CN112185983B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112185983B CN112185983B CN201910521568.0A CN201910521568A CN112185983B CN 112185983 B CN112185983 B CN 112185983B CN 201910521568 A CN201910521568 A CN 201910521568A CN 112185983 B CN112185983 B CN 112185983B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- emitting device
- array substrate
- conductive block
- light emitting
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 149
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 10
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板及显示装置，该显示面板包括：发光器件、阵列基板以及连接胶；阵列基板与发光器件之间通过第一导电块和第二导电块电连接，第一导电块和第二导电块不接触；连接胶设置在发光器件和阵列基板之间，连接胶在阵列基板上的投影位于发光器件朝向阵列基板的底壁在阵列基板上的投影内，连接胶位于第一导电块和第二导电块的周围；连接胶用于粘接发光器件和阵列基板。在制作显示面板时，连接发光器件和基底之间的连接层分解，进而生成气体而推动发光器件与基底分离，此时位于发光器件和阵列基板之间的连接胶会支撑发光器件，避免发光器件受力不均而损坏。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示设备技术的逐渐发展，微发光二极管以其较高的亮度以及较长的使用寿命逐渐应用在各类显示装置上。
显示面板通常包括阵列基板以及由微发光二极管构成的发光器件，制备时，首先在基底上制备微发光二极管，然后将基底上的微发光二极管与阵列基板连接，再将基底与微发光二极管分离。在此过程中，微发光二极管容易受力不均，导致微发光二极管损坏。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，以解决制备过程中微发光二极管容易受力不均，而导致微发光二极管损坏的技术问题。
本发明实施例提供了一种显示面板，包括：发光器件、阵列基板以及连接胶；所述阵列基板与所述发光器件之间通过第一导电块和第二导电块电连接，所述第一导电块和所述第二导电块不接触；所述连接胶设置在所述发光器件和所述阵列基板之间，所述连接胶在所述阵列基板上的投影位于所述发光器件朝向所述阵列基板的底壁在所述阵列基板上的投影内，所述连接胶位于所述第一导电块和所述第二导电块的周围；所述连接胶用于粘接所述发光器件和所述阵列基板。
如上所述的显示面板，优选地，所述连接胶与所述第一导电块和所述第二导电块贴合。
如上所述的显示面板，优选地，所述连接胶为热塑性胶；优选地，所述连接胶为光刻胶；优选地，所述连接胶包括聚甲基丙烯酸脂或聚苯乙烯或聚碳酸酯。
如上所述的显示面板，优选地，所述发光器件的所述底壁上设置有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极不接触；所述第一电极与所述第一导电块连接，所述第二电极与所述第二导电块连接。
如上所述的显示面板，优选地，所述发光器件上具有与所述底壁相邻的侧壁；所述第一电极包括位于所述底壁上的第一接触部、以及位于所述侧壁上的第一延伸部，所述第一导电块与所述第一接触部和所述第一延伸部连接。
如上所述的显示面板，优选地，所述第二电极包括位于所述底壁上的第二接触部、以及位于所述侧壁上的第二延伸部，所述第二导电块与所述第二接触部和所述第二延伸部连接。
如上所述的显示面板，优选地，所述发光器件底壁的面积小于所述发光器件顶壁的面积。
如上所述的显示面板，优选地，所述第一导电块和所述第二导电块均为金属块。
如上所述的显示面板，优选地，所述第一导电块与所述第一电极焊接，所述第二导电块与所述第二电极焊接。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括壳体以及如上所述的显示面板，所述显示面板设置在所述壳体上。
本发明实施例提供的显示面板及显示装置，阵列基板与发光器件之间通过第一导电块和第二导电块电连接，连接胶设置在发光器件和阵列基板之间，连接胶在阵列基板上的投影位于发光器件的底壁在阵列基板上的投影内，连接胶位于第一导电块和第二导电块的周围；在制作显示面板时，位于发光器件和阵列基板之间的连接胶会支撑发光器件，避免发光器件受力不均而损坏。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示面板中发光器件与阵列基板之间的连接示意图一；
图2为本发明实施例提供的显示面板中第一导电块、第二导电块以及连接胶在阵列基板上的俯视图；
图3为本发明实施例提供的显示面板中发光器件与阵列基板之间的连接示意图二。
附图标记说明：
10：发光器件；
101：第一电极层；
102：发光层；
103：第二电极层；
104：第一电极；
105：第二电极；
106：绝缘层；
1041：第一接触部；
1042：第一延伸部；
1051：第二接触部；
1052：第二延伸部；
20：阵列基板；
201：第一导电块；
202：第二导电块；
30：连接胶。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
显示面板通常包括阵列基板以及由微发光二极管构成的发光器件，阵列基板上设置有第一金属柱和第二金属柱，第一金属柱和第二金属柱不接触，发光器件上设置有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极不接触，第一金属柱与第一电极通过焊接的方式连接，第二金属柱也通过焊接的方式与第二电极连接，以在实现阵列基板与发光器件电连接的基础上，实现发光器件与阵列基板之间的机械连接。制备时，首先在基底上制备微发光二极管，然后将基底上的微发光二极管与阵列基板焊接，最后通过一定波长的激光照射基底，使基底和微发光二极管之间的连接层分解，生成气体，以此实现基底与微发光二极管之间的分离。
然而，在连接层分解时，产生的气体推动微发光二极管与基底分离，第一金属柱和第二金属柱的截面面积较小，此时微发光二极管容易受力不均，导致微发光二极管损坏。
图1为本发明实施例提供的显示面板中发光器件与阵列基板之间的连接示意图一；图2为本发明实施例提供的显示面板中第一导电块、第二导电块以及连接胶在阵列基板上的俯视图；图3为本发明实施例提供的显示面板中发光器件与阵列基板之间的连接示意图二。
请参照图1-图3。本实施例提供一种显示面板，包括：发光器件10、阵列基板20以及连接胶30；阵列基板20与发光器件10之间通过第一导电块201和第二导电块202电连接，其中，第一导电块201和第二导电块202不接触；连接胶30设置在发光器件10和阵列基板20之间，连接胶30在阵列基板20上的投影位于发光器件10朝向阵列基板20的底壁在阵列基板20上的投影内，连接胶30位于第一导电块201和第二导电块202的周围；连接胶30用于粘接发光器件10和阵列基板20。
本实施例中的发光器件10可以为有机发光器件10或者无机发光器件10，本实施例对发光器件10不做限制，只要能够在向发光器件10供电时，发光器件10发光即可。继续参照图1，示例性的，发光器件10可以包括绝缘层106、以及层叠设置的第一电极层101、发光层102、第二电极层103；绝缘层106包裹在第一电极层101、发光层102以及第二电极层103的外侧，当第一电极层101和第二电极层103带电时，即可驱动发光层102发光。
本实施例中，阵列基板20与发光器件10之间通过第一导电块201和第二导电块202电连接，阵列基板20内设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管与第一导电块201和第二导电块202电连接，第一导电块201和第二导电块202与发光器件10电连接，以通过薄膜晶体管控制第一导电块201和第二导电块202向发光器件10供电，以实现显示面板的显示。
示例性的，第一导电块201与发光器件10上的第一电极层101电连接，第二导电块202与发光器件10上的第二电极层103电连接，以通过第一导电块201和第二导电块202向发光器件10供电。
值得说明的是，本实施例中第一导电块201和第二导电块202可以设置在阵列基板20上，当然第一导电块201和的第二导电块202还可以设置在发光器件10上，只要保证阵列基板20能够通过第一导电块201和第二导电块202向发光器件10供电即可。
本实施例中，连接胶30设置在发光器件10和阵列基板20之间，并且连接胶30在阵列基板20上的投影位于发光器件10底壁在阵列基板20上的投影内，且连接胶30位于第一导电块201和第二导电块202的周围。参照图1所示方位，具体地，第一导电块201的顶端与发光器件10朝向阵列基板20的底壁接触，第一导电块201的底端与阵列基板20的顶面接触；相同的，第二导电块202的顶端与发光器件10朝向阵列基板20的底壁接触，第二导电块202的底端与阵列基板20的顶面接触。
本实施例中，连接胶30位于第一导电块201和第二导电块202的周围，具体地，连接胶30可以包围第一导电块201和第二导电块202并与第一导电块201和第二导电块202接触，也可以包围第一导电块201和第二导电块202但不与第一导电块201和第二导电块202接触，值得说明的是，需要保证连接胶30的一个面与发光器件10贴合，连接胶30的另一面与阵列基板20贴合，以保证连接胶30可以支撑发光器件10。另外，连接胶30将发光器件10粘接在阵列基板20上，还提高了发光器件10与阵列基板20之间的连接力，避免了发光器件10与阵列基板20脱离。
本实施优选地，连接胶30包围第一导电块201和第二导电块202并与第一导电块201和第二导电块202接触，即连接胶30充满整个容胶区，与连接胶30与第一导电块201和第二导电块202之间具有间隙相比，提高了连接胶30与发光器件10之间的接触面积，进一步支撑发光器件10，另外也进一步提高了发光器件10与阵列基板20之间的连接力，进一步避免发光器件10与阵列基板20脱离。
本实施例中，连接胶30可以有多种，只要能够粘接发光器件10和阵列基板20即可。优选地，连接胶30可以为热塑性胶。如：丙烯酸酯或者聚苯乙烯等。热塑性胶随着温度的升高其粘度逐渐降低，随着温度的降低而逐渐固化，并且上述过程可以重复进行；连接胶30为热塑性胶可以通过改变温度来调节连接胶30的粘度，进而方便了阵列基板20与发光器件10之间的粘接。当然，本实施例中的连接胶30还可以为热固性胶，热固性胶随着温度的升高逐渐固化，并且固化后的粘度不会再随温度的变化而改变。
