CN112166630B

CN112166630B - 资源调整方法、装置、芯片及计算机可读存储介质

Info

Publication number: CN112166630B
Application number: CN201880093783.9A
Authority: CN
Inventors: 唐海
Original assignee: Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp Ltd
Current assignee: Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp Ltd
Priority date: 2018-11-07
Filing date: 2018-11-07
Publication date: 2022-03-08
Anticipated expiration: 2038-11-07
Also published as: CN112166630A; WO2020093267A1

Abstract

一种资源调整方法、装置、芯片及计算机可读存储介质，其中方法包括：获取终端设备的LTE发射功率，终端设备为LTE FDD+NR TDD终端设备；根据获取到的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度；基于确定出的最大NR等效电场强度调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。可避免终端设备的SAR超标。

Description

资源调整方法、装置、芯片及计算机可读存储介质

技术领域

本申请涉及无线网络技术，特别涉及资源调整方法、装置、芯片及计算机可读存储介质。

背景技术

电磁波吸收比值(SAR，Specific Absorption Rate)是衡量终端设备对人体电磁辐射强度的指标参量，标准上对SAR值有着严格的指标要求，终端设备通常不能超过指标要求。

通常来说，终端设备的发射功率越高，SAR值越大，采用的上行占比(上行时隙占比)越高，SAR值越大。

在实际应用中，某些终端设备会同时支持长期演进(LTE，Long Term Evolution)和新空口(NR，New Radio)两种制式，这种终端设备可称为EN-DC(EUTRA-NR DualConnection)终端设备，LTE和NR处于同时工作状态。EN-DC终端设备的功率等级取决于总发射功率。

一种典型的EN-DC终端设备为LTE频分双工(FDD，Frequency DivisionDuplexing)+NR时分双工(TDD，Time Division Duplexing)终端设备。LTE FDD上行处于一直发送的状态，典型的LTE终端设备当发射功率达到或超过23dBm时，其SAR即会面临超标的风险，那么对于LTE FDD+NR TDD终端设备，如何避免SAR超标，将是一个亟待解决的问题，但目前还没有一种有效的解决方式。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了资源调整方法、装置、芯片及计算机可读存储介质。

第一方面，提供了一种资源调整方法，包括：

获取终端设备的LTE发射功率，所述终端设备为LTE FDD+NR TDD终端设备；

根据所述LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度；

基于所述最大NR等效电场强度调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

第二方面，提供了一种资源调整装置，用于执行上述第一方面或其各实现方式中的方法。

具体地，该资源调整装置包括用于执行上述第一方面或其各实现方式中的方法的功能模块。

第三方面，提供了一种通信设备，包括处理器和存储器，该存储器用于存储计算机程序，该处理器用于调用并运行该存储器中存储的计算机程序，执行上述第一方面或其各实现方式中的方法。

第四方面，提供了一种芯片，用于实现上述第一方面或其各实现方式中的方法。

具体地，该芯片包括：处理器，用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有该芯片的设备执行如上述第一方面或其各实现方式中的方法。

第五方面，提供了一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序，该计算机程序使得计算机执行上述第一方面或其各实现方式中的方法。

第六方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序指令，该计算机程序指令使得计算机执行上述第一方面或其各实现方式中的方法。

第七方面，提供了一种计算机程序，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述第一方面或其各实现方式中的方法。

基于上述介绍可以看出，采用本申请所述方案，针对LTE FDD+NR TDD终端设备，可获取其LTE发射功率，并根据获取到的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度，进而可基于最大NR等效电场强度调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比，从而避免了终端设备的SAR超标。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种通信***架构的示意性图。

图2为本申请实施例提供的资源调整方法的第一示意性流程图。

图3为本申请实施例提供的资源调整方法的第二示意性流程图。

图4为本申请实施例提供的资源调整装置的示意性结构图。

图5为本申请实施例提供的通信设备600的示意性结构图。

图6为本申请实施例提供的芯片的示意性结构图。

图7为本申请实施例提供的通信***800的示意性框图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例的技术方案可以应用于各种通信***，例如：全球移动通讯(GSM，Global System of Mobile communication)***、码分多址(CDMA，Code DivisionMultiple Access)***、宽带码分多址(WCDMA，Wideband Code Division MultipleAccess)***、通用分组无线业务(GPRS，General Packet Radio Service)***、长期演进(LTE，Long Term Evolution)***、LTE频分双工(FDD，Frequency Division Duplex)***、LTE时分双工(TDD，Time Division Duplex)***、通用移动通信***(UMTS，UniversalMobile Telecommunication System)、全球互联微波接入(WiMAX，WorldwideInteroperability for Microwave Access)通信***或5G***等。

示例性的，图1为本申请实施例提供的一种通信***架构的示意性图。该通信***100可以包括网络设备110，网络设备110可以是与终端设备120(或称为通信终端、终端)通信的设备。网络设备110可以为特定的地理区域提供通信覆盖，并且可以与位于该覆盖区域内的终端设备进行通信。在一实施例中，该网络设备110可以是GSM***或CDMA***中的基站(BTS，Base Transceiver Station)，也可以是WCDMA***中的基站(NB，NodeB)，还可以是LTE***中的演进型基站(eNB或eNodeB，Evolutional Node B)，或者是云无线接入网络(CRAN，Cloud Radio Access Network)中的无线控制器，或者该网络设备可以为移动交换中心、中继站、接入点、车载设备、可穿戴设备、集线器、交换机、网桥、路由器、5G网络中的网络侧设备或者未来演进的公共陆地移动网络(PLMN，Public Land Mobile Network)中的网络设备等。

该通信***100还包括位于网络设备110覆盖范围内的至少一个终端设备120。作为在此使用的“终端设备”包括但不限于经由有线线路连接，如经由公共交换电话网络(PSTN，Public Switched Telephone Networks)、数字用户线路(DSL，Digital SubscriberLine)、数字电缆、直接电缆连接；和/或经由另一数据网络连接；和/或经由无线接口连接，如，经由针对蜂窝网络、无线局域网(WLAN，Wireless Local Area Network)、诸如手持数字视频广播(Digital Video Broadcasting-Handheld，DVB-H)网络的数字电视网络、卫星网络、AM-FM广播发送器连接；和/或经由另一终端设备的被设置成接收/发送通信信号的装置连接；和/或经由物联网(IoT，Internet of Things)设备连接。被设置成通过无线接口通信的终端设备可以被称为“无线通信终端”、“无线终端”或“移动终端”。移动终端的示例包括但不限于卫星或蜂窝电话；可以组合蜂窝无线电电话与数据处理、传真以及数据通信能力的个人通信***(PCS，Personal Communications System)终端；可以包括无线电电话、寻呼机、因特网/内联网接入、Web浏览器、记事簿、日历以及/或全球定位***(GPS，GlobalPositioning System)接收器的个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)；以及常规膝上型和/或掌上型接收器或包括无线电电话收发器的其它电子装置。终端设备可以指接入终端、用户设备(UE，User Equipment)、用户单元、用户站、移动站、移动台、远方站、远程终端、移动设备、用户终端、终端、无线通信设备、用户代理或用户装置。接入终端可以是蜂窝电话、无绳电话、会话启动协议(SIP，Session Initiation Protocol)电话、无线本地环路(WLL，Wireless Local Loop)站、PDA、具有无线通信功能的手持设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备、车载设备、可穿戴设备、5G网络中的终端设备或者未来演进的PLMN中的终端设备等。

在一实施例中，终端设备120之间可以进行终端直连(D2D，Device to Device)通信。

在一实施例中，5G***或5G网络还可以称为NR***或NR网络。

本申请实施例的技术方案可以应用于免授权频谱，也可以应用于授权频谱，本申请实施例对此并不限定。

图1示例性地示出了一个网络设备和两个终端设备，在一实施例中，该通信***100可以包括多个网络设备并且每个网络设备的覆盖范围内可以包括其它数量的终端设备，本申请实施例对此不做限定。

在一实施例中，该通信***100还可以包括网络控制器、移动管理实体等其他网络实体，本申请实施例对此不作限定。

应理解，本申请实施例中网络/***中具有通信功能的设备可称为通信设备。以图1示出的通信***100为例，通信设备可包括具有通信功能的网络设备110和终端设备120，网络设备110和终端设备120可以为上文所述的具体设备，此处不再赘述；通信设备还可包括通信***100中的其他设备，例如网络控制器、移动管理实体等其他网络实体，本申请实施例中对此不做限定。

