CN112195354B - 一种SiCp/Al复合材料的成型方法 - Google Patents

一种SiCp/Al复合材料的成型方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种SiCp/Al复合材料的成型方法，成型方法包括以下步骤：步骤1)混粉：将SiC颗粒与Al粉或Al合金粉末按体积比为(10～90％)：(90～10％)的比例均匀混合得到SiC/Al粉末；SiC颗粒直径为14～63μm；Al粉或Al合金粉末的粒度为50～150μm；步骤2)冷压成形：将步骤1)混合均匀得到的SiC/Al粉末放入钢制模具中，在50‑200MPa应力下加压成形为SiC/Al坯料；步骤3)热压烧结：在大气压条件下，将步骤2)冷压成形后的SiC/Al坯料放入热压模具中，利用压力机和快速加热器对其进行热压，热压完成即制得SiCp/Al复合材料。解决了现有SiCp/Al复合材料的制备方法生产效率低、工艺成本高、人工成本高的问题。

Description

一种SiCp/Al复合材料的成型方法
技术领域
本发明属于粉末冶金材料技术领域，具体涉及一种SiCp/Al复合材料的成型方法。
背景技术
随着现代科学与技术的不断发展，对材料的性能提出越来越高的要求，目前常用的单一工程材料很难满足工程实际的需要，具有不同特性材料的复合化是解决这一问题的重要途径，即复合材料逐渐成为工程领域不可替代的新型材料，比如大规模集成电路基板及大功率led灯基板。后者目前主要采用氧化铝或者铜、铝基板，陶瓷基板具有与半导体芯片材料相当的热膨胀性能，但是其低导热的热学特性在功率越来越高的现代电子产品中，严重阻碍了芯片热量的散失，从而严重影响了电子产品的使用寿命和稳定性，据大功率led行业的测试，一般国产灯使用寿命只有1-2年左右，据10年的设计寿命相差甚远。SiCp/Al复合材料由于综合了陶瓷的低膨胀和金属的高导热特性，是一种理想的电子封装基板材料，在国外已经批量工业生产并投入使用，而国内还基本处于少量试用或小批量试生产阶段。
SiCp/Al复合材料的性能尤其是热性能主要由碳化硅颗粒的含量决定：碳化硅含量提高，则材料的热膨胀系数降低，而导热性能和韧性相对变差，其含量可控制在10～90％；铝含量提高，则材料的导热性能和韧性提高，但热膨胀系数也提高。该金属基复合材料的导热好且和重量都接近纯铝，并且可以将热膨胀系数值控制得相当于铝的30％～50％，以适应不同工况的需要。
碳化硅粉末价格低廉、来源广泛且具有优异的性能，热膨胀系数与芯片材料Si和GaAs相近，是一种非常理想的增强物。铝是一种常见的、低廉的金属材料，熔点低(660℃)，密度较小(2.7g/cm3)，仅为钢铁的三分之一左右，在提高比强度、比模量上有很大潜力。SiCp/Al复合材料既保持了金属特有的良好韧性与导电、传热等特点，又具有陶瓷的耐高温性、耐腐蚀性、低热膨胀性，适应了轻质、低成本、高强度、高模量、耐腐蚀、耐磨损的要求，可被应用于航天航空、汽车、内燃机、国防及体育、光学仪器，以及微波、电力、电子(或光电子)器件封装中，对降低成本、减轻重量会起到积极的作用。此类材料的需求颇为巨大，市场前景广阔。
现有的高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料(SiCp/Al)一般采用液态工艺或者粉末冶金工艺制造。前者得到的材料中SiC的含量往往难以精确控制、SiC的分散均匀性也比较差，从而容易导致产品性能的分散性较大；后者现有工艺采用真空热压制造，由于抽真空环节导致生坯的放置及熟坯的取出极为不便，从而明显增加了产品生产周期，造成生产效率低下，不利于工业化生产，同时由于真空设备的使用，大大提高了设备成本、维护成本，以及人力成本，而热压烧结是粉末冶金工艺中一种常见的活化烧结方式，现有高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的粉末冶金制备工艺中，一般采用真空热压烧结，虽然得到的材料性能优良，但同时带来了低生产效率、高工艺成本、高维护成本、高人工成本等缺点，造成该方法不适于大规模生产，限制了由该方法制备电子封装基板产品的工业应用，尤其是广大的民用产品领域。
发明内容
本发明的目的是提供一种SiCp/Al复合材料的成型方法，以解决现有SiCp/Al复合材料的制备方法生产效率低、工艺成本高、人工成本高的问题。
本发明采用以下技术方案：一种SiCp/Al复合材料的成型方法，使用一种SiCp/Al复合材料的成型设备，其结构包括：
一热压模具，其包括位于顶部的上压头，位于中间的环形阴模和位于底部的底模，上压头、阴模和底模围绕形成一中空腔体，中空腔体用于放置待成型的坯料；
一快速加热器，围绕热压模具的外部设置，用于对热压模具加热和保温；
一压力机，包括相对设置的上工作台和下工作台；上工作台置于上压头的上方，下工作台置于底模的底部；用于为热压模具提供轴向压力；
一测温***，包括热电偶，由外***阴模的外壁内，用于读取热压模具的温度数据，并根据温度数据来控制快速加热器的加热温度；
成型方法包括以下步骤：
步骤1)混粉：将SiC颗粒与Al粉或Al合金粉末按体积比为(10～90％)：(90～10％)的比例均匀混合得到SiC/Al粉末；
SiC颗粒直径为14～63μm；Al粉或Al合金粉末的粒度为50～150μm；
步骤2)冷压成形：将步骤1)混合均匀得到的SiC/Al粉末放入钢制模具中，在50-200MPa应力下加压成形为SiC/Al坯料；
步骤3)热压烧结：在大气压条件下，将步骤2)冷压成形后的SiC/Al坯料放入热压模具中，利用压力机和快速加热器对其进行热压，热压完成即制得SiCp/Al复合材料。
进一步的，热压烧结过程具体包括以下步骤：
3.1)快速升温阶段：
使用快速加热器对冷压成形后的SiC/Al进行加热，并使热压模具的温度在2～4分钟内升至450-650℃，压力机对SiC/Al坯料的压力为5～20MPa；
3.2)保温阶段：
保持温度在450-650℃范围内，并保温15-30分钟；
3.3)降温阶段：
保温结束后，控制压力机的压力为10～30MPa，将热压模具自然降温至300～400℃，脱模即得SiCp/Al复合材料。
进一步的，快速加热器包括：
一高频线圈，围绕所述上压头、阴模和底模的外侧呈螺旋设置；
一高频电流器，与所述高频线圈电连接，其电流频率在12000-20000Hz。
本发明的有益效果是：本发明的成型方法采用的快速加热器，具有升温速度快热压时间短的特点；其中涉及的热压压力只有常规热压的1/10左右，真空热压工序的1/10左右；冷压过程的压力只有一般粉末冶金铝基复合材料冷压压力的1/8，幅度提高生产大型件的可行性，同时大大延长了冷压模具的寿命。围绕热压模具周向设置快速加热器的加热方式，使得本发明的成型方法适用于各种类型的坯料成型。
附图说明
图1为本发明成型方法使用的SiCp/Al复合材料的成型设备的结构示意图。
其中，1.上压头，2.阴模，3.底模，4.坯料，51.上工作台，52.下工作台，6.热电偶，7.快速加热器，8.上绝热垫块，9.下绝热垫块，71.高频线圈，72.高频电流器。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明提供了一种SiCp/Al复合材料的成型方法，包括以下步骤：
步骤1)混粉：将SiC颗粒与Al粉或Al合金粉末按体积比为(10～90％)：(90～10％)的比例均匀混合得到SiC/Al粉末；
所述SiC颗粒直径为14～63μm；所述Al粉或Al合金粉末的粒度为50～150μm；
步骤2)冷压成形：将步骤1)混合均匀得到的SiC/Al粉末放入钢制模具中，在50-200MPa应力下加压成形为SiC/Al坯料4；
步骤3)热压烧结：在大气压条件下，将步骤2)冷压成形后的SiC/Al坯料4放入热压模具中，利用压力机和快速加热器7对其进行热压，热压完成即制得薄片形SiCp/Al复合材料。
其中，热压烧结过程具体包括：
3.1)快速升温阶段：
调节快速加热器7对冷压成形后的SiC/Al进行加热，并使热压模具的温度在2～4分钟内升至450-650℃，压力机对坯料4的压力为5～20MPa；
3.2)保温阶段：
保持温度在450-650℃范围内，并保温15-30分钟；
3.3)降温阶段：
保温结束后，控制压力机的压力为10～30MPa，通过关闭快速加热器7来对热压模具自然降温，当温度降到300～400℃，撤掉压力脱模，即制得SiCp/Al复合材料。
如图1所示，本发明所使用的一种SiCp/Al复合材料的成型设备，在一些实施例中，包括：热压模具、快速加热器7、压力机和测温***。
其中，热压模具的模具材料为能被高频电流加热的材料，比如石墨或者非奥氏体钢或铸铁。热压模具包括位于顶部的上压头1，位于中间的环形阴模2和位于底部的底模3，上压头1、阴模2和底模3围绕形成一密封中空腔体，在中空腔体中可以放置待成型的坯料4。坯料4可以为冷压成形后的SiC/Al。
快速加热器7围绕设置于所述热压模具的外部，用于对所述热压模具进行加热和保温。压力机用于为所述热压模具提供上下的轴向压力。压力机包括相对设置的上工作台51和下工作台52；所述上工作台51置于所述上压头1的上方，所述下工作台52置于所述底模3的底部。测温***包括热电偶6和温度控制***。热电偶6由外***阴模2的外壁，用于读取热压模具的温度数据，并控制所述快速加热器的加热温度。
在一些实施例中，快速加热器7包括高频线圈71和高频电流器72。将热压模具及坯料4置于高频线圈71内，阴模2处于高频线圈71的中部，且阴模2的高度小于高频线圈71的高度；当高频线圈71内通过高频电流时，对高频线圈71内部的阴模2圆柱形外表面实现迅速加热。高频电流器72与高频线圈71电连接，用于使高频线圈71中通过高频电流其电流频率在12000-20000Hz。
在一些实施例中，本发明的一种SiCp/Al复合材料的成型设备还包括设置于所述上压头1顶部的上绝热垫块8和设置于所述下绝缘板74底部的下绝热垫块9。设置上绝热垫块8和下绝热垫块9的作用是为了减少热量向压力机传递从而保护压力机。阴模2要求为铁磁性能用高频加热的、且导热性能良好的材料，而上绝热垫块8和下绝热垫块9要求顺磁且导热性差。
在一些实施例中，阴模2的外壁设置测试孔，测试孔为盲孔，靠近阴模内腔，但是测试孔不能打穿。热电偶6就安装在该测试孔中。
本发明的一种SiCp/Al复合材料的成型设备，以高频加热作为热源，热压模具和坯料4置于快速加热器7的内部，同时置于压力机1上，热压模具可以用石墨或者非奥氏体钢或铸铁，当高频线圈71中有高频电流通过时，对热压模具进行快速加热，通过控制快速加热器7的功率来控制坯料4的升温速度。
实施例
步骤1)SiC选用颗粒直径为63μm的磨料级绿色碳化硅粉末；
Al选用工业纯铝粉，Al50Mg粉为市售合金粉，粒度均为100μm，将这两种粉末配制成名义成分为Al10Mg的混合粉末；
再将SiC颗粒与Al10Mg混合粉按体积比为60％：40％均匀混合；
步骤2)将步骤1)混合均匀的SiC/Al粉末放入钢制冷压模具中，在100MPa的压力机压力下加压成形为SiC/Al坯料；
步骤3)在大气压条件下，将步骤2)冷压成形后的SiC/Al放入石墨材质的热压模具中，采用快速升温热压技术进行热压烧结。其中，快速升温热压技术的烧结工艺为：加热温度为600℃，施加的压力约为10MPa，达到烧结温度后保温30分钟，脱出膜腔，即制得了SiCp(60％)/Al复合材料。
其中，快速升温热压技术的实现设备为压力机和快速加热器7，快速升温热压技术的热压烧结工艺为：加热温度为600℃，施加的压力约为10MPa，达到烧结温度后保温30分钟，自然降温至350℃后脱膜，即制得了SiCp/Al复合材料。
按上述方法制得的SiC含量为60％的SiCp/Al，其致密度高达98.2％，远远超过采用普通电阻炉加热，200MPa压力下热压2小时后材料致密度的92％。
本发明的一种SiCp/Al复合材料的成型设备，包括快速加热设备7、压力机、热压模具和坯料4。通过快速加热设备7使热热压模具和坯料4快速升温至设定温度，并保温一段时间，压力机施加预设压力，热压成型，在大气条件下进行，无需真空环节。采用此项技术后，热压时间缩短至15-30分钟、热压压力降低至10MPa左右、热压坯致密度度升高至98％左右，效率高、成本低，十分适于工业化大规模生产。
本发明的一种SiCp/Al复合材料的成型方法具有以下优点：
①升温速度快热压时间短的特点，目前用于热压的加热技术主要是电阻加热，如金属电阻、硅碳棒、硅钼棒等，升温过程一般都在20分钟或半小时以上，本发明采用的快速加热器的加热时间一般可以控制在1-3分钟，其整个热压工序只有普通热压工序的1/5左右，真空热压工序的1/10左右；
②热压压力小，常规技术中的热压压力一般为100-200MPa，本发明采用的方法的热压压力只有常规热压的1/10左右，相同的热压设备可以使生产效率提高10倍，而热压模具的寿命也会有大幅度提高；
③与热压工艺配合，冷压过程的压力只有一般粉末冶金铝基复合材料冷压压力的1/8，一方面将相同冷压设备的生产能力提高了几倍甚至8倍，另一方面也可以加工截面积是原来产品的8倍零件，即大幅度提高生产大型件的可行性，当然同时大大延长了冷压模具的寿命；
④实现“性能定制”，本项目生产的产品性能主要通过材料组成设计实现，生产工艺不变，甚至参数变化都不是很大，所以对外形相同的产品在生产线不调整的情况下生产不同性能的产品，即根据需要不动生产线的情况下定制产品。
电子封装基板材料要求的热学性能可以通过成分设计进行调整；碳化硅颗粒的含量可以需要精确控制；原材料均为市售工业用粉，来源广泛、成本低廉；热压过程一般在大气条件下进行，避免了真空环节。因此，本方法具有热压时间短(15-30分钟)、热压压力小(10MPa左右)热压坯致密度度高(98％左右)、效率高、成本低，十分适于工业化大规模生产。
本发明的一种SiCp/Al复合材料的成型方法，应用于粉末冶金材料及产品的生产，特别是涉及集成电路基板、高功率led灯基板和IGBT散热板等低膨胀、高导热的SiCp/Al材料及基板样品的工业生产，该方法采用的大气条件下热压成型解决了现有粉末冶金工艺的诸多缺点，达到高生产效率和低生产成本的效果，为推广高性能电子封装基板SiCp/Al类产品应用提供有力的技术支持。

Claims (2)

1.一种SiCp/Al复合材料的成型方法，其特征在于，使用一种SiCp/Al复合材料的成型设备，其结构包括：
一热压模具，其包括位于顶部的上压头(1)，位于中间的环形阴模(2)和位于底部的底模(3)，所述上压头(1)、阴模(2)和底模(3)围绕形成一中空腔体，所述中空腔体用于放置待成型的坯料(4)；
一快速加热器(7)，围绕所述热压模具的外部设置，用于对所述热压模具加热和保温；
一压力机，包括相对设置的上工作台(51)和下工作台(52)；所述上工作台(51)置于所述上压头(1)的上方，所述下工作台(52)置于所述底模(3)的底部；用于为所述热压模具提供轴向压力；
一测温***，包括热电偶(6)，由外***所述阴模(2)的外壁内，用于读取热压模具的温度数据，并根据所述温度数据来控制所述快速加热器(7)的加热温度；
所述成型方法包括以下步骤：
步骤1)混粉：将SiC颗粒与Al粉或Al合金粉末按体积比为(10～90％)：(90～10％)的比例均匀混合得到SiC/Al粉末；
所述SiC颗粒直径为14～63μm；所述Al粉或Al合金粉末的粒度为50～150μm；
步骤2)冷压成形：将步骤1)混合均匀得到的SiC/Al粉末放入钢制模具中，在50-200MPa应力下加压成形为SiC/Al坯料(4)；
步骤3)热压烧结：在大气压条件下，将步骤2)冷压成形后的SiC/Al坯料(4)放入热压模具中，利用压力机和快速加热器(7)对其进行热压，热压完成即制得SiCp/Al复合材料；
所述的热压烧结过程具体包括以下步骤：
3.1)快速升温阶段：
使用快速加热器(7)对冷压成形后的SiC/Al进行加热，并使热压模具的温度在2～4分钟内升至450-650℃，所述压力机对SiC/Al坯料(4)的压力为5～20MPa；
3.2)保温阶段：
保持温度在450-650℃范围内，并保温15-30分钟；
3.3)降温阶段：
保温结束后，控制压力机的压力为10～30MPa，将热压模具自然降温至300～400℃，脱模即得SiCp/Al复合材料。
2.如权利要求1所述的成型方法，其特征在于，所述快速加热器(7)包括：
一高频线圈(71)，围绕所述上压头(1)、阴模(2)和底模(3)的外侧呈螺旋设置；
一高频电流器(72)，与所述高频线圈(71)电连接，其电流频率在12000-20000Hz。
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CN115369277A (zh) * 2022-07-14 2022-11-22 南昌航空大学 一种SiCp和Mg复合材料的成型方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2339844A1 (de) * 1973-08-07 1975-02-27 Mahle Gmbh Warmfeste aluminium-sinterlegierung
CN102618740A (zh) * 2011-12-27 2012-08-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种碳化硅增强型铝基复合材料及其制备方法
CN102676883A (zh) * 2011-12-19 2012-09-19 河南科技大学 一种碳化硅增强铝基复合材料及其制备方法
CN103160702A (zh) * 2013-03-19 2013-06-19 山东大学 一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法
CN103602869A (zh) * 2013-11-18 2014-02-26 湖南金马铝业有限责任公司 粉末冶金法制备高体分碳化硅铝基复合材料的工艺方法
CN106521251A (zh) * 2016-12-07 2017-03-22 西安工业大学 一种低膨胀、高热导的SiCp/Al复合材料的成型设备及其方法
CN206373357U (zh) * 2016-12-07 2017-08-04 西安工业大学 一种低膨胀、高热导的SiCp/Al复合材料的成型设备
CN107513634A (zh) * 2017-08-21 2017-12-26 湖南金马铝业有限责任公司 一种制备高体分SiCp/Al复合材料的致密化工艺

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2339844A1 (de) * 1973-08-07 1975-02-27 Mahle Gmbh Warmfeste aluminium-sinterlegierung
CN102676883A (zh) * 2011-12-19 2012-09-19 河南科技大学 一种碳化硅增强铝基复合材料及其制备方法
CN102618740A (zh) * 2011-12-27 2012-08-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种碳化硅增强型铝基复合材料及其制备方法
CN103160702A (zh) * 2013-03-19 2013-06-19 山东大学 一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法
CN103602869A (zh) * 2013-11-18 2014-02-26 湖南金马铝业有限责任公司 粉末冶金法制备高体分碳化硅铝基复合材料的工艺方法
CN106521251A (zh) * 2016-12-07 2017-03-22 西安工业大学 一种低膨胀、高热导的SiCp/Al复合材料的成型设备及其方法
CN206373357U (zh) * 2016-12-07 2017-08-04 西安工业大学 一种低膨胀、高热导的SiCp/Al复合材料的成型设备
CN107513634A (zh) * 2017-08-21 2017-12-26 湖南金马铝业有限责任公司 一种制备高体分SiCp/Al复合材料的致密化工艺

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