一封装层；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上形成第二封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上形成第一封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上形成第二封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一阻水层；在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层和第一封装层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一子过渡层，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；
在所述第一子过渡层上形成第二子过渡层，所述第二子过渡层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；
在所述第二子过渡层上形成第一阻水层，所述第一阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一阻水层和第二子阻水层；在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层和第一封装层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一子过渡层，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；
在所述第一子过渡层上形成第一子阻水层，所述第一子阻水层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；
在所述第一子阻水层上形成第二子过渡层；
在所述第二子过渡层上形成第二子阻水层，所述第二子阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第一子过渡层的密度小于所述第一子阻水层的密度；或者，所述第一子过渡层的模量小于所述第一子阻水层的模量；或者，所述第一子过渡层的硬度小于所述第一子阻水层的硬度。
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在封装结构层中设置过渡层，至少一个过渡层所接触的两个膜层中，一个膜层的附着力大于过渡层的附着力，另一个膜层的附着力小于过渡层的附着力，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性，不仅可以大幅度提高薄膜封装的可靠性，而且可以大幅度提升显示基板的耐弯折性能和卷曲能力，为长寿命需求的显示装置提供了保证。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种OLED显示装置的结构示意图；
图2为一种显示基板的平面结构示意图；
图3为一种像素驱动电路的等效电路图；
图4为一种显示基板的剖面结构示意图；
图5为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图；
图6为本公开形成驱动电路层图案后的示意图；
图7为本公开形成发光器件后的示意图；
图8为本公开形成第一复合封装层图案后的示意图；
图9为本公开形成第二、第三复合封装层图案后的示意图；
图10为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图；
图11为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；
图12为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；
图13为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图。
附图标记说明:
1—玻璃载板； 10—基底； 20—驱动电路层；
30—发光器件； 40—封装结构层； 50—第一复合封装层；
51—第一阻水层； 51-1—第一子阻水层； 51-2—第二子阻水层；
60—第二复合封装层； 61—第二过渡层； 62—第一有机层；
70—第三复合封装层； 71—第三过渡层； 72—第三阻水层；
81—第一过渡层； 81-1—第一子过渡层； 81-2—第二子过渡层；
100—OLED显示基板； 101—第一晶体管； 102—存储电容。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种OLED显示装置的结构示意图。如图1所示，OLED显示装置可以包括扫描信号驱动器、数据信号驱动器、发光信号驱动器、OLED显示基板100、第一电源单元、第二电源单元和初始电源单元。在示例性实施方式中，OLED显示基板至少包括多个扫描信号线(S1到SN)、多个数据信号线(D1到DM)和多个发光信号线(EM1到EMN)，扫描信号驱动器被配置为依次向多个扫描信号线(S1到SN)提供扫描信号，数据信号驱动器被配置为向多个数据信号线(D1到DM)提供数据信号，发光信号驱动器被配置为依次向多个发光信号线(EM1到EMN)提供发光控制信号。在示例性实施方式中，多个扫描信号线和多个发光信号线沿着水平方向延伸，多个数据信号线沿着竖直方向延伸。所述显示装置包括多个子像素，至少一个子像素包括像素驱动电路和发光器件，像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路可以包括多个晶体管和存储电容，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。第一电源单元、第二电源单元和初始电源单元分别被配置为通过第一电源线、第二电源线和初始信号线向像素驱动电路提供第一电源电压、第二电源电压和初始电源电压。
图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个中包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3。在示例性实施方式中，像素单元P中可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，或者可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色(W)子像素，本公开在此不做限定。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图3为一种像素驱动电路的等效电路图。如图3所示，像素驱动电路可以包括7个开关晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C和8个信号线(数据信号线DATA、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、第一初始信号线INIT1、第二初始信号线INIT2、第一电源线VSS、第二电源线VDD和发光信号线EM)。其中，第一初始信号线INIT1、第二初始信号线INIT2可以为同一条信号线。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与第一初始信号线INIT1连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线DATA连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第五晶体管T5的控制极与发光信号线EM连接，第五晶体管T5的第一极与第二电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线EM连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与第二初始信号线INIT2连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。存储电容C的第一端与第二电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第一电源线VSS连接，第一电源线VSS的信号为低电平信号，第二电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。
