CN112309676A - 一种多线圈并绕的耦合电感器及其制备方法 - Google Patents

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杜阳忠
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Abstract

本发明提供了一种多线圈并绕的耦合电感器及其制备方法,所述的耦合电感器包括磁芯、包括埋于所述磁芯内部的线圈组以及与所述线圈组连接的端子组,所述的线圈组由至少两根导线紧贴合拢后卷绕成型,所述的端子组与磁芯外表面贴合。本发明设计了一种并绕式结构的多线圈,由于线圈之间的接触更为紧密,使得其在电路中可以快速响应,并有利于消除线圈之间的纹波电流,另外,本发明提供的耦合电感器在电路中还可以作为串联或并联的两个单电感器或作为共模扼流圈使用,大幅降低电感占用PCB板的面积。

Description

一种多线圈并绕的耦合电感器及其制备方法
技术领域
本发明属于电感器技术领域,涉及一种耦合电感器及其制备方法,尤其涉及一种多线圈并绕的耦合电感器及其制备方法。
背景技术
耦合电感的公共磁芯上一般有两个或多个绕组,耦合电感器通过将能量从一个绕组经过公共磁芯传输到另外一个绕组,而在DC-DC转换器中发挥作用,通常具有多种尺寸,多种电感值和额定电流,并且大多数经过磁屏蔽以降低电磁干扰(EMI),绕组的匝数比可以相等(1:1)或不相等(1:N)。特别设计的耦合电感器用于各种功率转换电路中,这些电压调节电路使用耦合电感器可以有效的提供所需的输出电压。
耦合电感器常用于开关电源中过滤和屏蔽电磁干扰信号。同时在板卡设计中,耦合电感也起到EMI滤波的作用,用于抑制高速信号线产生的电磁波向外辐射。
CN103141021B公开了一种多相耦合电感器,包括粉状芯材料磁芯和第一、第二、第三和第四端子。该耦合电感器还包括至少部分地嵌入芯中的第一绕组和至少部分地嵌入芯中的第二绕组。第一绕组电耦合于第一和第二端子之间,第二绕组电耦合于第三和第四端子之间。在磁芯内,第二绕组与第一绕组至少部分地物理地分离。
CN106935384B公开了一种耦合电感器阵列包括由具有分布式间隙的磁性材料形成的单片式磁芯、第一和第二绕组以及低磁导率磁性结构。第一和第二绕组围绕在高度方向上延伸的公并绕组轴形成相应的第一和第二绕组匝。低磁导率磁性结构嵌入在单片式磁芯中,并且围绕所述公并绕组轴形成环。所述低磁导率磁性结构在高度方向上将第一和第二绕组匝隔开,并且所述低磁导率磁性结构由比形成所述单片式磁芯的一种或多种磁性材料具有更低的磁导率的磁性材料形成。
CN201311808公开了一种用于多相交错并联开关电源的平面磁集成多相耦合电感器,由铁芯和线圈组成,在铁芯上设有多个磁柱使铁芯呈一个或多个“U”字形,磁柱的个数等于耦合电感器的相数,在磁柱上分别缠绕耦合电感器的各相线圈;在铁芯上设有磁柱使铁芯呈一个或多个“T”字形,磁柱的数量比磁柱的数量少一个;通过改变磁柱的长度,可以调整耦合电感器的耦合系数,以满足漏感量的要求;通过把该耦合电感器水平放置在印刷电路板上,可以实现表面贴装。
而当前大多数耦合电感,初级线圈与次级线圈之间并未紧密耦合,导致漏感高,而本发明主要提供一种绕组之间紧密耦合,耦合系数K大于0.95,磁芯具有高绝缘阻抗的耦合电感器。另外这种耦合电感器在电路中还可以作为串联或并联的两个单电感器或作为共模扼流圈使用的,大幅降低原件占用PCB板的面积。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种多线圈并绕的耦合电感器及其制备方法,本发明设计了一种并绕式结构的多线圈,由于线圈之间的接触更为紧密,使得其在电路中可以快速响应,并有利于消除线圈之间的纹波电流,另外,本发明提供的耦合电感器在电路中还可以作为串联或并联的两个单电感器或作为共模扼流圈使用,大幅降低电感占用PCB板的面积。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提供了一种多线圈并绕的耦合电感器,所述的耦合电感器包括磁芯、包埋于所述磁芯内部的线圈组以及与所述线圈组连接的端子组,所述的线圈组由至少两根导线紧贴合拢后卷绕成型,所述的端子组与磁芯外表面贴合。
本发明设计了一种并绕式结构的多线圈,由于线圈之间的接触更为紧密,使得其在电路中可以快速响应,并有利于消除线圈之间的纹波电流,另外,本发明提供的耦合电感器在电路中还可以作为串联或并联的两个单电感器或作为共模扼流圈使用,大幅降低电感占用PCB板的面积。
作为本发明一种优选的技术方案,所述的端子组分为第一端子组和第二端子组,所述的第一端子组和第二端子组分别位于磁芯内部的相对两侧。
优选地,所述的第一端子组和第二端子组均包括至少两个端子,所述端子部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合。
优选地,所述的第一端子组中的端子数量与第二端子组中的端子数量相等。
优选地,所述的第一端子组中的端子数量或第二端子组中的端子数量与导线数量相等。
优选地,所述的第一端子组中的端子与第二端子组中的端子位置相对。
作为本发明一种优选的技术方案,所述导线的两端分别记为输入端和输出端,所述导线的输入端分别接入第一端子组中的各个端子,所述导线的输出端分别接入第二端子组中的各个端子。
优选地,同一条导线的输入端和输出端分别接入位置相对的两个端子,或接入位置不相对的两个端子。
作为本发明一种优选的技术方案,所述的磁芯由磁粉压制成型。
优选地,所述的磁粉包括非晶铁硅硼粉末、气雾铁硅铬粉末或水雾铁硅铬粉末中的一种或至少两种的组合。
优选地,所述的磁粉采用如下任意一种组分配方,配方中各组分的比例为质量比:
(1)非晶铁硅硼粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1,例如可以是1:1、1.2:1、1.4:1、1.6:1、1.8:1、2.0:1、2.2:1、2.4:1、2.6:1、2.8:1或3.0:1,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
