CN112310263B - 一种全光谱led光源 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种全光谱LED光源，包括发射波长为350‑480nm的激发光源和配置于激发光源上方的荧光层；荧光层包括荧光粉组和透明材料，所述荧光粉组包括发射波长为480‑520nm的蓝绿色荧光粉，发射波长为500‑590nm的黄绿色荧光粉；发射波长为600‑700nm的红色荧光粉；本发明的全光谱LED光源中荧光粉组还包括发射波长为430‑500nm的蓝色荧光粉。本发明提出的全光谱LED光源不仅具有优异的老化性能、高亮度，且具有高显色指数。
Description
技术领域
本发明属于照明技术领域，具体涉及一种全光谱LED光源。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有高效、节能、环保、寿命长、体积小、易维护等优点，已成为照明光源的主流，应用领域广泛。随着LED应用领域的不断扩大，对于LED的发光特性提出了更高的要求。其中，LED发光光谱范围的扩大成为了主要改进方向之一，此类产品在行业中被命名为全光谱LED。
全光谱，指的是光谱中包含紫外光、可见光、红外光的光谱曲线，并且在可见光部分中红绿蓝的比例与阳光近似，显色指数接近于100的光谱。太阳光的光谱可以称作全光谱。
目前全光谱LED照明较为成熟的技术主要有：紫光激发全光谱、单蓝光激发全光谱、双蓝光激发全光谱。无论采用哪种技术，均是在可见光区域内尽可能呈现太阳光谱形状，使得Ra接近100，R9-15参数也尽可能地接近100。目前，全光谱LED技术已经能够做到Ra>95，R9-R15也能做到都大于90。
公开号是JP2019054286A的专利申请文件，公开了一种全光谱LED光源，其采用了LED芯片激发混合荧光体，其中混合荧光体为氮氧化物蓝绿色荧光粉(BaSi2O2N2)、铝酸盐黄绿色荧光粉(M3Al5O12:Ce3+)及氮化物红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+三种荧光粉的混合。但是该全光谱LED光源老化性能差，稳定性差。
现有技术报道了La8Ca2(Si4P2O22N2)O2：Eu2+蓝绿色荧光粉与CaAlSiN3：Eu2+红色荧光粉混合(Preparation and photoluminescence of novel La8Ca2(Si4P2O22N2)O2oxynitride phosphors containing Eu2+/Ce3+/Tb3+ions,Langping Dong et al.,Dalton Trans.,2019,48,3028-3037)，制备白光LED装置。然而La8Ca2(Si4P2O22N2)O2：Eu2+蓝绿色荧光粉发光效率低，尤其在常用的紫光波段(350-400nm)激发下发光效率更低，因此限制了在白光器件中的应用。此外该荧光粉色纯度不高，导致在白光应用中显色指数低。且该报道仅是实现白光发射，并未实现全光谱白光的发射。
因此，开发一种老化性能优异、稳定性好，同时显色指数高、亮度高的全光谱白光LED光源具有重要意义。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷提出一种全光谱LED光源；本发明提出的全光谱LED不仅老化性能优异、稳定性好，同时具备高显色指数、高亮度。
本发明提出的一种全光谱LED光源通过以下技术方案予以实现。
一种全光谱LED光源，包括：
激发光源，所述激发光源为LED芯片；
荧光层，所述荧光层配置于激发光源上方，包括荧光粉组和透明材料，所述荧光粉组包括第一荧光粉、第二荧光粉和第三荧光粉；
其中，所述第一荧光粉包括La8Ba2-x-yMx(Si4P2O22N2)O2:yEu2+，式中，M为Ca、Sr、Mg中的一种或多种，式中0≤x<2，0.002≤y≤0.10,2-x-y>0；
所述第二荧光粉包括(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+、(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+中的一种或多种；
所述第三荧光粉包括(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+、K2(Si,Ge)F6:Mn4+、Mg8Ce2O11F2:Mn4+中的一种或多种。
为实现本发明的目的，本发明提出了一种全光谱LED光源的优选方案。
作为本发明的一个优选方案，前述第一荧光粉中0≤x≤1。
作为本发明的一个优选方案，前述第一荧光粉中x＝0。
作为本发明的一个优选方案，前述第一荧光粉中M选自Sr或Ca，0＜x≤1，0.002≤y≤0.10。
作为本发明的一个优选方案，前述第一荧光粉中M选自Sr和Ca，0＜x≤1，0.002≤y≤0.10。
作为本发明的一个优选方案，前述第一荧光粉、第二荧光粉和第三荧光粉的质量百分比为30％～40％：40％～50％：10％～20％。
作为本发明的一个优选方案，前述第一荧光粉优选为La8Ba2(Si4P2O22N2)O2:yEu2+，0.002≤y≤0.10；第二荧光粉优选为(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+；第三荧光粉优选为(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+。前述三种荧光粉的组合得到的全光谱LED光源具有更高的显色指数，且被照物体的颜色还原性更好。
作为本发明的一个优选方案，本发明提出的一种全光谱LED光源中，所述荧光粉组还包括第四荧光粉，所述第四荧光粉包括(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+、Sr3MgSiO8Eu2+中的一种或多种。
作为本发明的一个优选方案，所述第一荧光粉、第二荧光粉、第三荧光粉和第四荧光粉的质量百分比为20％～30％：30％～40％：10％～20％：10％～20％。
作为本发明的一个优选方案，所述第一荧光粉优选为La8Ba2(Si4P2O22N2)O2:yEu2+；第二荧光粉优选为(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+；第三荧光粉优选为(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+，第四荧光粉优选为(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+。前述四种荧光粉的组合得到的全光谱LED光源不仅具有更高的显色指数，且光源光谱更加丰富饱满。
本发明提出的一种全光谱LED光源中，激发光源采用发射波长为380～430nm的LED芯片。所述第一荧光粉的发射峰范围在480-520nm；所述第二荧光粉的发射峰范围在500-590nm；所述第三荧光粉的发射峰范围在600-700nm。
本发明提出的一种全光谱LED光源中，激发光源采用发射波长为380～430nm的LED芯片，所述第四荧光粉的发射峰范围在430-500nm。
作为本发明的一个优选方案，前述的荧光层可以通过涂覆、喷涂工艺涂覆在激发光源的表面，或呈现膜片结构置于激发光源上方一定距离；全光谱LED装置采用直插式、贴片式、集成COB、灯丝灯、CSP中的一种封装结构。
本发明提出的一种全光谱LED光源，与现有技术相比，具有以下显著的优异效果：