图4为一种显示基板的剖面结构示意图。如图4所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20上的发光器件30以及设置在发光器件30上的封装结构层40。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。
一种显示基板中，封装结构层包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层采用无机材料，第二封装层采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间。经本申请发明人研究发现，该种叠层封装结构中，由于无机材料的第一封装层邻近基底的一侧的表面与金属材料的阴极搭接，而无机材料膜层与金属材料膜层之间的附着力相差较大，因而使用中易出现第一封装层与阴极之间界面剥离现象，降低了薄膜封装的可靠性。此外，由于无机材料膜层与有机材料膜层之间的附着力也有一定差距，因而使用中也会出现第一封装层与第二封装层之间界面、第二封装层与第三封装层之间界面的剥离现象，导致封装失效。
为了解决现有封装膜层存在界面剥离等问题，本公开提供了一种显示基板。在示例性实施方式中，显示基板可以包括基底、设置在所述基底上的发光结构层以及设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层；所述封装结构层可以包括封装层和至少一个过渡层，所述过渡层邻近所述基底的一侧与第一侧膜层接触，所述过渡层远离所述基底的一侧与第二侧膜层接触，所述至少一个过渡层的附着力大于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中一个膜层的附着力，小于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中另一个膜层的附着力。
在示例性实施方式中，所述封装层可以包括沿着远离所述基底方向依次设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述过渡层可以包括如下任意一种或多种：第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层，所述第一过渡层设置在所述发光结构层的阴极与所述第一封装层之间，所述第二过渡层设置在所述第一封装层与所述第二封装层之间，所述第三过渡层设置在所述第二封装层与所述第三封装层之间。
在示例性实施方式中，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力，所述第一过渡层的附着力小于所述第一封装层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力，所述第二过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力，所述第三过渡层的附着力大于所述第三侧膜层的附着力。
在示例性实施方式中，第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层可以是具有阻水能力的无机材料层，或者可以是不具有阻水能力的无机材料层。
在示例性实施方式中，所述第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层均可以包括多个子过渡层。
在示例性实施方式中，所述第一封装层和第三封装层均可以包括多个子阻水层，第二封装层可以包括多个子有机层。
通常，附着力是两种不同物质接触部分间的相互吸引力，当两物体被放在一起达到紧密的界面分子接触以至生成新的界面层时就会生成附着力。附着力涉及到“界面”的物理效应和化学反应，每一可观察到的表面都与好几层物理或化学吸附的分子有关，当一种材料施加在一个膜层并在干燥和固化的过程中就生成了附着力，附着力的大小在一定程度上取决于材料的性质，因此附着力在一定程度上是材料的自身属性。
本公开提供了一种显示基板，通过在封装结构层中设置过渡层，至少一个过渡层所接触的两个膜层中，一个膜层的附着力大于过渡层的附着力，另一个膜层的附着力小于过渡层的附着力，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性，不仅可以大幅度提高薄膜封装的可靠性，而且可以大幅度提升显示基板的耐弯折性能和卷曲能力，为长寿命需求的显示装置提供了保证。
图5为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图。如图5所示，在示例性实施方式中，显示基板可以包括基底10，设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底10一侧的发光器件30，以及设置在发光器件30远离基底10一侧的封装结构层。在示例性实施方式中，封装结构层可以包括设置在发光器件30远离基底10一侧的第一复合封装层50，设置在第一复合封装层50远离基底10一侧的第二复合封装层60，以及设置在第二复合封装层60远离基底10一侧的第三复合封装层70。
在示例性实施方式中，驱动电路层20和发光器件30构成发光结构层。
在示例性实施方式中，第一复合封装层50可以包括第一过渡层和第一封装层，第一封装层可以包括第一阻水层。
在示例性实施方式中，第一复合封装层50可以包括设置在发光器件30远离基底10一侧的第一过渡层81和设置在第一过渡层81远离基底10一侧的作为第一封装层的第一阻水层51，第二复合封装层60设置在第一阻水层51远离基底10一侧的表面上。
在示例性实施方式中，第一过渡层81的附着力大于发光器件30中阴极的附着力，但小于第一阻水层51的附着力。
在示例性实施方式中，第一过渡层81的材料可以包括但不限于氧化硅(SiOx)、碳氮化硅(SiCN)或者氮化硅(SiNx),厚度可以约为
至
第一过渡层81配置为减小膜层之间的附着力差值，降低膜层之间的应力不匹配，以避免膜层之间的界面剥离，或者，配置为既减小膜层之间的附着力差值，降低膜层之间的应力不匹配，又为隔绝水氧，提高水氧阻隔功能。
在示例性实施方式中，第一阻水层51的材料可以包括但不限于氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)或者氧化铝(AlO)等,厚度可以约为
至
第一阻水层51配置为隔绝水氧，以提高水氧阻隔功能，保证外界水汽无法进入发光器件。
在示例性实施方式中，第二复合封装层60可以包括第二封装层，第二封装层的材料可以包括但不限于丙烯酸酯类或者环氧，第二复合封装层60的厚度可以约为1.0μm至3.0μm。
在示例性实施方式中，第三复合封装层70可以包括第三封装层，第三封装层的材料可以包括但不限于碳氮化硅、氮化硅、氮氧化硅或者氧化铝,厚度可以约为
至
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，以每个子像素中包括一个驱动晶体管和一个存储电容为例，显示基板的制备过程可以包括如下操作。
(1)在玻璃载板1上制备基底10。在示例性实施方式中，基底10可以包括在玻璃载板1上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在示例性实施方式中，以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成基底10的制备。
(2)在基底10上制备驱动电路层图案。在示例性实施方式中，在基底10上制备驱动电路层图案可以包括：
在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖整个基底10的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于每个子像素中的有源层。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一金属层图案，第一金属层图案至少包括位于每个子像素中的栅电极和第一电容电极。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一金属层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二金属层图案，第二金属层图案至少包括位于每个子像素中的第二电容电极，第二电容电极在基底上的正投影与第一电容电极在基底上的正投影存在重叠区域。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺形成多个第一过孔图案，第一过孔内的第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出有源层的两端。
随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层上形成第三金属层图案，第三金属层图案至少包括位于每个子像素中的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过第一过孔与有源层连接。
随后，涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成平坦层，平坦层上形成有第二过孔，第二过孔内的平坦层被去掉，暴露出每个子像素中的漏电极。
至此，在基底10上制备完成驱动电路层20图案，如图6所示。在示例性实施方式中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成第一晶体管101，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容102。在示例性实施方式中，第一晶体管101可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
在示例性实施方式中，驱动电路层20还可以包括第五绝缘层、第四金属层、第二平坦层等膜层，每个子像素还可以包括电源线、连接电极等结构，本公开在此不做限定。
(3)在形成前述图案的基底上制备发光器件。在示例性实施方式中，在形成前述图案的基底上制备发光器件可以包括：
在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过图案化工艺对透明导电薄膜进行图案化，形成阳极图案，阳极通过第二过孔与第一晶体管101的漏电极连接。
随后，涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层图案，像素定义层在每个子像素形成有像素开口，像素开口内的像素定义层被去掉，暴露出阳极的表面。
随后，涂覆无机薄膜，通过图案化工艺对无机薄膜进行图案化，形成隔离柱图案，隔离柱设置在像素定义层上。
随后，依次形成有机发光层和阴极，有机发光层与像素开口内的阳极连接，阴极与有机发光层连接，使有机发光层在阳极和阴极驱动下出射相应颜色的光线。
至此，在驱动电路层20上制备完成发光器件30图案，如图7所示。在示例性实施方式中，制备发光器件过程中可以形成隔离坝等结构，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，发光器件30中的有机发光层可以包括发光层(EmittingLayer，简称EML)，以及包括空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、空穴阻挡层(Hole Block Layer，简称HBL)、电子阻挡层(Electron Block Layer，简称EBL)、电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)中的一个或多个膜层。在阳极和阴极的电压驱动下，利用有机发光层的发光特性根据需要的灰度发光。
在示例性实施方式中，不同颜色的发光器件30的发光层不同。例如，红色发光元件包括红色发光层，绿色发光元件包括绿色发光层，蓝色发光元件包括蓝色发光层。为了降低工艺难度和提升良率，位于发光层一侧的空穴注入层和空穴传输层可以采用共通层，位于发光层另一侧的电子注入层和电子传输层可以采用共通层。在示例性实施方式中，空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以通过一次工艺(一次蒸镀工艺或一次喷墨打印工艺)制作，但通过形成的膜层表面段差或者通过表面处理等手段实现隔离。例如，相邻子像素对应的空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以是隔离的。在示例性实施方式中，有机发光层可以通过采用精细金属掩模版(FMM，Fine Metal Mask)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀制备形成，或者采用喷墨工艺制备形成。
在示例性实施方式中，透明导电薄膜可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
(4)在形成前述图案的基底上形成第一复合封装层。在示例性实施方式中，在形成前述图案的基底上形成第一复合封装层可以包括：在形成前述图案的基底上，先沉积一层过渡薄膜，形成覆盖发光器件30的阴极的第一过渡层81。随后，在第一过渡层81上沉积一层阻水薄膜，形成覆盖第一过渡层81的第一阻水层51，如图8所示。
在示例性实施方式中，第一过渡层81和第一阻水层51的覆盖面积可以相同，或者可以不同，第一过渡层81在基底上的正投影位于第一阻水层51在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第一过渡层81的材料可以包括碳氮化硅，碳氮化硅的附着力约为0.6N至0.7N，第一阻水层51的材料可以包括氮化硅，氮化硅的附着力约为1.3N至1.9N，第一过渡层81的附着力大于发光器件30的阴极的附着力，第一过渡层81的附着力小于第一阻水层51的附着力。
在示例性实施方式中，第一过渡层81的厚度可以约为
至
第一阻水层51的厚度可以约为
至
在一些可能的实现方式中，第一过渡层81的厚度可以约为
至
第一阻水层51的厚度可以约为
至
例如，碳氮化硅的厚度可以约为
氮化硅的厚度可以约为
又如，碳氮化硅的厚度可以约为
氮化硅的厚度可以约为
在示例性实施方式中，碳氮化硅的密度约为1.6g/cm3至1.9g/cm3，氮化硅的密度约为2.2g/cm3至2.5g/cm3，第一过渡层81的密度小于第一阻水层51的密度。
在示例性实施方式中，碳氮化硅的模量约为10Gpa至40Gpa，氮化硅的模量约为60Gpa至100Gpa，第一过渡层81的模量小于第一阻水层51的模量。
在示例性实施方式中，碳氮化硅的硬度约为1Gpa至4Gpa，氮化硅的硬度约为6Gpa至11Gpa，第一过渡层81的硬度小于第一阻水层51的硬度。
一种显示基板中，采用氮化硅的第一封装层直接形成在发光器件的阴极上，第一封装层与阴极之间的附着力差值约为1.3N左右。由于两个膜层之间的附着力差值较大，第一封装层与阴极之间存在较严重的应力不匹配，因而容易导致第一封装层与阴极之间界面出现剥离，造成封装失效。
本公开通过设置包括第一过渡层和第一阻水层的第一复合封装层，且第一过渡层设置在阴极与第一阻水层之间，第一过渡层采用附着力约为0.6N至0.7N的碳氮化硅，使得阴极与第一过渡层之间的附着力差值约为0.6N左右，第一过渡层与第一阻水层之间的附着力差值约为0.7N至1.2N左右，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性。
经本申请发明人研究发现，蒸镀工艺制备的阴极的附着力较小，减小与阴极接触的膜层的薄膜应力，可以有效降低膜层之间的应力不匹配。通常，薄膜应力分为拉应力和压应力，在数学上表示中，拉应力为正，压应力为负。其中，采用低温(＜100℃)离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积工艺中，氮化硅的薄膜应力约为-100Mpa至90Mpa，倾向于压应力。由于碳氮化硅的分子组成，以及其附着力、密度、模量和硬度等力学属性均小于氮化硅，因而采用低温PECVD沉积工艺中，碳氮化硅的薄膜应力约为-20Mpa至100Mpa，压应力较小，甚至倾向于拉应力。这样，采用碳氮化硅材料作为第一过渡层，在阴极上形成第一过渡层时，第一过渡层对阴极施加的薄膜应力较小，或者对阴极不施加薄膜应力，甚至对阴极施加可以抵消其它膜层压应力的拉应力，因而不仅有效降低阴极与封装层之间的薄膜应力不匹配，有效避免膜层之间界面的剥离，而且可以提高显示基板的耐弯折性能和卷曲能力，提升了显示基板的工作可靠性和使用寿命。
在示例性实施方式中，第一过渡层和第一阻水层也可以采用其它无机材料，只需第一过渡层的附着力介于阴极和第一阻水层之间，同样可以实现避免膜层之间界面剥离的效果。例如，第一过渡层的材料可以包括碳氮化硅，第一阻水层的材料可以包括氮氧化硅。又如，第一过渡层的材料可以包括氮化硅，第一阻水层的材料可以包括氮氧化硅。
(5)在形成前述图案的基底上形成第二复合封装层和第三复合封装层。在示例性实施方式中，在形成前述图案的基底上形成第二复合封装层和第三复合封装层可以包括：通过涂覆或喷墨打印方式在第一复合封装层上形成第二复合封装层60，随后，沉积一层封装薄膜，形成覆盖第二复合封装层60的第三复合封装层70，如图9所示。
在示例性实施方式中，第二复合封装层60可以包括第二封装层，第二封装层可以采用丙烯酸酯或环氧等材料，厚度可以约为1.0μm至3.0μm。第三复合封装层70包括第三封装层，第三封装层可以可以采用氮氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者氧化铝等，厚度可以约为
至
在示例性实施方式中，显示基板可以包括显示区域和位于显示区域***的边框区域，第二封装层形成在显示区域，本公开在此不做限定。
从以上描述的显示基板的结构以及制备过程可以看出，本公开提供的显示基板，通过设置包括第一过渡层和第一阻水层的第一复合封装层，且第一过渡层设置在阴极与第一阻水层之间，第一过渡层的附着力大于阴极的附着力，但小于第一阻水层的附着力，因而减小了相邻膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性，提高了良品率。此外，通过设置第一过渡层和第一阻水层的材料，提高了显示基板的耐弯折性能和卷曲能力，提升了显示基板的工作可靠性和使用寿命，为长寿命需求的显示装置提供了保证。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低。
图10为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图。如图10所示，在示例性实施方式中，显示基板可以包括基底10，设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底10一侧的发光器件30，以及设置在发光器件30远离基底10一侧的封装结构层。在示例性实施方式中，封装结构层可以包括设置在发光器件30远离基底10一侧的第一复合封装层50，设置在第一复合封装层50远离基底10一侧的第二复合封装层60，以及设置在第二复合封装层60远离基底10一侧的第三复合封装层70。
在示例性实施方式中，第一复合封装层50可以包括第一过渡层和第一封装层，第一过渡层可以包括第一子过渡层和第二子过渡层，第一封装层可以包括第一阻水层。
在示例性实施方式中，第一复合封装层50可以包括设置在发光器件30远离基底10一侧的第一子过渡层81-1、设置在第一子过渡层81-1远离基底的一侧的第二子过渡层81-2以及设置在第二子过渡层81-2远离基底的一侧的第一阻水层51，第二复合封装层60设置在第一阻水层51远离基底10一侧的表面上。
在示例性实施方式中，第一子过渡层81-1的附着力大于发光器件30中阴极的附着力，但小于第二子过渡层81-2的附着力。第二子过渡层81-2的附着力大于第一子过渡层81-1的附着力，但小于第一阻水层51的附着力。
在示例性实施方式中，第一子过渡层81-1的材料可以包括碳氮化硅，碳氮化硅的附着力约为0.6N至0.7N，第二子过渡层81-2的材料可以包括氮化硅，氮化硅的附着力约为1.3N至1.9N，第一阻水层51的材料可以包括氮氧化硅，氮氧化硅的附着力约为2.5N至2.8N。第一子过渡层81-1的附着力大于发光器件30中阴极的附着力，但小于第二子过渡层81-2的附着力，第二子过渡层81-2的附着力小于第一阻水层51的附着力。
在示例性实施方式中，第一子过渡层81-1的厚度可以约为
至
第二子过渡层81-2的厚度可以约为
至
第一阻水层51的厚度可以约为
至
第一子过渡层81-1和第二子过渡层81-2配置为减小膜层之间的附着力差值，降低膜层之间的应力不匹配，以避免膜层之间的界面剥离。第一阻水层51配置为隔绝水氧，以提高水氧阻隔功能，保证外界水汽无法进入发光器件。
在一些可能的实现方式中，第一子过渡层81-1的厚度可以约为
至
第二子过渡层81-2的厚度可以约为
至
第一阻水层51的厚度可以约为
至
例如，碳氮化硅的厚度可以约为
氮化硅的厚度可以约为
氮氧化硅的厚度可以约为
又如，碳氮化硅的厚度可以约为
氮化硅的厚度可以约为
氮氧化硅的厚度可以约为
在示例性实施方式中，碳氮化硅的密度约为1.6g/cm3至1.9g/cm3，氮化硅的密度约为2.2g/cm3至2.5g/cm3，氮氧化硅的密度约为2.0g/cm3至2.3g/cm3，第一子过渡层81-1的密度小于第二子过渡层81-2的密度。
在示例性实施方式中，碳氮化硅的模量约为10Gpa至40Gpa，氮化硅的模量约为60Gpa至100Gpa，氮氧化硅的模量约为30Gpa至70Gpa，第一子过渡层81-1的模量小于第二子过渡层81-2的模量。
在示例性实施方式中，碳氮化硅的硬度约为1Gpa至4Gpa，氮化硅的硬度约为6Gpa至11Gpa，氮氧化硅的硬度约为4Gpa至7Gpa，第一子过渡层81-1的硬度小于第二子过渡层81-2的硬度。
在示例性实施方式中，第二复合封装层60和第三复合封装层70的材料和结构可以与前述实施例的材料和结构类似。
在示例性实施方式中，本实施例显示基板的制备过程与前述实施例的制备过程类似，所不同的是，形成第一复合封装层过程中，依次沉积第一子过渡薄膜、第二子过渡薄膜和阻水薄膜。
一种显示基板中，采用氮氧化硅的第一封装层直接形成在发光器件的阴极上，第一封装层与阴极之间的附着力差值约为2.5N以上，容易导致第一封装层与阴极之间界面出现剥离。
本公开通过设置包括第一子过渡层、第二子过渡层和第一阻水层的第一封装层，且第一子过渡层设置在阴极与第二子过渡层之间，第二子过渡层设置在第一子过渡层与第一阻水层之间，第一子过渡层采用附着力约为0.6N至0.7N的碳氮化硅，第二子过渡层采用附着力约为1.3N至1.9N的氮化硅，第一阻水层采用附着力约为2.5N至2.8N的氮氧化硅，使得阴极与第一子过渡层之间的附着力差值约为0.6N左右，第一子过渡层与第二子过渡层之间的附着力差值约为0.7N至1.2N左右，第二子过渡层与第一阻水层之间的附着力差值约为0.9N至1.2N左右，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性。
同样，采用碳氮化硅材料作为第一子过渡层，在阴极上形成第一子过渡层时，第一子过渡层对阴极施加的薄膜应力较小，或者对阴极不施加薄膜应力，甚至对阴极施加可以抵消其它膜层压应力的拉应力，因而不仅有效降低了阴极与封装层之间的薄膜应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，而且可以提高显示基板的耐弯折性能和卷曲能力，提升了显示基板的工作可靠性和使用寿命。