(2)非晶铁硅硼粉末:铁镍粉末:水雾化铁硅铬粉末=1:1:(2~5),例如可以是1:1:2、1:1:2.5、1:1:3、1:1:3.5、1:1:4、1:1:4.5或1:1:5,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
(3)气雾铁硅铬粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1,例如可以是1:1、1.2:1、1.4:1、1.6:1、1.8:1、2.0:1、2.2:1、2.4:1、2.6:1、2.8:1或3.0:1,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明一种优选的技术方案,所述的耦合电感器为立方体结构。
优选地,所述的耦合电感器的长度为11~12mm,例如可以是11.0mm、 11.1mm、11.2mm、11.3mm、11.4mm、11.5mm、11.6mm、11.7mm、11.8mm、 11.9mm或12.0mm,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的耦合电感器的宽度为10~11mm,例如可以是10.0mm、 10.1mm、10.2mm、10.3mm、10.4mm、10.5mm、10.6mm、10.7mm、 10.8mm、10.9mm或11.0mm,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的耦合电感器的高度为7~8mm,例如可以是7.0mm、7.1mm、7.2mm、7.3mm、7.4mm、7.5mm、7.6mm、7.7mm、7.8mm、7.9mm或 8.0mm,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
第二方面,本发明提供了一种第一方面所述的耦合电感器的制备方法,所述的耦合电感器采用冷热压、T形磁芯热压或复合磁芯热压制备得到。
作为本发明一种优选的技术方案,所述的冷热压工艺具体包括:
线圈组与端子组连接后得到点焊品,点焊品植入模腔内,将磁粉填入模腔后依次经冷压和热压处理后得到半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到所述的耦合电感器。
优选地,所述的连接为焊接。
优选地,所述的焊接方式为镭射或热阻焊。
优选地,所述的冷压温度为20~30℃,例如可以是20℃、21℃、22℃、 23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃或30℃,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的冷压压力为1.5~4T/cm2,例如可以是1.5T/cm2、1.7T/cm2、 1.9T/cm2、2.0T/cm2、2.2T/cm2、2.4T/cm2、2.6T/cm2、2.8T/cm2、3.0T/cm2、 3.2T/cm2、3.4T/cm2、3.6T/cm2、3.8T/cm2或4.0T/cm2,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的热压温度为110~180℃,例如可以是110℃、115℃、120℃、 125℃、130℃、135℃、140℃、145℃、150℃、155℃、160℃、165℃、170℃、 175℃或180℃,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的热压压力为2~4T/cm2,例如可以是2.0T/cm2、2.2T/cm2、2.4T/cm2、2.6T/cm2、2.8T/cm2、3.0T/cm2、3.2T/cm2、3.4T/cm2、3.6T/cm2、 3.8T/cm2或4.0T/cm2,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的半成品的密度为5~6.5g/cm3,例如可以是5.0g/cm3、 5.1g/cm3、5.2g/cm3、5.3g/cm3、5.4g/cm3、5.5g/cm3、5.6g/cm3、5.7g/cm3、 5.8g/cm3、5.9g/cm3、6.0g/cm3、6.1g/cm3、6.2g/cm3、6.3g/cm3、6.4g/cm3或 6.5g/cm3,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明一种优选的技术方案,所述的T形磁芯热压工艺具体包括:
线圈组与端子组连接后得到点焊品,磁粉填入T形模腔压制成T形磁芯,将点焊品的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品,组装品转移至热压模腔,向热压模腔中填入磁粉,热压成型得到半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到所述的耦合电感器。
优选地,所述的连接为焊接。
优选地,所述的焊接方式为镭射或热阻焊。
优选地,所述的T形磁芯的压制压力为6~8T/cm2,例如可以是6.0T/cm2、 6.2T/cm2、6.4T/cm2、6.6T/cm2、6.8T/cm2、7.0T/cm2、7.2T/cm2、7.4T/cm2、 7.6T/cm2、7.8T/cm2或8.0T/cm2,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的热压温度为110~180℃,例如可以是110℃、115℃、120℃、 125℃、130℃、135℃、140℃、145℃、150℃、155℃、160℃、165℃、170℃、 175℃或180℃,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的热压压力为2~4T/cm2,例如可以是2.0T/cm2、2.2T/cm2、 2.4T/cm2、2.6T/cm2、2.8T/cm2、3.0T/cm2、3.2T/cm2、3.4T/cm2、3.6T/cm2、 3.8T/cm2或4.0T/cm2,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的半成品的密度为5~6.5g/cm3,例如可以是5.0g/cm3、 5.1g/cm3、5.2g/cm3、5.3g/cm3、5.4g/cm3、5.5g/cm3、5.6g/cm3、5.7g/cm3、 5.8g/cm3、5.9g/cm3、6.0g/cm3、6.1g/cm3、6.2g/cm3、6.3g/cm3、6.4g/cm3或 6.5g/cm3,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明一种优选的技术方案,所述的T-U形磁芯热压工艺具体包括:
