CN112133677B - 一种具有防水稳压密封的半导体三极管 - Google Patents

一种具有防水稳压密封的半导体三极管 Download PDF

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Abstract

本发明涉及三极管技术领域,尤其是一种具有防水稳压密封的半导体三极管,包括底壳和上盖,所述底壳上表面安装有陶瓷U型板,所述陶瓷U型板下表面安装有散热片,所述散热片左端贯穿底壳左侧,所述陶瓷U型板内侧安装有晶片,所述晶片右侧连接有三个引脚,三个所述引脚外侧活动贯穿安装有引脚密封装置,所述上盖和底壳右侧均开设有第一安装槽,所述第一安装槽内部安装有密封套锁紧装置,所述上盖前后两侧中部均安装有卡紧装置,所述陶瓷U型板上表面安装有散热装置。本发明通过结构之间的相互配合能够便于拆卸和安装,散热效果更强的同时,具有良好的密封效果,可以使三极管在潮湿工作环境下不易损毁,对电路有保护作用。

Description

一种具有防水稳压密封的半导体三极管
技术领域
本发明涉及三极管技术领域,尤其涉及一种具有防水稳压密封的半导体三极管。
背景技术
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关,三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件,三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
三极管在封装时一般需要结合散热片进行安装,因其内部在进行工作时容易产生较多热量并且难以散出,三极管长时间工作容易导致三极管内部烧毁,造成经济损失的同时,增加了工作人员维护的负担,现有三极管封装后拆卸安装较为不便,往往不能更换晶片和引脚,并且大部分三极管不能防水防潮,在潮湿环境下工作容易导致三极管损毁使整个电路瘫痪。为此我们提出一种具有防水稳压密封的半导体三极管。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管,使其设计合理,结构巧妙,通过结构之间的相互配合能够便于拆卸和安装,散热效果更强的同时,具有良好的密封效果,可以使三极管在潮湿工作环境下不易损毁,对电路有保护作用,具有良好的市场竞争力,值得推荐。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
设计一种具有防水稳压密封的半导体三极管,包括底壳和上盖,所述底壳上表面安装有陶瓷U型板,所述陶瓷U型板下表面安装有散热片,所述散热片左端贯穿底壳左侧,所述散热片表面开设有第一散热孔,所述散热片与第一散热孔呈一体式设计,所述陶瓷U型板内侧安装有晶片,所述晶片右侧连接有三个引脚,三个所述引脚外侧活动贯穿安装有引脚密封装置,所述上盖和底壳右侧均开设有第一安装槽,所述上盖和底壳内部均开设有第二安装槽,所述上盖和底壳一侧均开设有第三安装槽,所述第一安装槽内部安装有密封套锁紧装置,所述第三安装槽内部有密封套拆除装置,所述上盖前后两侧中部均安装有卡紧装置,所述陶瓷 U型板上表面安装有散热装置。
优选的,所述引脚密封装置包括活动贯穿安装在三个引脚外侧的密封套,所述密封套左侧安装有第一密封垫,所述第一密封垫为橡胶所制,所述密封套左侧中部安装有两个插板,所述插板一侧安装有第一挡块,所述插板与第一挡块呈一体式设计。
优选的,所述底壳左侧安装有固定板,所述固定板上表面安装有第二密封垫,所述第二密封垫为橡胶所制。
优选的,所述底壳上表面前后两侧均安装有第三密封垫,所述第三密封垫为橡胶所制。
优选的,所述密封套锁紧装置包括安装在第一安装槽内部的固定杆,所述固定杆左端活动安装有L型转动臂,所述L型转动臂一侧安装有第一弹簧,所述第一弹簧远离L型转动臂的一端安装在第一安装槽一侧表面,所述锁紧装置还包括安装在第二安装槽内部的活动杆,上部所述活动杆活动贯穿上盖至第一安装槽内部,下部所述活动杆活动贯穿底壳至第一安装槽内部,所述活动杆位于第一安装槽内部的一端安装有抵触块,所述活动杆位于第二安装槽内部的一端安装有第一挡板,所述第一挡板与活动杆呈一体式设计,所述第一挡板靠近抵触块的一侧安装有第二弹簧,所述第二弹簧远离第一挡板一端安装在第二安装槽内部一侧。
优选的,所述抵触块轴截面呈三角形,所述抵触块与活动杆呈一体式设计。