当连接胶30为热塑性胶时，制作过程中，可以先在阵列基板20的底面上形成整层连接胶30，之后在连接胶30上形成感光层；之后在感光层上罩设掩膜版，掩膜版上具有遮光部，遮光部在阵列基板20上的投影与发光器件10底壁在阵列基板上的投影形状相同；之后对掩膜版进行曝光，以使遮光部外的感光层被曝光，之后去除被曝光的感光层以及被曝光的感光层对应的连接胶30，遮光部对应的感光层未被曝光而保留，相应的遮光部对应的连接胶30也保存在阵列基板20上，之后去除感光层；此时在阵列基板20上形成由连接胶30构成的胶块，胶块在阵列基板20上的投影与发光器件10底壁在阵列基板20上的投影的完全重合。第一导电块201和第二导电块202可以预先安装在发光器件10上，此时将发光器件10贴附在胶块上，对胶块进行加热，以使胶块的粘度降低，与此同时按压发光器件10，使第一导电块201和第二导电块202穿过胶块而与阵列基板20接触，与此同时，连接胶30位于第一导电块201和第二导电块202的周围，以实现第一导电块201和第二导电块202与阵列基板20之间的电连接；在此之后，对胶块进行降温，以使胶块固化，即可实现发光器件10与阵列基板20之间的粘接。在上述过程中，第一导电块201和第二导电块202还可以预先制作在阵列基板20的顶面上，之后在阵列基板20的顶面上形成整层连接胶30，此时连接胶30环绕第一导电块201和第二导电块202，再通过同样的方法形成胶块，将发光器件10贴附在胶块上，并对胶块进行加热使胶块的粘度降低；同时按压发光器件10，以使发光器件10与第一导电块201和第二导电块202接触，实现第一导电块201和第二导电块202发光器件10之间的电连接。
当连接胶30为热塑性胶时，制作过程中，还可以将连接胶30直接形成在发光器件10的底壁上，此时可以预先在阵列基板20上形成第一导电块201和第二导电块202，之后将发光器件10贴附在阵列基板20上，对连接胶30加热并按压发光器件10，使第一导电块201和第二导电块202穿过连接胶30与发光器件10接触，之后冷却固化。当然第一导电块201和第二导电块202还可以预先制作在发光器件10的底壁上。
本实施例中的连接胶30还可以为光刻胶。可以通过光刻的工艺形成一定形状的连接胶30，以使阵列基板20上的连接胶30位于发光器件10底壁在阵列基板20上的投影内、且连接胶30位于第一导电块201和第二导电块202的周围，简化了制作难度。
示例性的，可以在阵列基板20的顶面上形成整层连接胶30；之后对连接胶30进行光刻处理，以形成胶块，胶块在阵列基板20上的投影位于发光器件10底壁在阵列基板20上的投影内，胶块上具有第一通孔和第二通孔，第一导电块201在阵列基板20上的投影位于第一通孔在阵列基板20上的投影内，第二导电块202在阵列基板20上的投影位于第二通孔在阵列基板20上的投影内；之后将带有第一导电块201和第二导电块202发光器件10贴附在胶块上，并且使第一导电块201穿设在第一通孔内，第二导电块202穿设在第二通孔内，以使第一导电块201和第二导电块202与阵列基板20电连接；即可实现发光器件10与阵列基板20之间的连接。其中光刻处理包括：在连接胶30上覆盖掩膜版，掩膜版上具有遮光部，遮光部在阵列基板20上的投影与发光器件10底壁在阵列基板20上的投影重合，并且遮光部上具有与第一透光孔和第二透光孔，第一透光孔与第一导电块201对应，第二透光孔与第二导电块202对应，对掩膜版进行曝光，之后去除被曝光的连接胶30，以形成胶块以及胶块上的第一通孔和第二通孔。
当然，第一导电块201和第二导电块202也可以预先设置在阵列基板20上，在阵列基板20顶面形成连接胶30，连接胶30覆盖第一导电块201和第二导电块202外的阵列基板20；之后对连接胶30进行光刻处理，以形成胶块；再将发光器件10贴附在连接胶30上，并且第一导电块201和第二导电块202与发光器件10电连接，以完成发光器件10与阵列基板20之间的连接。
进一步地，本实施例中的连接胶30还可以为具有热塑性的光刻胶。具有热塑性的光刻胶可以主要由聚甲基丙烯酸脂或聚苯乙烯或聚碳酸酯等构成。即光刻胶除了能够进行光刻处理外，在加热后光刻胶的粘度降低，冷却时光刻胶逐渐固化，并且固化后再次加热，光刻胶的粘度仍然会降低。此时在将发光器件10贴附在阵列基板20上时，适当加热光刻胶，可以使光刻胶粘度降低，以使光刻胶完全与阵列基板20和发光器件10贴合，之后冷却光刻胶以使光刻胶固化，实现发光器件10与阵列基板20之间的连接。值得说明的是，连接胶30为热塑性的光刻胶时，在光刻处理时，可不必形成第一通孔和第二通孔，在将阵列基板20和发光器件10贴合时，通过加热使光刻胶粘度降低，之后按压发光器件10，即可使发光器件10上的第一导电块201和第二导电块202穿过光学胶与阵列基板20接触。
本实施例提供的显示面板的加工过程为：发光器件10通过连接层连接在基底上，并且发光器件10背离阵列基板20的顶壁与连接层连接；在阵列基板20上形成第一导电块201和第二导电块202，并且形成连接胶30；之后通过基底将发光器件10贴附在连接胶30上，并且使第一导电块201和第二导电块202与发光器件10电连接，连接胶30粘接发光器件10和阵列基板20；在此之后，通过光照的方式使连接层发生分解，进而生成气体，气体推动基底与发光器件10分离，进而实现显示面板的制作。
本实施例提供的显示面板，阵列基板20与发光器件10之间通过第一导电块201和第二导电块202电连接，连接胶30设置在发光器件10和阵列基板20之间，连接胶30在阵列基板20上的投影位于发光器件10的底壁在阵列基板20上的投影内，连接胶30位于第一导电块201和第二导电块202的周围；在制作显示面板时，连接发光器件10和基底之间的连接层分解，进而生成气体而推动发光器件10与基底分离，此时位于发光器件10和阵列基板20之间的连接胶30会支撑发光器件10，避免发光器件10受力不均而损坏。
