CN112287506B - 功率金属氧化物半导体晶体管的模拟模型 - Google Patents

Abstract

一种功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，用以对功率金属氧化物半导体场效晶体管的多个参数进行测量，以分别产生对应的多个模拟结果，功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型包括第一压控电压源、第一查表电流源、晶体管子电路及崩溃电压模块。其中，第一压控电压源响应于温度变化，以第一子电路模拟栅极节点上的栅极电荷行为。第一查表电流源用以依据第二子电路的查表电流值，模拟栅极漏极间电容所产生的等效电流值。晶体管子电路用于模拟导电电压于小电流区间及大电流区间中的行为。崩溃电压模块依据第一子电路的电压值，模拟漏极节点及源极节点之间的崩溃电压效应。

Description

功率金属氧化物半导体晶体管的模拟模型

技术领域

本发明涉及一种功率金属氧化物半导体(MOS)晶体管的模拟模型，特别是涉及一种可在模拟时降低运算负荷的功率金属氧化物半导体(MOS)晶体管的模拟模型。

背景技术

晶体管是计算机、电视、蜂巢式电话及诸多其他电子产品中的电组件。设计者通常使用模拟器程序来模拟晶体管的一示意性版本以观察其电路行为。

对于复杂的电子电路的设计，典型地执行模拟用于验证电子电路的功能性并且用于优化它的性能。通过对目标电子组件进行模拟，以期望能够准确建立在电路中使用的电子组件的模型。特别地，随着产品日新月异，若要针对电子组件的每项参数特性进行测量，将会耗费大量人力资源及时间。因此，期望能够以省时、省力的情况下直接使用功率晶体管的准确模型来进行模拟，以减少开发时间。

在现有的电路模拟软件中，已经提供了可广泛对功率晶体管进行模拟的诸多现有的晶体管模拟模型。然而，在某些情况下，使用这些现有的晶体管模拟模型可能导致对某些晶体管电路行为的不准确预测。此外，现有的晶体管模拟模型经常使用了大量的组件，因此可能会对运算***造成大量负担。

因此，急需一种能降低使用组件数量，并减少运算***的模拟负荷，同时具有一定准确性的功率晶体管的模拟模型。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种功率金属氧化物半导体(MOS)场效晶体管的模拟模型。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种一种功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，用以对一功率金属氧化物半导体场效晶体管的多个参数进行测量，以分别产生对应的多个模拟结果，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型包括：一栅极节点、一源极节点及一漏极节点；一栅极电阻，连接于所述栅极节点及一第一节点之间；一第一压控电压源，连接于所述栅极电阻及一第一节点之间，经配置以响应于温度变化，以一第一子电路模拟所述栅极节点上的一栅极电荷行为；一源极电阻，连接于所述源极节点及一第二节点之间；一栅极源极间电容及一栅极源极间电阻，连接于所述第一节点及所述第二节点之间；一漏极电阻，连接于所述漏极节点及一第三节点之间；一第一查表电流源，连接于所述漏极节点及所述第一节点之间，所述第一查表电流源用以依据一第二子电路的一查表电流值，模拟一栅极漏极间电容所产生的一等效电流值；一晶体管子电路，包括：一第一晶体管，连接于所述第一节点、所述第二节点及所述第三节点；及一第二晶体管，连接于所述第一节点、所述第二节点及所述第三节点，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管用于模拟一导电电压于一小电流区间及一大电流区间中的行为；以及一崩溃电压模块，连接于所述源极节点与所述源极电阻之间的一第四节点以及所述漏极节点与所述漏极电阻之间的一第五节点之间，所述崩溃电压模块经配置以依据所述第一子电路的一电压值，模拟所述漏极节点及所述源极节点之间的崩溃电压效应。

优选地，所述第一子电路包括：一电流源，连接于一第六节点及一第七节点之间；一崩溃电阻，连接于所述第七节点及一第八节点之间；一温度效应电阻，连接于所述第六节点及所述第八节点之间；以及一第一直流电源，连接于所述第六节点及所述温度效应电阻之间。

