CN112216995B - 基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法 - Google Patents

基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112216995B
CN112216995B CN202011068436.6A CN202011068436A CN112216995B CN 112216995 B CN112216995 B CN 112216995B CN 202011068436 A CN202011068436 A CN 202011068436A CN 112216995 B CN112216995 B CN 112216995B
Authority
CN
China
Prior art keywords
1bit
reconfigurable
phase
array
bit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011068436.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112216995A (zh
Inventor
刘海霞
乐舒瑶
路泽卿
李龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xidian University
Original Assignee
Xidian University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xidian University filed Critical Xidian University
Priority to CN202011068436.6A priority Critical patent/CN112216995B/zh
Publication of CN112216995A publication Critical patent/CN112216995A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112216995B publication Critical patent/CN112216995B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/29—Combinations of different interacting antenna units for giving a desired directional characteristic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/0087—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing antenna arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
    • H01Q3/26—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
    • H01Q3/30—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array
    • H01Q3/34—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array by electrical means
    • H01Q3/36—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array by electrical means with variable phase-shifters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法，主要解决1Bit可重构反射阵不能得到理想单波束的问题。其实现方案是，确定可重构反射阵主波束θ扫描范围；计算扫描范围中心主波束补偿相位，对该补偿相位编码得Bit(i,j)；根据该编码矩阵选择(i,j)坐标位置下的金属辐射单元类型，得到由两种类型的金属辐射单元构成的反射阵；计算所需主波束θ的补偿相位，对该补偿相位进行编码得到编码后的矩阵Bitc(i,j)；根据该矩阵控制反射阵各位置金属辐射单元的PIN管通断，实现波束可重构。本发明在不增加成本的前提下能得到理想的单波束，优化了天线性能，可用于L型走廊室内信号补盲及波束扫描。

Description

基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法
技术领域
本发明属于天线技术领域，具体涉及一种单波束设计方法，可用于L型走廊室内信号补盲及波束扫描。
背景技术
随着现代通信发展，尤其在雷达通信和公共通信网络中对天线的功能多样性和自适应能力要求越来越高。可重构反射阵最重要的一个优点就是可以实现波束扫描，并且不像传统的相控阵要使用复杂的T/R组件，使用一个低损耗的相位转换器就能实现需要的功能。实现波束扫描的可重构反射阵其中应用最多的是1Bit可重构反射阵。通过控制PIN管来实现单元之间的180°相位差，从而呈现出“0”“1”两种状态，继而将反射阵单元所需补偿相位进行量化，从而实现波束扫描。