优选的,所述密封套拆除装置包括活动安装在第三安装槽内部的第二挡板,所述第二挡板一侧安装有运动杆,上部所述运动杆活动贯穿上盖至第二安装槽内部,下部所述运动杆活动贯穿底壳至运动杆内部,所述第二挡板一侧安装有第三弹簧,所述第三弹簧远离第二挡板一端安装在第三安装槽内部,所述密封套拆除装置还包括活动安装在第二安装槽内部的转动板。
优选的,所述卡紧装置包括安装在上盖前后两侧的固定块,所述固定块左右两侧均活动安装有转动杆,所述转动杆一侧安装有磁铁块,所述转动杆一侧安装有卡块,所述卡块与转动杆呈一体式设计,所述卡块轴截面呈三角形,所述卡紧装置还包括安装在底壳前后两侧中部的第二挡块,所述第二挡块为钢所制。
优选的,所述散热装置包括安装在陶瓷U型板上表面的多个散热铜柱,所述散热铜柱贯穿上盖,所述散热装置还包括安装在上盖上表面的四个支撑柱,四个所述支撑柱上端安装有散热铜板,所述散热铜柱远离陶瓷U型板一端连接至散热铜板下表面,所述散热铜柱外侧贯穿安装有铜管,所述铜管外侧贯穿安装有多个散热鳍片,所述散热鳍片左侧与右侧均安装有第一连接散热片,所述散热鳍片与第一连接散热片呈一体式设计,所述第一连接散热片表面开设有多个第二散热孔,所述第二散热孔与第一连接散热片呈一体式设计,所述底壳左右两侧均安装有两个第二连接散热片,所述第二连接散热片与底壳呈一体式设计,所述第二连接散热片表面开设有多个第三散热孔,所述第二连接散热片与第三散热孔呈一体式设计。
本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管,有益效果在于:本发明陶瓷U型板起到绝缘作用,防止散热铜柱与晶片直接接触导致短路等电路问题,对晶片进行保护,晶片工作时产生的热量一部分通过散热片直接导出进行散热,另一部分通过散热铜柱传导至散热铜板散出,并且散热铜柱传导的热量通过铜管传导至散热鳍片,再由散热鳍片、第一连接散热片、第二连接散热片表面散出,通过增加散热面积,并且通过在第一连接散热片表面开设第二散热孔,在第二连接散热片表面开设第三散热孔,进一步增加散热面积,对晶片工作时产生的热量进行散出,有效防止了晶片因内部温度过高损毁,保护了三极管并且提高了三极管的使用寿命,固定板上表面安装的第二密封垫能够将上盖与底壳左侧连接处密封,其次第三密封垫能够将前后两侧密封,通过密封套左侧安装的第一密封垫能够将三极管的引脚处彻底密封,使三极管能够具有防水防潮的能力,使三极管能够正常在潮湿环境下工作,增加了三极管的实用性,在需要拆卸三极管时,首先需要拆卸密封套整体,使用针等细小工具***第三安装槽内部,并按压第二挡板,带动运动杆运动,使得运动杆挤压转动板表面一侧,带动转动板抵触第一挡板,使得第一挡板运动,在拉伸第二弹簧的同时,可以带动活动杆和抵触块随着第一挡板一同运动,此时L型转动臂失去抵触块限制作用,可以直接将密封套向外侧拉出,随后松开第二挡板,在第二弹簧、第一弹簧、第三弹簧的作用下,第三安装槽、第二安装槽、第一安装槽内部装置复位,随后需要将转动杆上端向内捏,带动转动杆下端向外侧转动,此时第二挡块失去卡块的限位作用,可以将上盖整体向上拿开,完成了三极管的拆卸工作,在需要安装时,直接将上盖向下按压,通过固定块带动转动杆向下压,卡块接触第二挡块时向外侧转动,卡块通过第二挡块后,第二挡块吸引磁铁块,带动转动杆复位,完成了上盖的安装工作,随后直接将密封套左侧的插板***第一安装槽内部,在第一挡块接触L型转动臂时,带动L型转动臂整体转动,当第一挡块通过L型转动臂时,第一挡块进入L 型转动臂左侧,此时L型转动臂在第一弹簧作用下复位并将第一挡块挡住,此时抵触块将L型转动臂卡住,使得L型转动臂完成对第一挡块的固定,并将插板与密封套同时固定住,完成密封工作,在保证密封的同时能够将三极管拆卸和安装,便于对内部元器件进行更换或者维护,提高了三极管的实用性。
附图说明
图1为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管主视图结构示意图;
图2为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管主视图剖视结构示意图;
图3为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管俯视图结构示意图;
图4为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管密封套立体图结构示意图;
图5为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管散热鳍片立体图结构示意图;
图6为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管A结构示意图;
图7为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管B结构示意图;
图8为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管C结构示意图;
图9为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管D结构示意图;
图10为本发明提出的一种具有防水稳压密封的半导体三极管E结构示意图;
图中:底壳1、陶瓷U型板2、散热片3、第一散热孔4、晶片5、引脚6、密封套7、第一密封垫8、插板9、第一挡块10、第一安装槽11、第二安装槽12、固定杆13、L型转动臂14、第一弹簧15、活动杆16、抵触块17、第一挡板18、第二弹簧19、转动板20、运动杆21、第二挡板22、第三弹簧23、第三安装槽 24、上盖25、固定块26、转动杆27、磁铁块28、卡块29、第二挡块30、固定板31、第二密封垫32、第三密封垫33、支撑柱34、散热铜板35、散热铜柱36、铜管37、散热鳍片38、第一连接散热片39、第二散热孔40、第二连接散热片 41、第三散热孔42。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-8,一种具有防水稳压密封的半导体三极管,包括底壳1和上盖25,底壳1左侧安装有固定板31,固定板31上表面安装有第二密封垫32,第二密封垫32为橡胶所制,底壳1上表面前后两侧均安装有第三密封垫33,第三密封垫 33为橡胶所制,保证底壳1和上盖25连接处左侧以及前后两侧全部密封,保证三极管的密封性,提高三极管实用性,达到防水密封的效果。
底壳1上表面安装有陶瓷U型板2,陶瓷U型板2下表面安装有散热片3,散热片3左端贯穿底壳1左侧,散热片3表面开设有第一散热孔4,散热片3与第一散热孔4呈一体式设计,陶瓷U型板2内侧安装有晶片5,晶片5右侧连接有三个引脚6,三个引脚6外侧活动贯穿安装有引脚密封装置,引脚密封装置包括活动贯穿安装在三个引脚6外侧的密封套7,密封套7左侧安装有第一密封垫 8,第一密封垫8为橡胶所制,密封套7左侧中部安装有两个插板9,插板9一侧安装有第一挡块10,插板9与第一挡块10呈一体式设计,能够通过将密封套7 固定在三极管左侧,通过第一密封垫8的密封作用,将整个引脚6区域全部密封,保证三极管的密封性,可以使三极管在潮湿环境下工作。
上盖25和底壳1右侧均开设有第一安装槽11,上盖25和底壳1内部均开设有第二安装槽12,上盖25和底壳1一侧均开设有第三安装槽24,第一安装槽 11内部安装有密封套锁紧装置,密封套锁紧装置包括安装在第一安装槽11内部的固定杆13,固定杆13左端活动安装有L型转动臂14,L型转动臂14一侧安装有第一弹簧15,第一弹簧15远离L型转动臂14的一端安装在第一安装槽11 一侧表面,锁紧装置还包括安装在第二安装槽12内部的活动杆16,上部活动杆16活动贯穿上盖25至第一安装槽11内部,下部活动杆16活动贯穿底壳1至第一安装槽11内部,活动杆16位于第一安装槽11内部的一端安装有抵触块17,抵触块17轴截面呈三角形,抵触块17与活动杆16呈一体式设计,活动杆16 位于第二安装槽12内部的一端安装有第一挡板18,第一挡板18与活动杆16呈一体式设计,第一挡板18靠近抵触块17的一侧安装有第二弹簧19,第二弹簧 19远离第一挡板18一端安装在第二安装槽12内部一侧,将密封套7左侧的插板9***第一安装槽11内部,在第一挡块10接触L型转动臂14时,带动L型转动臂14整体转动,当第一挡块10通过L型转动臂14时,第一挡块10进入L 型转动臂14左侧,此时L型转动臂14在第一弹簧15作用下复位并将第一挡块 10挡住,此时抵触块17将L型转动臂14卡住,使得L型转动臂14完成对第一挡块10的固定,并将插板9与密封套7同时固定住,能够完成密封套7的安装工作,操作方便,工作效率较高。