在示例性实施方式中，第一子过渡层、第二子过渡层和第一阻水层也可以采用其它无机材料，只需第一子过渡层的附着力介于阴极和第二子过渡层之间，第二子过渡层的附着力介于第一子过渡层和第一阻水层之间，同样可以实现避免膜层之间界面剥离的效果。例如，第一子过渡层的材料可以包括氧化硅，第二子过渡层的材料可以包括碳氮化硅，第一阻水层的材料可以包括氮化硅。又如，第一子过渡层的材料可以包括氧化硅，第二子过渡层的材料可以包括氮化硅，第一阻水层的材料可以包括氮氧化硅。
图11为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图。如图11所示，在示例性实施方式中，显示基板可以包括基底10，设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底10一侧的发光器件30，以及设置在发光器件30远离基底10一侧的封装结构层。在示例性实施方式中，封装结构层可以包括设置在发光器件30远离基底10一侧的第一复合封装层50，设置在第一复合封装层50远离基底10一侧的第二复合封装层60，以及设置在第二复合封装层60远离基底10一侧的第三复合封装层70。
在示例性实施方式中，第一复合封装层50可以包括第一过渡层和第一封装层，第一过渡层可以包括第一子过渡层和第二子过渡层，第一封装层可以包括第一子阻水层和第二子阻水层。
在示例性实施方式中，第一复合封装层50可以包括设置在发光器件30远离基底10一侧的第一子过渡层81-1、设置在第一子过渡层81-1远离基底的一侧的第一子阻水层51-1，设置在第一子阻水层51-1远离基底的一侧的第二子过渡层81-2，以及设置在第二子过渡层81-2远离基底的一侧的第二子阻水层51-2，第二复合封装层60设置在第二子阻水层51-2远离基底10一侧的表面上。
在示例性实施方式中，第一子过渡层81-1的附着力大于发光器件30中阴极的附着力，但小于第一子阻水层51-1的附着力。第一子阻水层51-1的附着力大于第一子过渡层81-1的附着力，但小于第二子过渡层81-2的附着力。第二子过渡层81-2的附着力大于第一子阻水层51-1的附着力，但小于第二子阻水层51-2的附着力。
在示例性实施方式中，第一子过渡层81-1的材料可以包括氧化硅，氧化硅的附着力约为0.2N至0.4N，第一子阻水层51-1的材料可以包括碳氮化硅，碳氮化硅的附着力约为0.6N至0.7N，第二子过渡层81-2的材料可以包括氮化硅，氮化硅的附着力约为1.3N至1.9N，第二子阻水层51-2的材料可以包括氮氧化硅，氮氧化硅的附着力约为2.5N至2.8N。第一子过渡层81-1的附着力大于发光器件30中阴极的附着力，但小于第一子阻水层51-1的附着力，第一子阻水层51-1的附着力小于第二子过渡层81-2的附着力，第二子过渡层81-2的附着力小于第二子阻水层51-2的附着力。
在示例性实施方式中，第一子过渡层81-1的厚度可以约为
至
第二子过渡层81-2的厚度可以约为
至
第一子阻水层51-1的厚度可以约为
至
第二子阻水层51-2的厚度可以约为
至
第一子过渡层81-1和第二子过渡层81-2配置为减小膜层之间的附着力差值，降低膜层之间的应力不匹配，以避免膜层之间的界面剥离。第一子阻水层51-1和第二子阻水层51-2配置为隔绝水氧，以提高水氧阻隔功能，保证外界水汽无法进入发光器件。
在一些可能的实现方式中，第一子过渡层81-1的厚度可以约为
至
第二子过渡层81-2的厚度可以约为
至
第一子阻水层51-1的厚度可以约为
至
第二子阻水层51-2的厚度可以约为
至
例如，氧化硅的厚度可以约为
氮化硅的厚度可以约为
碳氮化硅的厚度可以约为
氮氧化硅的厚度可以约为
又如，氧化硅的厚度可以约为
氮化硅的厚度可以约为
碳氮化硅的厚度可以约为
氮氧化硅的厚度可以约为
在示例性实施方式中，第二复合封装层60和第三复合封装层70的材料和结构可以与前述实施例的材料和结构类似。
在示例性实施方式中，本实施例显示基板的制备过程与前述实施例的制备过程类似，所不同的是，形成第一复合封装层过程中，依次沉积第一子过渡薄膜、第一子阻水薄膜、第二子过渡薄膜和第二子阻水薄膜。
本公开通过设置包括第一子过渡层、第一子阻水层、第二子过渡层和第二子阻水层的第一封装层，且第一子过渡层设置在阴极与第二子过渡层之间，第二子过渡层设置在第一子阻水层与第二子阻水层之间，第一子过渡层采用附着力约为0.2N至0.4N的氧化硅，第一子阻水层采用附着力约为0.6N至0.7N的碳氮化硅，第二子过渡层采用附着力约为1.3N至1.9N的氮化硅，第二子阻水层采用附着力约为2.5N至2.8N的氮氧化硅，使得阴极与第一子过渡层之间的附着力差值约为0.2N左右，第一子过渡层与第一子阻水层之间的附着力差值约为0.3N至0.4N左右，第一子阻水层与第二子过渡层之间的附着力差值约为0.7N至1.2N左右，第二子过渡层与第二子阻水层之间的附着力差值约为0.9N至1.2N左右，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性，且可以提高显示基板的耐弯折性能和卷曲能力，提升了显示基板的工作可靠性和使用寿命。
在示例性实施方式中，图11所示结构中，第一子过渡层81-1和第二子过渡层81-2的材料可以均包括氮化硅，第一子阻水层51-1和第二子阻水层51-2的材料可以均包括氮氧化硅。
在示例性实施方式中，第一子过渡层81-1和第二子过渡层81-2的厚度可以约为
至
第一子阻水层51-1和第二子阻水层51-2的厚度可以约为
至
第一子过渡层81-1和第二子过渡层81-2配置为既可以减小膜层之间的附着力差值，降低膜层之间的应力不匹配，又可以为隔绝水氧，以提高水氧阻隔功能。第一子阻水层51-1和第二子阻水层51-2配置为隔绝水氧，以提高水氧阻隔功能，保证外界水汽无法进入发光器件。
在一些可能的实现方式中，第一子过渡层81-1的厚度可以约为
至
第二子过渡层81-2的厚度可以约为
至
第一子阻水层51-1的厚度可以约为
至
第二子阻水层51-2的厚度可以约为
至
例如，氮化硅的厚度可以约为
氮氧化硅的厚度可以约为
又如，氮化硅的厚度可以约为
氮氧化硅的厚度可以约为
本公开通过设置包括第一子过渡层、第一子阻水层、第二子过渡层和第二子阻水层的第一封装层，且第一子过渡层和第二子过渡层采用附着力约为1.3N至1.9N的氮化硅，第一子阻水层和第二子阻水层采用附着力约为2.5N至2.8N的氮氧化硅，使膜层之间的附着力差值小于2N，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性，且可以提高显示基板的耐弯折性能和卷曲能力，提升了显示基板的工作可靠性和使用寿命。
寿命对比试验表明，在第一复合封装层采用氮氧化硅SiON、厚度为
的单一膜层结构时，失效时间是4小时。在第一复合封装层采用氮化硅SiNx、厚度为
的单一膜层结构时，失效时间是24小时。在第一复合封装层采用氮化硅SiNx
-氮氧化硅SiON
的双层复合膜层结构时，失效时间是40小时。在第一复合封装层采用氮化硅SiNx
-氮氧化硅SiON
-氮化硅SiNx
-氮氧化硅SiON
的四层复合膜层结构时，失效时间是48小时。在第一复合封装层采用氮化硅SiNx
-氮氧化硅SiON
-氮化硅SiNx
-氮氧化硅SiON
的四层复合膜层结构时，失效时间是48小时。其中，X-Y或X-Y-X-Y是指阴极上沿着远离基底的方向依次叠设的膜层。
由于氮氧化硅SiON的附着力为2.5N至2.8N，当氮氧化硅SiON直接形成在阴极上时，氮氧化硅SiON与阴极之间的附着力差值约为2.5N左右，两个膜层之间的附着力差值较大，因而两个膜层之间存在较严重的应力不匹配，阴极与氮氧化硅SiON之间界面容易出现剥离，失效时间较短。由于氮化硅SiN的附着力为1.3N至1.9N，当氮化硅SiN直接形成在阴极上时，氮化硅SiN与阴极之间的附着力差值约为1.3N左右，小于氮氧化硅SiON与阴极之间的附着力差值，因而阴极与氧化硅SiON之间界面不容易出现剥离，失效时间较长。
对于氮化硅SiN直接形成在阴极上、氮氧化硅SiON直接形成在氮化硅SiN上的两层复合膜层结构，氮化硅SiN与阴极之间的附着力差值约为1.3N左右，阴极与氮化硅SiN之间界面不容易出现剥离，氮氧化硅SiON与氮化硅SiN之间的附着力差值1.1N左右，氮化硅SiN与氮氧化硅SiON之间界面不容易出现剥离，而且增加了界面数量，提高了第一复合封装层整体的附着力，因而大幅度增加了失效时间。
对于氮化硅SiNx-氮氧化硅SiON-氮化硅SiNx-氮氧化硅SiON的四层复合膜层结构，不仅相邻膜层之间的附着力差值较小，相邻膜层之间界面不容易出现剥离，而且进一步增加了界面数量，进一步提高了第一复合封装层整体的附着力，因而较两层复合膜层结构进一步增加了失效时间。
附着力测量表明，当阴极上直接形成氮氧化硅SiON的单一膜层时，氮氧化硅SiON膜层的整体附着力约为2.69N。当阴极上形成氮化硅SiNx
-氮氧化硅SiON
-氮化硅SiNx
-氮氧化硅SiON
的四层复合膜层结构时，四层复合膜层的整体附着力约为4.215。因此，以氮化硅SiNx作为附着力过渡层形成的复合膜层，可以提高第一复合封装层的整体附着力，可以有效避免膜层之间界面的剥离。
在示例性实施方式中，第一子过渡层、第一子阻水层、第二子过渡层和第二子阻水层也可以采用其它无机材料，只需第一子过渡层的附着力介于阴极和第一子阻水层之间，同样可以实现避免膜层之间界面剥离的效果。
图12为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图。如图12所示，在示例性实施方式中，显示基板可以包括基底10，设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底10一侧的发光器件30，以及设置在发光器件30远离基底10一侧的封装结构层。在示例性实施方式中，封装结构层可以包括设置在发光器件30远离基底10一侧的第一复合封装层50，设置在第一复合封装层50远离基底10一侧的第二复合封装层60，以及设置在第二复合封装层60远离基底10一侧的第三复合封装层70。
在示例性实施方式中，第二复合封装层60可以包括第二过渡层和第一有机层。
在示例性实施方式中，第二复合封装层60可以包括设置在第一复合封装层50远离基底10一侧的第二过渡层61和设置在第二过渡层61远离基底的一侧的第一有机层62，第三复合封装层70设置在第一有机层62远离基底10一侧的表面上。
在示例性实施方式中，第二过渡层61的附着力大于第一复合封装层50的附着力，但小于第一有机层62的附着力。
在示例性实施方式中，第二过渡层61的厚度可以约为
至
第二过渡层61配置为减小膜层之间的附着力差值，降低膜层之间的应力不匹配，以避免膜层之间的界面剥离。
在示例性实施方式中，具有应力缓冲功能的第一有机层62的材料可以包括如下任意一种或多种：丙烯酸酯类和环氧，厚度可以约为1.0μm至3.0μm。
在示例性实施方式中，丙烯酸酯类和环氧的附着力约为10N以上，而采用复合膜层结构的第一复合封装层50的附着力约为4N至5N左右，因而第二过渡层61的材料可以采用附着力约为6N至9N左右的材料。在示例性实施方式中，附着力约为6N至9N左右的材料可以采用在氮化硅或者氮氧化硅中添加附着力添加剂或者改变沉积工艺参数等本领域熟知的方式实现。
在示例性实施方式中，由于无机材料膜层与有机材料膜层之间的附着力也有一定差距，因而使用中也会出现第一封装层与第二封装层之间界面的剥离现象，导致封装失效。本公开通过设置包括第二过渡层和第一有机层的第二复合封装层，且第二过渡层设置在第一复合封装层与第一有机层之间，第二过渡层的附着力大于第一复合封装层的附着力，但小于第一有机层的附着力，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性。
在示例性实施方式中，第二复合封装层可以包括多个子过渡层和多个子有机层，最大限度地减小膜层之间的附着力差值，最大限度地避免膜层之间界面的剥离。
图13为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图。如图13所示，在示例性实施方式中，显示基板可以包括基底10，设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底10一侧的发光器件30，以及设置在发光器件30远离基底10一侧的封装结构层。在示例性实施方式中，封装结构层可以包括设置在发光器件30远离基底10一侧的第一复合封装层50，设置在第一复合封装层50远离基底10一侧的第二复合封装层60，以及设置在第二复合封装层60远离基底10一侧的第三复合封装层70。
在示例性实施方式中，第三复合封装层70可以包括第三过渡层和第三阻水层。
在示例性实施方式中，第三复合封装层70可以包括设置在第二复合封装层60远离基底10一侧的第三过渡层71和设置在第三过渡层71远离基底的一侧的作为第三封装层的第三阻水层72。
在示例性实施方式中，第三过渡层71的附着力小于第二复合封装层60的附着力，但大于第三阻水层72的附着力。
在示例性实施方式中，第三过渡层71的厚度可以约为
至
第三阻水层72的厚度可以约为
至
第三过渡层71配置为减小膜层之间的附着力差值，降低膜层之间的应力不匹配，以避免膜层之间的界面剥离。第三阻水层72配置为隔绝水氧，以提高水氧阻隔功能，保证外界水汽无法进入发光器件。
在示例性实施方式中，第三阻水层72可以是采用氮化硅、氮氧化硅或者碳氮化硅的单层膜层结构，或者可以是采用上述材料的复合膜层结构，单层膜层结构的附着力约为2N至3N左右，复合膜层结构的附着力约为4N至5N左右。由于第二复合封装层60的附着力约为10N以上，因而第三过渡层71的材料可以采用附着力约为6N至9N左右的材料。在示例性实施方式中，附着力约为6N至9N左右的材料可以采用在氮化硅或者氮氧化硅中添加附着力添加剂或者改变沉积工艺参数等本领域熟知的方式实现。
在示例性实施方式中，由于无机材料膜层与有机材料膜层之间的附着力也有一定差距，因而使用中也会出现第二封装层与第三封装层之间界面的剥离现象，导致封装失效。本公开通过设置包括第三过渡层和第三阻水层的第三复合封装层，且第三过渡层设置在第二复合封装层与第三阻水层之间，第三过渡层的附着力小于第二封装层的附着力，但大于第三阻水层的附着力，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性。
在示例性实施方式中，第三复合封装层可以包括多个子过渡层和多个子阻水层，最大限度地减小膜层之间的附着力差值，最大限度地避免膜层之间界面的剥离。
在示例性实施方式中，可以通过前述实施例的任意组合形成本公开示例性实施例显示基板的多种技术方案。例如，在阴极远离基底的方向上，封装结构层可以包括：叠设的第一过渡层、第一封装层、第二过渡层、第二封装层和第三封装层，或者包括叠设的第一过渡层、第一封装层、第二封装层、第三过渡层和第三封装层，或者包括叠设的第一封装层、第二过渡层、第二封装层、第三过渡层和第三封装层，包括叠设的第一过渡层、第一封装层、第二过渡层、第二封装层、第三过渡层和第三封装层。在示例性实施方式中，至少一个过渡层可以包括多个子过渡层，至少一个封装层可以包括多个子封装层，多个子过渡层和多个子封装层，通过多个子过渡层和多个子封装层的各种组合，最大限度地减小膜层之间的附着力差值，最大限度地避免膜层之间界面的剥离。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法。在示例性实施方式中，所述制备方法包括：
S1、在基底上形成发光结构层；
S2、在所述发光结构层上形成封装结构层，所述封装结构层包括封装层和至少一个过渡层，所述过渡层邻近所述基底的一侧与第一侧膜层接触，所述过渡层远离所述基底的一侧与第二侧膜层接触，所述至少一个过渡层的附着力大于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中一个膜层的附着力，小于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中另一个膜层的附着力。
在示例性实施方式中，发光结构层可以包括设置在所述基底上的驱动电路层和设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的发光器件。
在示例性实施方式中，步骤S2可以包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上形成第一封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第一封装层依次形成第二封装层和第三封装层。
在示例性实施方式中，步骤S2可以包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一封装层；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上依次形成第二封装层和第三封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，步骤S2可以包括：
在所述发光结构层的阴极上依次形成第一封装层和第二封装层；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，步骤S2可以包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上形成第一封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上依次形成第二封装层和第三封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，步骤S2可以包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上依次形成第一封装层和第二封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，步骤S2可以包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一封装层；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上形成第二封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，步骤S2可以包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上形成第一封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上形成第二封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一阻水层；在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层和第一封装层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一子过渡层，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；
在所述第一子过渡层上形成第二子过渡层，所述第二子过渡层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；
在所述第二子过渡层上形成第一阻水层，所述第一阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一阻水层和第二子阻水层；在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层和第一封装层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一子过渡层，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；
在所述第一子过渡层上形成第一子阻水层，所述第一子阻水层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；
在所述第一子阻水层上形成第二子过渡层；
在所述第二子过渡层上形成第二子阻水层，所述第二子阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
在示例性实施方式中，所述第一子过渡层的密度小于所述第一子阻水层的密度；或者，所述第一子过渡层的模量小于所述第一子阻水层的模量；或者，所述第一子过渡层的硬度小于所述第一子阻水层的硬度；所述第一子过渡层的材料包括碳氮化硅。
本公开提供了一种显示基板的制备方法，通过在封装结构层中设置过渡层，至少一个过渡层所接触的两个膜层中，一个膜层的附着力大于过渡层的附着力，另一个膜层的附着力小于过渡层的附着力，减小了膜层之间的附着力差值，降低了膜层之间的应力不匹配，有效避免了膜层之间界面的剥离，保证了薄膜封装的信赖性，不仅可以大幅度提高薄膜封装的可靠性，而且可以大幅度提升显示基板的耐弯折性能和卷曲能力，为长寿命需求的显示装置提供了保证。本公开示例性实施例显示基板的制备方法具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种显示基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的发光结构层以及设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层；所述封装结构层包括封装层和至少一个过渡层，所述过渡层邻近所述基底的一侧与第一侧膜层接触，所述过渡层远离所述基底的一侧与第二侧膜层接触，所述至少一个过渡层的附着力大于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中一个膜层的附着力，小于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中另一个膜层的附着力。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述封装层包括沿着远离所述基底方向依次设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述过渡层包括如下任意一种或多种：第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层，所述第一过渡层设置在所述发光结构层的阴极与所述第一封装层之间，所述第二过渡层设置在所述第一封装层与所述第二封装层之间，所述第三过渡层设置在所述第二封装层与所述第三封装层之间。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力，所述第一过渡层的附着力小于所述第一封装层的附着力。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力，所述第二过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力，所述第三过渡层的附着力大于所述第三封装层的附着力。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一阻水层；
所述第一子过渡层设置在所述发光结构层的阴极远离所述基底的一侧，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；所述第二子过渡层设置在所述第一子过渡层远离所述基底的一侧，所述第二子过渡层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；所述第一阻水层设置在所述第二子过渡层远离所述基底的一侧，所述第一阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一子阻水层和第二子阻水层；
所述第一子过渡层设置在所述发光结构层的阴极远离所述基底的一侧，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；所述第一子阻水层设置在所述第一子过渡层远离所述基底的一侧，所述第一子阻水层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；所述第二子过渡层设置在所述第一子阻水层远离所述基底的一侧；所述第二子阻水层设置在所述第二子过渡层远离所述基底的一侧，所述第二子阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