(1)线圈组与端子组连接后得到点焊品,磁粉填入T形模腔压制成T形磁芯,将点焊品的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品;
(Ⅱ)组装品转移至热压模腔,向热压模腔中放入预制磁芯,预制磁芯为底面开设圆柱形凹槽的立方体结构,预制磁芯的底部凹槽***T形磁芯的立柱;
(Ⅲ)热压成型后得到半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到所述的耦合电感器;
优选地,步骤(Ⅰ)中,所述的连接为焊接。
优选地,所述的焊接方式为镭射或热阻焊。
优选地,所述的T形磁芯的压制压力为6~8T/cm2,例如可以是6.0T/cm2、 6.2T/cm2、6.4T/cm2、6.6T/cm2、6.8T/cm2、7.0T/cm2、7.2T/cm2、7.4T/cm2、 7.6T/cm2、7.8T/cm2或8.0T/cm2,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,步骤(Ⅱ)中,所述的热压温度为110~180℃,例如可以是110℃、 115℃、120℃、125℃、130℃、135℃、140℃、145℃、150℃、155℃、160℃、 165℃、170℃、175℃或180℃,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的热压压力为2~4T/cm2,例如可以是2.0T/cm2、2.2T/cm2、 2.4T/cm2、2.6T/cm2、2.8T/cm2、3.0T/cm2、3.2T/cm2、3.4T/cm2、3.6T/cm2、 3.8T/cm2或4.0T/cm2,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地,所述的半成品的密度为5~6.5g/cm3,例如可以是5.0g/cm3、 5.1g/cm3、5.2g/cm3、5.3g/cm3、5.4g/cm3、5.5g/cm3、5.6g/cm3、5.7g/cm3、 5.8g/cm3、5.9g/cm3、6.0g/cm3、6.1g/cm3、6.2g/cm3、6.3g/cm3、6.4g/cm3或 6.5g/cm3,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明一种优选的技术方案,所述的磁粉包括非晶铁硅硼粉末、铁镍粉末、气雾铁硅铬粉末或水雾铁硅铬粉末中的一种或至少两种的组合。
优选地,所述的磁粉采用如下任意一种组分配方,配方中各组分的比例为质量比:
(1)非晶铁硅硼粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1,例如可以是1:1、1.2:1、1.4:1、1.6:1、1.8:1、2.0:1、2.2:1、2.4:1、2.6:1、2.8:1或3.0:1,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
(2)非晶铁硅硼粉末:铁镍粉末:水雾化铁硅铬粉末=1:1:(2~5),例如可以是1:1:2、1:1:2.5、1:1:3、1:1:3.5、1:1:4、1:1:4.5或1:1:5,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
(3)气雾铁硅铬粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1,例如可以是1:1、1.2:1、1.4:1、1.6:1、1.8:1、2.0:1、2.2:1、2.4:1、2.6:1、2.8:1或3.0:1,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
示例性地,本发明提供了一种磁粉的制备方法,所述的制备方法具体包括如下步骤:
(1)磁粉粉料采用如下任意一种组分配方:
(a)非晶铁硅硼粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1;(b)非晶铁硅硼粉末: 铁镍粉末:水雾化铁硅铬粉末=1:1:(2~5);(c)气雾铁硅铬粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1;(d)气雾铁硅铬粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1
(2)绝缘包覆:将磷酸、磷酸二氢铝、纳米二氧化硅加入去离子水溶解初搅拌,得到溶液A,将磁粉粉料加入溶液A中,加热搅拌,进行一次烘烤,得到绝缘包覆后的磁粉粉料;
(3)二次包覆:将环氧树脂和硬化剂混合均匀,加入丙酮稀释搅拌溶解,将得到的溶液加入经过步骤(2)绝缘包覆后的磁粉粉料中,搅拌均匀;
(4)造粒调粉:将步骤(3)中搅拌均匀的磁粉粉料进行造粒,得到造粒粉,向造粒粉中加入氧化镁和脱模粉,搅拌得到磁粉。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
本发明设计了一种并绕式结构的多线圈,由于线圈之间的接触更为紧密,使得其在电路中可以快速响应,并有利于消除线圈之间的纹波电流,另外,本发明提供的耦合电感器在电路中还可以作为串联或并联的两个单电感器或作为共模扼流圈使用,大幅降低电感占用PCB板的面积。