Hirokazu Kamoda,Toru Iwasaki等人在2011年的文章“60-GHz ElectronicallyReconfigurable Large Reflectarray Using Single-Bit Phase Shifter”中提出一种工作于60GHz的毫米波成像***的1Bit可重构反射阵天线。该设计原理是通过在微带贴片末端的相位延迟线上加载PIN管控制通断，改变单元电长度，从而改变单元反射相位最终实现±25°的波束扫描。然而在使用1Bit编码时，必然出现对称的两个波束，这是1Bit本身固有的。这种两个对称波束在应用场景恰好需要两个波束时是适用的，例如T型走廊。但是，如果该反射阵应用场景仅需要单波束时，多余的波束就成了浪费，并且会使得主波束减少3dB。
薛扬，徐深恒等人在2015年的文章“Design of a 2-bit reconfigurablereflectarray element using two MEMS switches”中提出了一种Ku波段可重构反射阵单元的设计。该设计是在一个单元上加载两个微机电***MEMS开关，以实现2Bit相位可重构性。1Bit有“0”“1”两种状态，对应相位精度为180°；然而2Bit可以实现“00”“01”“10”“11”四种状态，对应相位精度为90°。使得相位精度从180°提高到了90°可以得到理想的单波束，但是这样却增加了天线的成本和直流偏置电路的复杂度。
综上所述，目前1Bit可重构反射阵实现单波束扫描存在一种矛盾。1Bit必然会浪费不需要的对称波束，如果使用2Bit又会增加天线成本。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提出一种基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法，以在不增加天线成本前提下，得到理想的单波束。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法，其特征在于，所述1Bit可重构反射阵，由两种类型的金属辐射单元构成M×N的1Bit可重构反射阵，M、N均为大于等于2的正整数，这两种类型的金属辐射单元均通过相位延迟线加载一个PIN二极管；该第一类金属辐射单元通过控制PIN管的通断实现0°和180°相移；第二类金属辐射单元通过控制PIN管的通断实现90°和270°相移；
基于所述1Bit可重构反射阵的单波束设计，包括如下步骤：
1)确定可重构反射阵主波束θ扫描范围为θS≤θ≤θF，其0≤θS＜60,0＜θF≤60；
2)计算扫描范围中心主波束θM＝(θS+θF)/2的补偿相位
Figure BDA0002714588640000021
对该补偿相位编码得到编码矩阵Bit(i,j)；
3)根据编码矩阵Bit(i,j)选择(i,j)坐标位置下的金属辐射单元类型(1)或(2)，得到特定的1Bit可重构反射阵(3)；
4)计算可重构反射阵(3)所需主波束θ的补偿相位
Figure BDA0002714588640000022
对该补偿相位
Figure BDA0002714588640000023
进行常规1Bit编码法编码得到编码后的矩阵Bitc(i,j)，根据该矩阵控制1Bit可重构反射阵(3)各位置金属辐射单元的PIN管通断实现波束可重构，得到理想的单波束。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
第一、本发明由于在1Bit可重构反射阵部署两种类型的金属辐射单元，引入了天然的90°相差，在此基础上使用1Bit编码使得反射阵中出现相差为90°的四种状态，相较于常规1Bit可重构反射阵，本发明采用两种金属辐射单元的1Bit可重构反射阵，能得到理想的单波束反射波，且去掉了不必要的对称波束，增强了主波束的方向性。
第二、本发明在不增加PIN管的前提下得到理想的单波束，节省了成本。
附图说明
图1为本发明1Bit可重构反射阵***图；
图2为本发明实现流程图；
图3为本发明波束在扫描选择为0°时的归一化方向图；
图4为本发明波束在扫描选择为10°时的归一化方向图；
图5为本发明波束在扫描选择为20°时的归一化方向图；
图6为本发明波束在扫描选择为30°时的归一化方向图；
图7为本发明波束在扫描选择为40°时的归一化方向图；
图8为本发明波束在扫描选择为45°时的归一化方向图；
图9为本发明波束在扫描选择为50°时的归一化方向图；
图10为本发明波束在扫描选择为55°时的归一化方向图；
图11为本发明波束在扫描选择为60°时的归一化方向图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步详细描述
参照图1，本实例的1Bit可重构反射阵***3，包括第一类金属辐射单元1、第二类金属辐射单元2。
该第一类金属辐射单元是在常规反射阵单元基础上加载了一段相位延迟线4，在相位延迟线中加载了一个PIN管5，当PIN管关闭时，信号未通过整个相位延迟线，相移为0°；当PIN管连通时，信号通过相位延迟线，到达终端并反射回单元贴片，相移为180°；
该第二类金属辐射单元是在第一类金属辐射单元基础上改变相位延迟线长度得到的，相位延迟线长度l与相位延迟
Figure BDA0002714588640000031
的关系式为：
Figure BDA0002714588640000032
其中，k是波数，根据式子选择合适的l使得当PIN管关闭时，相移为90°；当PIN管连通时，相移为270°。
参照图2、图7，本实例基于上述1Bit可重构反射阵的单波束设计方法，其实施步骤如下：
步骤1、确定可重构反射阵主波束θ扫描范围为0°≤θ≤60°，本实例取但不限于θ＝40°、θS＝0、θF＝60。
步骤2、计算30°时的补偿相位
Figure BDA0002714588640000033
对该补偿相位编码得到编码矩阵Bit(i,j)。
2.1)根据实际入射波的角度以及所需要的反射波角度，通过下式计算30°时的补偿相位
Figure BDA0002714588640000034
Figure BDA0002714588640000035
其中
Figure BDA0002714588640000036
为入射波的角度，
Figure BDA0002714588640000037
为反射波的角度，(xi,yi,zi)是第i个无源反射阵单元的坐标，λ为波长；
2.2)将各单元补偿相位
Figure BDA0002714588640000041
近似为四种状态，并按照
Figure BDA0002714588640000042
所属相位范围进行量化编码：
当
Figure BDA0002714588640000043
时，在(i,j)位置下编码等于00；
当
Figure BDA0002714588640000044
时，在(i,j)位置下编码等于01；
Figure BDA0002714588640000045
时，在(i,j)位置下编码等于10；
Figure BDA0002714588640000046
时，在(i,j)位置下编码等于11，得到编码后的矩阵Bit(i,j)。
其中：编码“00”表示实现0°相移；编码“01”表示实现90°相移；编码“10”表示实现180°相移；编码“11”表示实现270°相移。
步骤3、根据编码矩阵Bit(i,j)选择(i,j)坐标位置下的金属辐射单元类型，得到特定的1Bit可重构反射阵3。
3.1)当编码矩阵Bit(i,j)为00和10时，在(i,j)坐标位置下放置第一类金属辐射单元1；
3.2)当编码矩阵Bit(i,j)为01和11时，在(i,j)坐标位置下第二类金属辐射单2，得到1Bit可重构反射阵3。
步骤4、计算可重构反射阵3所需主波束θ的补偿相位
Figure BDA0002714588640000047
对该补偿相位
Figure BDA0002714588640000048
进行常规1Bit编码法编码得到编码后的矩阵Bitc(i,j)。
4.1)根据实际入射波的角度以及所需要的反射波角度，通过下式计算扫描范围最中心主波束θ的补偿相位
Figure BDA0002714588640000049
Figure BDA00027145886400000410
其中
Figure BDA00027145886400000411
为入射波的角度，
Figure BDA00027145886400000412
为反射波的角度，(xi,yi,zi)是第i个无源反射阵单元的坐标，λ为波长；
4.2)对补偿相位
Figure BDA00027145886400000413
进行编码，当
Figure BDA00027145886400000414
时，在(i,j)位置编码等于0；当
Figure BDA00027145886400000415
时，在(i,j)位置下编码等于1，得到的编码后矩阵Bitc(i,j)，其中：
Figure BDA00027145886400000416
是指在(i,j)位置坐标系下金属辐射单元在PIN管断开时的相位，
Figure BDA00027145886400000417
是指在(i,j)位置坐标下金属辐射单元在PIN管连通时的相位；
步骤5根据Bitc(i,j)控制1Bit可重构反射阵3各位置金属辐射单元的PIN管通断实现波束可重构，即在Bitc(i,j)为0时，将1Bit可重构反射阵3在(i,j)坐标位置下的PIN管5断开；在Bitc(i,j)为1时，将1Bit可重构反射阵3在(i,j)坐标位置下的PIN管5连通。得到理想的单波束如图7所示。
本发明效果可通过以下仿真实例进一步说明：
仿真1：使用HFSS软件仿真本发明在扫描范围为0°≤θ≤60°，反射阵主波束角度θ＝0°时的归一化方向图，结果如图3所示。
从图3可见用本发明方法可在反射阵所需主波束0°方向上得到需要的主波束，其余方向上未出现较高的副瓣。
仿真2：使用HFSS软件仿真本发明在扫描范围为0°≤θ≤60°，反射阵主波束角度θ＝10°时的归一化方向图，结果如图4所示。
从图4可见用本发明方法可在反射阵所需主波束10°方向上得到需要的主波束，其余方向上未出现较高的副瓣。
仿真3：使用HFSS软件仿真本发明在扫描范围为0°≤θ≤60°，反射阵主波束角度θ＝20°时的归一化方向图，结果如图5所示。
从图5可见用本发明方法可在反射阵所需主波束20°方向上得到需要的主波束，其余方向上未出现较高的副瓣。
仿真4：使用HFSS软件仿真本发明在扫描范围为0°≤θ≤60°，反射阵主波束角度θ＝30°时的归一化方向图，结果如图6所示。
从图6可见用本发明方法可在反射阵所需主波束30°方向上得到需要的主波束，其余方向上未出现较高的副瓣。
仿真5：使用HFSS软件仿真本发明在扫描范围为0°≤θ≤60°，反射阵主波束角度θ＝45°时的归一化方向图，结果如图8所示。
从图8可见用本发明方法可在反射阵所需主波束45°方向上得到需要的主波束，其余方向上未出现较高的副瓣。
仿真6：使用HFSS软件仿真本发明在扫描范围为0°≤θ≤60°，反射阵主波束角度θ＝50°时的归一化方向图，结果如图9所示。
从图9可见用本发明方法可在反射阵所需主波束50°方向上得到需要的主波束，其余方向上未出现较高的副瓣。
仿真7：使用HFSS软件仿真本发明在扫描范围为0°≤θ≤60°，反射阵主波束角度θ＝55°时的归一化方向图，结果如图10所示。