另外，连接胶30粘接发光器件10和阵列基板20，还提高了发光器件10与阵列基板20之间的连接力，避免了发光器件10与阵列基板20脱离。
本实施例中连接胶30在阵列基板20上的投影位于发光器件10的底壁在阵列基板20上的投影内。如此设置，还可以避免多个发光器件10同时安装在阵列基板20上时，连接胶30进入到相邻两个发光器件10间的缝隙内，导致的连接胶10与基底接触；进而避免基底与发光器件10分离困难。
继续参照图1。本实施例中，发光器件10的底壁上设置有第一电极104和第二电极105，第一电极104和第二电极105不接触；第一电极104与第一导电块201连接，第二电极105与第二导电块202连接。第一导电块201通过第一电极104与发光器件10连接，第二导电块202通过第二电极105与发光器件10电连接。
本实施例中第一电极104和第二电极105可以均由银、铜等金属材质构成，当然本实施中第一电极104和第二电极105还可以均由石墨等非金属材质构成。只要保证第一电极104和第二电极105导电即可。
相同的，本实施中，第一导电块201和第二导电块202可以为主要由银、铜等金属材质构成的金属块，当然本实施中第一导电块201和第二导电块202还可以主要由石墨等非金属材质构成的非金属块。只要保证第一导电块201和第二导电块202导电即可。
本实施例中，当第一导电块201和第二导电块202为金属块时，第一电极104和第二电极105也由金属材质构成，此时第一导电块201与第一电极104焊接，第二导电块202与第二电极105焊接。第一导电块201和第二导电块202之间通过焊接的方式与发光器件10之间连接，在保证电连接的基础上，提高了发光器件10与阵列基板20之间的连接强度。
优选地，当第一导电块201与第一电极104通过焊接的方式连接，第二导电块202与第二电极105通过焊接的方式连接时，第一导电块201和第二导电块202可以均由金属铟构成，由于铟的熔点较低，可以避免焊接时温度过高而对发光器件10或阵列基板20造成损伤。
本实施例中，连接胶30为具有热塑性的光刻胶时，在第一导电块201和第二导电块202焊接的同时，也对连接胶30进行了加热，在完成焊接的同时也实现连接胶30与阵列基板20和发光器件10之间的粘接。
继续参照图3，本实施例中，发光器件10上具有与底壁相邻的侧壁；第一电极104包括位于底壁上的第一接触部1041、以及位于侧壁上的第一延伸部1042，第一导电块201与第一接触部1041和第一延伸部1042连接。第一导电块201与第一接触部1041和第一延伸部1042连接，与第一电极104仅设置在发光器件10的底壁相比，提高了第一导电块201与第一电极104之间的接触面积，避免第一导电块201与第一电极104之间接触不良。另外，当第一导电块201与第一电极104之间通过焊接的方式连接时，也可以提高第一导电块201与第一电极104之间的连接力，进而提高发光器件10与阵列基板20之间的连接力。
继续参照图3。进一步地，第二电极105包括位于底壁上的第二接触部1051、以及位于侧壁上的第二延伸部1052，第二导电块202与第二接触部1051和第二延伸部1052连接。第二导电块202与第二接触部1051和第二延伸部1052连接，与第二电极105仅设置发光器件10的底壁相比，提高了第二导电块202与第二电极105之间的接触面积，避免第二导电块202与第二电极105之间接触不良。另外，当第二导电块202与第二电极105之间通过焊接的方式连接时，也可以提高第二导电块202与第二电极105之间的连接力，进而提高发光器件10与阵列基板20之间的连接力。
继续参照图3，本实施例优选地，发光器件10底壁的面积小于发光器件10顶壁的面积。如此设置，发光器件10的侧壁倾斜设置，与发光器件10的侧壁垂直设置相比，可以增大发光器件10的侧壁面积；在第一延伸部1042与发光器件10底壁之间距离相等的前提下，倾斜设置的侧壁可增大第一延伸部1042的面积，以进一步提高第一导电块201与第一电极104的接触面积；相同的，在第二延伸部1052与发光器件10底壁之间距离相等的前提下，倾斜设置的侧壁可增大第二延伸部1052的面积，以进一步提高第二导电块202与第二电极105的接触面积。
示例性地，发光器件10可以呈圆台状或者棱台状，以保证发光器件10底壁的面积小于发光器件10顶壁的面积。
继续参照图1-图3。在其他实施例中，还提供一种显示装置，包括壳体以及如上所述的显示面板，显示面板设置在壳体上。
其中显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、电子书、电子纸、智能手表、笔记本电脑、数码相框或导航仪等具有显示功能的产品或部件。
本实施例提供的显示装置，阵列基板20与发光器件10之间通过第一导电块201和第二导电块202电连接，连接胶30设置在发光器件10和阵列基板20之间，连接胶30在阵列基板20上的投影位于发光器件10的底壁在阵列基板20上的投影内，连接胶30位于第一导电块201和第二导电块202的周围；在制作显示面板时，连接发光器件10和基底之间的连接层分解，进而生成气体而推动发光器件10与基底分离，此时位于发光器件10和阵列基板20之间的连接胶30会支撑发光器件10，避免发光器件10受力不均而损坏。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
需要说明的是，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于方便描述不同的部件，而不能理解为指示或暗示顺序关系、相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
在本发明中，除非另有明确的规定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸的连接，或一体成型，可以是机械连接，也可以是电连接或者彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒体间接连接，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的互相作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：发光器件、阵列基板以及连接胶；
所述阵列基板与所述发光器件之间通过第一导电块和第二导电块电连接，所述第一导电块和所述第二导电块不接触；
所述连接胶设置在所述发光器件和所述阵列基板之间，所述连接胶在所述阵列基板上的投影位于所述发光器件朝向所述阵列基板的底壁在所述阵列基板上的投影内，所述连接胶位于所述第一导电块和所述第二导电块的周围；
所述连接胶用于粘接所述发光器件和所述阵列基板；所述连接胶为热塑性光刻胶。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述连接胶与所述第一导电块和所述第二导电块贴合。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述连接胶包括聚甲基丙烯酸脂或聚苯乙烯或聚碳酸酯。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件的所述底壁上设置有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极不接触；所述第一电极与所述第一导电块连接，所述第二电极与所述第二导电块连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件上具有与所述底壁相邻的侧壁；所述第一电极包括位于所述底壁上的第一接触部、以及位于所述侧壁上的第一延伸部，所述第一导电块与所述第一接触部和所述第一延伸部连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极包括位于所述底壁上的第二接触部、以及位于所述侧壁上的第二延伸部，所述第二导电块与所述第二接触部和所述第二延伸部连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件底壁的面积小于所述发光器件顶壁的面积。
8.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电块和所述第二导电块均为金属块。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电块与所述第一电极焊接，所述第二导电块与所述第二电极焊接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括壳体以及权利要求1-9任一项所述的显示面板，所述显示面板设置在所述壳体上。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910521568.0A CN112185983B (zh) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 显示面板及显示装置 |
| PCT/CN2020/076524 WO2020253259A1 (zh) | 2019-06-17 | 2020-02-25 | 显示装置、显示面板及其制备方法 |
| KR1020217039278A KR102604712B1 (ko) | 2019-06-17 | 2020-02-25 | 디스플레이 장치, 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910521568.0A CN112185983B (zh) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 显示面板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112185983A CN112185983A (zh) | 2021-01-05 |
| CN112185983B true CN112185983B (zh) | 2023-03-24 |
Family
ID=73914239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910521568.0A Active CN112185983B (zh) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102604712B1 (zh) |
| CN (1) | CN112185983B (zh) |
| WO (1) | WO2020253259A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113724597B (zh) * | 2021-08-31 | 2023-11-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843251A (en) * | 1989-03-09 | 1998-12-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Process for connecting circuits and adhesive film used therefor |
| JP2005123560A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその形成方法 |
| CN102800775A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-11-28 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有该发光器件的发光设备 |
| CN102842666A (zh) * | 2011-06-22 | 2012-12-26 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led覆晶结构及其制造方法 |
| KR20150097991A (ko) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| CN105742469A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-07-06 | 深圳大道半导体有限公司 | 半导体发光芯片 |
| KR20160097728A (ko) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키지 |
| CN107123718A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-09-01 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种倒装大功率led封装结构及其制备方法和用途 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW543128B (en) * | 2001-07-12 | 2003-07-21 | Highlink Technology Corp | Surface mounted and flip chip type LED package |
| TWI301331B (en) * | 2006-05-17 | 2008-09-21 | Epistar Corp | Light emitting device |
| CN101626000B (zh) * | 2008-07-10 | 2014-11-26 | 晶元光电股份有限公司 | 金属阵列基板、光电元件和发光元件及其制造方法 |
| US8796724B2 (en) * | 2011-12-20 | 2014-08-05 | Todd W Hodrinsky | Light emitting systems and methods |
| KR101637327B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2016-07-07 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법 |
| WO2018223391A1 (en) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | Goertek. Inc | Micro-led array transfer method, manufacturing method and display device |
| CN107731864B (zh) * | 2017-11-20 | 2020-06-12 | 开发晶照明（厦门）有限公司 | 微发光二极管显示器和制作方法 |
-
2019
- 2019-06-17 CN CN201910521568.0A patent/CN112185983B/zh active Active
-
2020
- 2020-02-25 KR KR1020217039278A patent/KR102604712B1/ko active IP Right Grant
- 2020-02-25 WO PCT/CN2020/076524 patent/WO2020253259A1/zh active Application Filing
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843251A (en) * | 1989-03-09 | 1998-12-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Process for connecting circuits and adhesive film used therefor |
| JP2005123560A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその形成方法 |
| CN102800775A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-11-28 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有该发光器件的发光设备 |
| CN102842666A (zh) * | 2011-06-22 | 2012-12-26 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led覆晶结构及其制造方法 |
| KR20150097991A (ko) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR20160097728A (ko) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키지 |
| CN105742469A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-07-06 | 深圳大道半导体有限公司 | 半导体发光芯片 |
| CN107123718A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-09-01 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种倒装大功率led封装结构及其制备方法和用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020253259A1 (zh) | 2020-12-24 |
| KR102604712B1 (ko) | 2023-11-22 |
| CN112185983A (zh) | 2021-01-05 |
| KR20210153732A (ko) | 2021-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112017550B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| JP5600443B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JPH1154658A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びにフレーム構造体 | |
| JPWO2009144960A1 (ja) | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および携帯機器 | |
| JP2012028484A (ja) | モジュールと、その製造方法 | |
| WO2020038179A1 (zh) | 电路板组件及其半成品、泛光灯、摄像模组及其应用 | |
| CN1681377A (zh) | 电子部件装配体的制造方法、电子部件装配体及电光装置 | |
| CN112185983B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| KR20140054651A (ko) | 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2013030789A (ja) | 実装構造体及び実装構造体の製造方法 | |
| JP2009049285A (ja) | 実装構造体及び実装構造体の製造方法 | |
| JP2018037632A (ja) | パッケージ構造およびその製造方法 | |
| JP2000347072A (ja) | 光ファイバ並びに光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
| CN113809114A (zh) | 一种led显示模组的制造方法及led显示模组 | |
| CN2704863Y (zh) | 半导体器件的安装结构、电光装置及电子设备 | |
| CN110970457B (zh) | 一种Micro-LED芯片及其制备方法、显示装置 | |
| JP3073550B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004311812A (ja) | 撮像装置およびその製造方法 | |
| CN112018227A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| JP5599294B2 (ja) | 撮像モジュールおよびその製造方法、並びに電子情報機器 | |
| JP2008159983A (ja) | 三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置 | |
| CN114242875B (zh) | 发光器件及其制作方法、照明装置及显示装置 | |
| JP2000214794A (ja) | 表示パネルと駆動回路との接続構造、それを用いた表示装置および電子機器、ならびに表示装置の製造方法 | |
| JPH07131076A (ja) | Ｌｅｄアレイ装置 | |
| JP2002244146A (ja) | 不透明基板を具えたフラットパネルディスプレイの内部連接方法とそれにより形成される装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |