CN112259617A - 一种850nm波段高响应度探测器 - Google Patents
一种850nm波段高响应度探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112259617A CN112259617A CN202011262620.4A CN202011262620A CN112259617A CN 112259617 A CN112259617 A CN 112259617A CN 202011262620 A CN202011262620 A CN 202011262620A CN 112259617 A CN112259617 A CN 112259617A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type
- thickness
- detector
- algaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体光电子器件技术领域,尤其涉及一种850nm波段高响应度探测器,其不同之处在于:其包括位于探测器最底端的n型衬底,所述n型衬底上由下至上依次包括氧化铝层、n型接触层、n型DBR层、下限制层、吸收层、上限制层、p型接触层和增透膜层,还包括n型电极层和p型电极层,所述n型电极层位于所述n型接触层上且位于所述n型DBR层的一侧,所述p型电极层位于p型接触层上且位于所述增透膜层的一侧。本发明提高响应速率,有助于抗辐照低暗电流高响应度探测器的实现。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电子器件技术领域,尤其涉及一种850nm波段高响应度探测器。
背景技术
半导体光电探测器由于体积小、灵敏度商、响应速度快、易于集成,是最理想的光电探测器,典型的包括PIN光电二极管、雪崩二极管以及硅光电倍增管。在光纤通信,传感***、高能物理、核医学等领域广泛应用。
PIN光电二极管是一个在pn二极管之间加入一个轻掺杂的本征区的探测器。跨越两端的内部电场随着离二极管表面距离的变化而变化。PIN光电二极管在本征区中的电场很强,当一个光子在这一区域被吸收时,光子能量转换给新的载流子(电子和空穴对),这些新产生的载流子根据自身极性,在电场作用下,向不同方向漂移(电子朝向n区、空穴朝向P区)。如果外部电路再进行相连,此时就有光电流产生。由于PIN光电二极管有很宽的本征区域,因此有了一个较长的光波吸收区域和较快的时间响应。它有很多应用,如衰减器、射频交换机和光纤***中的探测器。其噪声主要是暗电流和光的离散光子产生的散粒噪声。PIN光电二极管具有很好的光电特性,结构简单,易于生产加工,具有较小的暗电流。PIN光电二极管长期工作稳定,而且只需加载较低的偏置电压。
通常的850nm波段的光探测器一般用硅探测器,但是硅探测器响应率不高。而常规光源材料都是III-V族材料系,二者难于单片集成,限制了大规模光电子集成的高集成度发展。硅材料的抗辐照能力也不如GaAs材料。5G的发展促进了GaAs基高速大功率电子器件的发展,加大了GaAs材料在未来光电子集成的应用领域。对于空间光通信以及激光电池等应用而言,GaAs基探测器非常适合,但GaAs半绝缘衬底的缺陷密度很高,达到10000个/cm2,比N型衬底至少高一个数量级,所以利用GaAs半绝缘衬底会导致探测器缺陷多,更不适合做探测器阵列,存在暗电流过大、响应不均匀、成品率低等一系列问题。而直接利用N型衬底,虽然缺陷低,但是其导电性有严重寄生效应,影响探测速度。
鉴于此,为克服上述技术缺陷,提供一种850nm波段高响应度探测器成为本领域亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种850nm波段高响应度探测器,提高响应速率,有助于抗辐照低暗电流高响应度探测器的实现。
为解决以上技术问题,本发明的技术方案为:一种850nm波段高响应度探测器,其不同之处在于:其包括位于探测器最底端的n型衬底,所述n型衬底上由下至上依次包括氧化铝层、n型接触层、n型DBR层、下限制层、吸收层、上限制层、p型接触层和增透膜层,还包括n型电极层和p型电极层,所述n型电极层位于所述n型接触层上且位于所述n型DBR层的一侧,所述p型电极层位于p型接触层上且位于所述增透膜层的一侧。
按以上技术方案,所述n型衬底为超低缺陷密度的GaAs材料,厚度为80-150μm。
按以上技术方案,所述氧化铝层中Al含量大于98%,厚度为10-40nm。
按以上技术方案,所述n型接触层的n型掺杂浓度大于1x 1018/cm3,厚度为30-100nm。
按以上技术方案,所述n型DBR层为若干个高/低铝组份AlGaAs薄膜对,每个薄膜对分别由850/4nm光学厚度高铝AlGaAs和850/4nm光学厚度低铝AlGaAs构成,n型掺杂浓度为5x 1017/cm3至1x 1018/cm3。
按以上技术方案,所述高铝AlGaAs为Al0.7GaAs,低铝AlGaAs为Al0.1GaAs,所述薄膜对的总对数为10-20对。
按以上技术方案,所述下限制层为i型AlGaAs材料,Al组份为0.2-0.5,厚度为100-300nm;所述吸收层为i型GaAs材料,厚度大于1μm;所述上限制层为i型AlGaAs材料,Al组份为0.2-0.5,厚度为100-300nm。
按以上技术方案,所述p型接触层为p型渐变掺杂材料,总厚度为110nm;下部为AlGaAs渐变层,由AlGaAs材料由下至上渐变降低Al组份直至上部的GaAs接触面,最高Al组份含量为0.3,渐变降低至0.2,厚度为100nm,p型掺杂浓度由2x 1017/cm3至1x 1018/cm3;GaAs接触面的厚度为10nm,P型掺杂浓度为1x 1019/cm3。
按以上技术方案,所述增透膜层为双层混合结构,包括下部的氧化钛层及上部的氧化硅层,二者光学厚度和为850nm的四分之一。
按以上技术方案,所述n型电极层为AuGeNi/Au材料,总厚度为300-500nm;所述p型电极层为TiAu双金属层,总厚度为400-500nm。
由上述方案,本发明公开了一种850nm波段高响应度探测器,本发明通过新设计来降低850nm波段GaAs基光探测器衬底的寄生电容,通过在N型衬底上引入氧化铝层,利用湿氧工艺,制造一层绝缘层,配合其他各层的结构,可实现降低寄生电容,提高响应速率的效果。适用于中短距离高速光通信,有助于抗辐照低暗电流高响应度探测器的实现,本发明可应用于光通信、抗辐照探测、太空传能、光子集成及激光电池领域。
附图说明
图1为本发明实施例激光器的整体结构示意图;
图2为本发明实施例的外延材料结构图;
其中:10-n型衬底,20-氧化铝层,30-n型接触层,40-n型电极层,50-n型DBR层,60-下限制层,70-吸收层,80-上限制层,90-p型接触层,100-p型电极层,110-增透膜层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
在下文中,将参考附图来更好地理解本发明的许多方面。附图中的部件未必按照比例绘制。替代地,重点在于清楚地说明本发明的部件。此外,在附图中的若干视图中,相同的附图标记指示相对应零件。
如本文所用的词语“示例性”或“说明性”表示用作示例、例子或说明。在本文中描述为“示例性”或“说明性”的任何实施方式未必理解为相对于其它实施方式是优选的或有利的。下文所描述的所有实施方式是示例性实施方式,提供这些示例性实施方式是为了使得本领域技术人员做出和使用本公开的实施例并且预期并不限制本公开的范围,本公开的范围由权利要求限定。在其它实施方式中,详细地描述了熟知的特征和方法以便不混淆本发明。出于本文描述的目的,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”和其衍生词将与如图1定向的发明有关。而且,并无意图受到前文的技术领域、背景技术、发明内容或下文的详细描述中给出的任何明示或暗示的理论限制。还应了解在附图中示出和在下文的说明书中描述的具体装置和过程是在所附权利要求中限定的发明构思的简单示例性实施例。因此,与本文所公开的实施例相关的具体尺寸和其他物理特征不应被理解为限制性的,除非权利要求书另作明确地陈述。
请参考图1和图2,本发明一种850nm波段高响应度探测器,其不同之处在于:其包括位于探测器最底端的n型衬底10,所述n型衬底10上由下至上依次包括氧化铝层20、n型接触层30、n型DBR层50、下限制层60、吸收层70、上限制层80、p型接触层90和增透膜层110,还包括n型电极层40和p型电极层100,所述n型电极层40位于所述n型接触层30上且位于所述n型DBR层50的一侧,所述p型电极层100位于p型接触层90上且位于所述增透膜层110的一侧。n型接触层30上左端为n型电极层40,右端为n型DBR层50。p型接触层90上左端为p型电极层100,右端为增透膜层110。
具体的,所述n型衬底10为一种超低缺陷密度的GaAs材料,厚度为80-150μm。n型材料GaAs较p型和半绝缘GaAs缺陷密度可降低1个数量级以上。
具体的,所述氧化铝层20中Al含量大于98%,厚度为10-40nm。该层材料不是在n型衬底10上直接生长出来的,而是在器件工艺阶段利用在n型衬底10上生长AlAs或AlGaAs高含铝材料,通过侧面湿氧工艺而形成的,其中III族元素中Al含量大于98%。
具体的,所述n型接触层30的n型掺杂浓度大于1x 1018/cm3,厚度为30-100nm。是利用MOCVD或者MBE设备在外延阶段,于上述n型衬底10上的AlAs或AlGaAs高含铝材料生长出来的。
优选的,所述n型DBR层50为若干个高/低铝组份AlGaAs薄膜对,每个薄膜对分别由850/4nm光学厚度高铝AlGaAs和850/4nm光学厚度低铝AlGaAs构成,n型掺杂浓度为5x1017/cm3至1x 1018/cm3。n型DBR层50位于n型接触层30之上右侧。
优选的,所述高铝AlGaAs为Al0.7GaAs,低铝AlGaAs为Al0.1GaAs,所述薄膜对的总对数为10-20对。
具体的,所述下限制层60为i型AlGaAs材料,为非故意掺杂材料,Al组份为0.2-0.5,厚度为100-300nm;所述吸收层70为i型GaAs材料,为非故意掺杂材料,厚度大于1μm;所述上限制层80为i型AlGaAs材料,为非故意掺杂材料,Al组份为0.2-0.5,厚度为100-300nm。
具体的,所述p型接触层90为p型渐变掺杂材料,总厚度为110nm;下部为AlGaAs渐变层,由AlGaAs材料由下至上渐变降低Al组份直至上部的GaAs接触面,最高Al组份含量为0.3,渐变降低至0.2,厚度为100nm,p型掺杂浓度由2x 1017/cm3至1x 1018/cm3;GaAs接触面的厚度为10nm,P型掺杂浓度为1x 1019/cm3。
优选的,所述增透膜层110为双层混合结构,包括下部的氧化钛层及上部的氧化硅层,二者光学厚度和为850nm的四分之一。位于p型接触层90上方右侧。
优选的,所述n型电极层40为AuGeNi/Au材料,总厚度为300-500nm,位于n型接触层30之上左侧;所述p型电极层100为TiAu双金属层,总厚度为400-500nm,位于p型接触层90上方左侧。
本发明实施例中,利用图2所示的外延材料制作所述850nm波段高响应度探测器的主要步骤如下:
步骤一、在如图1所述的外延材料上,光刻出隔离槽图形,并刻蚀外延层过氧化铝层20,至n型衬底10。
步骤二、湿氧氧化。横向氧化所述氧化铝层20至整个横向贯穿。此时氧化铝层20变成绝缘的氧化铝,折射率在1.75左右,对电流有限制作用,并使器件与n型衬底10隔离。
步骤三、生长绝缘层,并腐蚀出上电极窗口。
步骤四、光刻及金属剥离形成N型电极。
步骤五、光刻及金属剥离形成P型电极。
步骤六、镀增透膜。
步骤七、晶片减薄及退火。
经过以上工艺步骤获得本发明实施例所述的探测器。
以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种850nm波段高响应度探测器,其特征在于:其包括位于探测器最底端的n型衬底,所述n型衬底上由下至上依次包括氧化铝层、n型接触层、n型DBR层、下限制层、吸收层、上限制层、p型接触层和增透膜层,还包括n型电极层和p型电极层,所述n型电极层位于所述n型接触层上且位于所述n型DBR层的一侧,所述p型电极层位于p型接触层上且位于所述增透膜层的一侧。
2.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器,其特征在于:所述n型衬底为超低缺陷密度的GaAs材料,厚度为80-150μm。
3.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器,其特征在于:所述氧化铝层中Al含量大于98%,厚度为10-40nm。
4.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器,其特征在于:所述n型接触层的n型掺杂浓度大于1x 1018/cm3,厚度为30-100nm。
5.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器,其特征在于:所述n型DBR层为若干个高/低铝组份AlGaAs薄膜对,每个薄膜对分别由850/4nm光学厚度高铝AlGaAs和850/4nm光学厚度低铝AlGaAs构成,n型掺杂浓度为5x 1017/cm3至1x 1018/cm3。
6.根据权利要求5所述850nm波段高响应度探测器,其特征在于:所述高铝AlGaAs为Al0.7GaAs,低铝AlGaAs为Al0.1GaAs,所述薄膜对的总对数为10-20对。
7.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器,其特征在于:所述下限制层为i型AlGaAs材料,Al组份为0.2-0.5,厚度为100-300nm;所述吸收层为i型GaAs材料,厚度大于1μm;所述上限制层为i型AlGaAs材料,Al组份为0.2-0.5,厚度为100-300nm。
8.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器,其特征在于:所述p型接触层为p型渐变掺杂材料,总厚度为110nm;下部为AlGaAs渐变层,由AlGaAs材料由下至上渐变降低Al组份直至上部的GaAs接触面,最高Al组份含量为0.3,渐变降低至0.2,厚度为100nm,p型掺杂浓度由2x 1017/cm3至1x 1018/cm3;GaAs接触面的厚度为10nm,P型掺杂浓度为1x 1019/cm3。
9.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器,其特征在于:所述增透膜层为双层混合结构,包括下部的氧化钛层及上部的氧化硅层,二者光学厚度和为850nm的四分之一。
10.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器,其特征在于:所述n型电极层为AuGeNi/Au材料,总厚度为300-500nm;所述p型电极层为TiAu双金属层,总厚度为400-500nm。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011262620.4A CN112259617A (zh) | 2020-11-12 | 2020-11-12 | 一种850nm波段高响应度探测器 |
PCT/CN2020/129923 WO2022099747A1 (zh) | 2020-11-12 | 2020-11-19 | 一种850nm波段高响应度探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011262620.4A CN112259617A (zh) | 2020-11-12 | 2020-11-12 | 一种850nm波段高响应度探测器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112259617A true CN112259617A (zh) | 2021-01-22 |
Family
ID=74265680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011262620.4A Pending CN112259617A (zh) | 2020-11-12 | 2020-11-12 | 一种850nm波段高响应度探测器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112259617A (zh) |
WO (1) | WO2022099747A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113224195A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-08-06 | 深圳市德明利光电有限公司 | 一种薄型光吸收区的光二极体结构 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101740655A (zh) * | 2009-12-09 | 2010-06-16 | 中国科学院半导体研究所 | 光伏型InAs量子点红外探测器结构 |
CN102623523A (zh) * | 2012-03-28 | 2012-08-01 | 中国科学院半导体研究所 | 一种有多色响应的量子点红外探测器 |
CN102723405A (zh) * | 2012-06-26 | 2012-10-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法 |
CN107690737A (zh) * | 2015-06-09 | 2018-02-13 | 皇家飞利浦有限公司 | 垂直腔面发射激光器 |
CN109461785A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-03-12 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器 |
CN213212172U (zh) * | 2020-11-12 | 2021-05-14 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种850nm波段高响应度探测器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104576786B (zh) * | 2014-08-12 | 2016-04-20 | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 | 新型零伏响应雪崩光电探测器芯片及其制作方法 |
US20190259923A1 (en) * | 2018-02-22 | 2019-08-22 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
CN113302485A (zh) * | 2019-01-10 | 2021-08-24 | 深圳帧观德芯科技有限公司 | 基于外延层的x射线检测器及其制备方法 |
-
2020
- 2020-11-12 CN CN202011262620.4A patent/CN112259617A/zh active Pending
- 2020-11-19 WO PCT/CN2020/129923 patent/WO2022099747A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101740655A (zh) * | 2009-12-09 | 2010-06-16 | 中国科学院半导体研究所 | 光伏型InAs量子点红外探测器结构 |
CN102623523A (zh) * | 2012-03-28 | 2012-08-01 | 中国科学院半导体研究所 | 一种有多色响应的量子点红外探测器 |
CN102723405A (zh) * | 2012-06-26 | 2012-10-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法 |
CN107690737A (zh) * | 2015-06-09 | 2018-02-13 | 皇家飞利浦有限公司 | 垂直腔面发射激光器 |
CN109461785A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-03-12 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器 |
CN213212172U (zh) * | 2020-11-12 | 2021-05-14 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种850nm波段高响应度探测器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113224195A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-08-06 | 深圳市德明利光电有限公司 | 一种薄型光吸收区的光二极体结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022099747A1 (zh) | 2022-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7728366B2 (en) | Photodiode and method for fabricating same | |
US8742251B2 (en) | Multi-segment photovoltaic power converter with a center portion | |
US6104047A (en) | Avalanche photodiode with thin built-in depletion region | |
US20070096240A1 (en) | Doped Absorption For Enhanced Responsivity For High Speed Photodiodes | |
JP5109981B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
CN213212172U (zh) | 一种850nm波段高响应度探测器 | |
JP2010278406A (ja) | アバランシェホトダイオード及びこれを用いた光受信モジュール | |
US20160240718A1 (en) | Double-pass photodiode with embedded reflector | |
CN113921646B (zh) | 单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列 | |
CN108091720A (zh) | 单行载流子光电探测器及其制备方法 | |
CN116053336A (zh) | 铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法 | |
JP3675223B2 (ja) | アバランシェフォトダイオードとその製造方法 | |
Li et al. | A partially depleted absorber photodiode with graded doping injection regions | |
CN112259617A (zh) | 一种850nm波段高响应度探测器 | |
RU221645U1 (ru) | Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения | |
CN218299812U (zh) | 一种雪崩光电探测器结构 | |
JP5251131B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
Shiba et al. | Theoretical and experimental study on waveguide avalanche photodiodes with an undepleted absorption layer for 25-Gb/s operation | |
TWI838904B (zh) | 高響應度與高飽和電流的串聯累崩光二極體 | |
CN115312630B (zh) | 一种具有双漂移区的雪崩光电探测器的制备方法 | |
KR100676733B1 (ko) | 엔아이피 구조를 갖는 자외선검지기 | |
CN210006751U (zh) | 一种高增益带宽积的光探测器 | |
Li et al. | Modified dual depletion region photodiode with optimized collection layer | |
JP4223774B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
JP2002170983A (ja) | 受光半導体デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |