CN112186029A - 一种高浪涌电流型SiC二极管及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高浪涌电流型SiC二极管,包括SiC衬底(1),SiC衬底(1)表面设有深P‑grid层(2),深P‑grid层(2)外部设有浅P+grid层(3)。本发明通过在SiC衬底表面形成的浅P+grid层,能够替代现有SiC二极管中的Ni‑Ohmic层起到提高正向浪涌电流的效果;同时通过LP‑SiO2‑Spacer层的刻蚀可以使浅P+grid层在加工时无需单独光刻成型,进而相比现有的SiC二极管加工工艺能够减少一层光罩,具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。
Description
技术领域
本发明涉及一种SiC二极管,特别是一种高浪涌电流型SiC二极管及其制造方法。
背景技术
SiC二极管在光伏、汽车等高端领域对正向浪涌电流能力均具有较高的要求。而传统SiC二极管提高正向浪涌电流能力的方法是通过Ohmic光罩在二极管的正面增加一道欧姆接触工艺,进而利用二极管表面形成的Ni-Ohmic层达到提升效果。但由于这种方式需要在现有的制备工艺上增加一道光刻工艺,而目前SiC二极管的主要生产成本便是光刻层数,仅一道光刻层便需要100美金的加工成本,导致这种工艺会极大的增加对SiC二极管的生产周期和生产成本。此外,常规Ni-Ohmic层仅能将SiC二极管的正向浪涌电流提高至正向电流参数的6~8倍,提升效果相对较低。因此,现有对SiC二极管的制造方法存在生产周期长、生产成本高和正向浪涌电流低的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种高浪涌电流型SiC二极管及其制造方法。它具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。
本发明的技术方案:一种高浪涌电流型SiC二极管,包括SiC衬底,SiC衬底表面设有深P-grid层,深P-grid层外部设有浅P+grid层。
前述的一种高浪涌电流型SiC二极管中,所述浅P+grid层位于深P-grid层的两侧。
前述的一种高浪涌电流型SiC二极管中,所述浅P+grid层的深度为0.05~0.3μm,深P-grid层的深度为0.5~1.5μm。
前述的一种高浪涌电流型SiC二极管中,所述SiC衬底的两端设有JTE区,SiC衬底的外部设有离子注入层。
前述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法,包括以下步骤:
①在SiC衬底的两端形成JTE区,得A品;
②在A品表面形成浅P+grid层,得B品;
③在B品的浅P+grid层外部沉积形成LP-SiO2垫层,得C品;
④对C品的LP-SiO2垫层进行刻蚀形成LP-SiO2-Spacer层,得D品;
⑤对D品注入AL离子将部分浅P+grid层转化为深P-grid层,得成品。
前述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法中,所述步骤②中利用P+grid光罩对A品进行PE-SiO2沉积、PE-SiO2刻蚀和注入AL离子,使A品表面形成浅P+grid层,A品外部形成PE-SiO2层;所述步骤②中AL离子的注入浓度为1E16/cm~1.8E16/cm。
前述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法中,所述步骤③中通过LPVCD沉积在B品的浅P+grid层外部形成LP-SiO2垫层。
前述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法中,所述步骤④中LP-SiO2-Spacer层位于位于浅P+grid层的两侧外部。
前述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法中,所述步骤④中对LP-SiO2垫层通过干法刻蚀形成LP-SiO2-Spacer层。
前述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法中,所述步骤⑤中对D品注入AL离子将两侧LP-SiO2-Spacer层之间的浅P+grid层转化为深P-grid层,然后依次采用SBD光罩、Metal光罩进行刻蚀,消除D品外部的LP-SiO2-Spacer层和PE-SiO2层,得成品;所述步骤⑤中AL离子的注入浓度为5E15/cm~1E16/cm。
与现有技术相比,本发明通过在SiC衬底表面形成的浅P+grid层,能够替代现有SiC二极管中的Ni-Ohmic层起到提高正向浪涌电流的效果,且浅P+grid层能够将SiC二极管的正向浪涌电流提高至正向电流参数的10~12倍,相比现有带有Ni-Ohmic层的SiC二极管能够提高其正向浪涌电流能力;通过在浅P+grid层外部的LP-SiO2-Spacer层,则能够使两侧浅P+grid层在后续离子注入时不会随之转化为深P-grid层,进而使本发明仅需一道P+grid光罩便能形成浅P+grid层和深P-grid层,且通过沉积和干法刻蚀而成的LP-SiO2-Spacer层也无需光刻处理;使得本申请相比现有工艺或直接通过两道光刻工艺分别形成浅P+grid层和深P-grid层的方式能够有效减少一道光罩的使用,缩短了本发明的生产周期并降低了本发明的生产成本;在上述配合下,本发明仅需要常规的四层光罩便能完成对SiC二极管的制造,在提高正向浪涌电流能力的同时无需增加光刻次数,具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。
附图说明
图1是本发明的结构示意图;
图2是现有SiC二极管的结构示意图;
图3是本发明的制备工艺流程图。
附图中的标记为:1-SiC衬底,2-深P-grid层,3-浅P+grid层,4-JTE区,5-离子注入层,6-LP-SiO2垫层,7-LP-SiO2-Spacer层,8-PE-SiO2层,100-深P-grid结构,200-Ni-Ohmic结构,300-JTE结构,400-离子注入结构。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明,但并不作为对本发明限制的依据。
实施例。一种高浪涌电流型SiC二极管,构成如图1所示,包括SiC衬底1,SiC衬底1表面设有深P-grid层2,深P-grid层2外部设有浅P+grid层3。
所述浅P+grid层3位于深P-grid层2的两侧。
所述浅P+grid层3的深度为0.2μm,深P-grid层2的深度为1.1μm。
所述SiC衬底1的两端设有JTE区4,SiC衬底1的外部设有离子注入层5。
所述一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法,包括以下步骤:
①在SiC衬底的两端形成JTE区4,得A品;
②在A品表面形成浅P+grid层3,得B品;
③在B品的浅P+grid层3外部沉积形成LP-SiO2垫层6,得C品;
④对C品的LP-SiO2垫层6进行刻蚀形成LP-SiO2-Spacer层7,得D品;
⑤对D品注入AL离子将部分浅P+grid层3转化为深P-grid层2,得成品。
所述步骤②中利用P+grid光罩对A品进行PE-SiO2沉积、PE-SiO2刻蚀和注入AL离子,使A品表面形成浅P+grid层3,A品外部形成PE-SiO2层8;所述步骤②中AL离子的注入浓度为1E16/cm~1.8E16/cm。
所述步骤③中通过LPVCD沉积在B品的浅P+grid层外部形成LP-SiO2垫层6。
所述步骤④中LP-SiO2-Spacer层7位于位于浅P+grid层3的两侧外部。
所述步骤④中对LP-SiO2垫层6通过干法刻蚀形成LP-SiO2-Spacer层7。
所述步骤⑤中对D品注入AL离子将两侧LP-SiO2-Spacer层7之间的浅P+grid层3转化为深P-grid层2,然后依次采用SBD光罩、Metal光罩进行刻蚀,消除D品外部的LP-SiO2-Spacer层7和PE-SiO2层8,并形成离子注入层5,得成品;所述步骤⑤中AL离子的注入浓度为5E15/cm~1E16/cm。
常规SiC二极管的制备工艺为:先利用JTE光罩沉积SiO2、刻蚀SiO2和注入AL离子形成JTE结构300,然后利用P-grid光罩沉积SiO2、刻蚀SiO2和注入AL离子形成深P-grid结构100,再利用Ohmic光罩沉积SiO2、刻蚀SiO2和沉积金属Ni形成Ni-Ohmic结构200,最后依次采用SBD光罩和Metal光罩进行刻蚀,形成离子注入结构400,得到成品;成品结构如图2所示。
本发明的工作原理:本发明通过先在SiC衬底1上通过光刻形成浅P+grid层3,再通过沉积和刻蚀在浅P+grid层3的外部形成LP-SiO2-Spacer层7,然后通过注入AL离子使中部的浅P+grid层3形成与常规深P-grid结构100相同的深P-grid层2,而两侧的浅P+grid层3则在LP-SiO2-Spacer层7的作用下保持原状,进而使SiC二极管在制备后能够同时形成深P-grid层2和浅P+grid层3,并利用浅P+grid层3代替现有Ni-Ohmic结构200起到提高SiC二极管正向浪涌电流的效果。且浅P+grid层3和深P-grid层2在加工时仅需一次光刻工艺便能成型,相比现有的深P-grid结构100无需增加光罩数量,且相比现有的Ni-Ohmic结构200能够减少一道Ohmic光罩,有效缩短了对SiC二极管的生产周期并降低其生产成本。
Claims (10)
1.一种高浪涌电流型SiC二极管,其特征在于:包括SiC衬底(1),SiC衬底(1)表面设有深P-grid层(2),深P-grid层(2)外部设有浅P+grid层(3)。
2.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流型SiC二极管,其特征在于:所述浅P+grid层(3)位于深P-grid层(2)的两侧。
3.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流型SiC二极管,其特征在于:所述浅P+grid层(3)的深度为0.05~0.3μm,深P-grid层(2)的深度为0.5~1.5μm。
4.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流型SiC二极管,其特征在于:所述SiC衬底(1)的两端设有JTE区(4),SiC衬底(1)的外部设有离子注入层(5)。
5.基于权利要求1-4中任一权利要求所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
①在SiC衬底的两端形成JTE区,得A品;
②在A品表面形成浅P+grid层,得B品;
③在B品的浅P+grid层外部沉积形成LP-SiO2垫层,得C品;
④对C品的LP-SiO2垫层进行刻蚀形成LP-SiO2-Spacer层,得D品;
⑤对D品注入AL离子将部分浅P+grid层转化为深P-grid层,得成品。
6.根据权利要求5所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤②中利用P+grid光罩对A品进行PE-SiO2沉积、PE-SiO2刻蚀和注入AL离子,使A品表面形成浅P+grid层,A品外部形成PE-SiO2层;所述步骤②中AL离子的注入浓度为1E16/cm~1.8E16/cm。
7.根据权利要求5所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤③中通过LPVCD沉积在B品的浅P+grid层外部形成LP-SiO2垫层。
8.根据权利要求5所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤④中LP-SiO2-Spacer层位于位于浅P+grid层的两侧外部。
9.根据权利要求5所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤④中对LP-SiO2垫层通过干法刻蚀形成LP-SiO2-Spacer层。
10.根据权利要求6所述的一种高浪涌电流型SiC二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤⑤中对D品注入AL离子将两侧LP-SiO2-Spacer层之间的浅P+grid层转化为深P-grid层,然后依次采用SBD光罩、Metal光罩进行刻蚀,消除D品外部的LP-SiO2-Spacer层和PE-SiO2层,得成品;所述步骤⑤中AL离子的注入浓度为5E15/cm~1E16/cm。
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