附图说明
图1为本发明一个具体实施方式提供的点焊品的结构示意图;
图2为本发明一个具体实施方式提供的半成品的外观图;
图3为本发明一个具体实施方式提供的耦合电感器的外观图;
图4为本发明一个具体实施方式提供的T型磁芯的外观图;
图5为本发明一个具体实施方式提供的预制磁芯的结构示意图;
其中,100-点焊品;110-第一端子组;111-第一端子;112-第二端子;120- 第二端子组;121-第三端子;122-第四端子;130-线圈组;131-第一导线;132- 第二导线。
具体实施方式
需要理解的是,在本发明的描述中,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
需要说明的是,在本发明的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
在一个具体实施方式中,本发明提供了一种多线圈并绕的耦合电感器,所述的耦合电感器包括磁芯、包埋于磁芯内部的线圈组130以及与线圈组130连接的端子组,线圈组130由至少两根导线紧贴合拢后卷绕成型,端子组与磁芯外表面贴合。
端子组分为第一端子111组110和第二端子组120,第一端子111组110和第二端子组120分别位于磁芯内部的相对两侧。第一端子111组110和第二端子组120均包括至少两个端子1,端子1部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合,第一端子111组110中的端子与第二端子组120中的端子位置相对。第一端子111组110中的端子数量与第二端子组120中的端子数量相等,第一端子111组110中的端子数量或第二端子组120中的端子数量与导线数量相等。
如图1所示,导线的两端分别记为输入端和输出端,导线的输入端分别接入第一端子111组110中的各个端子,导线的输出端分别接入第二端子组120 中的各个端子。同一条导线的输入端和输出端分别接入位置相对的两个端子,或接入位置不相对的两个端子。
磁芯由磁粉压制成型,磁粉包括非晶铁硅硼粉末、气雾铁硅铬粉末或水雾铁硅铬粉末中的一种或至少两种的组合。具体地,磁粉采用如下任意一种组分配方,配方中各组分的比例为质量比:
(1)非晶铁硅硼粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1;
(2)非晶铁硅硼粉末:铁镍粉末:水雾化铁硅铬粉末=1:1:(2~5);
(3)气雾铁硅铬粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1。
耦合电感器为立方体结构,长度为11~12mm,宽度为10~11mm,高度为 7~8mm。
在另一个具体实施方式中,本发明提供了一种上述的耦合电感器的制备方法,所述的耦合电感器采用冷热压、T形磁芯热压或复合磁芯热压制备得到。具体而言:
其一,冷热压工艺具体包括:
线圈组130与端子组连接后得到如图1所示的点焊品100,点焊品100植入模腔内,将磁粉填入模腔后依次经冷压和热压处理后得到如图2所示的半成品 (如图2所示),半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到如图3所示的耦合电感器(如图3所示)。
其二,T形磁芯热压工艺具体包括:
线圈组130与端子组连接后得到点焊品100,磁粉填入T形模腔压制成T 形磁芯(如图4所示),将点焊品100的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品,组装品转移至热压模腔,向热压模腔中填入磁粉,热压成型得到半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到所述的耦合电感器。
其三,复合磁芯热压工艺具体包括:
(1)线圈组130与端子组连接后得到点焊品100,磁粉填入T形模腔压制成T形磁芯(如图4所示),将点焊品100的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品;
(Ⅱ)组装品转移至热压模腔,向热压模腔中放入预制磁芯,预制磁芯为底面开设圆柱形凹槽的立方体结构(如图5所示),预制磁芯的底部凹槽***T 形磁芯的立柱;
(Ⅲ)热压成型后得到半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到所述的耦合电感器。
实施例1
本实施例提供了一种耦合电感器,所述的耦合电感器包括磁芯、包埋于磁芯内部的线圈组130以及与线圈组130连接的端子组,线圈组130由两条导线紧贴合拢后卷绕成型,两条导线分别记为第一导线131和第二导线132。
端子组分为第一端子111组110和第二端子组120,第一端子111组110和第二端子组120分别位于磁芯内部的相对两侧。第一端子111组110包括两个端子,分别记为第一端子111和第二端子112;第二端子组120包括两个电子,分别记为第三端子121和第四端子122,第一端子111与第三端子121位置相对,第二端子112和第四端子122位置相对,四个端子部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合。导线的两端分别记为输入端和输出端,第一导线131的输入端接入第一端子111,第一导线131的输出端接入第三端子121,第二导线132的输入端接入第二端子112,第二导线132的输出端接入第四端子 122(如图1所示)。
耦合电感器为立方体结构,长度为11.04mm,宽度为10.07mm,高度为 7.94mm。
本实施例还提供了一种制备上述耦合电感器的方法,所述方法包括:
(1)第一导线131的输入端与第一端子111辐射焊接,第一导线131的输出端与第三端子121辐射焊接,第二导线132的输入端与第二端子112辐射焊接,第二导线132的输出端接入第四端子122辐射焊接,焊接完成后得到点焊品100;