应理解，本文中术语“***”和“网络”在本文中常被可互换使用。本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

图2为本申请实施例提供的资源调整方法的第一示意性流程图。如图2所示，包括以下具体实现方式。

在201中，获取终端设备的LTE发射功率，终端设备为LTE FDD+NR TDD终端设备。

在202中，根据获取到的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度。

在203中，基于最大NR等效电场强度调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

LTE FDD+NR TDD终端设备的总发射功率通常为26dBm。

对于LTE FDD+NR TDD终端设备，由于LTE和NR处于不同频段，可能采用不同的天线，因此SAR值辐射上LTE和NR不具有等效性，即同样LTE和NR的发射功率带来的SAR值是不一样的。

另外，对于LTE，当发射功率大于或等于23dBm时，即使NR不工作，其SAR仍面临超标的风险，因此为避免SAR超标，总功率的分配通常需要满足以下条件：LTE发射功率≤23dBm；LTE发射功率与NR发射功率之和≤总发射功率。

本实施例所述的资源调整方法中，可首先获取终端设备的LTE发射功率，可由上行功控得到LTE发射功率。之后，可根据获取到的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度。

优选地，可按照现有方式获取终端设备的LTE发射功率对应的电场强度EP_LTE，之后，可根据预先设定的EP_LTE、SAR指标对应的电场强度E_SAR以及NR等效电场强度之间的限定条件，确定出取值最大的NR等效电场强度，作为所需的最大NR等效电场强度。

限定条件可为：EP_LTE+EP_NR*Duty_NR≤E_SAR。

其中，EP_NR表示NR发射功率对应的电场强度，Duty_NR表示NR上行占比，EP_NR*Duty_NR表示NR等效电场强度。

由于SAR指标的取值是定义好的，那么可获取到SAR指标对应的电场强度E_SAR，进而根据上述限定条件，可确定出取值最大的NR等效电场强度EP_NR*Duty_NR，将其作为所需的最大NR等效电场强度。

或者，在根据终端设备的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度之前，可先根据上述限定条件，分别确定出不同的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度，并将确定出的对应关系记录到第一存储表中。这样，当需要根据终端设备的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度时，可通过查询第一存储表，确定出终端设备的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度。

不同的LTE发射功率，理论上包括LTE发射功率的所有可能的取值，但考虑到占用的存储空间大小以及查表速度等，通常会选取一些典型的LTE发射功率的取值，将其与对应的最大NR等效电场强度之间的对应关系记录到第一存储表中，如表一所示。

表一LTE发射功率与最大NR等效电场强度之间的对应关系

如表一所示，可分别确定出LTE发射功率为23dBm、22dBm、…、1dBm、0dBm时对应的最大NR等效电场强度。

当根据终端设备的LTE发射功率查询第一存储表时，终端设备的LTE发射功率可能并不存在于第一存储表中，那么可选择第一存储表中记录的各LTE发射功率中与终端设备的LTE发射功率取值最为接近的一个，将该LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度作为终端设备的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度。

进一步地，针对第一存储表中的每个最大NR等效电场强度，可分别生成对应的第二存储表，第二存储表中记录有不同的NR发射功率与对应的最大NR上行占比之间的对应关系，每个NR发射功率对应的电场强度与对应的最大NR上行占比的乘积等于该最大NR等效电场强度。

比如，针对表一中所示的E₂₂，可生成如表二所示的第二存储表。

NR发射功率	最大NR上行占比
		26	Duty<sub>26</sub>
25	Duty<sub>25</sub>
		…	…
1	Duty<sub>1</sub>
		0	Duty<sub>0</sub>

表二NR发射功率与最大NR上行占比之间的对应关系

不同的NR发射功率，理论上包括NR发射功率的所有可能的取值，但考虑到占用的存储空间大小以及查表速度等，通常会选取一些典型的NR发射功率的取值，如表二中所示的26dBm、25dBm等，将其与对应的最大NR上行占比之间的对应关系记录到第二存储表中。

根据NR等效电场强度的计算方式EP_NR*Duty_NR，表二中，以NR发射功率为26dBm为例，对应的电场强度(EP_NR)与对应的最大NR上行占比(Duty₂₆)的乘积需要等于E₂₂，同样地，NR发射功率为25dBm时对应的电场强度与Duty₂₅的乘积也需要等于E₂₂，其它不再赘述。

在根据终端设备的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度之后，可基于该最大NR等效电场强度调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。具体地，可首先确定出该最大NR等效电场强度对应的第二存储表，为便于表述，将确定出的第二存储表称为第二存储表x，之后，可基于第二存储表x调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

另外，在基于第二存储表x调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比之前，还可先确定是否符合调整条件，若是，则调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

可获取终端设备的NR发射功率，并通过查询第二存储表x，确定出终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，之后，可获取终端设备的NR上行占比，并将终端设备的NR上行占比与查询到的终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比进行比较，若终端设备的NR上行占比大于终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，则可确定符合调整条件。

在确定符合调整条件之后，可对终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比进行调整。

调整方式包括但不限于：

1)通过查询第二存储表x，确定出终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率，将终端设备的NR发射功率调整为终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率；

2)通过查询第二存储表x，确定出终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，将终端设备的NR上行占比调整为终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比。

在查询第二存储表x时，终端设备的NR上行占比可能并不存在于第二存储表x中，那么可选择第二存储表x中记录的各NR上行占比中与终端设备的NR上行占比取值最为接近的一个，将该NR上行占比对应的NR发射功率作为终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率。

同样地，在查询第二存储表x时，终端设备的NR发射功率可能并不存在于第二存储表x中，那么可选择第二存储表x中记录的各NR发射功率中与终端设备的NR发射功率取值最为接近的一个，将该NR发射功率对应的最大NR上行占比作为终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比。

在对终端设备的NR发射功率进行调整之后，若终端设备的NR发射功率小于预定阈值，为保证工作质量，可断开NR连接，预定阈值的具体取值可根据实际需要而定。

基于上述介绍，图3为本申请实施例提供的资源调整方法的第二示意性流程图。如图3所示，包括以下具体实现方式。

在301中，获取终端设备的LTE发射功率，终端设备为LTE FDD+NR TDD终端设备。

在302中，通过查询第一存储表，确定出终端设备的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度。

可预先根据限定条件EP_LTE+EP_NR*Duty_NR≤E_SAR，分别确定出不同的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度，并将确定出的对应关系记录到第一存储表中。

其中，EP_LTE表示LTE发射功率对应的电场强度，E_SAR表示SAR指标对应的电场强度，EP_NR表示NR发射功率对应的电场强度，Duty_NR表示NR上行占比，EP_NR*Duty_NR表示NR等效电场强度。

在303中，确定出终端设备的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度对应的第二存储表。

针对第一存储表中的每个最大NR等效电场强度，可分别生成对应的第二存储表，第二存储表中记录有不同的NR发射功率与对应的最大NR上行占比之间的对应关系，每个NR发射功率对应的电场强度与对应的最大NR上行占比的乘积等于该最大NR等效电场强度。

在304中，获取终端设备的NR发射功率，通过查询确定出的第二存储表，确定出终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比。

在305中，获取终端设备的NR上行占比，将终端设备的NR上行占比与终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比进行比较。

在306中，若终端设备的NR上行占比大于终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，则通过查询确定出的第二存储表，确定出终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率，将终端设备的NR发射功率调整为终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率。

在307中，若调整后的终端设备的NR发射功率小于预定阈值，断开NR连接。

需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。

在上述实施例中，对各实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例中的相关描述。

总之，采用本申请所述方案，可通过对终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比进行调整，降低SAR值，从而避免了终端设备的SAR超标。

以上是关于方法实施例的介绍，以下通过装置实施例，对本申请所述方案进行进一步说明。

图4为本申请实施例提供的资源调整装置的示意性结构图。如图4所示，包括：获取单元401、确定单元402以及调整单元403。

获取单元401，用于获取终端设备的LTE发射功率，终端设备为LTE FDD+NR TDD终端设备。

确定单元402，用于根据获取到的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度。

调整单元403，用于基于确定出的最大NR等效电场强度调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

本实施例中，获取单元401可首先获取终端设备的LTE发射功率，之后，确定单元402可根据获取到的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度。

优选地，确定单元402可获取终端设备的LTE发射功率对应的电场强度EP_LTE，根据预先设定的EP_LTE、SAR指标对应的电场强度E_SAR以及NR等效电场强度之间的限定条件，确定出取值最大的NR等效电场强度，作为所需的最大NR等效电场强度。

限定条件可为：EP_LTE+EP_NR*Duty_NR≤E_SAR。

图4所示装置中还可进一步包括：第一生成单元404，用于根据上述限定条件，分别确定出不同的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度，并将确定出的对应关系记录到第一存储表中。这样，当需要根据终端设备的LTE发射功率确定出在SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度时，确定单元402可通过查询第一存储表，确定出终端设备的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度。

图4所示装置中还可进一步包括：第二生成单元405，用于针对第一存储表中的每个最大NR等效电场强度，分别生成对应的第二存储表，第二存储表中记录有不同的NR发射功率与对应的最大NR上行占比之间的对应关系，每个NR发射功率对应的电场强度与对应的最大NR上行占比的乘积等于该最大NR等效电场强度。

针对确定单元402确定出的最大NR等效电场强度，调整单元403可基于该最大NR等效电场强度调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。具体地，调整单元403可首先确定出该最大NR等效电场强度对应的第二存储表，之后可基于确定出的第二存储表调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

另外，在基于确定出的第二存储表调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比之前，调整单元403还可先确定是否符合调整条件，若是，则调整终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

比如，调整单元403可获取终端设备的NR发射功率，通过查询确定出的第二存储表，确定出终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，并获取终端设备的NR上行占比，若终端设备的NR上行占比大于终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，则确定符合调整条件。

在确定符合调整条件之后，则可对终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比进行调整。

调整方式包括但不限于：

1)调整单元403通过查询确定出的第二存储表，确定出终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率，将终端设备的NR发射功率调整为终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率；

2)调整单元403通过查询确定出的第二存储表，确定出终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，将终端设备的NR上行占比调整为终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比。

另外，调整单元403在对终端设备的NR发射功率进行调整之后，若确定调整后的终端设备的NR发射功率小于预定阈值，可断开NR连接，预定阈值的具体取值可根据实际需要而定。

图4所示装置实施例的具体工作流程请参照前述方法实施例中的相关说明，不再赘述。

图5为本申请实施例提供的通信设备600的示意性结构图。图5所示的通信设备600包括处理器610，处理器610可以从存储器620中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的方法。

在一实施例中，如图5所示，通信设备600还可以包括存储器620。其中，处理器610可以从存储器620中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的方法。

其中，存储器620可以是独立于处理器610的一个单独的器件，也可以集成在处理器610中。

在一实施例中，如图5所示，通信设备600还可以包括收发器630，处理器610可以控制该收发器630与其他设备进行通信，具体地，可以向其他设备发送信息或数据，或接收其他设备发送的信息或数据。

其中，收发器630可以包括发射机和接收机。收发器630还可以进一步包括天线，天线的数量可以为一个或多个。

该通信设备600具体可为本申请实施例的网络设备，并且该通信设备600可以实现本申请实施例的各个方法中由网络设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

在一实施例中，该通信设备600具体可为本申请实施例的移动终端/终端设备，并且该通信设备600可以实现本申请实施例的各个方法中由移动终端/终端设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

图6为本申请实施例提供的芯片的示意性结构图。图6所示的芯片700包括处理器710，处理器710可以从存储器中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的方法。

在一实施例中，如图6所示，芯片700还可以包括存储器720。其中，处理器710可以从存储器720中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的方法。

其中，存储器720可以是独立于处理器710的一个单独的器件，也可以集成在处理器710中。

在一实施例中，该芯片700还可以包括输入接口730。其中，处理器710可以控制该输入接口730与其他设备或芯片进行通信，具体地，可以获取其他设备或芯片发送的信息或数据。

在一实施例中，该芯片700还可以包括输出接口740。其中，处理器710可以控制该输出接口740与其他设备或芯片进行通信，具体地，可以向其他设备或芯片输出信息或数据。

该芯片可应用于本申请实施例中的网络设备，并且该芯片可以实现本申请实施例的各个方法中由网络设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

该芯片可应用于本申请实施例中的移动终端/终端设备，并且该芯片可以实现本申请实施例的各个方法中由移动终端/终端设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

应理解，本申请实施例提到的芯片还可以称为***级芯片，***芯片，芯片***或片上***芯片等。

图7为本申请实施例提供的通信***800的示意性框图。如图7所示，该通信***800包括终端设备810和网络设备820。

其中，该终端设备810可以用于实现上述方法中由终端设备实现的相应的功能，以及该网络设备820可以用于实现上述方法中由网络设备实现的相应的功能，为了简洁，在此不再赘述。

应理解，本申请实施例的处理器可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法实施例的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP，DigitalSignal Processor)、专用集成电路(ASIC，Application Specific Integrated Circuit)、现成可编程门阵列(FPGA，Field Programmable Gate Array)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。

可以理解，本申请实施例中的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、可编程只读存储器(PROM，Programmable ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM，Erasable PROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM，Electrically EPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(SRAM，Static RAM)、动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic RAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM，Synchronous DRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM，DoubleData Rate SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(ESDRAM，Enhanced SDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(SLDRAM，Synchlink DRAM)和直接内存总线随机存取存储器(DR RAM，Direct Rambus RAM)。应注意，本文描述的***和方法的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。

本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序。

该计算机可读存储介质可应用于本申请实施例中的网络设备，并且该计算机程序使得计算机执行本申请实施例的各个方法中由网络设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

该计算机可读存储介质可应用于本申请实施例中的移动终端/终端设备，并且该计算机程序使得计算机执行本申请实施例的各个方法中由移动终端/终端设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

本申请实施例还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序指令。

该计算机程序产品可应用于本申请实施例中的网络设备，并且该计算机程序指令使得计算机执行本申请实施例的各个方法中由网络设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

该计算机程序产品可应用于本申请实施例中的移动终端/终端设备，并且该计算机程序指令使得计算机执行本申请实施例的各个方法中由移动终端/终端设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

本申请实施例还提供了一种计算机程序。

该计算机程序可应用于本申请实施例中的网络设备，当该计算机程序在计算机上运行时，使得计算机执行本申请实施例的各个方法中由网络设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

该计算机程序可应用于本申请实施例中的移动终端/终端设备，当该计算机程序在计算机上运行时，使得计算机执行本申请实施例的各个方法中由移动终端/终端设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的***、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的***、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种资源调整方法，其特征在于，包括：

获取终端设备的长期演进LTE发射功率，所述终端设备为长期演进频分双工LTE FDD+新空口时分双工NR TDD终端设备；

获取所述终端设备的LTE发射功率对应的电场强度EP_LTE，根据预先设定的所述EP_LTE、电磁波吸收比值SAR指标对应的电场强度E_SAR以及NR等效电场强度之间的限定条件，确定出取值最大的NR等效电场强度，作为在所述SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度；

基于所述最大NR等效电场强度调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比；

若调整后的所述终端设备的NR发射功率小于预定阈值，则断开NR连接；

所述限定条件包括：EP_LTE+EP_NR*Duty_NR≤E_SAR；其中，所述EP_NR表示NR发射功率对应的电场强度，所述Duty_NR表示NR上行占比，所述EP_NR*Duty_NR表示所述NR等效电场强度。

2.一种资源调整方法，其特征在于，包括：

根据预先设定的所述终端设备的LTE发射功率对应的电场强度EP_LTE、电磁波吸收比值SAR指标对应的电场强度E_SAR以及NR等效电场强度之间的限定条件，分别确定出不同的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度，并将确定出的对应关系记录到第一存储表中；

通过查询所述第一存储表，确定出所述终端设备的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述方法进一步包括：针对所述第一存储表中的每个最大NR等效电场强度，分别生成对应的第二存储表，所述第二存储表中记录有不同的NR发射功率与对应的最大NR上行占比之间的对应关系，每个NR发射功率对应的电场强度与对应的最大NR上行占比的乘积等于所述最大NR等效电场强度；