优选地，所述第六节点连接于所述第二节点。

优选地，所述第一压控电压源的电压依据所述第六节点及所述第八节点的电压产生。

优选地，所述崩溃电压模块包括：一崩溃二极管，连接于所述第五节点；以及一第二压控电压源，连接于所述崩溃二极管及所述第四节点之间。

优选地，所述第二压控电压源的电压依据所述第七节点及所述第八节点的电压产生。

优选地，所述第二子电路包括：一第二直流电源，连接于一接地端及一第九节点之间；一电容，连接于所述第九节点及一第十节点之间；一第三压控电压源，连接于所述第十节点及所述接地端之间，其中所述第三压控电压源的电压是依据所述第一节点及所述第五节点的电压产生；以及一查表器，经配置以依据所述第十节点的电压值查询一电压电流对照表，以产生所述查表电流值，其中所述第一查表电流源依据所述查表电流值，模拟所述等效电流值。

优选地，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型还包括一栅极电感电路，所述栅极电感电路连接于所述栅极节点及所述栅极电阻之间，所述栅极电感电路包括并联的一栅极电感及一栅极电感电阻。

优选地，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型还包括一源极电感电路，连接于所述源极节点及所述源极电阻之间，所述源极电感电路包括并联的一源极电感及一源极电感电阻。

优选地，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型还包括一漏极电感电路，连接于所述漏极节点及所述漏极电阻之间，所述漏极电感电路包括并联的一漏极电感及一漏极电感电阻。

优选地，所述些参数包括导电电压、导通电阻、含逆向回复电荷的本体二极管、栅极电荷、输入电容、输出电容及反馈电容的至少其中之一。

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的功率金属氧化物半导体(MOS)晶体管的模拟模型，使用了较少的组件，因此可降低模拟时运算***的负荷。

此外，使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，具备一定程度的准确度，并且由于参数独立性高，因此能够依据使用者需求个别调整多项参数。此外，第一子电路的设计能够响应于温度变化，以提供具备高温、低温电性特性的变化功能，更无需使用高阶的金属氧化物半导体场效晶体管的参数模型。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明实施例的功率金属氧化物半导体(MOS)晶体管的模拟方法的流程图。

图2为本发明实施例的功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型的架构图。

图3A及图3B分别为使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型进行模拟时，产生的在不同温度下的转移特性曲线图以及实际测量的转移特性曲线图。

图4A及图4B分别为使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型进行模拟时，产生的栅极电荷特性的曲线图以及实际测量的栅极电荷特性的曲线图。

图5A及图5B，分别为使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型进行模拟时，产生的漏极源极导通电阻对接面温度作图的曲线图以及实际测量的漏极源极导通电阻对接面温度作图的曲线图。

图6A及图6B分别为使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型进行模拟时，产生的输出功率电容(Coss)及反馈电容(Crss)的电容值对漏极源极电压作图的曲线图，以及实际测量的输入功率电容(Ciss)、输出功率电容(Coss)及反馈电容(Crss)的电容值对漏极源极电压作图的曲线图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“功率金属氧化物半导体晶体管的模拟方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。

应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

图1为使用本发明实施例的功率金属氧化物半导体(MOS)晶体管的模型进行模拟的流程图。

参阅图1所示，使用本发明实施例的功率金属氧化物半导体(MOS)晶体管的模型进行模拟时，至少包括下列几个步骤：

步骤S1：使用功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型来模拟功率金属氧化物半导体场效晶体管。

步骤S2：分别将多个参数输入功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型。

步骤S3：产生对应的多个模拟结果。

其中，在步骤S1中所创建的功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型可包含图2的模拟模型1，且可用于诸如一SPICE模拟或其他模拟程序的一模拟中。

在创建功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型时，可包含提供用以指示例如晶体管模拟模型的各个节点间的连接的信息。

举例而言，可提供用以指示二极管模拟模型的阳极及阴极、晶体管模拟模型的基极、集极及射极与模拟模型的各个节点间的连接信息，还可提供用以指示模拟模型的节点对应于功率晶体管的基极、集极及射极的信息。

此外，本发明的功率金属氧化物半导体(MOS)晶体管的模拟模型的信息，可包含符合SPICE模拟格式的信息。例如可向计算机***提供用以创建模拟模型的信息，计算机***可接收功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型的信息，并使用所述信息来模拟一功率晶体管。

进一步参照图2，为本发明实施例功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型的架构图。

参阅图2所示，本发明提供了功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型1，包括栅极节点G、源极节点S、漏极节点D、栅极电阻Rg、第一压控电压源Es1、源极电阻Rs、漏极电阻Rd、第一查表电流源G11、晶体管子电路10及崩溃电压模块12。

栅极电阻Rg连接于栅极节点G及第一节点N1之间，第一压控电压源Es1连接于栅极电阻Rg及第一节点N1之间。此处，第一压控电压源Es1用于响应于温度变化，以第一子网14模拟栅极节点G上的栅极电荷行为。

详细而言，功率金属氧化物半导体场效晶体管的切换速率主要是靠栅极的充放电而动作的，栅极输入的电荷量(Qg)愈小，则切换速度愈快。所有的功率金属氧化物半导体场效晶体管在切换的过程中都会损失能量，这些损失的能量会转变成热能的形式并使得效能降低。切换时所损失的能量跟切换的时间有很直接的关系，而切换时间又跟结构中的电容值的大小有关，特别是会影响到存在于栅极与漏极之间电荷量(Qgd)的大小。也因此，栅极电荷是决定金属氧化物半导体场效晶体管的切换速率的一个重要特性。

源极电阻Rs连接于源极节点S及第二节点N2之间。另一方面，崩溃电压模块12连接于源极节点S与源极电阻Rs之间的第四节点N4以及漏极节点D与漏极电阻Rd之间的第五节点N5之间，经配置以依据第一子电路14的一电压值，模拟漏极节点D及源极节点S之间的崩溃电压效应。崩溃电压模块12可包括崩溃二极管Dbr及第二压控电压源Esb。崩溃二极管Dbr连接于第五节点N5，而第二压控电压源Esb，连接于崩溃二极管Dbr及第四节点N4之间。体二极管Dbo则连接于第四节点N4及第五节点N5之间。

此处，漏极节点D及源极节点S之间的崩溃电压为功率金属氧化物半导体场效晶体管的漏极及源极之间所能承受的最大电压值，并且主要受制于内含的逆向二级体，例如崩溃二极管Dbr的耐压。

具体而言，第一子网14包括电流源It、崩溃电阻Rbr、温度效应电阻Rvt及第一直流电源Vt，电流源It连接于第六节点N6及第七节点N7之间，崩溃电阻Rbr连接于第七节点N7及第八节点N8之间，温度效应电阻Rvt连接于第六节点N6及第八节点N8之间，而第一直流电源Vt，连接于第六节点及温度效应电阻Rvt之间。

在本实施例中，第六节点N6连接于第二节点N2，第二压控电压源Esb的电压是依据第七节点N7及第八节点N8的电压产生。此处，需要说明的是，第七节点N7及第八节点N8的电压将会受到电流源It、崩溃电阻Rbr、温度效应电阻Rvt及第一直流电源Vt的影响，其中，温度效应电阻Rvt及第一直流电源Vt是用于等效崩溃二极管Dbr随温度变化的效应，而存在于栅极与漏极之间电荷量(Qgd)的大小亦会受到温度变化的影响，因此第一压控电压源Es1的电压可依据第六节点N6及第八节点N8的电压产生。

另一方面，第一查表电流源G11连接于漏极节点D及第一节点N1之间，经配置以依据第二子网16的查表电流值，以模拟栅极漏极间电容产生的等效电流值。

当组件密度提高时，因为栅极-漏极间电荷，或反馈电容(Reverse Transfercapacitance，简称Crss，此亦为栅极-漏极间电容Cgd)也会变大，使栅极节点G的充放电速度变慢而影响组件的效能。要增加组件的电流密度且维持组件高频率的特性，此Cgd值将会是一个重要参数。

为了模拟此参数，第二子网16包括第二直流电源V11、电容C11、第三压控电压源E11及查表器Table。第二直流电源V11，连接于接地端及第九节点N9之间，电容C11连接于第九节点N9及第十节点N10之间，第三压控电压源E11连接于第十节点N10及接地端之间。其中，第三压控电压源E11的电压依据第一节点N1及第五节点N5的电压产生。

查表器Table，经配置以依据第十节点N10的电压值查询电压电流对照表，以产生查表电流值，作为第一查表电流源G11产生的等效电流值。

此外，对于功率金属氧化物半导体场效晶体管而言，在晶体管的导电电压部分，会因为晶体管产生的电流大小而有所不同。为了模拟导电电压于小电流区间及大电流区间中的行为，设置了晶体管子电路10，连接于第一节点N1、第二节点N2及第三节点N3，晶体管子电路10包括第一晶体管Ms及第二晶体管Mw。第一晶体管Ms的栅极连接于第一节点，源极连接于第二节点N2，漏极连接于第三节点N3，适用于模拟导电电压于大电流区间中的行为。另一方面，第二晶体管Mw的栅极连接于第一节点N1，源极连接于第二节点N2，漏极连接于第三节点N3，适用于模拟导电电压于小电流区间中的行为。

此外，功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型1还包括栅极电感电路100，连接于栅极节点G与栅极电阻Rg之间，栅极电感电路100包括并联的栅极电感Lg与栅极电感电阻RLg。类似的，功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型1还包括源极电感电路102，连接于源极节点S及所述源极电阻Rs之间，源极电感电路102包括并联的源极电感Ls及源极电感电阻RLs。类似的，功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型1还包括漏极电感电路104，连接于漏极节点D及漏极电阻Rd之间，漏极电感电路104包括并联的漏极电感Ld及漏极电感电阻RLd。

此外，功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型1还包括栅极源极间电容Cgs与栅极源极间电阻Rgs。栅极源极间电容Cgs与栅极源极间电阻Rgs连接于第一节点N1及第二节点N2之间。漏极电阻Rd连接于漏极节点D及第三节点N3之间。

于此，功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型1已创建完毕，可用于产生多个模拟结果，诸如导电电压、导通电阻、含逆向回复电荷的本体二极管、栅极电荷、输入电容、输出电容及反馈电容等电性特性参数。

在上述实施例中所提供的功率金属氧化物半导体(MOS)晶体管的模拟方法，由于在功率金属氧化物半导体晶体管的模型中使用了较少的组件，因此可降低模拟时运算***的负荷。

此外，使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，具备一定程度的准确度，并且由于参数独立性高，因此能够依据使用者需求个别调整多项参数。此外，第一子电路的设计能够响应于温度变化，以提供具备高温、低温电性特性的变化功能，以及第二子电路能够用于模拟反馈电容的效应，无需使用高阶的金属氧化物半导体场效晶体管的参数模型即可获得诸如导电电压、导通电阻、含逆向回复电荷的本体二极管、栅极电荷、输入电容、输出电容及反馈电容等电性特性参数。

以下将进一步呈现本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟方法所产生的各种特性曲线，并与实际测量曲线进行对照，以显示本发明具有一定的准确度。

请参考图3A及图3B，分别为使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型进行模拟时，产生的在不同温度下的转移特性曲线图以及实际测量的转移特性曲线图。如图所示，可知本发明在温度分别为125℃、25℃及-20℃下，模拟产生的漏极源极间电流Ids对栅极源极间电压Vgs，亦即，转移特性曲线，与实际测量的转移特性曲线图相比，工作于线性区的趋势为相同的。

请参考图4A及图4B，分别为使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型进行模拟时，产生的栅极电荷特性的曲线图以及实际测量的栅极电荷特性的曲线图。如图所示，模拟获得的栅极电荷特性，栅极源极间电压Vgs在栅极源极间电荷量Qgs为1.8nC区间的趋势，以及在栅极漏极间电荷量Qgd为5.7nC区间的趋势，与实际测量的栅极电荷特性在栅极源极间电荷量Qgs为2nC区间的趋势，以及在栅极漏极间电荷量Qgd为5.5nC区间的趋势接近。

请参考图5A及图5B，分别为使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型进行模拟时，产生的漏极源极导通电阻对接面温度作图的曲线图以及实际测量的漏极源极导通电阻对接面温度作图的曲线图。如图所示，在接面温度-50℃至150℃的区间中，归一化的漏极-源极导通电阻对接面温度作图的曲线趋势亦是相同的，且分别在接面温度-50℃及150℃时，产生的归一化的漏极-源极导通电阻亦是相同的。

请参考图6A及图6B，分别为使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型进行模拟时，产生的输出功率电容(Coss)及反馈电容(Crss)的电容值对漏极源极电压作图的曲线图，以及实际测量的输入功率电容(Ciss)、输出功率电容(Coss)及反馈电容(Crss)的电容值对漏极源极电压(Vds)作图的曲线图。其中，输入功率电容(Ciss)代表栅极源极间电容加上栅极漏极间电容(Cgs+Cgd)，输出功率电容(Coss)代表漏极源极间电容加上栅极漏极间电容(Cds+Cgd)，而反馈电容(Crss)代表栅极漏极间电容(Cgd)。如图所示，在本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管模拟模型中，输入功率电容(Ciss)是通过查询对应组件的特性表所设定，为定值，而对于输出功率电容(Coss)及反馈电容(Crss)的电容值而言，对漏极源极电压的变化趋势与实际测量的输出功率电容(Coss)及反馈电容(Crss)的电容值对漏极源极电压的变化趋势是相同的，且于漏极源极电压为0时，对应的输出功率电容(Coss)及反馈电容(Crss)的电容值分别为630pF及378pF，此亦与实际测量值相符。

基于上述结果，可见本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型参数独立性高，因此能够依据使用者需求个别调整多项参数，并且模拟结果亦具备一定程度的准确度。

实施例的有益效果

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的功率金属氧化物半导体(MOS)晶体管的模拟方法，使用了较少的组件，因此可降低模拟时运算***的负荷。

此外，使用本发明的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，具备一定程度的准确度，并且由于参数独立性高，因此能够依据使用者需求个别调整多项参数。此外，第一子电路的设计能够响应于温度变化，以提供具备高温、低温电性特性的变化功能，更无需使用高阶的金属氧化物半导体场效晶体管的参数模型。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，用以对一功率金属氧化物半导体场效晶体管的多个参数进行测量，以分别产生对应的多个模拟结果，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型包括：

一栅极节点、一源极节点及一漏极节点；

一栅极电阻，连接于所述栅极节点及一第一节点之间；

一第一压控电压源，连接于所述栅极电阻及一第一节点之间，经配置以响应于温度变化，以一第一子电路模拟所述栅极节点上的一栅极电荷行为；

一源极电阻，连接于所述源极节点及一第二节点之间；

一栅极源极间电容及一栅极源极间电阻，连接于所述第一节点及所述第二节点之间；

一漏极电阻，连接于所述漏极节点及一第三节点之间；

一第一查表电流源，连接于所述漏极节点及所述第一节点之间，所述第一查表电流源用以依据一第二子电路的一查表电流值，模拟一栅极漏极间电容所产生的一等效电流值；

一晶体管子电路，包括：

一第一晶体管，连接于所述第一节点、所述第二节点及所述第三节点；及

一第二晶体管，连接于所述第一节点、所述第二节点及所述第三节点，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管用于模拟一导电电压于一小电流区间及一大电流区间中的行为；以及

一崩溃电压模块，连接于所述源极节点与所述源极电阻之间的一第四节点以及所述漏极节点与所述漏极电阻之间的一第五节点之间，所述崩溃电压模块经配置以依据所述第一子电路的一电压值，模拟所述漏极节点及所述源极节点之间的崩溃电压效应；

其中，所述第一子电路包括：

一电流源，连接于一第六节点及一第七节点之间；

一崩溃电阻，连接于所述第七节点及一第八节点之间；

一温度效应电阻，连接于所述第六节点及所述第八节点之间；以及

一第一直流电源，连接于所述第六节点及所述温度效应电阻之间。

2.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述第六节点连接于所述第二节点。

3.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述第一压控电压源的电压依据所述第六节点及所述第八节点的电压产生。

4.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述崩溃电压模块包括：

一崩溃二极管，连接于所述第五节点；以及

一第二压控电压源，连接于所述崩溃二极管及所述第四节点之间。

5.根据权利要求4所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述第二压控电压源的电压依据所述第七节点及所述第八节点的电压产生。

6.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述第二子电路包括：

一第二直流电源，连接于一接地端及一第九节点之间；

一电容，连接于所述第九节点及一第十节点之间；

一第三压控电压源，连接于所述第十节点及所述接地端之间，其中所述第三压控电压源的电压是依据所述第一节点及所述第五节点的电压产生；以及

一查表器，经配置以依据所述第十节点的电压值查询一电压电流对照表，以产生所述查表电流值，其中所述第一查表电流源依据所述查表电流值，模拟所述等效电流值。

7.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型还包括一栅极电感电路，所述栅极电感电路连接于所述栅极节点及所述栅极电阻之间，所述栅极电感电路包括并联的一栅极电感及一栅极电感电阻。

8.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型还包括一源极电感电路，连接于所述源极节点及所述源极电阻之间，所述源极电感电路包括并联的一源极电感及一源极电感电阻。

9.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型还包括一漏极电感电路，连接于所述漏极节点及所述漏极电阻之间，所述漏极电感电路包括并联的一漏极电感及一漏极电感电阻。

10.根据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，其特征在于，所述参数包括导电电压、导通电阻、含逆向回复电荷的本体二极管、栅极电荷、输入电容、输出电容及反馈电容的至少其中之一。