(2)将点焊品100植入模腔,向模腔内填入磁粉,在20℃下施加3T/cm2的压力进行冷压,冷压后在110℃下施加4T/cm2的压力进行热压,热压处理后得到密度为5.03g/cm3的半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到耦合电感器。
其中,所述的磁粉采用如下方法制备得到:
(1)配制粉料:将非晶铁硅硼粉末和水雾化铁硅铬粉末按照7:3的质量比混合得到磁粉粉料;
(2)绝缘包覆:将0.25g磷酸、0.75g磷酸二氢铝、0.01g纳米二氧化硅加入去离子水溶解初搅拌30min,得到溶液,将998.9g的磁粉粉料加入溶液中, 145℃下加热搅拌80min,再在141℃下烘烤6h,得到绝缘包覆后的磁粉粉料;
(3)二次包覆:将2.0%比例的环氧树脂、硬化剂混合均匀,加10%丙酮稀释搅拌30min,将该溶液加入步骤(2)得到的绝缘包覆后的磁粉粉料中,搅拌 45min;
(4)造粒调粉:将步骤(3)搅拌均匀的粉料先用50目网造粒,粉料晾置 3h,随后使用40目造粒机过筛,在67℃烘烤81min,自然降至室温后对粉料再次进行40目过筛,得到造粒粉;向造粒粉中加入0.15g氧化镁、0.15g脱模粉和 99.7g造粒粉,搅拌得到100g磁粉。
实施例2
本实施例提供了一种耦合电感器,所述的耦合电感器包括磁芯、包埋于磁芯内部的线圈组130以及与线圈组130连接的端子组,线圈组130由两条导线紧贴合拢后卷绕成型,两条导线分别记为第一导线131和第二导线132。
端子组分为第一端子111组110和第二端子组120,第一端子111组110和第二端子组120分别位于磁芯内部的相对两侧。第一端子111组110包括两个端子,分别记为第一端子111和第二端子112;第二端子组120包括两个电子,分别记为第三端子121和第四端子122,第一端子111与第三端子121位置相对,第二端子112和第四端子122位置相对,四个端子部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合。导线的两端分别记为输入端和输出端,第一导线 131的输入端接入第一端子111,第一导线131的输出端接入第四端子122,第二导线132的输入端接入第二端子112,第二导线132的输出端接入第三端子 121。
耦合电感器为立方体结构,长度为11.15mm,宽度为10.1mm,高度为 7.85mm。
本实施例还提供了一种制备上述耦合电感器的方法,所述方法包括:
(1)第一导线131的输入端与第一端子111热阻焊焊接,第一导线131的输出端与第四端子122热阻焊焊接,第二导线132的输入端与第二端子112热阻焊焊接,第二导线132的输出端接入第三端子121热阻焊焊接,焊接完成后得到点焊品100;
(2)磁粉填入T形模腔,在7T/cm2的压力下压制成T形磁芯(如图2所示),将点焊品100的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品;
(3)组装品转移至热压模腔,向热压模腔中填入磁粉,在120℃下,施加 3T/cm2的压力进行热压成型得到密度为5.56g/cm3的半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到耦合电感器。
其中,所述的磁粉采用如下方法制备得到:
(1)配制粉料:将非晶铁硅硼粉末和水雾化铁硅铬粉末按照1:1的质量比混合得到磁粉粉料;
(2)绝缘包覆:将0.5g磷酸、1.5g磷酸二氢铝、0.02g纳米二氧化硅加入 12%去离子水溶解搅拌30min,得到溶液,将997.8g的磁粉粉料加入溶液中,162℃下加热搅拌82min,再在148℃下烘烤5.2h,得到绝缘包覆后的磁粉粉料;
(3)二次包覆:将2.5%比例的环氧树脂、硬化剂混合均匀,加12%丙酮稀释搅拌30min,将该溶液加入步骤(2)得到的绝缘包覆后的磁粉粉料中,搅拌 50min;
(4)造粒调粉:将步骤(3)搅拌均匀的粉料先用50目网造粒,粉料晾置 3h,随后使用40目造粒机过筛,68℃烘烤84min,自然降至室温后对粉料再次进行40目过筛,得到造粒粉;向造粒粉中加入0.2g氧化镁、0.2g脱模粉和 99.6g造粒粉,搅拌得到100g磁粉。
实施例3
本实施例提供了一种耦合电感器,所述的耦合电感器包括磁芯、包埋于磁芯内部的线圈组130以及与线圈组130连接的端子组,线圈组130由两条导线紧贴合拢后卷绕成型,两条导线分别记为第一导线131和第二导线132。
端子组分为第一端子111组110和第二端子组120,第一端子111组110和第二端子组120分别位于磁芯内部的相对两侧。第一端子111组110包括两个端子,分别记为第一端子111和第二端子112;第二端子组120包括两个电子,分别记为第三端子121和第四端子122,第一端子111与第三端子121位置相对,第二端子112和第四端子122位置相对,四个端子部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合。导线的两端分别记为输入端和输出端,第一导线 131的输入端接入第一端子111,第一导线131的输出端接入第四端子122,第二导线132的输入端接入第二端子112,第二导线132的输出端接入第三端子 121。
耦合电感器为立方体结构,长度为11.1mm,宽度为10.05mm,高度为7.9mm。
本实施例还提供了一种制备上述耦合电感器的方法,所述方法包括:
(1)第一导线131的输入端与第一端子111热阻焊焊接,第一导线131的输出端与第五端子热阻焊焊接,第二导线132的输入端与第二端子112热阻焊焊接,第二导线132的输出端接入第四端子122热阻焊焊接,第三导线的输入端与第三端子121辐射焊接,第三导线与第六端子辐射焊接,焊接完成后得到点焊品100;
(2)磁粉填入T形模腔,在6.5T/cm2的压力下压制成T形磁芯(如图2 所示),将点焊品100的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品;