第三安装槽24内部有密封套拆除装置,密封套拆除装置包括活动安装在第三安装槽24内部的第二挡板22,第二挡板22一侧安装有运动杆21,上部运动杆21活动贯穿上盖25至第二安装槽12内部,下部运动杆21活动贯穿底壳1 至运动杆21内部,第二挡板22一侧安装有第三弹簧23,第三弹簧23远离第二挡板22一端安装在第三安装槽24内部,密封套拆除装置还包括活动安装在第二安装槽12内部的转动板20,使用针等细小工具***第三安装槽24内部,并按压第二挡板22,带动运动杆21运动,使得运动杆21挤压转动板20表面一侧,带动转动板20抵触第一挡板18,使得第一挡板18运动,在拉伸第二弹簧19的同时,可以带动活动杆16和抵触块17随着第一挡板18一同运动,此时L型转动臂14失去抵触块17限制作用,可以直接将密封套7向外侧拉出,通过设有第三安装槽24防止触摸三极管表面使密封套7松动,可以防止误触,保证密封的情况下操作较为方便。
上盖25前后两侧中部均安装有卡紧装置,卡紧装置包括安装在上盖25前后两侧的固定块26,固定块26左右两侧均活动安装有转动杆27,转动杆27一侧安装有磁铁块28,转动杆27一侧安装有卡块29,卡块29与转动杆27呈一体式设计,卡块29轴截面呈三角形,卡紧装置还包括安装在底壳1前后两侧中部的第二挡块30,第二挡块30为钢所制,将上盖25向下按压,通过固定块26带动转动杆27向下压,卡块29接触第二挡块30时向外侧转动,卡块29通过第二挡块30后,第二挡块30吸引磁铁块28,带动转动杆27复位,完成了上盖25的安装工作,直接按压即可以完成安装工作,拆卸时,将转动杆27上端向内捏,带动转动杆27下端向外侧转动,此时第二挡块30失去卡块29的限位作用,可以将上盖25整体向上拿开,实用性较高,操作方便。
陶瓷U型板2上表面安装有散热装置,散热装置包括安装在陶瓷U型板2 上表面的多个散热铜柱36,散热铜柱36贯穿上盖25,散热装置还包括安装在上盖25上表面的四个支撑柱34,四个支撑柱34上端安装有散热铜板35,散热铜柱36远离陶瓷U型板2一端连接至散热铜板35下表面,散热铜柱36外侧贯穿安装有铜管37,铜管37外侧贯穿安装有多个散热鳍片38,散热鳍片38左侧与右侧均安装有第一连接散热片39,散热鳍片38与第一连接散热片39呈一体式设计,第一连接散热片39表面开设有多个第二散热孔40,第二散热孔40与第一连接散热片39呈一体式设计,底壳1左右两侧均安装有两个第二连接散热片 41,第二连接散热片41与底壳1呈一体式设计,第二连接散热片41表面开设有多个第三散热孔42,第二连接散热片41与第三散热孔42呈一体式设计,通过散热铜柱36传导至散热铜板35散出,并且散热铜柱36传导的热量通过铜管37 传导至散热鳍片38,再由散热鳍片38、第一连接散热片39、第二连接散热片41 表面散出,通过增加散热面积,并且通过在第一连接散热片39表面开设第二散热孔40,在第二连接散热片41表面开设第三散热孔42,进一步增加散热面积,对晶片5工作时产生的热量进行散出,提高了三极管散热效率,防止三极管因温度过高损毁,对三极管进行保护,提高了三极管实用寿命。
工作原理:本发明在工作时,陶瓷U型板2起到绝缘作用,防止散热铜柱 36与晶片5直接接触导致短路等电路问题,对晶片5进行保护,晶片5工作时产生的热量一部分通过散热片3直接导出进行散热,另一部分通过散热铜柱36 传导至散热铜板35散出,并且散热铜柱36传导的热量通过铜管37传导至散热鳍片38,再由散热鳍片38、第一连接散热片39、第二连接散热片41表面散出,通过增加散热面积,并且通过在第一连接散热片39表面开设第二散热孔40,在第二连接散热片41表面开设第三散热孔42,进一步增加散热面积,对晶片5工作时产生的热量进行散出,固定板31上表面安装的第二密封垫32能够将上盖25与底壳1左侧连接处密封,其次第三密封垫33能够将前后两侧密封,通过密封套7左侧安装的第一密封垫8能够将三极管的引脚6处彻底密封,使三极管能够具有防水防潮的能力,在需要拆卸三极管时,首先需要拆卸密封套7整体,使用针等细小工具***第三安装槽24内部,并按压第二挡板22,带动运动杆21 运动,使得运动杆21挤压转动板20表面一侧,带动转动板20抵触第一挡板18,使得第一挡板18运动,在拉伸第二弹簧19的同时,可以带动活动杆16和抵触块17随着第一挡板18一同运动,此时L型转动臂14失去抵触块17限制作用,可以直接将密封套7向外侧拉出,随后松开第二挡板22,在第二弹簧19、第一弹簧15、第三弹簧23的作用下,第三安装槽24、第二安装槽12、第一安装槽 11内部装置复位,随后需要将转动杆27上端向内捏,带动转动杆27下端向外侧转动,此时第二挡块30失去卡块29的限位作用,可以将上盖25整体向上拿开,完成了三极管的拆卸工作,在需要安装时,直接将上盖25向下按压,通过固定块26带动转动杆27向下压,卡块29接触第二挡块30时向外侧转动,卡块 29通过第二挡块30后,第二挡块30吸引磁铁块28,带动转动杆27复位,完成了上盖25的安装工作,随后直接将密封套7左侧的插板9***第一安装槽11 内部,在第一挡块10接触L型转动臂14时,带动L型转动臂14整体转动,当第一挡块10通过L型转动臂14时,第一挡块10进入L型转动臂14左侧,此时 L型转动臂14在第一弹簧15作用下复位并将第一挡块10挡住,此时抵触块17 将L型转动臂14卡住,使得L型转动臂14完成对第一挡块10的固定,并将插板9与密封套7同时固定住,完成密封工作,本发明设计合理,结构巧妙,通过结构之间的相互配合,具有良好的市场竞争力,值得推荐。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种具有防水稳压密封的半导体三极管,包括底壳(1)和上盖(25),其特征在于,所述底壳(1)上表面安装有陶瓷U型板(2),所述陶瓷U型板(2)下表面安装有散热片(3),所述散热片(3)左端贯穿底壳(1)左侧,所述散热片(3)表面开设有第一散热孔(4),所述散热片(3)与第一散热孔(4)呈一体式设计,所述陶瓷U型板(2)内侧安装有晶片(5),所述晶片(5)右侧连接有三个引脚(6),三个所述引脚(6)外侧活动贯穿安装有引脚密封装置,所述上盖(25)和底壳(1)右侧均开设有第一安装槽(11),所述上盖(25)和底壳(1)内部均开设有第二安装槽(12),所述上盖(25)和底壳(1)一侧均开设有第三安装槽(24),所述第一安装槽(11)内部安装有密封套锁紧装置,所述第三安装槽(24)内部有密封套拆除装置,所述上盖(25)前后两侧中部均安装有卡紧装置,所述陶瓷U型板(2)上表面安装有散热装置。
2.根据权利要求1所述的具有防水稳压密封的半导体三极管,其特征在于,所述引脚密封装置包括活动贯穿安装在三个引脚(6)外侧的密封套(7),所述密封套(7)左侧安装有第一密封垫(8),所述第一密封垫(8)为橡胶所制,所述密封套(7)左侧中部安装有两个插板(9),所述插板(9)一侧安装有第一挡块(10),所述插板(9)与第一挡块(10)呈一体式设计。
3.根据权利要求1所述的具有防水稳压密封的半导体三极管,其特征在于,所述底壳(1)左侧安装有固定板(31),所述固定板(31)上表面安装有第二密封垫(32),所述第二密封垫(32)为橡胶所制。
4.根据权利要求1所述的具有防水稳压密封的半导体三极管,其特征在于,所述底壳(1)上表面前后两侧均安装有第三密封垫(33),所述第三密封垫(33)为橡胶所制。
5.根据权利要求1所述的具有防水稳压密封的半导体三极管,其特征在于,所述密封套锁紧装置包括安装在第一安装槽(11)内部的固定杆(13),所述固定杆(13)左端活动安装有L型转动臂(14),所述L型转动臂(14)一侧安装有第一弹簧(15),所述第一弹簧(15)远离L型转动臂(14)的一端安装在第一安装槽(11)一侧表面,所述锁紧装置还包括安装在第二安装槽(12)内部的活动杆(16),上部所述活动杆(16)活动贯穿上盖(25)至第一安装槽(11)内部,下部所述活动杆(16)活动贯穿底壳(1)至第一安装槽(11)内部,所述活动杆(16)位于第一安装槽(11)内部的一端安装有抵触块(17),所述活动杆(16)位于第二安装槽(12)内部的一端安装有第一挡板(18),所述第一挡板(18)与活动杆(16)呈一体式设计,所述第一挡板(18)靠近抵触块(17)的一侧安装有第二弹簧(19),所述第二弹簧(19)远离第一挡板(18)一端安装在第二安装槽(12)内部一侧。
6.根据权利要求5所述的具有防水稳压密封的半导体三极管,其特征在于,所述抵触块(17)轴截面呈三角形,所述抵触块(17)与活动杆(16)呈一体式设计。
7.根据权利要求1所述的具有防水稳压密封的半导体三极管,其特征在于,所述密封套拆除装置包括活动安装在第三安装槽(24)内部的第二挡板(22),所述第二挡板(22)一侧安装有运动杆(21),上部所述运动杆(21)活动贯穿上盖(25)至第二安装槽(12)内部,下部所述运动杆(21)活动贯穿底壳(1)至运动杆(21)内部,所述第二挡板(22)一侧安装有第三弹簧(23),所述第三弹簧(23)远离第二挡板(22)一端安装在第三安装槽(24)内部,所述密封套拆除装置还包括活动安装在第二安装槽(12)内部的转动板(20)。
8.根据权利要求1所述的具有防水稳压密封的半导体三极管,其特征在于,所述卡紧装置包括安装在上盖(25)前后两侧的固定块(26),所述固定块(26)左右两侧均活动安装有转动杆(27),所述转动杆(27)一侧安装有磁铁块(28),所述转动杆(27)一侧安装有卡块(29),所述卡块(29)与转动杆(27)呈一体式设计,所述卡块(29)轴截面呈三角形,所述卡紧装置还包括安装在底壳(1)前后两侧中部的第二挡块(30),所述第二挡块(30)为钢所制。
9.根据权利要求1所述的具有防水稳压密封的半导体三极管,其特征在于,所述散热装置包括安装在陶瓷U型板(2)上表面的多个散热铜柱(36),所述散热铜柱(36)贯穿上盖(25),所述散热装置还包括安装在上盖(25)上表面的四个支撑柱(34),四个所述支撑柱(34)上端安装有散热铜板(35),所述散热铜柱(36)远离陶瓷U型板(2)一端连接至散热铜板(35)下表面,所述散热铜柱(36)外侧贯穿安装有铜管(37),所述铜管(37)外侧贯穿安装有多个散热鳍片(38),所述散热鳍片(38)左侧与右侧均安装有第一连接散热片(39),所述散热鳍片(38)与第一连接散热片(39)呈一体式设计,所述第一连接散热片(39)表面开设有多个第二散热孔(40),所述第二散热孔(40)与第一连接散热片(39)呈一体式设计,所述底壳(1)左右两侧均安装有两个第二连接散热片(41),所述第二连接散热片(41)与底壳(1)呈一体式设计,所述第二连接散热片(41)表面开设有多个第三散热孔(42),所述第二连接散热片(41)与第三散热孔(42)呈一体式设计。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06268122A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd 半導体装置
US5703397A (en) * 1991-11-28 1997-12-30 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor package having an aluminum nitride substrate
CN204792799U (zh) * 2015-07-16 2015-11-18 四川蓝彩电子科技有限公司 一种具有散热功能的三极管
CN210443548U (zh) * 2019-11-18 2020-05-01 桐庐瑶琳电子科技有限公司 一种便于组装的三极管
CN211295077U (zh) * 2020-03-26 2020-08-18 深圳市长泰峰元器件有限公司 一种防水稳压三极管

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5703397A (en) * 1991-11-28 1997-12-30 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor package having an aluminum nitride substrate
JPH06268122A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd 半導体装置
CN204792799U (zh) * 2015-07-16 2015-11-18 四川蓝彩电子科技有限公司 一种具有散热功能的三极管
CN210443548U (zh) * 2019-11-18 2020-05-01 桐庐瑶琳电子科技有限公司 一种便于组装的三极管
CN211295077U (zh) * 2020-03-26 2020-08-18 深圳市长泰峰元器件有限公司 一种防水稳压三极管

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