CN112289899B - Micro LED晶圆结构及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 59
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种Micro LED晶圆结构及其制备方法，制备方法包括步骤：1)提供一单晶衬底，单晶衬底包括相对的第一面及第二面，于单晶衬底的第一面上形成LED结构层；2)基于LED结构层在单晶衬底上制备出多个Micro LED阵列；3)自第二面对单晶衬底进行减薄，然后通过湿法腐蚀工艺在第二面形成透镜阵列；4)于单晶衬底第二面上形成黑色矩阵，在黑色矩阵中形成量子点阵列，量子点阵列、透镜阵列及Micro LED阵列对应设置。本发明采用单晶衬底进行芯片各个层的生长，大大降低了位错密度。本发明形成透镜阵列，对晶圆上各个芯片的出光起到汇聚作用，可有效降低芯片之间的串光，并使出光与量子点的接触效果更好。
Description
技术领域
本发明属于半导体发光器设计及制造领域，特别是涉及一种Micro LED晶圆结构及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的进步，市场对液晶显示器(LCD，即Liquid Crystal Display)的低对比度，低色域，低响应速度等缺点，以及有机发光显示器(OLED，即OrganicLightEmitting Display)的烧屏、颗粒感重、偏色、光舒适度差等缺点越发地不满。MicroLED显示技术作为下一代显示技术，具有高对比度、高色域、高响应速度、超高分辨率、寿命长等优点，其兼有LCD及OLED的优点的同时又没有其缺点。Micro LED还具有可柔性显示及低能耗的优点，被誉为一种终极显示技术。
增强现实(AR)和虚拟现实(VR)技术在近些年得到了快速发展，为了实现更好的浸入感和真实感，需要使用到LED技术，但是随着LED微缩化，LED芯片的外延层位错处容易出现光猝灭情形，对整个LED的发光效果产生重要影响，所以，如何降低衬底的位错密度显得尤为必要。现有技术中一般在蓝宝石衬底下生长缓冲层再生长芯片外延片层，位错密度在108/cm2以上，而本技术方案采取单晶GaN作为衬底进行芯片外延层的生长，大大降低了位错密度，保证了后续各个层的高质量取向生长，不但可以提高芯片外延的晶体质量特性，而且能够实现整个晶圆Micro-Led芯片的整体出光效果。
再者，量子点(QD)具有光致发光稳定性好、半峰宽窄、色域高等特点，用蓝光LED激发QD来实现Micro-LED RGB彩色显示，被认为是快速进入产品化的有效途径。可以通过波长较短的蓝光来激发QD来产生红绿光，从而实现彩色显示，降低了巨量转移制程的难度。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种Micro LED晶圆结构及其制备方法，用于解决现有技术中LED芯片的外延层位错较大的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种Micro LED晶圆结构的制备方法，所述制备方法包括步骤：1)提供一单晶衬底，所述单晶衬底包括相对的第一面及第二面，于所述单晶衬底的第一面上形成LED结构层；2)基于所述LED结构层在所述单晶衬底上制备出Micro LED阵列；3)自所述第二面对所述单晶衬底进行减薄，然后通过湿法腐蚀工艺在所述第二面形成透镜阵列；4)于所述单晶衬底第二面上形成黑色矩阵，在所述黑色矩阵中形成量子点阵列，所述量子点阵列、所述透镜阵列及所述Micro LED阵列对应设置。
可选地，步骤1)中，所述单晶衬底为N型衬底，然后在所述单晶衬底上外延生长发光层、电子阻挡层及P型半导体层，以形成所述LED结构层，其中，各LED结构层通过所述单晶衬底实现共阴连接，所述单晶衬底为共阴通路。
可选地，步骤1)在所述单晶衬底上依次外延生长N型半导体层、发光层、电子阻挡层及P型半导体层，以形成所述LED结构层，其中，各LED结构层通过所述N型半导体层实现共阴连接，所述N型半导体层为共阴通路。
可选地，在所述共阴通路处、Micro LED芯片间，连接有共阴电极；所述共阴电极一方面与驱动电路连接，另一方面降低由共阴通路产生的压降，使各Micro LED工作时的电压一致。
可选地，所述共阴电极为网格状或网点状，其中，网格或网点的数量小于或等于Micro LED芯片的数量。
可选地，步骤3)通过湿法腐蚀工艺在所述第二面形成透镜阵列包括：采用硫酸、硝酸、磷酸及盐酸中的一种或者多种混合物对所述单晶衬底进行湿法腐蚀，腐蚀温度介于155～180℃之间，腐蚀时间介于3～10分钟之间。
