CN112164376B - 显示装置及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示装置及其控制方法，通过多个内部驱动电路的驱动晶体管的漏极的感测电压以及预设查询表数据，计算得到多个内部驱动电路的驱动晶体管的阈值电压，预设查询表数据包括预设阈值电压以及预设漏极电压映射关系对应的数据，根据多个内部驱动电路的驱动晶体管的阈值电压实现源极与电源信号线连接的P型驱动晶体管的阈值电压的获取以及外部补偿。

Description

显示装置及其控制方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其控制方法。
背景技术
主动矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)因高对比度、可视角度广、响应速度快以及可柔性显示等特点，有望取缔液晶显示器成为下一代显示器主流选择。
目前，如图1所示，其为P型驱动晶体管的源极与电源信号线VDD连接时的示意图，由于大尺寸有机发光二极体面板的驱动晶体管为P型薄膜晶体管，且P型薄膜晶体管的源极连接电源信号线VDD时，电源信号线VDD输入的电源信号使得P型驱动晶体管的源极电压无法检测，无法如驱动晶体管为N型薄膜晶体管时抓取驱动晶体管的阈值电压。
因此，有必要提出一种技术方案以实现驱动晶体管为P型晶体管时的阈值电压获取以及补偿。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示装置及其控制方法，以实现多个内部驱动电路的驱动晶体管的阈值电压的获取以及外部补偿。
为实现上述目的，本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括驱动电路以及多个发光器件，所述驱动电路包括多个内部驱动电路以及与多个所述内部驱动电路电性连接的外部补偿电路，
每个所述内部驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极与电源信号线连接，所述驱动晶体管的漏极与至少一个所述发光器件电性连接，所述驱动晶体管的栅极在侦测阶段写入固定参考电压，所述驱动晶体管为P型晶体管；
所述外部补偿电路包括：
存储器，用于存储预设查询表数据以及阈值电压查询表数据；以及
处理器，所述处理器电性连接所述存储器、多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的漏极以及多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极，所述处理器用于在所述侦测阶段获取多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压且从所述存储器获取所述预设查询表数据，并根据多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压以及所述预设查询表数据得到阈值电压查询表数据，将所述阈值电压查询表数据输出至所述存储器，所述预设查询表数据包括预设阈值电压与预设漏极电压映射关系对应的数据，所述阈值电压查询表数据包括多个所述驱动晶体管的阈值电压；所述处理器还用于在阈值电压补偿及数据写入阶段获取原始显示数据且从所述存储器获取所述阈值电压查询表数据，并根据所述原始显示数据以及所述阈值电压查询表数据计算得到更新显示数据，且将所述更新显示数据传输至多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极。
在上述显示装置中，在所述侦测阶段，所述处理器用于基于所述预设查询表数据，通过线性插值计算多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压对应的阈值电压，得到所述阈值电压查询表数据。
在上述显示装置中，在所述阈值电压补偿及数据写入阶段，所述处理器用于将所述原始显示数据和与所述原始显示数据对应的所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的阈值电压进行加和，以得到所述更新显示数据。
在上述显示装置中，每个所述内部驱动电路还包括：
发光控制晶体管，所述发光控制晶体管连接于所述驱动晶体管的漏极和所述发光器件之间；
开关晶体管，所述开关晶体管连接于所述驱动晶体管的栅极和数据线之间，且所述数据线与所述处理器电性连接；
感测晶体管，所述感测晶体管连接于感测线和所述驱动晶体管的漏极之间，所述感测线与所述处理器电性连接；以及
电容器，所述电容器的一端连接于所述电源信号线和所述驱动晶体管的源极之间，所述电容器的另一端连接所述驱动晶体管的栅极；
所述外部补偿电路还包括：
模数转换器，所述模数转换器连接于所述感测线和所述处理器之间；以及
数模转换器，所述数模转换器连接于所述数据线和所述处理器之间。
在上述显示装置中，所述驱动晶体管为低温多晶硅晶体管。
一种显示装置的控制方法，所述显示装置包括驱动电路以及多个发光器件，所述驱动电路包括多个内部驱动电路以及与多个所述内部驱动电路电性连接的外部补偿电路，
每个所述内部驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极与电源信号线连接，所述驱动晶体管的漏极与至少一个所述发光器件电性连接，所述驱动晶体管为P型晶体管；
所述外部补偿电路包括处理器以及存储器，所述处理器电性连接所述存储器、多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的漏极以及多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极；
所述控制方法包括如下步骤：
在侦测阶段，多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极输入相同的固定参考电压；所述处理器获取多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压且从所述存储器获取预设查询表数据，根据多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压以及所述预设查询表数据得到阈值电压查询表数据，且将所述阈值电压查询表数据输出至所述存储器，所述预设查询表数据包括预设阈值电压与预设漏极电压映射关系对应的数据，所述阈值电压查询表数据包括多个所述驱动晶体管的阈值电压；所述存储器获取且存储所述阈值电压查询表数据；
在阈值电压补偿以及数据写入阶段，所述处理器获取原始显示数据且从所述存储器获取所述阈值电压查询表数据，并根据所述原始显示数据以及所述阈值电压查询表数据得到更新显示数据，且将所述更新显示数据传输至多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极。
在上述显示装置的控制方法中，所述根据多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压以及所述预设查询表数据得到阈值电压查询表数据包括如下步骤：
所述处理器基于所述预设查询表数据，通过线性插值计算多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压对应的阈值电压，得到所述阈值电压查询表数据。
在上述显示装置的控制方法中，所述根据所述原始显示数据以及所述阈值电压查询表数据得到更新显示数据包括如下步骤：
所述处理器将所述原始显示数据和与所述原始显示数据对应的所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的阈值电压进行加和，得到所述更新显示数据。
在上述显示装置的控制方法中，每个所述内部驱动电路还包括：
发光控制晶体管，所述发光控制晶体管连接于所述驱动晶体管的漏极和所述发光器件之间；
开关晶体管，所述开关晶体管连接于所述驱动晶体管的栅极和数据线之间，且所述数据线与所述处理器电性连接；
感测晶体管，所述感测晶体管连接于感测线和所述驱动晶体管的漏极之间，所述感测线与所述处理器电性连接；以及
电容器，所述电容器的一端连接于所述电源信号线和所述驱动晶体管的源极之间，所述电容器的另一端连接所述驱动晶体管的栅极；
所述外部补偿电路还包括：
模数转换器，所述模数转换器连接于所述感测线和所述处理器之间；以及
数模转换器，所述数模转换器连接于所述数据线和所述处理器之间。
在上述显示装置的控制方法中，所述驱动晶体管为低温多晶硅晶体管。
在上述显示装置的控制方法中，所述侦测阶段在所述显示装置的关机阶段。
有益效果：本申请提供一种显示装置及其控制方法，通过多个内部驱动电路的驱动晶体管的漏极的感测电压以及预设查询表数据，计算得到多个内部驱动电路的驱动晶体管的阈值电压，预设查询表数据包括预设阈值电压以及预设漏极电压映射关系对应的数据，根据多个内部驱动电路的驱动晶体管的阈值电压实现源极与电源信号线连接的P型驱动晶体管的阈值电压的外部补偿。且多个内部驱动电路的驱动晶体管的阈值电压的侦测在显示装置关机时进行，有利于快速实现P型驱动晶体管的阈值电压获取及补偿。
附图说明
图1为P型驱动晶体管的源极与电源信号线连接时的示意图；
图2为本申请实施例驱动电路的电路图；
图3为图2所示驱动电路的驱动时序图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种显示装置，显示装置包括有机发光二极管显示面板。有机发光二极管显示面板包括驱动电路及多个发光器件OLED。驱动电路用于驱动多个发光器件OLED发光。发光器件OLED为有机发光二极管。
请参阅图2，其为本申请实施例驱动电路的电路图。驱动电路100包括多个内部驱动电路100a以及与多个内部驱动电路100a电性连接的外部补偿电路100b。每个内部驱动电路100a与至少一个发光器件OLED电性连接，以驱动至少一个发光器件OLED发光。一列内部驱动电路100a与一个外部补偿电路100b电性连接。
每个内部驱动电路100a包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、感测晶体管T3、发光控制晶体管T4、电容器C以及开关K。驱动晶体管T1、开关晶体管T2、发光控制晶体管T4以及感测晶体管T3均为P型晶体管。
驱动晶体管T1的源极与电源信号线连接，驱动晶体管T1的漏极与至少一个发光器件OLED电性连接。驱动晶体管T1用于驱动发光器件OLED发光。
具体地，驱动晶体管T1的源极与第一电源信号线VDD以及电容器C的一端连接，驱动晶体管T1的栅极与开关晶体管T2的漏极以及电容器C的另一端连接，驱动晶体管T1的漏极与感测晶体管T3的源极以及发光控制晶体管T4的源极连接。其中，第一电源信号线VDD用于输入第一电源信号。
相对于传统技术中驱动晶体管为具有金属氧化物有源层的晶体管容易导致驱动晶体管在应力作用下发生阈值电压漂移，本实施例中驱动晶体管T1为具有低温多晶硅有源层的晶体管，能避免驱动晶体管T1的阈值电压由于不断受应力作用而发生明显漂移。
在侦测阶段，多个内部驱动电路100a的多个驱动晶体管T1的栅极写入相同的固定参考电压，多个驱动晶体管T1的源极均输入第一电源信号，多个驱动晶体管T1的漏极会具有对应的漏极电压。
开关晶体管T2连接于驱动晶体管T1的栅极和数据线Data之间，且数据线Data与处理器101电性连接。开关晶体管T2用于控制数据线Data输入的数据信号是否写入至驱动晶体管T1的栅极。
具体地，开关晶体管T2的源极与数据线Data连接，数据线Data与处理器101电性连接；开关晶体管T2的漏极与驱动晶体管T1的栅极以及电容器C的另一端连接；开关晶体管T2的栅极与第一扫描信号线Scan1连接。开关晶体管T2可以为低温多晶硅晶体管或金属氧化物晶体管中的任意一种。第一扫描信号线Scan1用于输入第一扫描信号。
发光控制晶体管T4连接于驱动晶体管T1的漏极和发光器件OLED之间。发光控制晶体管T4用于控制驱动晶体管T1的驱动电流是否写入至发光器件OLED。
具体地，发光控制晶体管T4的栅极与发光控制信号线EM连接，发光控制晶体管T4的源极与驱动晶体管T1的漏极以及感测晶体管T3的源极连接，发光控制晶体管T4的漏极与发光器件OLED的阳极连接，发光器件OLED的阴极与第二电源信号线VSS连接。第二电源信号线VSS用于输入第二电源信号。发光控制信号线EM用于输入发光控制信号。
在本实施例中，发光控制晶体管T4为低温多晶硅晶体管，避免发光控制晶体管T4由于长期受应力作用而发生阈值电压的漂移，避免侦测驱动晶体管T1的漏极的感测电压时，发光控制晶体管T4由于阈值电压漂移而导通导致漏电，影响驱动晶体管T1的漏极的感测电压的感测。
感测晶体管T3连接于感测线Sense和驱动晶体管T1的漏极之间，感测线Sense与处理器101电性连接。感测晶体管T3用于控制处理器101是否获取驱动晶体管T1的的漏极的感测电压。
具体地，感测晶体管T3的源极连接驱动晶体管T1的漏极以及发光控制晶体管T4的源极，感测晶体管T3的漏极连接感测线Sense，感测晶体管T3的栅极与第二扫描信号线Scan2连接。第二扫描信号线Scan2用于输入第二扫描信号。感测线Sense与处理器101电性连接。感测晶体管T3可以为金属氧化物晶体管或低温多晶硅晶体管中的至少一种。
电容器C的一端连接于第一电源信号线VDD和驱动晶体管T1的源极之间，电容器C的另一端连接驱动晶体管T1的栅极。电容器C用于在发光阶段维持驱动晶体管T1的栅极的电压，以保证发光器件OLED在一帧时间发光。
开关K连接于感测线Sense和参考电压信号线Vref2之间。参考电压信号线Vref2用于输入第二固定参考电压，通过导通的开关K以及导通的感测晶体管T3实现驱动晶体管T1的漏极的复位，避免在侦测阶段感测驱动晶体管T1的漏极的感测电压时驱动晶体管T1的漏极的残留的电荷影响驱动晶体管T1的漏极的感测电压的准确性。
外部补偿电路100b包括模数转换器ADC、处理器101、存储器102以及数模转换器DAC。
模数转换器ADC连接于感测线Sense和处理器101之间，用于在侦测阶段将多个内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的漏极的感测电压经过模数转换后传输给处理器。具体地，每个模数转换器ADC与一列内部驱动电路100a的感测线Sense连接，以在侦测阶段侦测一列内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的漏极的感测电压。模数转换器ADC与处理器101连接，以将一列内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的漏极的感测电压传输至处理器101。
处理器101电性连接存储器102、模数转换器ADC以及数模转换器DAC。处理器101从模数转换器ADC获取多个驱动晶体管T1的漏极的感测电压且从存储器102获取预设查询表数据，且根据多个驱动晶体管T1的漏极的感测电压以及预设查询表数据得到阈值电压查询表数据，将阈值电压查询表数据输出至存储器102。其中，预设查询表数据包括预设阈值电压与预设漏极电压映射关系对应的数据，阈值电压查询表数据包括多个驱动晶体管T1的阈值电压。处理器101可以为现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，FPGA)。
具体地，处理器101基于预设查询表数据，通过线性插值计算多个驱动晶体管T1的漏极的感测电压对应的阈值电压，得到阈值电压查询表数据。其中，预设查询表数据如表1所示。例如，感测电压为3.4V时，则通过线性插值计算得到感测电压为3.4V的驱动晶体管T1的阈值电压为-0.1303V。
需要说明的是，预设查询表数据是基于外部实验得到。其中，外部实验的对象为：26个具有不同阈值电压的测试驱动晶体管，测试驱动晶体管为P型晶体管。外部实验的条件为：测试驱动晶体管的源极与测试电源信号线VDD’连接，测试电源信号线VDD’输入的电源信号(4.5V)与内部驱动电路100a中的第一电源信号线VDD输入的第一电源信号相同，测试驱动晶体管的栅极输入的测试固定参考电压(2V)与内部驱动电路100a中的驱动晶体管T1的栅极在侦测阶段输入的固定参考电压相同，侦测测试驱动晶体管的漏极的预设漏极电压，每个测试驱动晶体管的预设漏极电压对应的预设阈值电压通过测试驱动晶体管的转移特性曲线得到。可以理解的是，预设查询表数据可以基于更多的测试驱动晶体管得到，预设查询表数据中的数据越多，越有利于提高阈值电压查询表数据中的阈值电压的精确性。
表1预设查询表数据
Figure BDA0002725563730000081
Figure BDA0002725563730000091
在阈值电压补偿及数据写入阶段，处理器101获取原始显示数据且从存储器102获取阈值电压查询表数据，并根据原始显示数据以及阈值电压查询表数据计算得到更新显示数据，且将更新显示数据传输至多个内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的栅极。
具体地，在阈值电压补偿及数据写入阶段，处理器101从外部获取原始显示数据Vdata，原始显示数据Vdata包括发光器件OLED待显示的数据电压等，且从存储器102获取阈值电压查询表数据，将原始显示数据Vdata和与原始显示数据Vdata对应的驱动电路的驱动晶体管T1的阈值电压Vth进行加和，得到更新显示数据Vdata’。例如，一个内部驱动电路100a待显示的原始显示数据Vdata为6V，该内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的阈值电压为-2.0V，则更新显示数据为4V。
数模转换器DAC连接于数据线Data和处理器101之间。在阈值电压补偿以及数据写入阶段，数模转换器DAC从处理器101获取更新显示数据且将更新显示数据经过数模转换后输出至数据线Data，且数据线Data将更新显示数据输出至驱动晶体管T1的栅极。
存储器102与处理器101电性连接，用于存储预设查询表数据以及阈值电压查询表数据。
本实施例显示装置通过在侦测阶段侦测显示装置的多个内部驱动电路的驱动晶体管的源极以及栅极具有相同电压时对应的漏极的感测电压，且基于预设查询表数据以及驱动晶体管的漏极的感测电压计算，得到整个显示装置的多个内部驱动电路的驱动晶体管的阈值电压，以实现源极与电源信号线连接的P型驱动晶体管的阈值电压的获取，为P型驱动晶体管的阈值电压的外部补偿提供数据基础。
请参阅图3，其为图2所示驱动电路的驱动时序图。显示装置的控制方法包括如下步骤：
在初始化阶段t1，开关K导通，参考电压信号线Vref2写入第二固定参考电压，第二扫描信号线Scan2输入低电平信号，感测晶体管T3导通；第一扫描信号线Scan1输入高电平信号，开关晶体管T2关闭；发光控制信号线EM输入高电平信号，发光控制晶体管T4关闭。第二固定参考电压经过导通的开关K以及导通的感测晶体管T3传输至驱动晶体管T1的漏极，以实现驱动晶体管T1的漏极的初始化，使得显示装置上的多个内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的漏极的感测电压在侦测之前均相同，避免驱动晶体管T1的漏极的残存电荷影响驱动晶体管T1的漏极的感测电压的侦测。
在侦测阶段t2，第一扫描信号线Scan1输入低电平信号，开关晶体管T2导通；与多个开关晶体管T2连接的多个数据线Data均输入第一固定参考电压Vref，且通过导通的开关晶体管T2将第一固定参考电压Vref传输至多个内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的栅极，多个内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的源极均输入第一电源信号，多个内部驱动电路100a的驱动晶体管T1均导通。第二扫描信号线Scan2输入低电平信号，感测晶体管T3导通，模数转换器ADC感测多个内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的漏极的感测电压且将感测电压经过模数转换后输出至处理器101；处理器101获取多个驱动晶体管T1的漏极的感测电压且从存储器102获取预设查询表数据，根据多个驱动晶体管T1的漏极的感测电压以及预设查询表数据得到阈值电压查询表数据，且将阈值电压查询表数据输出至存储器102，以将多个驱动晶体管T1的阈值电压存储在存储器102中。发光控制信号线EM输入高电平信号，发光控制晶体管T4关闭。
在本实施例中，由于侦测阶段的耗时为10微秒-20微秒，而一帧画面的显示时间为16.67微秒，本申请的侦测阶段在显示装置的关机阶段，有利于避免侦测阶段占用过多的显示时间，且有利于后续驱动晶体管的阈值电压的快速补偿。
在本实施例中，处理器101基于预设查询表数据，通过线性插值计算多个驱动晶体管T1的漏极的感测电压对应的阈值电压，得到阈值电压查询表数据。
在阈值电压补偿以及数据写入阶段t3，第一扫描信号线Scan1输入低电平信号，开关晶体管T2导通；第二扫描信号线Scan2输入高电平信号，感测晶体管T3关闭；发光控制信号线EM输入高电平信号，发光控制晶体管T4关闭。处理器101从外部获取原始显示数据且从存储器102获取阈值电压查询表数据，且根据原始显示数据以及阈值电压查询表数据得到更新显示数据，且将更新显示数据传输至数模转换器DAC；数模转换器DAC获取更新显示数据且将更新显示数据经过数模转换后通过数据线Data输出至多个内部驱动电路101a的驱动晶体管T1的栅极。
具体地，处理器101将原始显示数据和与原始显示数据对应的内部驱动电路100a的驱动晶体管T1的阈值电压进行加和，得到更新显示数据。每个内部驱动电路100a对应驱动显示一个原始显示数据的至少一个发光器件OLED。
在发光阶段t4，第一扫描信号线Scan1输入高电平信号，开关晶体管T2关闭；第二扫描信号线Scan2输入高电平信号，感测晶体管T3关闭；发光控制信号线EM输入低电平信号，发光控制晶体管T4导通，驱动晶体管T1在更新显示数据的作用下导通，且通过导通的发光控制晶体管T4将驱动电流输出至发光器件OLED，发光器件OLED发光。
在发光阶段t4，驱动晶体管T1的驱动电流为I，驱动电流I的计算公式如下：
Figure BDA0002725563730000111
其中，u为驱动晶体管T1的载流子迁移率，W为驱动晶体管T1的沟道的宽度，L为驱动晶体管T1的沟通的长度，Vgs为驱动晶体管T1的栅极与源极之间的电压差，Vth为驱动晶体管T1的阈值电压，cox为单位面积沟道电容。
由驱动电流I的计算公式可知，驱动电流I与驱动晶体管T1的阈值电压无关，驱动晶体管T1的阈值电压得到补偿。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括驱动电路以及多个发光器件，所述驱动电路包括多个内部驱动电路以及与多个所述内部驱动电路电性连接的外部补偿电路，
每个所述内部驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极与电源信号线连接，所述驱动晶体管的漏极与至少一个所述发光器件电性连接，所述驱动晶体管的栅极在侦测阶段写入固定参考电压，所述驱动晶体管为P型晶体管；
所述外部补偿电路包括:
存储器，用于存储预设查询表数据以及阈值电压查询表数据；以及
处理器，所述处理器电性连接所述存储器、多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的漏极以及多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极，所述处理器用于在所述侦测阶段获取多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压且从所述存储器获取所述预设查询表数据，并根据多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压以及所述预设查询表数据得到阈值电压查询表数据，将所述阈值电压查询表数据输出至所述存储器，所述预设查询表数据包括预设阈值电压与预设漏极电压映射关系对应的数据，所述阈值电压查询表数据包括多个所述驱动晶体管的阈值电压；所述处理器还用于在阈值电压补偿及数据写入阶段获取原始显示数据且从所述存储器获取所述阈值电压查询表数据，并根据所述原始显示数据以及所述阈值电压查询表数据计算得到更新显示数据，且将所述更新显示数据传输至多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极，其中预设查询表数据包括预设阈值电压与预设漏极电压映射关系对应的数据，阈值电压查询表数据包括多个驱动晶体管的阈值电压；
其中所述预设查询表数据是基于外部实验得到，所述外部实验的对象为多个具有不同阈值电压的测试驱动晶体管，外部实验的条件为：所述测试驱动晶体管的源极与测试电源信号线连接，所述测试电源信号线输入的电源信号与所述内部驱动电路中的第一电源信号线输入的第一电源信号相同，所述测试驱动晶体管的栅极输入的测试固定参考电压与所述内部驱动电路中的驱动晶体管的栅极在侦测阶段输入的固定参考电压相同，侦测所述测试驱动晶体管的漏极的预设漏极电压，每个测试驱动晶体管的预设漏极电压对应的预设阈值电压通过所述测试驱动晶体管的转移特性曲线得到。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述侦测阶段，所述处理器用于基于所述预设查询表数据，通过线性插值计算多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压对应的阈值电压，得到所述阈值电压查询表数据。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述阈值电压补偿及数据写入阶段，所述处理器用于将所述原始显示数据和与所述原始显示数据对应的所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的阈值电压进行加和，以得到所述更新显示数据。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，每个所述内部驱动电路还包括:
发光控制晶体管，所述发光控制晶体管连接于所述驱动晶体管的漏极和所述发光器件之间；
开关晶体管，所述开关晶体管连接于所述驱动晶体管的栅极和数据线之间，且所述数据线与所述处理器电性连接；
感测晶体管，所述感测晶体管连接于感测线和所述驱动晶体管的漏极之间，所述感测线与所述处理器电性连接；以及
电容器，所述电容器的一端连接于所述电源信号线和所述驱动晶体管的源极之间，所述电容器的另一端连接所述驱动晶体管的栅极；
所述外部补偿电路还包括:
模数转换器，所述模数转换器连接于所述感测线和所述处理器之间；以及
数模转换器，所述数模转换器连接于所述数据线和所述处理器之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述驱动晶体管为低温多晶硅晶体管。
6.一种显示装置的控制方法，其特征在于，所述显示装置包括驱动电路以及多个发光器件，所述驱动电路包括多个内部驱动电路以及与多个所述内部驱动电路电性连接的外部补偿电路，
每个所述内部驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极与电源信号线连接，所述驱动晶体管的漏极与至少一个所述发光器件电性连接，所述驱动晶体管为P型晶体管；
所述外部补偿电路包括处理器以及存储器，所述处理器电性连接所述存储器、多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的漏极以及多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极；
所述控制方法包括如下步骤:
在侦测阶段，多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极输入相同的固定参考电压；所述处理器获取多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压且从所述存储器获取预设查询表数据，根据多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压以及所述预设查询表数据得到阈值电压查询表数据，且将所述阈值电压查询表数据输出至所述存储器，所述预设查询表数据包括预设阈值电压与预设漏极电压映射关系对应的数据，所述阈值电压查询表数据包括多个所述驱动晶体管的阈值电压；所述存储器获取且存储所述阈值电压查询表数据；
在阈值电压补偿以及数据写入阶段，所述处理器获取原始显示数据且从所述存储器获取所述阈值电压查询表数据，并根据所述原始显示数据以及所述阈值电压查询表数据得到更新显示数据，且将所述更新显示数据传输至多个所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的栅极，其中预设查询表数据包括预设阈值电压与预设漏极电压映射关系对应的数据，阈值电压查询表数据包括多个驱动晶体管的阈值电压；
其中所述预设查询表数据是基于外部实验得到，所述外部实验的对象为多个具有不同阈值电压的测试驱动晶体管，外部实验的条件为：所述测试驱动晶体管的源极与测试电源信号线连接，所述测试电源信号线输入的电源信号与所述内部驱动电路中的第一电源信号线输入的第一电源信号相同，所述测试驱动晶体管的栅极输入的测试固定参考电压与所述内部驱动电路中的驱动晶体管的栅极在侦测阶段输入的固定参考电压相同，侦测所述测试驱动晶体管的漏极的预设漏极电压，每个测试驱动晶体管的预设漏极电压对应的预设阈值电压通过所述测试驱动晶体管的转移特性曲线得到。
7.根据权利要求6所述的显示装置的控制方法，其特征在于，所述根据多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压以及所述预设查询表数据得到阈值电压查询表数据包括如下步骤：
所述处理器基于所述预设查询表数据，通过线性插值计算多个所述驱动晶体管的漏极的感测电压对应的阈值电压，得到所述阈值电压查询表数据。
8.根据权利要求6所述的显示装置的控制方法，其特征在于，所述根据所述原始显示数据以及所述阈值电压查询表数据得到更新显示数据包括如下步骤：
所述处理器将所述原始显示数据和与所述原始显示数据对应的所述内部驱动电路的所述驱动晶体管的阈值电压进行加和，得到所述更新显示数据。
9.根据权利要求6所述的显示装置的控制方法，其特征在于，每个所述内部驱动电路还包括：
发光控制晶体管，所述发光控制晶体管连接于所述驱动晶体管的漏极和所述发光器件之间；
开关晶体管，所述开关晶体管连接于所述驱动晶体管的栅极和数据线之间，且所述数据线与所述处理器电性连接；
感测晶体管，所述感测晶体管连接于感测线和所述驱动晶体管的漏极之间，所述感测线与所述处理器电性连接；以及
电容器，所述电容器的一端连接于所述电源信号线和所述驱动晶体管的源极之间，所述电容器的另一端连接所述驱动晶体管的栅极；
所述外部补偿电路还包括：
模数转换器，所述模数转换器连接于所述感测线和所述处理器之间；以及
数模转换器，所述数模转换器连接于所述数据线和所述处理器之间。
10.根据权利要求6所述的显示装置的控制方法，其特征在于，所述驱动晶体管为低温多晶硅晶体管。
11.根据权利要求6所述的显示装置的控制方法，其特征在于，所述侦测阶段在所述显示装置的关机阶段。
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