CN112151660A - 发光器件 - Google Patents

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赵森
周志勇
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Abstract

本发明提供了一种发光器件。该发光器件包括蓝光光源以及位于蓝光光源出光侧的荧光胶层,荧光胶层包括红外荧光粉,红外荧光粉包括A(3‑x)BaOb:xCr、A(3‑y)C6D11:yR中的至少一种,其中,A为Y、Lu、La、Sc、Gd元素中的至少一种,B为Al、Ga元素中的至少一种,C为Si、Ge元素中的至少一种,D为N、O元素中的至少一种,R为Yb、Nd、Er元素中的至少一种,且4≤a≤5,11≤b≤12,0.1≤x≤0.2,0.001≤y≤0.3。实验证明,相比于现有技术中光谱窄、效率低的传统红外芯片,采用本发明的上述红外荧光粉制备得到的发光器件的出光能够实现连续光谱,且出光效率高,应用广泛。

Description

发光器件
技术领域
本发明涉及光学技术领域,具体而言,涉及一种发光器件。
背景技术
传统红外发光二极管(IR-LED)主要采用砷化镓(GaAs)或铝镓砷(AlGaAs)芯片透明封装而成,都存在光电转换效率偏低的问题,且波长单一、光谱带宽很窄,一般只有几十纳米,限制了其在一些领域中的应用。例如,在光学相干断层成像技术中需要具有宽光谱特性的红外光源;在化学检测领域中,700nm-1700nm范围的近红外区覆盖了含氢集团(O-H/C-H/N-H/)振动合频及倍频的吸收区特征信息,通过扫描样品的近红外光谱可以得到样品中有机分子含氢基团的特征信息,对物质进行结构及成分分析,广泛应用与化工、医药、环境、食品等领域,具有无损、方便、高效、准确、低成本等优势;另外由于近红外光低衍射、高穿透、无危害等特性,700nm-1200nm近红外也可广泛应用于美容嫩肤、脱毛、光疗等领域。
当前,红外发光器件都是通过将窄波宽单波长的LED芯片直接封装得到,导致器件的出光波长光谱窄,能效低,且无法形成连续光谱。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种发光器件,以解决现有技术中红外发光器件的出光波长光谱窄,能效低,且无法形成连续光谱的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种发光器件,包括蓝光光源以及位于蓝光光源出光侧的荧光胶层,荧光胶层包括红外荧光粉,红外荧光粉包括A(3-x)BaOb:xCr、A(3-y)C6D11:yR中的至少一种,其中,A为Y、Lu、La、Sc、Gd元素中的至少一种,B为Al、Ga元素中的至少一种,C为Si、Ge元素中的至少一种,D为N、O元素中的至少一种,R为Yb、Nd、Er元素中的至少一种,且4≤a≤5,11≤b≤12,0.1≤x≤0.2,0.001≤y≤0.3。
进一步地,A(3-x)BaOb:xCr为Y2.9Al5O12:Cr0.1,A(3-y)C6D11:yR为La2.93Si6N11:0.07Nd。
进一步地,红外荧光粉包括A(3-x)BaOb:xCr和A(3-y)C6D11:yR,混合比例满足0.6≤A(3-x)BaOb:xCr:A(3-y)C6D11:yR≤1。
进一步地,荧光胶层包括第一胶体以及分散于第一胶体中的红外荧光粉,红外荧光粉占第一胶体的重量百分比为10%~40%。
进一步地,第一胶体选自环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅和聚氨酯中的任一种或多种。
进一步地,发光器件还包括可见光吸收胶层,可见光吸收胶层位于荧光胶层远离蓝光光源的一侧。
进一步地,可见光吸收胶层包括第二胶体以及分散于第二胶体中的可见光吸收材料,可见光吸收材料选自炭黑、黄粉、红粉和蓝粉中的任一种或多种。
进一步地,第二胶体和可见光吸收材料的重量比为(97.5~99.5):(0.25~0.5)。
进一步地,可见光吸收胶层还包括分散于第二胶体中的红外增透材料,红外增透材料选自溴化钾、碘化铯、氟化钙、氟化镁、氟化锌、硫化钙、硫化镁和硫化锌晶体中的任一种或多种。
进一步地,第二胶体和红外增透材料的重量比为(97.5~99.5):(0.25~2)。
进一步地,荧光胶层与可见光吸收胶层的厚度比为(1~3):1。
进一步地,蓝光光源的主波长在440nm~470nm的范围内。
应用本发明的技术方案,提供了一种发光器件,该发光器件包括蓝光光源以及位于蓝光光源出光侧的荧光胶层,荧光胶层包括红外荧光粉,且该红外荧光粉包括A(3-x)BaOb:xCr、A(3-y)C6D11:yR中的至少一种,其中,A为Y、Lu、La、Sc、Gd元素中的至少一种,B为Al、Ga元素中的至少一种,C为Si、Ge元素中的至少一种,D为N、O元素中的至少一种,R为Yb、Nd、Er元素中的至少一种,且4≤a≤5,11≤b≤12,0.1≤x≤0.2,0.001≤y≤0.3。实验证明,相比于现有技术中光谱窄、效率低的传统红外芯片,采用本发明的上述红外荧光粉制备得到的发光器件的出光能够实现连续光谱,且出光效率高,应用广泛。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1示出了本发明具体实施例方式中所提供的一种发光器件的结构示意图;
图2示出了本发明实施例1中发光器件的光谱图;
图3示出了本发明实施例8中发光器件的光谱图;以及
图4示出了本发明实施例19中发光器件的光谱图。
其中,上述附图包括以下附图标记:
10、蓝光光源;20、荧光胶层;30、可见光吸收胶层;40、支架。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是,本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
正如背景技术所介绍的,现有技术中红外发光器件都是通过将窄波宽单波长的LED芯片直接封装得到,导致器件的出光波长光谱窄,能效低,且无法形成连续光谱。
为了解决如上技术问题,本发明提出了一种发光器件,如图1所示,包括蓝光光源10以及位于蓝光光源10出光侧的荧光胶层20,荧光胶层20包括红外荧光粉,红外荧光粉包括A(3-x)BaOb:xCr、A(3-y)C6D11:yR中的至少一种,其中,A为Y、Lu、La、Sc、Gd元素中的至少一种,B为Al、Ga元素中的至少一种,C为Si、Ge元素中的至少一种,D为N、O元素中的至少一种,R为Yb、Nd、Er元素中的至少一种,且4≤a≤5,11≤b≤12,0.1≤x≤0.2,0.001≤y≤0.3。
实验证明,相比于现有技术中光谱窄、效率低的传统红外芯片,采用本发明的上述红外荧光粉制备得到的发光器件的出光能够实现连续光谱,且出光效率高;并且,上述发光器件以蓝光光源直接替代红外光源,大大降低价格。
为了实现更宽的峰值波长,在一种优选的实施方式中,上述红外荧光粉包括A(3-x)BaOb:xCr和A(3-y)C6D11:yR,且其混合比例为0.6≤A(3-x)BaOb:xCr:A(3-y)C6D11:yR≤1。
更为优选地,A(3-x)BaOb:xCr为Y2.9Al5O12:Cr0.1,A(3-y)C6D11:yR为La2.93Si6N11:0.07Nd。
在本发明的上述发光器件中,蓝光光源10可以为蓝光LED芯片,主波长可以在440~470nm的范围内。
在本发明的上述发光器件中,荧光胶层20包括第一胶体以及分散于第一胶体中的红外荧光粉,上述第一胶体可以选自环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅和聚氨酯中的任一种或多种,但并不局限于上述可选的种类,本领域技术人员可以根据现有技术对上述第一胶体的种类进行合理选取。
为了保证光转换效率的同时使荧光胶层20能够更为牢固地设置于蓝光光源10的出光侧,优选地,红外荧光粉占第一胶体的重量百分比为10%~40%。
为了提高红外出光效率,在一种优选的实施方式中,本发明的上述发光器件还包括可见光吸收胶层30,可见光吸收胶层30位于荧光胶层20远离蓝光光源10的一侧,如图1所示。通过屏蔽可见光,还可以避免红爆,便于应用需求。
为了进一步提高红外出光效率,更为优选地,上述荧光胶层20与上述可见光吸收胶层30的厚度比为(1~3):1。
在上述优选的实施方式中,该可见光吸收胶层30包括第二胶体以及分散于第二胶体中的可见光吸收材料,上述第二胶体的种类可以与荧光胶层20中第一胶体的种类相同或不同,上述可见光吸收材料可以选自炭黑、黄粉、红粉和蓝粉中的任一种或多种,但并不局限于上述可选的种类,本领域技术人员也可以根据现有技术对上述可见光吸收材料的种类进行合理选取。
为了保证红外出光效率的同时使可见光吸收胶层30能够更为牢固地设置于荧光胶层20的出光侧,更为优选地,上述第二胶体和上述可见光吸收材料的重量比为(97.5~99.5):(0.25~0.5),
为了进一步提高红外出光效率,上述可见光吸收胶层30还可以包括分散于第二胶体中的红外增透材料,更为优选地,上述第二胶体和上述红外增透材料的重量比为(97.5~99.5):(0.25~2);并且,更为优选地,上述红外增透材料选自溴化钾、碘化铯、氟化钙、氟化镁、氟化锌、硫化钙、硫化镁和硫化锌晶体中的任一种或多种。
本发明的上述发光器件还可以包括支架40,如图1所示,蓝光光源10通过焊线与支架40连接。
下面将结合实施例和对比例进一步说明本发明提供的上述发光器件。
实施例1
本实施例提供了一种发光器件,包括440nm~470nm蓝光芯片以及荧光胶层,荧光胶层包括第一胶体以及分散于第一胶体中的红外荧光粉,红外荧光粉为Y2.9Al5O12:Cr0.1,第一胶体为苯基甲基环硅氧烷,折射率为1.54,红外荧光粉占第一胶体的重量百分比为30%。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于:
红外荧光粉占第一胶体的重量百分比为5%。
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于:
红外荧光粉占第一胶体的重量百分比为10%。
实施例4
本实施例与实施例1的区别在于:
红外荧光粉占第一胶体的重量百分比为40%。
实施例5
本实施例与实施例1的区别在于:
红外荧光粉为Y2.8Al5O12:Cr0.2
实施例6
本实施例与实施例1的区别在于:
红外荧光粉为La2.93Si6N11:0.07Nd。
实施例7
本实施例与实施例1的区别在于:
红外荧光粉为La2.93Ge6N11:0.07Yb。
实施例8
本实施例与实施例1的区别在于:
发光器件还包括可见光吸收胶层,可见光吸收胶层位于荧光胶层远离光源的一侧,可见光吸收胶层包括第二胶体以及分散于第二胶体中的可见光吸收材料,第二胶体同样为苯基甲基环硅氧烷,折射率为1.54.,可见光吸收材料为炭黑、黄粉、红粉、蓝粉的复配体,炭黑平均粒径为15nm,黄粉为巴斯夫溶剂黄Y-157,红粉为颜料红195﹟,蓝粉为油溶蓝104﹟,混合重量比为1:5:5:10,第二胶体与可见光吸收材料的重量配比为97.5:0.5,荧光胶层与可见光吸收胶层厚度比为1:2。
实施例9
本实施例与实施例8的区别在于:
第二胶体与可见光吸收材料的重量配比为95:5。
实施例10
本实施例与实施例8的区别在于:
第二胶体与可见光吸收材料的配比为99.5:0.25。
实施例11
本实施例与实施例8的区别在于:
可见光吸收胶层还包括分散于第二胶体中的红外增透材料,红外透射材料为氟化钙、硫化镁、硫化锌晶体混合,混合比例为4:3:3,可见光吸收胶层按97.5%第二胶体、2%红外增透粉、0.5%可见光吸收剂搭配。
实施例12
本实施例与实施例11的区别在于:
可见光吸收胶层按95%第二胶体、3%红外增透粉、2%可见光吸收剂搭配。
实施例13
本实施例与实施例11的区别在于:
可见光吸收胶层按99.5%第二胶体、0.25%红外增透粉、0.25%可见光吸收剂搭配。
实施例14
本实施例与实施例11的区别在于:
荧光胶层与可见光吸收胶层的厚度比为1:2。
实施例15
本实施例与实施例11的区别在于:
荧光胶层与可见光吸收胶层的厚度比为1:1。
实施例16
本实施例与实施例11的区别在于:
荧光胶层与可见光吸收胶层的厚度比为3:1。
实施例17
本实施例与实施例1的区别在于:
红外荧光粉为Y2.9Al5O12:Cr0.1和La2.93Si6N11:0.07Nd的混合物,Y2.9Al5O12:Cr0.1和La2.93Si6N11:0.07Nd的混合比例为1:1,第一胶体为苯基甲基环硅氧烷,折射率为1.54。
实施例18
本实施例与实施例17的区别在于:
Y2.9Al5O12:Cr0.1和La2.93Si6N11:0.07Nd的混合比例为2:1。
实施例19
本实施例与实施例17的区别在于:
Y2.9Al5O12:Cr0.1和La2.93Si6N11:0.07Nd的混合比例为0.6:1。
实施例20
本实施例与实施例17的区别在于:
发光器件还包括可见光吸收胶层,可见光吸收胶层位于荧光胶层远离光源的一侧,可见光吸收胶层包括第二胶体以及分散于第二胶体中的可见光吸收材料和红外增透材料,可见光吸收剂胶体中红外透射材料为溴化钾、碘化铯混合,混合比例为1:1;可见光吸收材料为炭黑、颜料红122、有机嫩黄、柠檬黄、酞青蓝、孔雀绿等颜料的复配体,混合质量比例为3:1:1:2:2:1,可见光吸收胶体按98%胶体、1.5%红外增透粉、0.5%可见光吸收剂搭配,荧光胶与可见光吸收胶体厚度比例为3:1。
对比例1
现有技术中,选取1050nm红外LED芯片使用透明高折有机硅进行封装,350mA直流电流测试,出光效率为25%,光谱半波宽为50nm。
对上述实施例1~20和对比例1中的发光器件封装后进行出光效率的测试,测试结果如下表所示。
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6 实施例7
38.3% 33.2% 37.6% 37.5% 38.0% 38.2% 37.6%
实施例8 实施例9 实施例10 实施例11 实施例12 实施例13 实施例14
32.8% 31.2% 33.0% 33.8% 33.5% 33.7% 33.8%
实施例15 实施例16 实施例17 实施例18 实施例19 实施例20 对比例1
36.6% 36.7% 38.2% 37.5% 38.1% 36.5% 25%
从上述测试结果可以看出,相比于直接采用红外光源的对比例1,实施例1~20中通过采用红外荧光粉,并采用蓝光光源直接替代红外光源,使制备得到的发光器件能够具有更高的出光效率;相比于实施例1,实施例8中通过增加了可见光吸收胶层,屏蔽掉可见光,只保留红外不可见光;并且,相比于仅具有可见光吸收胶层的实施例8中的发光器件,实施例11中通过进一步增加了红外增透材料,进一步提高了发光器件红外光的出光效率。
并且,上述实施例1中发光器件的光谱图如图2所示,从图中可以看出,发光器件的出光在600nm之后能够实现连续光谱;上述实施例8中发光器件的光谱图如图3所示,从图中可以看出,发光器件的出光在800nm之后能够实现连续光谱;上述实施例20中发光器件的光谱图如图4所示,从图中可以看出,上述发光器件的出光在900nm之后能够实现连续光谱。
从以上的描述中,可以看出,本发明上述的实施例实现了如下技术效果:
1、采用本发明的上述红外荧光粉制备得到的发光器件的出光能够实现连续光谱,且出光效率高,应用广泛;
2、上述发光器件可屏蔽可见光,并可避免红爆,便于应用需求;
3、上述发光器件以蓝光光源直接替代红外光源,大大降低价格。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种发光器件,包括蓝光光源以及位于所述蓝光光源出光侧的荧光胶层,其特征在于,所述荧光胶层包括红外荧光粉,所述红外荧光粉包括A(3-x)BaOb:xCr、A(3-y)C6D11:yR中的至少一种,其中,A为Y、Lu、La、Sc、Gd元素中的至少一种,B为Al、Ga元素中的至少一种,C为Si、Ge元素中的至少一种,D为N、O元素中的至少一种,R为Yb、Nd、Er元素中的至少一种,且4≤a≤5,11≤b≤12,0.1≤x≤0.2,0.001≤y≤0.3。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述A(3-x)BaOb:xCr为Y2.9Al5O12:Cr0.1,所述A(3-y)C6D11:yR为La2.93Si6N11:0.07Nd。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,红外荧光粉包括A(3-x)BaOb:xCr和A(3-y)C6D11:yR,混合比例满足0.6≤A(3-x)BaOb:xCr:A(3-y)C6D11:yR≤1。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述荧光胶层包括第一胶体以及分散于所述第一胶体中的所述红外荧光粉,所述红外荧光粉占所述第一胶体的重量百分比为10%~40%。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第一胶体选自环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅和聚氨酯中的任一种或多种。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括可见光吸收胶层,所述可见光吸收胶层位于所述荧光胶层远离所述蓝光光源的一侧。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述可见光吸收胶层包括第二胶体以及分散于所述第二胶体中的可见光吸收材料,所述可见光吸收材料选自炭黑、黄粉、红粉和蓝粉中的任一种或多种。
8.根据权利要求7所述的发光器件,其特征在于,所述第二胶体和所述可见光吸收材料的重量比为(97.5~99.5):(0.25~0.5)。
9.根据权利要求7所述的发光器件,其特征在于,所述可见光吸收胶层还包括分散于所述第二胶体中的红外增透材料,所述红外增透材料选自溴化钾、碘化铯、氟化钙、氟化镁、氟化锌、硫化钙、硫化镁和硫化锌晶体中的任一种或多种。
10.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于,所述第二胶体和所述红外增透材料的重量比为(97.5~99.5):(0.25~2)。
11.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述荧光胶层与所述可见光吸收胶层的厚度比为(1~3):1。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述蓝光光源的主波长在440nm~470nm的范围内。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023008028A1 (ja) * 2021-07-29 2023-02-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び電子機器
WO2023203850A1 (ja) * 2022-04-21 2023-10-26 日亜化学工業株式会社 発光装置、分光器及び発光部材の製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103148947A (zh) * 2013-03-21 2013-06-12 江苏物联网研究发展中心 提高热电堆红外探测器响应率的晶圆级封装结构
CN103992607A (zh) * 2013-09-16 2014-08-20 宁波力达得为高分子科技有限公司 一种透红外线的聚甲基丙烯酸甲酯组合物
CN108231979A (zh) * 2017-01-24 2018-06-29 江苏博睿光电有限公司 一种红外led光源
CN109135747A (zh) * 2018-02-12 2019-01-04 有研稀土新材料股份有限公司 一种氮化物发光材料及包含其的发光装置
CN109449145A (zh) * 2018-11-02 2019-03-08 广州硅能照明有限公司 一种高可靠性的cob封装结构及其高效封装方法
CN109920901A (zh) * 2019-04-03 2019-06-21 深圳市磊立捷光电有限公司 一种近红外无红曝点的led灯珠及其制作方法
CN110676363A (zh) * 2019-08-22 2020-01-10 有研稀土新材料股份有限公司 一种光学装置
CN111092126A (zh) * 2019-12-12 2020-05-01 浙江大立科技股份有限公司 红外探测器及其形成方法、红外探测器封装结构及其方法
CN111276277A (zh) * 2020-02-12 2020-06-12 哈尔滨工业大学 一种具有红外透明导电功能的窗口
CN111409314A (zh) * 2020-03-24 2020-07-14 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种汽车夹层玻璃
CN111664950A (zh) * 2020-04-26 2020-09-15 杭州大立微电子有限公司 红外探测器及其制备方法和应用

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103148947A (zh) * 2013-03-21 2013-06-12 江苏物联网研究发展中心 提高热电堆红外探测器响应率的晶圆级封装结构
CN103992607A (zh) * 2013-09-16 2014-08-20 宁波力达得为高分子科技有限公司 一种透红外线的聚甲基丙烯酸甲酯组合物
CN108231979A (zh) * 2017-01-24 2018-06-29 江苏博睿光电有限公司 一种红外led光源
CN109135747A (zh) * 2018-02-12 2019-01-04 有研稀土新材料股份有限公司 一种氮化物发光材料及包含其的发光装置
CN109449145A (zh) * 2018-11-02 2019-03-08 广州硅能照明有限公司 一种高可靠性的cob封装结构及其高效封装方法
CN109920901A (zh) * 2019-04-03 2019-06-21 深圳市磊立捷光电有限公司 一种近红外无红曝点的led灯珠及其制作方法
CN110676363A (zh) * 2019-08-22 2020-01-10 有研稀土新材料股份有限公司 一种光学装置
CN111092126A (zh) * 2019-12-12 2020-05-01 浙江大立科技股份有限公司 红外探测器及其形成方法、红外探测器封装结构及其方法
CN111276277A (zh) * 2020-02-12 2020-06-12 哈尔滨工业大学 一种具有红外透明导电功能的窗口
CN111409314A (zh) * 2020-03-24 2020-07-14 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种汽车夹层玻璃
CN111664950A (zh) * 2020-04-26 2020-09-15 杭州大立微电子有限公司 红外探测器及其制备方法和应用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023008028A1 (ja) * 2021-07-29 2023-02-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び電子機器
WO2023203850A1 (ja) * 2022-04-21 2023-10-26 日亜化学工業株式会社 発光装置、分光器及び発光部材の製造方法

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