CN112198358B - 一种反激变换器输入电压副边检测电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种反激变换器输入电压副边检测电路,包括原边和副边电路;原边电路包括开关管和原边绕组;副边电路包括副边第一电路,其包括:副边第一绕组,副边第一绕组的同名端分别连接第一二极管的阳极和第三二极管的阴极,副边第一绕组的异名端分别连接第二二极管的阴极和第四二极管的阳极;由第一电阻、第二电阻和第一电容组成的滤波电路的两端分别连接第一二极管的阴极和第二二极管的阳极。本发明通过一个结构简单、成本低的反激变换器副边输入电压检测电路,利用开关管开通时变压器原边绕组电压等于输入电压,以及变压器副边第一绕阻与变压器原边绕组之间的电压比例关系实现输入电压的副边检测。
Description
技术领域
本发明涉及开关电源技术领域,特别是涉及一种反激变换器输入电压副边检测电路。
背景技术
作为开关电源(数字电源)的反激变换器,是现代电子***中必不可少的关键部件,因而对开关电源的低成本、高密度、数字化、高效率和高可靠性等的设计一直是重要的研究课题。
反激变换器的控制芯片一般设置在反激变换器的副边(也有设置在原边的),为了实现数字电源输入电压的欠压过压保护功能,目前通常采用以下两种方式:
一是,通过由隔离运放组成的输入电压检测电路传输到副边,但是,该方法存在隔离运放体积大,成本高的问题;
二是,通过运放在原边实现输入欠过压检测,利用光耦将控制信号传输到副边,但是,这种方法存在元件太多,降低功率密度,且无法在副边测得到输入电压的具体大小的问题。
发明内容
本发明提出了一种反激变换器输入电压副边检测电路及检测方法,解决了现有技术的问题,提供了一种结构简单、成本低的反激变换器副边输入电压检测电路。
本发明一个实施例提供一种反激变换器输入电压副边检测电路,包括原边电路和副边电路;其中,
所述原边电路包括开关管和原边绕组;所述副边电路包括副边第一电路;其中,
所述副边第一电路,包括:
副边第一绕组,所述副边第一绕组的同名端分别连接第一二极管的阳极和第三二极管的阴极,所述副边第一绕组的异名端分别连接第二二极管的阴极和第四二极管的阳极;
由第一电阻、第二电阻和第一电容组成的滤波电路的两端分别连接所述第一二极管的阴极和第二二极管的阳极;其中,所述第一电阻的一端连接于所述第一二极管的阴极,第一电阻的另一端连接于第一电容的一端;所述第一电容的另一端连接于所述第二二极管的阳极;所述第二电阻和所述第一电容并联,其两端电压为所述原边电路输入电压的检测值;
第二电容的两端分别连接所述第三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极;
所述开关管的开关周期小于所述第一电容与第二电阻的乘积,且所述第一电阻小于第二电阻。
进一步地,所述开关管为场效应管增强型N-MOS。
进一步地,所述副边电路还包括副边第二电路;
所述副边第二电路,包括:
副边第二绕组,以及串联的第五二极管和第三电容;所述副边第二绕组的同名端与异名端分别连接所述第五二极管的阳极和所述第三电容的一端。
进一步地,所述第一电容与所述第二二极管的连接端接地,所述第二电容与所述第三二极管的连接端接地。
与现有技术相比,本发明实施例的有益效果在于:
本发明某一实施例提供一种反激变换器输入电压副边检测电路,包括原边电路和副边电路;其中,所述原边电路包括开关管和原边绕组;所述副边电路包括副边第一电路;其中,所述副边第一电路,包括:副边第一绕组,所述副边第一绕组的同名端分别连接第一二极管的阳极和第三二极管的阴极,所述副边第一绕组的异名端分别连接第二二极管的阴极和第四二极管的阳极;由第一电阻、第二电阻和第一电容组成的滤波电路的两端分别连接所述第一二级二极管的阴极和第二二极管的阳极;其中,所述第一电阻的一端连接于所述第一二极管的阴极,第一电阻的另一端连接于第一电容的一端;所述第一电容的另一端连接于所述第二二极管的阳极;所述第二电阻和所述第一电容并联,其两端电压为所述原边电路输入电压的检测值;第二电容的两端分别连接所述三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极。本发明通过一个结构简单、成本低的反激变换器副边输入电压检测电路,利用开关管开通时变压器原边绕组电压等于输入电压,以及变压器副边第一绕阻与变压器原边绕组之间的电压比例关系实现输入电压的副边检测。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明某一实施例提供的一种反激变换器输入电压副边检测电路。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
应当理解,文中所使用的步骤编号仅是为了方便描述,不对作为对步骤执行先后顺序的限定。
应当理解,在本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样,除非上下文清楚地指明其它情况,否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在,但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合,并且包括这些组合。