(3)组装品转移至热压模腔,向热压模腔中填入磁粉,在135℃下,施加 3.5T/cm2的压力进行热压成型得到密度为5.8g/cm3的半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到耦合电感器。
其中,所述的磁粉采用如下方法制备得到:
(1)配制粉料:将非晶铁硅硼粉末、铁镍粉末和水雾化铁硅铬粉末按照 1:1:3的质量比混合得到磁粉粉料;
(2)绝缘包覆:将0.75g磷酸、2.25g磷酸二氢铝、0.3g纳米二氧化硅加入 14%去离子水溶解初搅拌30min,得到溶液,将996.7g磁粉粉料加入溶液中, 155℃下加热搅拌88min,再在147℃下烘烤5.3h,得到绝缘包覆后的磁粉粉料;
(3)二次包覆:将3.0%比例的环氧树脂、硬化剂混合均匀,加14%丙酮稀释搅拌30min,将该溶液加入步骤(2)得到的绝缘包覆后的磁粉粉料中,搅拌 55min;
(4)造粒调粉:将步骤(3)搅拌均匀的粉料先用50目网造粒,粉料晾置3h,随后使用40目造粒机过筛,在69℃烘烤87min,自然降至室温后对粉料再次进行40目过筛,得到造粒粉;向造粒粉中加入0.25g氧化镁、0.25g脱模粉和 99.5g造粒粉,搅拌得到100g磁粉。
实施例4
本实施例提供了一种耦合电感器,所述的耦合电感器包括磁芯、包埋于磁芯内部的线圈组以及与线圈组连接的端子组,线圈组由三条导线紧贴合拢后卷绕成型,两条导线分别记为第一导线、第二导线和第三导线。
端子组分为第一端子组和第二端子组,第一端子组和第二端子组分别位于磁芯内部的不同侧。第一端子组包括三个端子,分别记为第一端子、第二端子和第三端子;第二端子组包括三个端子,分别记为和第四端子、第五端子和第六端子;所有端子部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合。导线的两端分别记为输入端和输出端,第一导线的输入端接入第一端子,第一导线的输出端接入第四端子,第二导线的输入端接入第二端子,第二导线的输出端接入第五端子,第三导线的输入端接入第三端子,第三导线的输出端接入第六端子。
耦合电感器为立方体结构,长度为11.08mm,宽度为10.09mm,高度为 7.88mm。
本实施例还提供了一种制备上述耦合电感器的方法,所述方法包括:
(1)第一导线的输入端与第一端子辐射焊接,第一导线的输出端与第四端子辐射焊接,第二导线的输入端与第二端子辐射焊接,第二导线的输出端接入第五端子辐射焊接,第三导线的输入端与第三端子辐射焊接,第三导线与第六端子辐射焊接,焊接完成后得到点焊品;
(2)将点焊品植入模腔,向模腔内填入磁粉,在28℃下施加2.3T/cm2的压力进行冷压,冷压后在148℃下施加3.5T/cm2的压力进行热压,热压处理后得到密度为6.48g/cm3的半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到耦合电感器。
其中,步骤(2)所述的磁粉采用如下方法制备得到:
(1)配制粉料:将气雾铁硅铬粉末和水雾化铁硅铬粉末按照1:1的质量比混合得到磁粉粉料;
(2)绝缘包覆:将1.0g磷酸、3.0g磷酸二氢铝、0.4g纳米二氧化硅加入去离子水溶解初搅拌34min,得到溶液,将995.6g磁粉粉料加入溶液中,160℃加热搅拌90min,再在150℃下烘烤5.0h,得到绝缘包覆后的磁粉粉料;
(3)二次包覆:将3.5%比例的环氧树脂、硬化剂混合均匀,加16%丙酮稀释搅拌30min,将该溶液加入步骤(2)得到的绝缘包覆后的磁粉粉料中,搅拌60min;
(4)造粒调粉:将步骤(3)搅拌均匀的粉料先用50目网造粒,粉料晾置 3h,随后使用40目造粒机过筛,在70℃烘烤90min,自然降至室温后对粉料再次进行40目过筛,得到造粒粉;向造粒粉中加入0.3g氧化镁、0.3g脱模粉和 99.4g造粒粉,搅拌得到100g磁粉。
实施例5
本实施例提供了一种耦合电感器,所述的耦合电感器包括磁芯、包埋于磁芯内部的线圈组以及与线圈组连接的端子组,线圈组由三条导线紧贴合拢后卷绕成型,两条导线分别记为第一导线、第二导线和第三导线。
端子组分为第一端子组和第二端子组,第一端子组和第二端子组分别位于磁芯内部的不同侧。第一端子组包括三个端子,分别记为第一端子、第二端子和第三端子;第二端子组包括三个端子,分别记为第四端子、第五端子和第六端子;所有端子部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合。导线的两端分别记为输入端和输出端,第一导线的输入端接入第一端子,第一导线的输出端接入第五端子,第二导线的输入端接入第二端子,第二导线的输出端接入第四端子,第三导线的输入端接入第三端子,第三导线的输出端接入第六端子。
耦合电感器为立方体结构,长度为11.13mm,宽度为10.06mm,高度为 7.89mm。
本实施例还提供了一种制备上述耦合电感器的方法,所述方法包括:
(1)第一导线的输入端与第一端子热阻焊焊接,第一导线的输出端与第五端子热阻焊焊接,第二导线的输入端与第二端子热阻焊焊接,第二导线的输出端接入第四端子热阻焊焊接,第三导线的输入端与第三端子辐射焊接,第三导线与第六端子辐射焊接,焊接完成后得到点焊品;
(2)磁粉填入T形模腔,在8T/cm2的压力下压制成T形磁芯(如图2所示),将点焊品的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品;
(3)组装品转移至热压模腔,向热压模腔中填入磁粉,在170℃下,施加 2T/cm2的压力进行热压成型得到密度为6.5g/cm3的半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到耦合电感器。
其中,所述的磁粉采用如下方法制备得到:
(1)配制粉料:将气雾铁硅铬粉末和水雾化铁硅铬粉末按照3:2的质量比混合得到磁粉粉料;
(2)绝缘包覆:将1.25g磷酸、3.75g磷酸二氢铝、0.5g纳米二氧化硅加入去离子水溶解初搅拌35min,得到溶液,将994.5g磁粉粉料加入溶液中,165℃下加热搅拌92min,再在150℃下烘烤4.7h,得到绝缘包覆后的磁粉粉料;
(3)二次包覆:将4.0%比例的环氧树脂、硬化剂混合均匀,加18%丙酮稀释搅拌30min,将该溶液加入步骤(2)得到的绝缘包覆后的磁粉粉料中,搅拌65min;
(4)造粒调粉:将步骤(3)搅拌均匀的粉料先用50目网造粒,粉料晾置 3h,随后使用40目造粒机过筛,在71℃烘烤93min,自然降至室温后对粉料再次进行40目过筛,得到造粒粉;向造粒粉中加入0.35g氧化镁、0.35g脱模粉和 99.3g造粒粉,搅拌得到100g磁粉。
实施例6
本实施例提供了一种耦合电感器,所述的耦合电感器包括磁芯、包埋于磁芯内部的线圈组以及与线圈组连接的端子组,线圈组由三条导线紧贴合拢后卷绕成型,两条导线分别记为第一导线、第二导线和第三导线。
端子组分为第一端子组和第二端子组,第一端子组和第二端子组分别位于磁芯内部的不同侧。第一端子组包括三个端子,分别记为第一端子、第二端子和第三端子;第二端子组包括三个端子,分别记为和第四端子、第五端子和第六端子;所有端子部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合。导线的两端分别记为输入端和输出端,第一导线的输入端接入第一端子,第一导线的输出端接入第六端子,第二导线的输入端接入第二端子,第二导线的输出端接入第四端子,第三导线的输入端接入第三端子,第三导线的输出端接入第五端子。
耦合电感器为立方体结构,长度为11.06mm,宽度为10.08mm,高度为 7.96mm。
本实施例还提供了一种制备上述耦合电感器的方法,所述方法包括:
(1)第一导线的输入端与第一端子镭射焊接,第一导线的输出端与第六端子镭射焊接,第二导线的输入端与第二端子镭射焊接,第二导线的输出端接入第四端子镭射焊接,第三导线的输入端与第三端子辐射焊接,第三导线与第五端子辐射焊接,焊接完成后得到点焊品;
(2)磁粉填入T形模腔,在6T/cm2的压力下压制成T形磁芯,将点焊品的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品;
(3)组装品转移至热压模腔,向热压模腔中放入预制磁芯,预制磁芯为底面开设圆柱形凹槽的立方体结构(如图3所示),预制磁芯的底部凹槽***T 形磁芯的立柱;在180℃下施加3T/cm2的压力进行热压成型,热压成型后得到密度为6.23g/cm3的半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到耦合电感器。
其中,所述的磁粉采用如下方法制备得到:
(1)配制粉料:将气雾铁硅铬粉末和水雾化铁硅铬粉末按照7:3的质量比混合得到磁粉粉料;
(2)绝缘包覆:将1.5g磷酸、4.5g磷酸二氢铝、0.6g纳米二氧化硅加入去离子水溶解初搅拌30min,得到溶液,将993.4g磁粉粉料加入溶液中,170℃下加热搅拌94min,再在156℃下烘烤4.3h,得到绝缘包覆后的磁粉粉料;
(3)二次包覆:将4.5%比例的环氧树脂、硬化剂混合均匀,加20%丙酮稀释搅拌30min,将该溶液加入步骤(2)得到的绝缘包覆后的磁粉粉料中,搅拌 70min;
(4)造粒调粉:将步骤(3)搅拌均匀的粉料先用50目网造粒,粉料晾置 3h,随后使用40目造粒机过筛,在72℃烘烤96min,自然降至室温后对粉料再次进行40目过筛,得到造粒粉;向造粒粉中加入0.4g氧化镁、0.4g脱模粉和 99.2g造粒粉,搅拌得到100g磁粉。
对比例1
本对比例提供了一种双线圈的耦合电感器,所述的耦合电感器包括磁芯,磁芯内包埋有两根间隔设置的导线,分别记为第一导线和第二导线,两根导线在磁芯内以卷绕成型的线圈形式存在;所述耦合电感器还包括第一端子组和第二端子组,第一端子组和第二端子组分别位于磁芯内部的相对两侧,第一端子组包括第一端子和第二端子,第二端子组包括第三端子和第四端子,第一端子与第三端子相对设置,第二端子和第四端子相对设置。第一导线的输入端与第一端子辐射焊接,第一导线的输出端与第三端子辐射焊接;第二导线的输入端与第二端子辐射焊接,第二导线的输出端与第四端子辐射焊接。端子部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合。
耦合电感器为立方体结构,长度为11.90mm,宽度为10.86mm,高度为 8.35mm。
本对比例还提供了一种上述耦合电感器的制备方法,所述的制备方法包括:
(1)第一导线的输入端与第一端子辐射焊接,第一导线的输出端与第三端子辐射焊接;第二导线的输入端与第二端子辐射焊接,第二导线的输出端与第四端子辐射焊接,焊接完成后得到点焊品;
(2)将点焊品植入模腔,向模腔内填入磁粉,在20℃下施加3T/cm2的压力进行冷压,冷压后在110℃下施加3-4T/cm2的压力进行热压,热压处理后得到密度为5.93g/cm3的半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到耦合电感器。其中,磁粉采用实施例1中所述的磁粉。
对实施例1-6以及对比例1-2制备得到的耦合电感器进行性能测试,测试其电感量L、饱和电流Isat有效电流Irms以及直流电阻DCR,测试结果见表1。各实施例和对比例制备得到的耦合电感器在PCB电路板中要达到同样的效果,所需空间和预估成本见表2。
表1
L I<sub>sat</sub>[A] I<sub>rms</sub>[A] DCR
实施例1 14.69 4.6 9.1 57.32
实施例2 14.58 4.75 10.2 45.20
实施例3 15.23 4.90 11.0 43.20
实施例4 14.86 4.86 10.5 56.34
实施例5 14.69 4.73 10.8 43.68
实施例6 15.35 5.02 11.3 42.50
对比例1 14.86 4.85 5.9 35.45
表2
Figure BDA0002744760580000241
由表1数据可以看出,对比例1与实施例1的区别在于,对比例1采用的双线圈为两根导线合拢后并绕形成的,而实施例1采用的是间隔分布的两条单线圈,由表中测试数据对比发现,实施例1的各项电性数据明显优于对比例1,这是由于实施例1采用双线并绕式的线圈结构,两个线圈的接触更紧密,在用于PCB电路板时,电流响应速度更快,同时还能消除线圈之间的纹波电流,耦合系数更高。