本发明还提供一种Micro LED晶圆结构，所述Micro LED晶圆结构包括：单晶衬底，所述单晶衬底包括相对的第一面及第二面，所述单晶衬底的第一面上形成有Micro LED阵列，所述单晶衬底的第二面上形成有透镜阵列；黑色矩阵，形成于所述单晶衬底第二面上，所述黑色矩阵中形成有量子点阵列，所述量子点阵列、所述透镜阵列及所述Micro LED阵列对应设置。
可选地，所述单晶衬底为N型衬底，所述Micro LED阵列包括LED结构层，所述LED结构层包括发光层、电子阻挡层及P型半导体层，其中，各LED结构层通过所述单晶衬底实现共阴连接，所述单晶衬底为共阴通路。
可选地，所述Micro LED阵列包括LED结构层，所述LED结构层包括形成于所述单晶衬底上的N型半导体层、发光层、电子阻挡层及P型半导体层，各LED结构层通过所述N型半导体层实现共阴连接，所述N型半导体层为共阴通路。
可选地，在所述共阴通路处、Micro LED芯片间，连接有共阴电极；所述共阴电极一方面与驱动电路连接，另一方面降低由共阴通路产生的压降，使各Micro LED工作时的电压一致。
可选地，所述共阴电极为网格状或网点状，网格或网点的数量小于或等于MicroLED芯片的数量。
如上所述，本发明的Micro LED晶圆结构及其制备方法，具有以下有益效果：
本发明采用单晶衬底(如单晶GaN衬底)进行芯片各个层的生长，大大降低了位错密度，位错密度可以达到105/cm2以下，保证了后续各个层的高质量取向生长，提高了整个晶圆Micro LED芯片的发光效率和参数一致性。
本发明通过湿法腐蚀单晶衬底形成透镜阵列，对晶圆上各个Micro LED芯片的出光起到汇聚作用，可有效降低Micro LED芯片之间的串光，并使出光与量子点的接触效果更好。
本发明的整个晶圆采用共阴极设计，所有Micro LED芯片共用一N型衬底或N型半导体层作为共阴通路，使得驱动电路更加简单。
本发明的共阴电极一方面与驱动电路连接，另一方面降低由共阴通路产生的压降，使各Micro LED工作时的电压一致。
附图说明
图1～图6显示为本发明实施例1的Micro LED晶圆结构的示意图。
图7～图9显示为本发明实施例2的Micro LED晶圆结构的示意图。
元件标号说明
10 倒装结构
101、201 单晶衬底
1011、2011 单晶衬底中的N型半导体层
102、202 N型半导体层
103、203 发光层
104、204 电子阻挡层
105、205 P型半导体层
106、206 P电极
107、207 P外部电极
108、208 布拉格反射层
109 第二导电层
110 N外部电极
111 透镜阵列
112 透明隔离层
113 黑色矩阵
114 量子点阵列
115 封装层
116 N电极
20 垂直结构
209 第一导电层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例1
如图1～图6所示，本实施例提供一种Micro LED晶圆结构的制备方法，所述制备方法包括步骤：
如图1所示，首先进行步骤1)及步骤2)，提供一单晶衬底101、201，所述单晶衬底101、201包括相对的第一面及第二面，于所述单晶衬底101、201的第一面上形成LED结构层，基于所述LED结构层在所述单晶衬底101、201上制备出多个Micro LED阵列。
所述单晶衬底101、201可以为三族和五族的化合物单晶衬底，在本实施例中，所述单晶衬底101、201选用为GaN单晶衬底。本发明采用单晶衬底101、201(如单晶GaN衬底)进行芯片各个层的生长，大大降低了位错密度，位错密度可以达到105/cm2以下，保证了后续各个层的高质量取向生长，提高了整个晶圆Micro LED芯片的发光效率和参数一致性。
如图3及图5所示，在一个具体实施过程中，于所述单晶衬底101、201的第一面上形成LED结构层包括：在所述单晶衬底101、201上依次外延生长N型半导体层102、202、发光层103、203、电子阻挡层104、204及P型半导体层105、205，以形成所述LED结构层，其中，各LED结构层通过所述N型半导体层102、202形成共阴连接，所述N型半导体层为共阴通路。本发明的整个晶圆采用共阴极设计，所有Micro LED芯片共用一N型半导体层102、202，单晶衬底101、202可以为非掺杂衬底。
如图3所示，例如，所述Micro LED阵列中的Micro LED芯片为倒装结构10，所述LED结构层中形成有显露所述N型半导体层102的台阶，在所述台阶上制作第二导电层109，在所述P型半导体层105上制作P电极106，然后制作布拉格反射层108，接着在所述布拉格反射层108形成通孔，并在所述通孔中分别制作N外部电极110及P外部电极107，通过N外部电极110将所述第二导电层109引出至所述N型半导体层102上方，通过P外部电极107将所述P电极106引出至所述P型半导体层105上方。
如图5所示，例如，所述Micro LED阵列中的Micro LED芯片为垂直结构20，所述LED结构层中形成有显露所述N型半导体层202的台阶，在所述台阶上形成第一导电层209，在所述P型半导体层205上制作P电极206，然后制作布拉格反射层208，接着在所述布拉格反射层208形成通孔，并在所述通孔中制作P外部电极207，所述N型半导体层202则通过所述第一导电层209从侧边连接至外部驱动电路的阴极连接点上。
如图4及图6所示，在另一个具体实施过程中，所述单晶衬底101、201为N型掺杂，于所述单晶衬底101、201的第一面上形成LED结构层包括：在所述单晶衬底101、201外延生长发光层103、203、电子阻挡层104、204及P型半导体层105、205，以形成所述LED结构层，其中，各LED结构层通过所述单晶衬底101、201形成共阴连接，所述单晶衬底为共阴通路。本发明的整个晶圆采用共阴极设计，所有Micro LED芯片共用一N型半导体层，即所述N型单晶衬底101、201，使得整个晶圆的外延结构更加简单。
如图4所示，例如，所述Micro LED阵列中的Micro LED芯片为倒装结构10，所述LED结构层中形成有显露所述N型单晶衬底101的台阶，在所述台阶上制作第二导电层109，在所述P型半导体层105上制作P电极106，然后制作布拉格反射层108，接着在所述布拉格反射层108形成通孔，并在所述通孔中分别制作N外部电极110及P外部电极107，通过N外部电极110将所述第二导电层109引出至所述N型单晶衬底101上方，通过P外部电极107将所述P电极106引出至所述P型半导体层105上方。
如图6所示，例如，所述Micro LED阵列中的Micro LED芯片为垂直结构20，所述LED结构层中形成有显露所述N型单晶衬底201的台阶，在所述台阶上形成第一导电层209，在所述P型半导体层205上制作P电极206，然后制作布拉格反射层208，接着在所述布拉格反射层208形成通孔，并在所述通孔中制作P外部电极207，所述N型单晶衬底201则通过所述第一导电层209从侧边连接至外部驱动电路的阴极连接点上。
如图1所示，接着进行步骤3)，自所述第二面对所述单晶衬底101、201进行减薄，然后通过湿法腐蚀工艺在所述第二面形成透镜阵列111。
例如，可以采用化学机械抛光工艺自所述第二面对所述单晶衬底101、201进行减薄。
具体地，通过湿法腐蚀工艺在所述第二面形成透镜阵列111包括：采用硫酸、硝酸、磷酸及盐酸中的一种或者多种混合物对所述单晶衬底101、201进行湿法腐蚀，腐蚀温度介于155～180℃之间，腐蚀时间介于3～10分钟之间。本发明通过湿法腐蚀单晶衬底101、201形成透镜阵列111，对晶圆上各个Micro LED芯片的出光起到汇聚作用，可有效降低MicroLED芯片之间的串光，并使出光与量子点的接触效果更好。
如图1所示，最后进行步骤4)，于所述单晶衬底101、201第二面上形成黑色矩阵113，在所述黑色矩阵113中形成量子点阵列114，所述量子点阵列114、所述透镜阵列111及所述Micro LED阵列对应设置，接着，在所述黑色矩阵113上形成一封装层115，以保护所述量子点阵列114。
具体地，形成所述黑色矩阵113包括：于所述单晶衬底101、201第二面上形成透明隔离层112，然后在所述透明隔离层112上涂覆黑色光刻材料层，然后采用光刻工艺对所述黑色光刻材料层进行图形化处理，以形成所述黑色矩阵113。接着，采用打印方式在所述黑色矩阵113中形成量子点阵列114，所述量子点阵列114可以包括红色量子点、绿色量子点，蓝色量子点，如图1所示；需要说明的是，如果所述Micro LED芯片为是蓝色芯片，可以不需要蓝色量子点，如图2所示，同时，量子点阵列114的制作方式并不限于打印方式形成。
最后，需要说明的是，本实施例提供的可以是2寸、4寸、6寸或者更大的单晶，形成上述结构后再根据需求规格的AR/VR单元片对晶圆进行切割，便可以一次性生产出大量AR/VR单元片。
如图1～图6所示，本实施例还提供一种Micro LED晶圆结构，所述Micro LED晶圆结构包括：单晶衬底101、201，所述单晶衬底101、201包括相对的第一面及第二面，所述单晶衬底101、201的第一面上形成有Micro LED阵列，所述单晶衬底101、201的第二面上形成有透镜阵列111；黑色矩阵113，形成于所述单晶衬底101、201第二面上，所述黑色矩阵113中形成有量子点阵列114，所述量子点阵列114、所述透镜阵列111及所述Micro LED阵列对应设置。本发明通过湿法腐蚀单晶衬底101、201形成透镜阵列111，对晶圆上各个Micro LED芯片的出光起到汇聚作用，可有效降低Micro LED芯片之间的串光，并使出光与量子点的接触效果更好。