所述基于所述最大NR等效电场强度调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比包括：确定出所述最大NR等效电场强度对应的第二存储表，基于确定出的第二存储表调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述方法进一步包括：所述基于确定出的第二存储表调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比之前，确定是否符合调整条件，若是，则调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述确定是否符合调整条件包括：

获取所述终端设备的NR发射功率；

通过查询确定出的第二存储表，确定出所述终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比；

获取所述终端设备的NR上行占比；

若所述终端设备的NR上行占比大于所述终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，则确定符合调整条件。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述调整所述终端设备的NR发射功率包括：

通过查询确定出的第二存储表，确定出所述终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率；

将所述终端设备的NR发射功率调整为所述终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述调整所述终端设备的NR上行占比包括：

将所述终端设备的NR上行占比调整为所述终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比。

8.一种资源调整装置，其特征在于，包括：获取单元、确定单元以及调整单元；

所述获取单元，用于获取终端设备的长期演进LTE发射功率，所述终端设备为长期演进频分双工LTE FDD+新空口时分双工NR TDD终端设备；所述确定单元，用于获取所述终端设备的LTE发射功率对应的电场强度EP_LTE，根据预先设定的所述EP_LTE、电磁波吸收比值SAR指标对应的电场强度E_SAR以及NR等效电场强度之间的限定条件，确定出取值最大的NR等效电场强度，作为所述SAR指标未超标的情况下的最大NR等效电场强度；

所述调整单元，用于基于所述最大NR等效电场强度调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比，若调整后的所述终端设备的NR发射功率小于预定阈值，则断开NR连接；

9.一种资源调整装置，其特征在于，包括：获取单元、第一生成单元、确定单元以及调整单元；

所述获取单元，用于获取终端设备的长期演进LTE发射功率，所述终端设备为长期演进频分双工LTE FDD+新空口时分双工NR TDD终端设备；

第一生成单元，用于根据预先设定的所述终端设备的LTE发射功率对应的电场强度EP_LTE、电磁波吸收比值SAR指标对应的电场强度E_SAR以及NR等效电场强度之间的限定条件，分别确定出不同的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度，并将确定出的对应关系记录到第一存储表中；

所述确定单元，用于通过查询所述第一存储表，确定出所述终端设备的LTE发射功率对应的最大NR等效电场强度；

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，

所述装置中进一步包括：第二生成单元；

所述第二生成单元，用于针对所述第一存储表中的每个最大NR等效电场强度，分别生成对应的第二存储表，所述第二存储表中记录有不同的NR发射功率与对应的最大NR上行占比之间的对应关系，每个NR发射功率对应的电场强度与对应的最大NR上行占比的乘积等于所述最大NR等效电场强度；

所述调整单元确定出所述最大NR等效电场强度对应的第二存储表，基于确定出的第二存储表调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，

所述调整单元进一步用于，所述基于确定出的第二存储表调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比之前，确定是否符合调整条件，若是，则调整所述终端设备的NR发射功率和/或NR上行占比。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，

所述调整单元获取所述终端设备的NR发射功率，通过查询确定出的第二存储表，确定出所述终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，获取所述终端设备的NR上行占比，若所述终端设备的NR上行占比大于所述终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比，则确定符合调整条件。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，

所述调整单元通过查询确定出的第二存储表，确定出所述终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率，将所述终端设备的NR发射功率调整为所述终端设备的NR上行占比对应的NR发射功率。

14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，

所述调整单元将所述终端设备的NR上行占比调整为所述终端设备的NR发射功率对应的最大NR上行占比。

15.一种通信设备，其特征在于，包括：处理器和存储器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于调用并运行所述存储器中存储的计算机程序，执行如权利要求1至7中任一项所述的方法。

16.一种芯片，其特征在于，包括：处理器，用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有所述芯片的设备执行如权利要求1至7中任一项所述的方法。

17.一种计算机可读存储介质，其特征在于，用于存储计算机程序，所述计算机程序使得计算机执行如权利要求1至7中任一项所述的方法。