由表2数据可以看出,对比例1采用的是两个间隔分布的双线圈,与实施例1采用的双线并绕式的双线圈相比,对比例1还需要保留两个线圈之间的一部分空间,因此,即使对比例1也只需要一个耦合电感器,但对比例1的单个电感器所占空间也超出了实施例1中单个电感器所占空间。
申请人声明,以上所述仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,所属技术领域的技术人员应该明了,任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种多线圈并绕的耦合电感器,其特征在于,所述的耦合电感器包括磁芯、包埋于所述磁芯内部的线圈组以及与所述线圈组连接的端子组,所述的线圈组由至少两根导线紧贴合拢后卷绕成型,所述的端子组与磁芯外表面贴合。
2.根据权利要求1所述的耦合电感器,其特征在于,所述的端子组分为第一端子组和第二端子组,所述的第一端子组和第二端子组分别位于磁芯内部的相对两侧;
优选地,所述的第一端子组和第二端子组均包括至少两个端子,所述端子部分伸出磁芯外部,伸出部分弯折后与磁芯外表面贴合;
优选地,所述的第一端子组中的端子数量与第二端子组中的端子数量相等;
优选地,所述的第一端子组中的端子数量或第二端子组中的端子数量与导线数量相等;
优选地,所述的第一端子组中的端子与第二端子组中的端子位置相对。
3.根据权利要求1或2所述的耦合电感器,其特征在于,所述导线的两端分别记为输入端和输出端,所述导线的输入端分别接入第一端子组中的各个端子,所述导线的输出端分别接入第二端子组中的各个端子;
优选地,同一条导线的输入端和输出端分别接入位置相对的两个端子,或接入位置不相对的两个端子。
4.根据权利要求1-3任一项所述的耦合电感器,其特征在于,所述的磁芯由磁粉压制成型;
优选地,所述的磁粉包括非晶铁硅硼粉末、气雾铁硅铬粉末或水雾铁硅铬粉末中的一种或至少两种的组合;
优选地,所述的磁粉采用如下任意一种组分配方,配方中各组分的比例为质量比:
(1)非晶铁硅硼粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1;
(2)非晶铁硅硼粉末:铁镍粉末:水雾化铁硅铬粉末=1:1:(2~5);
(3)气雾铁硅铬粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1。
5.根据权利要求1-4任一项所述的耦合电感器,其特征在于,所述的耦合电感器为立方体结构。
6.一种权利要求1-5任一项所述的耦合电感器的制备方法,其特征在于,所述的耦合电感器采用冷热压、T形磁芯热压或复合磁芯热压制备得到。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述的冷热压工艺具体包括:
线圈组与端子组连接后得到点焊品,点焊品植入模腔内,将磁粉填入模腔后依次经冷压和热压处理后得到半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到所述的耦合电感器;
优选地,所述的连接为焊接;
优选地,所述的焊接方式为镭射或热阻焊;
优选地,所述的冷压温度为常温;
优选地,所述的冷压温度为20~30℃;
优选地,所述的冷压压力为1.5~4T/cm2
优选地,所述的热压温度为110~180℃;
优选地,所述的热压压力为2~4T/cm2
优选地,所述的半成品的密度为5~6.5g/cm3
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述的T形磁芯热压工艺具体包括:
线圈组与端子组连接后得到点焊品,磁粉填入T形模腔压制成T形磁芯,将点焊品的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品,组装品转移至热压模腔,向热压模腔中填入磁粉,热压成型得到半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到所述的耦合电感器;
优选地,所述的连接为焊接;
优选地,所述的焊接方式为镭射或热阻焊;
优选地,所述的T形磁芯的压制压力为6~8T/cm2
优选地,所述的热压温度为110~180℃;
优选地,所述的热压压力为2~4T/cm2
优选地,所述的半成品的密度为5~6.5g/cm3
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述的T-U形磁芯热压工艺具体包括:
(1)线圈组与端子组连接后得到点焊品,磁粉填入T形模腔压制成T形磁芯,将点焊品的线圈套入T形磁芯的立柱上得到组装品;
(Ⅱ)组装品转移至热压模腔,向热压模腔中放入预制磁芯,预制磁芯为底面开设圆柱形凹槽的立方体结构,预制磁芯的底部凹槽***T形磁芯的立柱;
(Ⅲ)热压成型后得到半成品,半成品外部裸露的部分端子弯折后贴合至半成品表面,得到所述的耦合电感器;
优选地,步骤(Ⅰ)中,所述的连接为焊接;
优选地,所述的焊接方式为镭射或热阻焊;
优选地,所述的T形磁芯的压制压力为6~8T/cm2
优选地,步骤(Ⅱ)中,所述的热压温度为110~180℃;
优选地,所述的热压压力为2~4T/cm2
优选地,所述的半成品的密度为5~6.5g/cm3
10.根据权利要求7-9任一项所述的制备方法,其特征在于,所述的磁粉包括非晶铁硅硼粉末、铁镍粉末、气雾铁硅铬粉末或水雾铁硅铬粉末中的一种或至少两种的组合;
优选地,所述的磁粉采用如下任意一种组分配方,配方中各组分的比例为质量比:
(1)非晶铁硅硼粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1;
(2)非晶铁硅硼粉末:铁镍粉末:水雾化铁硅铬粉末=1:1:(2~5);
(3)气雾铁硅铬粉末:水雾化铁硅铬粉末=(1~3):1。
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