从图10可见用本发明方法可在反射阵所需主波束55°方向上得到需要的主波束，其余方向上未出现较高的副瓣。
仿真8：使用HFSS软件仿真本发明在扫描范围为0°≤θ≤60°，反射阵主波束角度θ＝60°时的归一化方向图，结果如图11所示。
从图11可见用本发明方法可在反射阵所需主波束60°方向上得到需要的主波束，其余方向上未出现较高的副瓣。
综上，本发明可在波束扫描范围0°≤θ≤60°实现不同的主波束指向，得到所需的理想单波束。

Claims (6)

1.一种基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法，其特征在于：
所述1Bit可重构反射阵由两种类型的金属辐射单元(1，2)构成M×N的1Bit可重构反射阵(3)，M、N均为大于等于2的正整数，这两种类型的金属辐射单元均通过相位延迟线(4)加载一个PIN二极管(5)；第一类金属辐射单元(1)通过控制PIN二极管的通断实现0°和180°相移；第二类金属辐射单元(2)通过控制PIN管的通断实现90°和270°相移；基于所述1Bit可重构反射阵的单波束设计，包括如下步骤：
1)确定可重构反射阵主波束θ扫描范围为θS≤θ≤θF，其中0≤θS＜60,0＜θF≤60；
2)计算扫描范围中心主波束θM＝(θS+θF)/2的补偿相位
Figure FDA0003171485360000011
对该补偿相位编码得到编码矩阵Bit(i,j)；
3)根据编码矩阵Bit(i,j)选择(i,j)坐标位置下的第一类金属辐射单元(1)或第二类金属辐射单元(2)，得到特定的1Bit可重构反射阵(3)；
4)计算1Bit可重构反射阵(3)所需主波束θ的补偿相位
Figure FDA0003171485360000012
对该补偿相位
Figure FDA0003171485360000013
进行常规1Bit编码法编码得到编码后的矩阵Bitc(i,j)，根据该矩阵控制1Bit可重构反射阵(3)各位置金属辐射单元的PIN二极管通断实现波束可重构，得到理想的单波束。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，2)中计算扫描范围最中心主波束θM＝(θS+θF)/2的补偿相位
Figure FDA0003171485360000014
是通过下式计算：
Figure FDA0003171485360000015
其中
Figure FDA0003171485360000016
为入射波的角度，
Figure FDA0003171485360000017
为反射波的角度，(xi,yi,zi)是第i个无源反射阵单元的坐标，λ为波长。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，2)中补偿相位
Figure FDA0003171485360000018
进行编码得到的编码矩阵Bit(i,j)，表示如下：
Figure FDA0003171485360000021
其中：编码“00”表示实现0°相移；编码“01”表示实现90°相移；编码“10”表示实现180°相移；编码“11”表示实现270°相移。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，3)中根据编码矩阵Bit(i,j)选择(i,j)坐标位置下的第一类金属辐射单元(1)或第二类金属辐射单元(2)，实现如下：
当编码为00和10时，该位置放置第一类金属辐射单元(1)；
当编码为01和11时，该位置放置第二类金属辐射单元(2)。
5.根据权利要求1所述的一种基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法，其特征在于，4)中对补偿相位
Figure FDA0003171485360000022
编码得到的编码后矩阵Bitc(i,j)，表示如下：
Figure FDA0003171485360000023
其中：
Figure FDA0003171485360000024
是指在(i,j)位置坐标系下金属辐射单元在PIN二极管断开时的相位，
Figure FDA0003171485360000025
是指在(i,j)位置坐标下金属辐射单元在PIN二极管连通时的相位。
6.根据权利要求1所述的一种基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法，其特征在于，4)中编码后的矩阵Bitc(i,j)控制1Bit可重构反射阵(3)各位置金属辐射单元的PIN二极管通断，是在Bitc(i,j)为0时，将(i,j)坐标位置下的PIN二极管(5)断开；在Bitc(i,j)为1时，将(i,j)位置坐标下的PIN二极管(5)连通。
CN202011068436.6A 2020-10-09 2020-10-09 基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法 Active CN112216995B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011068436.6A CN112216995B (zh) 2020-10-09 2020-10-09 基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011068436.6A CN112216995B (zh) 2020-10-09 2020-10-09 基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112216995A CN112216995A (zh) 2021-01-12
CN112216995B true CN112216995B (zh) 2021-09-03

Family

ID=74052634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011068436.6A Active CN112216995B (zh) 2020-10-09 2020-10-09 基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112216995B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115000726A (zh) * 2021-03-01 2022-09-02 华为技术有限公司 一种反射阵列天线及基站
CN115701164B (zh) * 2021-07-28 2024-06-11 西安电子科技大学 一种基于表面波反射阵的毫米波室内无源覆盖方法
CN113506995A (zh) * 2021-08-05 2021-10-15 东南大学 一种适用于平面波的单波束调控超表面
CN113629389B (zh) * 2021-08-18 2022-04-26 北京星英联微波科技有限责任公司 1-bit相位可重构变极化全金属反射阵列天线单元
CN114188730B (zh) * 2021-12-02 2023-04-28 西南交通大学 一种2-bit可重构反射阵天线
CN116864996B (zh) * 2023-08-30 2023-11-21 天府兴隆湖实验室 超表面阵列结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1461518A (zh) * 2000-10-16 2003-12-10 鲁道夫·施瓦脱 检测与处理信号波的过程与装置
US6741207B1 (en) * 2000-06-30 2004-05-25 Raytheon Company Multi-bit phase shifters using MEM RF switches
CN110365616A (zh) * 2019-06-27 2019-10-22 东南大学 基于时空编码超表面的多用户无线通信***及方法
CN110582892A (zh) * 2017-03-17 2019-12-17 同向***有限公司 透镜天线***

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004084341A2 (en) * 2003-03-14 2004-09-30 Vuesonix Sensors, Inc. Method and apparatus for forming multiple beams
US7839835B2 (en) * 2006-08-22 2010-11-23 Nec Laboratories America, Inc. Quantized precoding over a set of parallel channels
US7944396B2 (en) * 2007-04-09 2011-05-17 Physical Domains, LLC Retrodirective transmit and receive radio frequency system based on pseudorandom modulated waveforms
CN203039092U (zh) * 2012-09-17 2013-07-03 广东晖速通信技术有限公司 一种双极化宽频带辐射单元和基站天线
CN104201466B (zh) * 2014-09-01 2017-04-19 西安电子科技大学 一种具有端射特性的频率可重构滤波天线
CN108337923B (zh) * 2015-07-31 2021-02-09 维尔塞特公司 用于在卫星星座中提供灵活容量的卫星、***及方法
CN106025561B (zh) * 2016-06-28 2019-01-25 西安电子科技大学 一种一比特数字编码微带反射阵天线
US10931429B2 (en) * 2016-11-04 2021-02-23 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Signaling of measurement signals based on a tree structure
JP7059254B2 (ja) * 2017-03-22 2022-04-25 株式会社Ｎｔｔドコモ 端末、無線通信方法、基地局及びシステム
CN109462036A (zh) * 2018-10-12 2019-03-12 东南大学 一种具有自适应功能的电磁编码基本单元及超材料
CN110518358A (zh) * 2019-08-20 2019-11-29 西安电子科技大学 基于缝隙耦合结构的可重构反射阵天线
CN111276823B (zh) * 2020-02-18 2020-10-16 电子科技大学 一种低成本四维透射阵列天线的低副瓣扫描方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741207B1 (en) * 2000-06-30 2004-05-25 Raytheon Company Multi-bit phase shifters using MEM RF switches