第一方面。
请参阅图1,本发明某一实施例提供一种反激变换器输入电压副边检测电路,包括原边电路和副边电路。其中,所述原边电路包括开关管Q1和原边绕组Np;所述副边电路包括副边第一电路。
进一步地,所述副边第一电路,包括:
副边第一绕组Ns2,所述副边第一绕组Ns2的同名端分别连接第一二极管D1的阳极和第三二极管D3的阴极,所述副边第一绕组Ns2的异名端分别连接第二二极管D2的阴极和第四二极管D4的阳极;
由第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容C1组成的滤波电路的两端分别连接所述第一二级管D1的阴极和第二二极管D2的阳极;其中,所述第一电阻R1的一端连接于所述第一二极管D1的阴极,第一电阻R1的另一端连接于所述第一电容C1的一端;所述第一电容C1的另一端连接于所述第二二极管D2的阳极;所述第二电阻R2和所述第一电容C1并联,其两端电压为所述原边电路输入电压的检测值;
第二电容C2的两端分别连接所述第三二极管D3的阳极和所述第四二极管D4的阴极。
在某一具体实施方式中,所述由第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容C1组成的滤波电路用于滤除高频噪声;所述第一电阻R1用于抑制浪涌电流。
在某一具体实施方式中,假设变压器原边绕组Np与第一绕组Ns2的匝比为K1。当开关管Q1开通时,变压器原边绕组Np上的电压等于输入电压Vin,则第一绕组Ns2的电压等于Vin/K1。第一二极管D1和第二二极管D2导通,第三二极管D3与第四二极管D4关断,给电容C1充电;当开关管Q1关断时,第一二极管D1和第二二极管D2关断,第三二极管D3与第四二极管D4导通,此时电容C1通过R2放电;由于C1*R2大于开关周期,因此C1的放电速度小于充电速度,又因为R1的值小于R2,因此通过多个开关周期后C1电容上的电压会冲到Vin/K1,由此实现输入电压检测。
当输入电压Vin突然变小时,开关管Q1开关时第一绕组Ns2上的电压小于检测电压Vin_s,此时第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4均处于关断状态,第一电容C1通过第二电阻R2放电,第一电容C1电压在整个开关周期内一直减小,直到检测电压Vin_s再次等于开关管Q1开通时第一绕组Ns2上的电压。
本发明提供的一种反激变换器输入电压副边检测电路,利用开关管开通时变压器原边绕组电压等于输入电压,以及电压器辅助绕组与变压器原边绕组之间的电压比例关系实现输入电压的副边检测。本发明提供了一个结构简单、成本低的反激变换器副边输入电压检测电路,为高新技术电子产品的性能提升做出贡献。
在某一具体的实施方式中,所述副边电路还包括副边第二电路;所述副边第二电路,包括:副边第二绕组Ns1,以及串联的第五二极管D5和第三电容C3;所述副边第二绕组Ns1的同名端与异名端分别连接所述第五二极管的阳极和所述第三电容的一端。
所述第一电容C1与所述第二二极管D2的连接端接地,所述第二电容C2与所述第三二极管D3的连接端接地。
在某一具体实施例中,所述开关管的开关周期小于所述第一电容与第二电阻的乘积,且所述第一电阻小于第二电阻。优选地,所述开关管的开关周期小于所述第一电容与第二电阻的乘积,且所述第一电阻小于第二电阻。优选地,所述开关管为场效应管增强型N-MOS。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种反激变换器输入电压副边检测电路,其特征在于,包括原边电路和副边电路;其中,
所述原边电路包括开关管和原边绕组;所述副边电路包括副边第一电路;其中,
所述副边第一电路,包括:
副边第一绕组,所述副边第一绕组的同名端分别连接第一二极管的阳极和第三二极管的阴极,所述副边第一绕组的异名端分别连接第二二极管的阴极和第四二极管的阳极;
由第一电阻、第二电阻和第一电容组成的滤波电路的两端分别连接所述第一二极管的阴极和第二二极管的阳极;其中,所述第一电阻的一端连接于所述第一二极管的阴极,第一电阻的另一端连接于第一电容的一端;所述第一电容的另一端连接于所述第二二极管的阳极;所述第二电阻和所述第一电容并联,其两端电压为所述原边电路输入电压的检测值;
第二电容的两端分别连接所述第三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极;
所述开关管的开关周期小于所述第一电容与第二电阻的乘积,且所述第一电阻小于第二电阻。
2.如权利要求1所述的反激变换器输入电压副边检测电路,其特征在于,所述开关管为场效应管增强型N-MOS。
3.如权利要求1所述的反激变换器输入电压副边检测电路,其特征在于,所述副边电路还包括副边第二电路;
所述副边第二电路,包括:
副边第二绕组,以及串联的第五二极管和第三电容;所述副边第二绕组的同名端与异名端分别连接所述第五二极管的阳极和所述第三电容的一端。
4.如权利要求1所述的反激变换器输入电压副边检测电路,其特征在于,所述第一电容与所述第二二极管的连接端接地,所述第二电容与所述第三二极管的连接端接地。
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