所述单晶衬底101、201可以为三族和五族的化合物单晶衬底，在本实施例中，所述单晶衬底101、201选用为GaN单晶衬底。本发明采用单晶衬底101、201(如单晶GaN衬底)进行芯片各个层的生长，大大降低了位错密度，位错密度可以达到105/cm2以下，保证了后续各个层的高质量取向生长，提高了整个晶圆Micro LED芯片的发光效率和参数一致性。
如图3及图5所示，在一个具体实施过程中，所述Micro LED阵列包括LED结构层，所述LED结构层包括依次层叠于所述单晶衬底101、201上的N型半导体层102、202、发光层103、203、电子阻挡层104、204及P型半导体层105、205，以形成所述LED结构层，其中，各LED结构层通过所述N型半导体层102、202形成共阴极。本发明的整个晶圆采用共阴极设计，所有Micro LED芯片共用一N型半导体层102、202。
如图3所示，例如，所述Micro LED阵列中的Micro LED芯片为倒装结构10，所述LED结构层中形成有显露所述N型半导体层102的台阶，所述台阶上制作有第二导电层109，所述P型半导体层105上制作有P电极106，第二导电层109及P电极106上具有布拉格反射层108，所述布拉格反射层108形成有通孔，所述通孔中分别制作有N外部电极110及P外部电极107，通过N外部电极110将所述第二导电层109引出至所述N型半导体层102上方，通过P外部电极107将所述P电极106引出至所述P型半导体层105上方。
如图5所示，例如，所述Micro LED阵列中的Micro LED芯片为垂直结构20，所述LED结构层中形成有显露所述N型半导体层202的台阶，所述台阶上形成有第一导电层209，所述P型半导体层205上制作有P电极206，第一导电层209及P电极206上具有布拉格反射层208，所述布拉格反射层208形成有通孔，所述通孔中制作P外部电极207，所述N型半导体层202则通过所述第一导电层209从侧边连接至外部驱动电路的阴极连接点上。
如图4及图6所示，在另一个具体实施过程中，所述Micro LED阵列包括LED结构层，所述LED结构层包括：N型掺杂的所述单晶衬底101、201，于所述单晶衬底101、201上外延生长的发光层103、203、电子阻挡层104、204及P型半导体层105、205，以形成所述LED结构层，其中，各LED结构层通过所述单晶衬底101、201形成共阴连接，所述单晶衬底为共阴通路。本发明的整个晶圆采用共阴极设计，所有Micro LED芯片共用一N型半导体层，即所述N型单晶衬底101、201，使得整个晶圆的外延结构更加简单。
如图4所示，例如，所述Micro LED阵列中的Micro LED芯片为倒装结构10，所述LED结构层中形成有显露所述N型单晶衬底101的台阶，所述台阶上制作有第二导电层109，所述P型半导体层105上制作有P电极106，第二导电层109及P电极106上具有布拉格反射层108，所述布拉格反射层108形成有通孔，所述通孔中分别制作有N外部电极110及P外部电极107，通过N外部电极110将所述第二导电层109引出至所述N型单晶衬底101上方，通过P外部电极107将所述P电极106引出至所述P型半导体层105上方。
如图6所示，例如，所述Micro LED阵列中的Micro LED芯片为垂直结构20，所述LED结构层中形成有显露所述N型单晶衬底201的台阶，所述台阶上形成有第一导电层209，所述P型半导体层205上制作有P电极206，第一导电层209及P电极206上具有布拉格反射层208，所述布拉格反射层208形成有通孔，所述通孔中制作有P外部电极207，所述N型单晶衬底201则通过所述导电层209从侧边连接至外部驱动电路的阴极连接点上。
所述量子点阵列114可以包括红色量子点、绿色量子点，蓝色量子点，如图1所示；需要说明的是，如果所述Micro LED芯片为是蓝色芯片，可以不需要蓝色量子点，如图2所示，同时，量子点阵列114的制作方式并不限于打印方式形成。
实施例2
如图7～图9所示，本实施例还提供一种Micro LED晶圆结构及其制备方法，其基本步骤与基本结构与实施例1类似，其中，与实施例1的不同之处在于：所述Micro LED阵列不需要在Micro LED芯片中制备第二导电层109，所述Micro LED阵列的N电极116(共阴电极)形成于所述共阴通路处、Micro LED芯片间，所述共阴电极一方面与驱动电路连接，另一方面降低由共阴通路产生的压降，使各Micro LED芯片工作时的电压一致，基于此，可以大大节省Micro LED芯片的面积，从而大大提高Micro LED芯片单位面积上的发光强度。
作为示例，所述共阴电极可以为网格状或网点状，其中，网格或网点的数量小于或等于Micro LED的数量。
如上所述，本发明的Micro LED晶圆结构及其制备方法，具有以下有益效果：
本发明采用单晶衬底(如单晶GaN衬底)进行芯片各个层的生长，大大降低了位错密度，位错密度可以达到105/cm2以下，保证了后续各个层的高质量取向生长，提高了整个晶圆Micro LED芯片的发光效率和参数一致性。
本发明通过湿法腐蚀单晶衬底形成透镜阵列，对晶圆上各个Micro LED芯片的出光起到汇聚作用，可有效降低Micro LED芯片之间的串光，并使出光与量子点的接触效果更好。
本发明的整个晶圆采用共阴极设计，所有Micro LED芯片共用一N型衬底或N型半导体层作为共阴通路，使得驱动电路更加简单。
本发明的共阴电极一方面与驱动电路连接，另一方面降低由共阴通路产生的压降，使各Micro LED工作时的电压一致。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种Micro LED晶圆结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
1)提供一单晶衬底，所述单晶衬底包括相对的第一面及第二面，于所述单晶衬底的第一面上形成LED结构层，其中所述单晶衬底为N型掺杂，形成所述LED结构层的步骤包括在所述单晶衬底上外延生长发光层、电子阻挡层及P型半导体层；
2)基于所述LED结构层在所述单晶衬底上制备出Micro LED阵列，各LED结构层通过所述单晶衬底实现共阴极连接，所述单晶衬底为共阴通路；
3)自所述第二面对所述单晶衬底进行减薄，然后通过湿法腐蚀工艺在所述第二面形成透镜阵列；
4)于所述单晶衬底第二面上形成黑色矩阵，在所述黑色矩阵中形成量子点阵列，所述量子点阵列、所述透镜阵列及所述Micro LED阵列对应设置，
其中在所述共阴通路处、Micro LED芯片间，连接有共阴电极；所述共阴电极一方面与驱动电路连接，另一方面降低由共阴通路产生的压降，使各Micro LED芯片工作时的电压一致。
2.一种Micro LED晶圆结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
1)提供一单晶衬底，所述单晶衬底包括相对的第一面及第二面，于所述单晶衬底的第一面上形成LED结构层，其中形成所述LED结构层的步骤包括在所述单晶衬底上依次外延生长N型半导体层、发光层、电子阻挡层及P型半导体层；
2)基于所述LED结构层在所述单晶衬底上制备出Micro LED阵列，各LED结构层通过所述N型半导体层实现共阴连接，所述N型半导体层为共阴通路；
3)自所述第二面对所述单晶衬底进行减薄，然后通过湿法腐蚀工艺在所述第二面形成透镜阵列；
4)于所述单晶衬底第二面上形成黑色矩阵，在所述黑色矩阵中形成量子点阵列，所述量子点阵列、所述透镜阵列及所述Micro LED阵列对应设置，
其中在所述共阴通路处、Micro LED芯片间，连接有共阴电极；所述共阴电极一方面与驱动电路连接，另一方面降低由共阴通路产生的压降，使各Micro LED芯片工作时的电压一致。
3.根据权利要求1或2所述的Micro LED晶圆结构的制备方法，其特征在于：所述共阴电极为网格状或网点状，其中，网格或网点的数量小于或等于Micro LED芯片的数量。
4.根据权利要求1或2所述的Micro LED晶圆结构的制备方法，其特征在于：步骤3)通过湿法腐蚀工艺在所述第二面形成透镜阵列包括：采用硫酸、硝酸、磷酸及盐酸中的一种或者多种混合物对所述单晶衬底进行湿法腐蚀，腐蚀温度介于155～180℃之间，腐蚀时间介于3～10分钟之间。
5.一种Micro LED晶圆结构，其特征在于，所述Micro LED晶圆结构包括：
单晶衬底，所述单晶衬底包括相对的第一面及第二面，所述单晶衬底的第一面上形成有Micro LED阵列，所述单晶衬底的第二面上形成有透镜阵列；
黑色矩阵，形成于所述单晶衬底第二面上，所述黑色矩阵中形成有量子点阵列，所述量子点阵列、所述透镜阵列及所述Micro LED阵列对应设置，
其中，所述单晶衬底为N型衬底，所述Micro LED阵列包括LED结构层，所述LED结构层包括发光层、电子阻挡层及P型半导体层，其中，各LED结构层通过所述单晶衬底实现共阴连接，所述单晶衬底为共阴通路，在所述共阴通路处、Micro LED芯片间，连接有共阴电极，所述共阴电极一方面与驱动电路连接，另一方面降低由共阴通路产生的压降，使各Micro LED芯片工作时的电压一致。
6.一种Micro LED晶圆结构，其特征在于，所述Micro LED晶圆结构包括：
单晶衬底，所述单晶衬底包括相对的第一面及第二面，所述单晶衬底的第一面上形成有Micro LED阵列，所述单晶衬底的第二面上形成有透镜阵列；
黑色矩阵，形成于所述单晶衬底第二面上，所述黑色矩阵中形成有量子点阵列，所述量子点阵列、所述透镜阵列及所述Micro LED阵列对应设置，
其中，所述Micro LED阵列包括LED结构层，所述LED结构层包括形成于所述单晶衬底上的N型半导体层、发光层、电子阻挡层及P型半导体层，各LED结构层通过所述N型半导体层实现共阴连接，所述N型半导体层为共阴通路，在所述共阴通路处、Micro LED芯片间，连接有共阴电极，所述共阴电极一方面与驱动电路连接，另一方面降低由共阴通路产生的压降，使各Micro LED芯片工作时的电压一致。
7.根据权利要求5或6所述的Micro LED晶圆结构，其特征在于：所述共阴电极为网格状或网点状，其中，网格或网点的数量小于或等于Micro LED的数量。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011050157.7A CN112289899B (zh) | 2020-09-29 | 2020-09-29 | Micro LED晶圆结构及其制备方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN112289899A CN112289899A (zh) | 2021-01-29 |
| CN112289899B true CN112289899B (zh) | 2022-04-26 |
Family
ID=74422970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011050157.7A Active CN112289899B (zh) | 2020-09-29 | 2020-09-29 | Micro LED晶圆结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112289899B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114937731B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-04-07 | 福建兆元光电有限公司 | 一种Micro LED光投射芯片及其制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107086260A (zh) * | 2016-08-17 | 2017-08-22 | 中山大学 | 一种倒装led芯片结构及其制作方法 |
| CN110911537A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 东莞市中晶半导体科技有限公司 | 共阴极led芯片及其制作方法 |
| CN111129062A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-08 | 东莞市中晶半导体科技有限公司 | Led显示模组、led显示屏及制作方法 |
| CN111710770A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
-
2020
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Patent Citations (4)
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| CN107086260A (zh) * | 2016-08-17 | 2017-08-22 | 中山大学 | 一种倒装led芯片结构及其制作方法 |
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| CN111710770A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112289899A (zh) | 2021-01-29 |
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