(1)优异的稳定性和老化性能：本发明提出的全光谱LED光源，与现有技术公开的蓝绿色荧光粉(BaSi2O2N2：Eu2+)、铝酸盐黄绿色荧光粉(M3Al5O12:Ce3+,M为Y、Lu、Sc、La、Gd)和氮化物红色荧光粉(CaAlSiN3:Eu2+)混合制备的全光谱LED相比，稳定性和老化性能大幅度提升。
(2)高亮度：本发明提出的全光谱LED光源，与现有技术相比，亮度得到了极大的提高。
(3)高显色指数：本发明提出的全光谱LED光源，其显色指数Ra>95，特殊显色指数R1～R15大于95。
附图说明
附图1本发明实施例5与对比例1的老化性能对比图。
附图2本发明实施例5所对应LED光源的光谱图。
附图3本发明La8Ba2(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+与已公开La8Ca2(Si4P2O22N2)O2：0.01Eu2+蓝绿色荧光粉的激发光谱对比图。
附图4本发明La8Ba2(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+与已公开La8Ca2(Si4P2O22N2)O2：0.01Eu2+蓝绿色荧光粉的发射光谱对比图。
具体实施方式
结合实施例对本发明的技术方案做进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提出的一种白光LED光源中，前述的第一荧光粉的制备方法可以为：
步骤一：按照化学式La8Ba2-x-yMx(Si4P2O22N2)O2：yEu2+的化学计量比，称取含La的化合物、含Ba的化合物、含M的化合物、含Si的化合物、含P的化合物和含Eu的化合物，研磨混合均匀，得到混合物；其中，含La的化合物为含La氮化物或氧化物；含Ba的化合物为氧化物、碳酸盐、氮化物；含M的化合物为Ca、Sr或Mg的氧化物、碳酸盐或氮化物；含Si的化合物为含Si的氧化物和氮化物；含P的化合物为NH4H2PO4或(NH4)2HPO4；含Eu的化合物为含Eu的氧化物、氮化物或卤化物；
步骤二：将步骤一得到的混合物焙烧，得到荧光粉；焙烧是在5％～20％H2+95％～80％N2气氛下进行；焙烧温度为1450～1800℃，焙烧时间为1～10小时；
步骤三：将步骤二得到的荧光粉研磨分散，得到La8Ba2-x-yMx(Si4P2O22N2)O2：yEu2+荧光粉。
前述第二荧光粉、第三荧光粉和第四荧光粉的制备方法可以参考现有技术的制备方法。
本发明提出的一种全光谱LED光源的具体实施例如下。以下为本发明的优选实施例，不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。
实施例1
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.99(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+称取第一荧光粉4g、(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.5g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1.5g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温为6351K的全光谱白光LED。
实施例2
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.998(Si4P2O22N2)O2:0.002Eu2+称取第一荧光粉3.5g、(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉5g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1.5g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温为6341K的全光谱白光LED。
实施例3
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.995(Si4P2O22N2)O2:0.005Eu2+称取第一荧光粉3.2g、(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.8g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉2g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温为6451K的全光谱白光LED。
实施例4
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.96(Si4P2O22N2)O2:0.04Eu2+称取第一荧光粉3.8g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.2g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉2g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温为6235K的全光谱白光LED。
实施例5
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.92(Si4P2O22N2)O2:0.08Eu2+称取第一荧光粉3.8g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.7g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1.5g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温为6562K的全光谱白光LED。
图1为实施例5与下述对比例1的老化性能对比图，通过环境条件为温度85℃、湿度85RH％，1000小时长期点亮老化，本发明实施例5全光谱LED光源的老化优于对比例1；当老化达到1000小时后，实施例5的老化较对比例1老化衰减减小7.5％。
图2为实施例5所对应LED光源的光谱图，通过420nm紫光芯片激发组合荧光粉，使LED发射光谱基本覆盖了380～780nm的可见光范围，到达了全光谱高显指的效果。
实施例6
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.99(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+称取第一荧光粉3.6g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.5g，K2(Si,Ge)F6:Mn4+第三荧光粉1.9g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温为6233K的全光谱白光LED。
实施例7
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.99(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+称取第一荧光粉3.5g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.5g，Mg8Ce2O11F2:Mn4+第三荧光粉2g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6431K的全光谱白光LED。
实施例8
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.99(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+称取第一荧光粉3.3g，(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+第二荧光粉4.7g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉2g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6344K的全光谱白光LED。
实施例9
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.99(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+称取第一荧光粉3.8g，(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+第二荧光粉4.2g，K2(Si,Ge)F6:Mn4+第三类光粉2g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6544K的全光谱白光LED。
实施例10
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.85Sr0.1(Si4P2O22N2)O2:0.05Eu2+称取第一荧光粉3.5g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.8g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1.7g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6543K的全光谱白光LED。
实施例11
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.45Sr0.5(Si4P2O22N2)O2:0.05Eu2+称取第一荧光粉3.2g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.8g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉2g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6241K的全光谱白光LED。
实施例12
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.65Ca0.3(Si4P2O22N2)O2:0.05Eu2+称取第一荧光粉3.7g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.8g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1.5g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6342K的全光谱白光LED。
实施例13
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.75Ca0.1Sr0.1(Si4P2O22N2)O2:0.05Eu2+称取第一荧光粉3.5g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二类荧光粉4.8g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1.7g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6654K的全光谱白光LED。
实施例14
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.45Ca0.2Sr0.3(Si4P2O22N2)O2:0.05Eu2+称取第一荧光粉3.5g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4.8g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1.7g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6654K的全光谱白光LED。
实施例15
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.99(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+称取第一荧光粉3g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1.5g，(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+第四荧光粉1.5g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6626K的全光谱白光LED。
实施例16
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.99(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+称取第一荧光粉3g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+第二荧光粉4g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1.5g，Sr3MgSiO8Eu2+第四荧光粉1.5g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6478K的全光谱白光LED。
实施例17
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.99(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+称取第一荧光粉2.5g，(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+第二荧光粉3.5g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉2g，(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+第四荧光粉2g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6478K的全光谱白光LED。
实施例18
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式La8Ba1.99(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+称取第一荧光粉2.7g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3++第二荧光粉3.5g，K2(Si,Ge)F6:Mn4 +第三荧光粉1.8g，(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+第四类荧光粉2g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为99，R1到R15大于95，色温6346K的全光谱白光LED。
对比例1：
激发光源选用峰波长为420nm的LED芯片；按照化学通式BaSi2O2N2称取第一荧光粉3g，(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3++第二荧光粉6g，(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+第三荧光粉1g进行混合。通过离心搅拌方式先将荧光粉混合物与有机硅胶透明材料混合，再与LED芯片以上述某种封装结构结合制作成LED成品光源。其显色指数Ra为95，R1到R15大于90，色温6356K的全光谱白光LED。
表1：本发明实施例1-18与对比例1发光亮度和老化性能的比较。
由表1可知，本发明的全光谱LED的老化性能非常优异，在1000h老化后光效维持率高达89-93％，明显优于现有技术全光谱LED的老化性能。同时，本发明提出的全光谱LED光源具备高亮度，在420nmLED芯片激发下的相对发光亮度达到107-112％，远超过现有技术。
表2:本发明的一些实施例与对比例1的显色指数的详细对比。
本发明提出的全光谱LED光源不仅具有优异的老化性能、高亮度等优势，且具有高显色指数，其显色指数Ra>95，R1～R15大于95。
由图3可知，本发明所获得的La8Ba2(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+蓝绿光材料主要发射位于400–650nm的蓝绿光，且发射强度明显高于La8Ca2(Si4P2O22N2)O2：0.01Eu2+。图4为本发明所获得的La8Ba2(Si4P2O22N2)O2:0.01Eu2+和已公开La8Ca2(Si4P2O22N2)O2：0.01Eu2+的激发光谱对比图(监测波长为500nm)，由图4可知，本发明所获得的荧光粉激发效率更高，且适合近紫外光激发。
以上仅为本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但是不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些均属于本发明的保护范围。
Claims (13)
1.一种全光谱LED光源，其特征在于，包括：
激发光源，所述激发光源为LED芯片；
荧光层，所述荧光层配置于激发光源上方，包括荧光粉组和透明材料，所述荧光粉组包括第一荧光粉、第二荧光粉和第三荧光粉；
其中，所述第一荧光粉包括La8Ba2-x-yMx(Si4P2O22N2)O2:yEu2+，式中，M为Ca、Sr、Mg中的一种或多种，式中0≤x<2，0.002≤y≤0.10,2-x-y>0；
所述第二荧光粉包括(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+、(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+中的一种或多种；
所述第三荧光粉包括(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+、K2(Si,Ge)F6:Mn4+、Mg8Ce2O11F2:Mn4+中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述第一荧光粉中0≤x≤1。
3.根据权利要求1 所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述第一荧光粉中x＝0。
4.根据权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述第一荧光粉中M选自Sr或Ca，0＜x≤1，0.002≤y≤0.10。
5.根据权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述第一荧光粉中M选自Sr和Ca，0＜x≤1，0.002≤y≤0.10。
6.根据权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述第一荧光粉、第二荧光粉和第三荧光粉的质量百分比为30％～40％：40％～50％：10％～20％。
7.根据权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述第一荧光粉为La8Ba2(Si4P2O22N2)O2:yEu2+，0.002≤y≤0.10；第二荧光粉为(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+；第三荧光粉为(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+。
8.根据权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述荧光粉组还包括第四荧光粉，所述第四荧光粉包括(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+、Sr3MgSiO8Eu2+中的一种或多种。
9.根据权利要求8所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述第一荧光粉、第二荧光粉、第三荧光粉和第四荧光粉的质量百分比为20％～30％：30％～40％：10％～20％：10％～20％。
10.根据权利要求8所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述第一荧光粉为La8Ba2(Si4P2O22N2)O2:yEu2+；第二荧光粉为(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+；第三荧光粉为(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+，第四荧光粉为(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+。
11.根据权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述激发光源采用发射波长为380～430nm的LED芯片。
12.根据权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述第一荧光粉的发射峰范围在480-520nm；所述第二荧光粉的发射峰范围在500-590nm；所述第三荧光粉的发射峰范围在600-700nm。
13.根据权利要求8所述的一种全光谱LED光源，其特征在于，所述激发光源采用发射波长为380～430nm的LED芯片，所述第四荧光粉的发射峰范围在430-500nm。
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