8.根据权利要求6或7所述的显示基板，其特征在于，所述第一子过渡层的密度小于所述第一子阻水层的密度；或者，所述第一子过渡层的模量小于所述第一子阻水层的模量；或者，所述第一子过渡层的硬度小于所述第一子阻水层的硬度。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的显示基板。
10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成发光结构层；
在所述发光结构层上形成封装结构层，所述封装结构层包括封装层和至少一个过渡层，所述过渡层邻近所述基底的一侧与第一侧膜层接触，所述过渡层远离所述基底的一侧与第二侧膜层接触，所述至少一个过渡层的附着力大于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中一个膜层的附着力，小于所述第一侧膜层和所述第二侧膜层中另一个膜层的附着力。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在所述发光结构层上形成封装结构层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上形成第一封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第一封装层依次形成第二封装层和第三封装层；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一封装层；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上依次形成第二封装层和第三封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上依次形成第一封装层和第二封装层；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上形成第一封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上依次形成第二封装层和第三封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上依次形成第一封装层和第二封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一封装层；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上形成第二封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力；或者，
在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层，所述第一过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；在所述第一过渡层上形成第一封装层，所述第一封装层的附着力大于所述第一过渡层的附着力；在所述第一封装层上形成第二过渡层，所述第二过渡层的附着力大于所述第一封装层的附着力；在所述第二过渡层上形成第二封装层，所述第二封装层的附着力大于所述第二过渡层的附着力；在所述第二封装层上形成第三过渡层，所述第三过渡层的附着力小于所述第二封装层的附着力；在所述第三过渡层上形成第三封装层，所述第三封装层的附着力小于所述第三过渡层的附着力。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一阻水层；在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层和第一封装层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一子过渡层，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；
在所述第一子过渡层上形成第二子过渡层，所述第二子过渡层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；
在所述第二子过渡层上形成第一阻水层，所述第一阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第一过渡层包括第一子过渡层和第二子过渡层，所述第一封装层包括第一阻水层和第二子阻水层；在所述发光结构层的阴极上形成第一过渡层和第一封装层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一子过渡层，所述第一子过渡层的附着力大于所述发光结构层的阴极的附着力；
在所述第一子过渡层上形成第一子阻水层，所述第一子阻水层的附着力大于所述第一子过渡层的附着力；
在所述第一子阻水层上形成第二子过渡层；
在所述第二子过渡层上形成第二子阻水层，所述第二子阻水层的附着力大于所述第二子过渡层的附着力。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011187132.1A CN112310318A (zh) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| US17/787,604 US20220416202A1 (en) | 2020-10-30 | 2021-09-02 | Display substrate, preparation method therefor, and display apparatus |
| PCT/CN2021/116259 WO2022088978A1 (zh) | 2020-10-30 | 2021-09-02 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011187132.1A CN112310318A (zh) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112310318A true CN112310318A (zh) | 2021-02-02 |
Family
ID=74332390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011187132.1A Pending CN112310318A (zh) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220416202A1 (zh) |
| CN (1) | CN112310318A (zh) |
| WO (1) | WO2022088978A1 (zh) |
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-
2020
- 2020-10-30 CN CN202011187132.1A patent/CN112310318A/zh active Pending
-
2021
- 2021-09-02 WO PCT/CN2021/116259 patent/WO2022088978A1/zh active Application Filing
- 2021-09-02 US US17/787,604 patent/US20220416202A1/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220416202A1 (en) | 2022-12-29 |
| WO2022088978A1 (zh) | 2022-05-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20210202 |