CN1461518A (zh) * 2000-10-16 2003-12-10 鲁道夫·施瓦脱 检测与处理信号波的过程与装置
CN110582892A (zh) * 2017-03-17 2019-12-17 同向***有限公司 透镜天线***
CN110365616A (zh) * 2019-06-27 2019-10-22 东南大学 基于时空编码超表面的多用户无线通信***及方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A 1-bit 220GHz Reconfigurable Reflectarray;Liqing Sun;《2019 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT)》;20200215;全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112216995A (zh) 2021-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112216995B (zh) 基于1Bit可重构反射阵的单波束设计方法
EP2221919B1 (en) Multibeam active discrete lens antenna
Xiao et al. Design and implementation of a wideband 1-bit transmitarray based on a Yagi–Vivaldi unit cell
RU2595941C2 (ru) Система радиорелейной связи с подстройкой луча
US8604989B1 (en) Steerable antenna
Bi et al. 3-D printed wideband Cassegrain antenna with a concave subreflector for 5G millimeter-wave 2-D multibeam applications
Yan et al. Dual-layer SIW multibeam pillbox antenna with reduced sidelobe level
CN113871861A (zh) 一种4比特电子波束扫描平面天线阵列
CN114498054A (zh) 方向图可重构相位比特天线及其二维波束扫描阵列
CN113644432A (zh) 一种双圆极化相控阵天线阵列
Kaouach et al. Simple tri-layer linearly polarized discrete lens antenna with high-efficiency for mmWave applications
Juárez et al. An innovative way of using coherently radiating periodic structures for phased arrays with reduced number of phase shifters
Hwang et al. A simultaneous beam steering and polarization converting S-band transmitarray antenna
Zhu et al. A flip-chip packaged design of planar antenna array based on dual-feed network for 77-ghz automotive radar
Tomasic et al. A geodesic sphere phased array antenna for satellite control and communication
CN112072309A (zh) 一种步进补偿低成本相控阵天线架构及其设计方法
Baladi et al. Low-profile true-time-delay beamsteerable leaky-wave antenna for satellite applications in the K band
Kaouach et al. Design and demonstration of an X-band transmit-array
CN110649397B (zh) 一种集成反射阵的可重构平面反射阵天线
Ghate et al. Quasi-optical beamforming approach using vertically oriented dielectric wedges
Zhao et al. A compact metasurface antenna array with diverse polarizations
KR100579129B1 (ko) 성형 반사판을 이용한 오프셋 하이브리드 안테나
CN110571530A (zh) 一种集成反射阵的可重构抛物面天线
Karmakar et al. Microstrip circular phased array design and development using microwave antenna CAD tools
Zaghloul et al. Hybrid beam former for distributed-aperture electronically steered arrays

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant