CN112117303B - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 191
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 25
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 102100026620 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Human genes 0.000 description 8
- 101710140859 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Proteins 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- MSFGZHUJTJBYFA-UHFFFAOYSA-M sodium dichloroisocyanurate Chemical compound [Na+].ClN1C(=O)[N-]C(=O)N(Cl)C1=O MSFGZHUJTJBYFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 102100031102 C-C motif chemokine 4 Human genes 0.000 description 4
- 101000777470 Mus musculus C-C motif chemokine 4 Proteins 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 101710178035 Chorismate synthase 2 Proteins 0.000 description 3
- 101710152694 Cysteine synthase 2 Proteins 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 241000750042 Vini Species 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
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- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/046—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by electromagnetic means
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
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- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
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- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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Abstract
提供了显示面板和显示装置。在沉积薄膜晶体管层和设置有发光器件的显示层之后,在薄膜晶体管层之下设置包括压电材料的感测层,以促进具有内置压电器件的显示面板的实现。此外,由于用于超声感测的薄膜晶体管和用于显示驱动的薄膜晶体管设置在不同的层中,可以在不影响显示像素的实现或显示分辨率的情况下提供能够在有源区域中进行超声感测的显示面板。
Description
对相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月19日提交的韩国专利申请第10-2019-0072886号的优先权,该申请出于所有目的通过引用并入本文,如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及显示面板和显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展,对显示图像的显示装置的需求日益增长。在这方面,各种类型的显示装置例如液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置已被广泛使用。
为了向用户提供更多样的功能,这样的显示装置识别用户在显示面板上的触摸或生物识别信息(例如,指纹)并且基于所识别的信息处理输入。
例如,尽管光学传感器等可以布置在显示面板的边框区域中以识别用户的生物识别信息,但是边框区域中的光学传感器的布置可以导致显示面板的有源区域的尺寸的减小。此外,传感器在有源区域中的实现可能降低感测性能或者影响显示驱动。
因此,需要一种识别触摸显示面板的用户的生物识别信息同时防止显示面板中的有源区域的尺寸的减小的方法。
发明内容
本公开内容的实施方式提供了一种显示面板和显示装置,其中,压电器件内置在显示面板的有源区域中,并且可以使用超声波来执行感测。
本公开内容的实施方式提供了如下方法:该方法促进包括发光器件和压电器件的显示面板的实现,同时防止另外可能由压电器件的布置引起的有源区域的尺寸的减小。
根据一个方面,本公开内容的实施方式提供了一种显示面板,该显示面板包括:薄膜晶体管层,在薄膜晶体管层中设置有多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管;设置在薄膜晶体管层上的显示层,在显示层中设置有多个发光器件;以及设置在薄膜晶体管层之下的感测层。
感测层可以包括:设置在薄膜晶体管层的底表面上的多个感测像素电极、设置在感测像素电极之下的压电材料、以及设置在压电材料之下的感测公共电极。
多个第一薄膜晶体管中的至少之一可以电耦接至感测像素电极,并且多个第二薄膜晶体管中的至少之一可以电耦接至发光器件。
薄膜晶体管层的底表面可以包括多个凹部,并且感测像素电极可以设置在凹部中。
此外,感测像素电极的底表面可以与薄膜晶体管层的除了设置有凹部的部分以外的底表面位于同一平面上。
根据另一方面,本公开内容的实施方式提供了一种显示面板,该显示面板包括:多个显示像素,以及设置在与显示像素交叠的区域的至少一部分中的多个感测像素。
多个感测像素中的每一个可以包括:至少一个第一薄膜晶体管,以及压电器件,其与第一薄膜晶体管设置在不同的层中并且电耦接至第一薄膜晶体管;并且多个显示像素中的每一个可以包括:至少一个第二薄膜晶体管,以及发光器件,其与第二薄膜晶体管设置在不同的层中并且电耦接至第二薄膜晶体管。
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以设置在其中设置有压电器件的层与其中设置有发光器件的层之间。
根据另一方面,本公开内容的实施方式提供了一种显示装置,该显示装置包括:显示面板,以及驱动包括在显示面板中的感测层或感测像素的感测驱动器电路。
根据本公开内容的实施方式,提供超声感测功能的显示面板和显示装置可以通过将包括发光器件的显示层设置在薄膜晶体管层上以及将包括压电器件的感测层设置在薄膜晶体管层之下来提供。
根据本公开内容的实施方式,由于在制造薄膜晶体管层和显示层的过程之后执行制造感测层的过程,所以高温工艺和低温工艺彼此分开。因此,提供了制造具有超声感测功能的显示面板同时增加工艺便利性的方法。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和优点,在附图中:
图1是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的配置的示意图;
图2、图3和图4是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板中的显示像素和感测像素的示例性电路结构的图;
图5是示出根据本公开内容的实施方式的包括感测层的显示面板的示例性截面结构的图;
图6和图7是示出根据本公开内容的实施方式的包括感测层的显示面板的其他示例性截面结构的图;以及
图8A至图8F是示出根据本公开内容的实施方式的制造包括感测层的显示面板的示例性过程的图。
具体实施方式
在本发明的示例或实施方式的以下描述中,将参照附图,在附图中通过说明的方式示出了可以实现的特定示例或实施方式,并且在附图中,即使在彼此不同的附图中示出相同的附图标记和符号,也可以使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。此外,在本发明的示例或实施方式的以下描述中,当确定对本文中包含的已知功能和部件的描述可能使本发明的一些实施方式中的主题相当不清楚时,将省略对本文中包含的公知功能和部件的详细描述。除非术语与术语“仅”一起使用,否则本文中使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“由……组成”和“由……形成”的术语通常旨在允许添加其他部件。如本文中使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式旨在包括复数形式。
可以在本文中使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”、或“(B)”的术语来描述本发明的元件。这些术语中的每一个并不用于限定元件的本质、顺序、次序或数量等,而仅仅用于将相应的元件与其他元件区分开。
当提到第一元件“连接至或耦接至”第二元件、与第二元件“接触或交叠”等时,应被解释为第一元件不仅可以“直接连接至或耦接至”第二元件或与第二元件“直接接触或交叠”,而且第三元件也可以“***”在第一元件与第二元件之间,或者第一元件和第二元件可以经由第四元件彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等。在此,第二元件可以包括在彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少之一中。
当时间相关术语例如“在……之后”、“后续”、“紧接着”、“在……之前”用来描述元件或配置的处理或操作或者操作方法、处理方法、制造方法中的流程或步骤时,除非与术语“直接”或“立即”一起使用,否则这些术语可以用来描述非连续或非顺序的处理或操作。
另外,当提及任何尺寸、相对大小等时,应当考虑到,即使没有具体说明相关描述时,用于元件或特征的数值或相应信息(例如,水平、范围等)也包括可能由各种因素(例如,处理因素、内部或外部影响,噪声等)引起的公差或误差范围。此外,术语“可以”完全包括术语“能够”的所有含义。
图1是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置100的配置的示意图。
参照图1,根据本公开内容的实施方式的显示装置100可以包括显示面板110,显示面板110包括有源区域A/A和限定在有源区域A/A外部的非有源区域N/A。用于图像显示的像素(在下文中,被称为“显示像素DPXL”)和用于感测的像素(在下文中,被称为“感测像素SPXL”)可以设置在显示面板110的有源区域A/A中。
显示装置100可以包括栅极驱动器电路120、数据驱动器电路130、控制器140等,以驱动显示像素DPXL。显示装置100还可以包括感测驱动器电路150、感测控制器160等,以驱动感测像素SPXL。
栅极驱动器电路120由控制器140控制,并且通过将扫描信号顺序地输出至设置在显示面板110中的多条栅极线GL来控制显示像素DPXL的驱动时序。
栅极驱动器电路120可以包括一个或更多个栅极驱动器集成电路(GDIC),并且可以根据驱动方案位于显示面板110的仅一侧或两侧上。
每个GDIC可以通过带载自动封装(TAB)或玻璃上芯片(COG)耦接至显示面板110的接合焊盘,或者可以被配置为板内栅极(GIP)类型并且直接设置在显示面板110中。当需要时,每个GDIC可以集成在显示面板110中。此外,每个GDIC可以通过膜上芯片(COF)安装在耦接至显示面板110的膜上。
数据驱动器电路130从控制器140接收图像数据,并且将图像数据转换成模拟数据电压。另外,数据驱动器电路130在通过栅极线GL施加扫描信号时的定时将数据电压输出至每条数据线DL,使得显示像素DPXL可以表示与图像数据对应的发光强度。
数据驱动器电路130可以包括一个或更多个源极驱动器集成电路(SDIC)。
每个SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器、输出缓冲器等。
每个SDIC可以通过TAB或COG耦接至显示面板110的接合焊盘,或者可以直接设置在显示面板110中。当需要时,每个SDIC可以集成在显示面板110中。此外,可以通过COF实现每个SDIC。在这种情况下,SDIC可以安装在耦接至显示面板110的膜上,并且通过膜上的配线电耦接至显示面板110。
控制器140将各种控制信号施加至栅极驱动器电路120和数据驱动器电路130,以控制栅极驱动器电路120和数据驱动器电路130的操作。
控制器140可以安装在印刷电路板(PCB)、柔性PCB(FPCB)等上,并且通过PCB、FPCB等电耦接至栅极驱动器电路120和数据驱动器电路130。
控制器140控制栅极驱动器电路120,以在由每一帧限定的定时输出扫描信号。控制器140将从外部源接收的图像数据转换成在数据驱动器电路130中使用的数据信号格式,并且将经转换的图像数据输出至数据驱动器电路130。
除了图像数据以外,控制器140还从外部源(例如,主机***)接收各种时序信号。时序信号可以包括垂直同步信号VSYNC、水平同步信号HSYNC、输入数据使能信号DE、时钟信号CLK等。
控制器140可以使用从外部源接收的各种时序信号生成各种控制信号,并且将控制信号输出至栅极驱动器电路120和数据驱动器电路130。
例如,控制器140输出包括栅极起始脉冲GSP、栅极移位时钟信号GSC、栅极输出使能信号GOE等的各种栅极控制信号GCS,以控制栅极驱动器电路120。
栅极起始脉冲GSP控制栅极驱动器电路120的一个或更多个GDIC的操作起始时序。栅极移位时钟信号GSC是通常输入至一个或更多个GDIC以控制扫描信号的移位时序的时钟信号。栅极输出使能信号GOE指定用于一个或更多个GDIC的时序信息。
此外,控制器140输出包括源极起始脉冲SSP、源极采样时钟信号SSC、源极输出使能信号SOE等的各种数据控制信号DCS,以控制数据驱动器电路130。
源极起始脉冲SSP控制数据驱动器电路130的一个或更多个SDIC的数据采样起始时序。源极采样时钟信号SSC是控制SDIC中的每一个的数据采样时序的时钟信号。源极输出使能信号SOE控制数据驱动器电路130的输出时序。
显示装置100还可以包括电力管理集成电路(PMIC),所述电力管理集成电路将各种类型的电压或电流施加至显示面板110、栅极驱动器电路120、数据驱动器电路130等,或者控制施加至显示面板110、栅极驱动器电路120、数据驱动器电路130等的各种类型的电压或电流。
设置在有源区域A/A中的显示像素DPXL可以是由栅极线GL与数据线DL之间的交叉限定的区域。根据显示装置100的类型,可以在每个显示像素DPXL处设置液晶或发光器件ED。
感测像素SPXL也可以设置在有源区域A/A中,并且可以在每个感测像素SPXL中设置压电器件PD以及一个或更多个薄膜晶体管。
感测驱动器电路150和感测控制器160可以驱动设置在感测像素SPXL中的压电器件PD,以在感测像素SPXL中生成并使用超声波。
例如,感测驱动器电路150可以将驱动信号施加至设置在感测像素SPXL中的压电器件PD,并且检测感测像素SPXL中的感测信号。可替选地,感测控制器160可以将驱动信号直接施加至感测像素SPXL,并且感测驱动器电路150可以检测感测信号。
感测像素SPXL可以设置在与显示像素DPXL的区域分开的区域中,或者设置在与显示像素DPXL的区域交叠的区域中。
图2、图3和图4是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板110中的显示像素DPXL和感测像素SPXL的示例性电路结构的图。
参照图2,设置在显示面板110中的显示像素DPXL可以包括发光器件ED、驱动发光器件ED的一个或更多个薄膜晶体管、以及存储电容器Cstg。尽管在图2的示例中显示像素DPXL被示出为7T1C结构,但是显示像素DPXL不限于此。
设置在显示面板110中的感测像素SPXL可以包括压电器件PD和用于借助于压电器件PD进行感测的一个或更多个薄膜晶体管。
在本公开内容中,用于借助于压电器件PD进行感测的薄膜晶体管被称为“第一薄膜晶体管”,并且用于驱动发光器件ED的薄膜晶体管被称为“第二薄膜晶体管”。
显示像素DPXL和感测像素SPXL可以设置在分开的区域中,或者可以设置成彼此至少部分地交叠。
可以在通过栅极线GL施加扫描信号的定时驱动显示像素DPXL。
例如,当扫描信号被施加至第(n-1)栅极线GL时,晶体管T21被接通,并且初始化电压Vini被施加至第二节点N2。因此,晶体管T23的栅极节点可以被初始化。
当扫描信号被施加至第n栅极线GL时,晶体管T22、T24和T25被接通。由于晶体管T22被接通,因此通过数据线DL施加的数据电压Vdata被施加至第一节点N1。
由于电耦接在第二节点N2与第三节点N3之间的晶体管T24处于接通状态,因此施加至第一节点N1的数据电压Vdata通过晶体管T23被施加至第二节点N2。在本文中,数据电压Vdata可以反映晶体管T23的阈值电压Vth,并且然后被施加至第二节点N2。因此,可以补偿用作驱动晶体管的晶体管T23的阈值电压Vth。
由于晶体管T25处于接通状态,因此初始化电压Vini可以被施加至第四节点N4。因此,发光器件ED的阳极电极的电压可以被初始化。
当已经反映晶体管T23的阈值电压Vth的数据电压Vdata被施加至作为晶体管T23的栅极节点的第二节点N2时,可以施加信号EM来使晶体管T26和T27接通。因此,与数据电压Vdata对应的电流可以被提供给发光器件ED,使得发光器件ED可以呈现与图像数据对应的发光强度。
感测像素SPXL可以包括压电器件PD,并且通过施加至压电器件PD的电压来执行超声生成和超声感测。设置在感测像素SPXL中的晶体管T11可以电耦接在感测线SL与提供有显示驱动电压VDD的驱动电压线DVL之间。
可以在与显示像素DPXL的驱动时段分开的时段中驱动感测像素SPXL。可替选地,感测像素SPXL可以与显示像素DPXL在同一时段中同时被驱动。
可以在超声生成时段和超声感测时段中分别驱动感测像素SPXL。
例如,作为交流(AC)电压的第一感测驱动电压DV1可以在第一时段P1中被施加至压电器件PD。第一感测驱动电压DV1可以是在-100V和+100V之间摆动的电压。
当通过感测控制信号CS使晶体管T3接通时,作为直流(DC)电压的第二感测驱动电压DV2可以被施加至第五节点N5。第二感测驱动电压DV2可以是处于使晶体管T11关断的电平的电压。
晶体管T3和感测线SL可以设置在显示面板110的非有源区域N/A中。可以由感测驱动器电路150或感测控制器160提供并控制第一感测驱动电压DV1和第二感测驱动电压DV2。
当作为AC电压的第一感测驱动电压DV1和作为DC电压的第二感测驱动电压DV2被施加至压电器件PD的两个电极时,压电器件PD可以振动,从而生成超声波。
在第二时段P2中,作为DC电压的第一感测驱动电压DV1可以被施加至压电器件PD。当通过感测控制信号CS使晶体管T3关断时,第五节点N5可以置于浮置状态。
当反射的超声波改变压电器件PD中包含的压电材料的极化状态时,从压电器件PD输出的电信号可以改变第五节点N5的电压电平。
第五节点N5的电压电平的变化可以导致晶体管T11的接通和关断的重复,并且显示驱动电压VDD可以通过晶体管T11被传送至第六节点N6。
也就是说,从接收到超声波的压电器件PD输出的电信号可以由晶体管T11放大并通过感测线SL检测,从而实现超声感测。
可替选地,可以在感测像素SPXL中设置附加的薄膜晶体管,并且可以将不同的电压施加至压电器件PD,从而实现超声生成和超声感测。
参照图3,感测像素SPXL可以包括电耦接至压电器件PD的晶体管T11,以及电耦接在第六节点N6与感测线SL之间的晶体管T12。晶体管T12可以由第二感测控制信号CS2控制。第二感测控制信号CS2可以具有与控制晶体管T3的第一感测控制信号CS1的电平相反的电平。
在第一时段P1中,可以通过第一感测控制信号CS1使晶体管T3接通,并且作为AC电压的第二感测驱动电压DV2可以被施加至第五节点N5。此外,作为DC电压的第一感测驱动电压DV1可以被施加至压电器件PD。
在本文中,可以通过第二感测控制信号CS2使晶体管T12处于关断状态。因此,可以由被施加至压电器件PD的第一感测驱动电压DV1和第二感测驱动电压DV2来驱动压电器件PD,从而生成超声波。
在第二时段P2中,可以通过第一感测控制信号CS1使晶体管T3关断,并且可以通过第二感测控制信号CS2使晶体管T12关断。
因此,第五节点N5可以置于浮置状态,并且当压电器件PD接收到反射的超声波时,可以通过从压电器件PD输出的电信号来改变第五节点N5的电压电平。
由于第五节点N5的电压电平的变化,显示驱动电压VDD可以通过晶体管T11被传送至第六节点N6。由于晶体管T12在第二时段P2中处于接通状态,因此可以通过感测线SL检测被传送至第六节点N6的电压,从而可以执行感测。
这样,可以根据感测像素SPXL中的薄膜晶体管的布置结构以各种方式驱动压电器件PD。
此外,在图3的示例中,可以在感测像素SPXL中设置不同类型的薄膜晶体管,以通过单个感测控制信号CS来控制晶体管T12和T3。
参照图4,在感测像素SPXL中,晶体管T12可以是N型并且晶体管T3可以是P型。晶体管T12和T3可以由相同的感测控制信号CS控制。
在第一时段P1中,当以使晶体管T3接通的电平施加感测控制信号CS时,可以使晶体管T3接通,并且可以使晶体管T12关断。此外,当作为DC电压的第一感测驱动电压DV1被施加至压电器件PD并且作为AC电压的第二感测驱动电压DV2被施加至第五节点N5时,压电器件PD可以生成超声波。
在第二时段P2中,可以以使晶体管T3关断的电平施加感测控制信号CS,从而使晶体管T3关断并且使晶体管T12接通。因此,当根据超声波接收通过从压电器件PD输出的信号来改变处于浮置状态的第五节点N5的电压电平时,可以通过感测线SL检测输出至第六节点N6的电压,从而可以执行感测。
这样,由于每个都包括压电器件PD的感测像素SPXL设置在有源区域A/A中,因此根据本公开内容的实施方式提供了能够超声感测同时在有源区域A/A中显示图像的显示面板110。
相对于设置有用于显示驱动和感测的薄膜晶体管的层,压电器件PD可以设置成与设置有发光器件ED的层相对。
图5是示出根据本公开内容的实施方式的包括感测层700的显示面板110的示例性截面结构的图。
参照图5,设置在显示面板110的有源区域A/A中的像素可以包括显示像素DPXL和感测像素SPXL。如前所述,显示像素DPXL和感测像素SPXL可以设置在分开的区域中,或者可以彼此部分地交叠。此外,感测像素SPXL可以设置成与显示像素DPXL一对一对应,或者两个或更多个显示像素DPXL可以设置成与一个感测像素SPXL对应。在显示像素DPXL与感测像素SPXL一对一对应的结构中,一个像素可以包括发光区域EA和非发光区域NEA。感测像素SPXL可以设置在发光区域EA和非发光区域NEA的一部分中,或者设置成与发光区域EA和非发光区域NEA的一部分交叠。参照沿着图5中的线A-A’截取的像素的截面,显示面板110可以包括:薄膜晶体管层500,其包括多个第一薄膜晶体管T1和多个第二薄膜晶体管T2;显示层600,其设置在薄膜晶体管层500上并且包括多个发光器件ED;以及感测层700,其设置在薄膜晶体管层500之下并且包括多个压电器件PD。
薄膜晶体管层500可以包括聚酰亚胺层501和设置在聚酰亚胺层501上的缓冲层502。有源层ACT1和ACT2可以设置在缓冲层502上,并且栅极绝缘层503以及栅电极GE1和GE2可以设置在有源层ACT1和ACT2上。
层间绝缘层504可以设置在栅电极GE1和GE2上,并且源电极SE1和SE2以及漏电极DE1和DE2可以通过形成在层间绝缘层504中的孔耦接至有源层ACT1和ACT2。当需要时,层间绝缘层504可以是单个绝缘层或者包括多个绝缘层。
保护层505可以设置在层间绝缘层504上,并且平坦化层506和507可以设置在保护层505上。
显示层600可以设置在平坦化层506和507上。
显示层600可以包括第一电极601、发光层602和第二电极603。第一电极601可以通过形成在平坦化层506和507中的孔耦接至第二薄膜晶体管T2的第二漏电极DE2或第二源电极SE2。
在显示层600中,堤部604可以设置在非发光区域NEA中而不是发光区域EA,并且封装层605、606和607可以设置可以在第二电极603上,以保护发光器件ED。
感测层700可以设置在薄膜晶体管层500之下。
感测层700可以包括感测像素电极701、设置在感测像素电极701之下的压电材料702、以及设置在压电材料702之下的感测公共电极703。还可以在感测公共电极703之下设置反射层,以将被引导朝向与显示图像的表面相对的表面的超声波反射到感测层700。
感测像素电极701可以与图2、图3和图4所示的示例中的第五节点N5对应。感测公共电极703可以是图2、图3和图4所示的示例中施加有第一感测驱动电压DV1的电极。
也就是说,包括在感测层700中的感测像素电极701、压电材料702和感测公共电极703可以形成压电器件PD。
感测像素电极701可以设置在薄膜晶体管层500之下,由聚酰亚胺层501覆盖。
例如,凹部900可以形成在聚酰亚胺层501的底表面中,并且感测像素电极701可以设置在聚酰亚胺层501的凹部900中。凹部900可以是在制造过程中在沉积感测像素电极701和在感测像素电极701上沉积聚酰亚胺层501的过程中形成的结构。
此外,感测像素电极701的底表面和聚酰亚胺层501的底表面可以在同一平面上。也就是说,聚酰亚胺层501除了凹部900以外的底表面可以与感测像素电极701的底表面在同一平面上。
当感测像素电极701凹陷到聚酰亚胺层501的底表面中时,可以在感测像素电极701之下以均匀厚度设置压电材料702,并且可以容易地设置感测公共电极703。
感测像素电极701可以电耦接至设置在薄膜晶体管层500中的第一薄膜晶体管T1的第一栅电极GE1。
例如,感测像素电极701可以通过设置在孔中的连接电极800电耦接至第一栅电极GE1,所述孔形成在设置在第一栅电极GE1之下的栅极绝缘层503、缓冲层502和聚酰亚胺层501中。也就是说,连接电极800可以具有耦接至感测像素电极701的一端和耦接至第一薄膜晶体管T1的第一栅电极GE1的另一端。连接电极800可以与第一薄膜晶体管T1的第一源电极SE1或第一漏电极DE1分开设置。连接电极800可以由与第一栅电极GE1相同的材料形成。
可替选地,感测像素电极701可以通过设置在孔中的连接电极800电耦接至第一栅电极GE1,所述孔形成在设置在第一栅电极GE1之下的所有绝缘层和设置在第一栅电极GE1上的部分绝缘层中。也就是说,可以在层间绝缘层504以及栅极绝缘层503、缓冲层502和聚酰亚胺层501中形成孔。此外,感测像素电极701可以通过连接电极800电耦接至第一栅电极GE1,连接电极800由与第一源电极SE1和第一漏电极DE1相同的材料形成。
此外,当第一栅电极GE1设置在第一有源层ACT1之下时,当需要时,感测像素电极701可以通过形成在缓冲层和聚酰亚胺层501中的孔耦接至第一栅电极GE1,缓冲层和聚酰亚胺层501设置在第一栅电极GE1之下。
第一薄膜晶体管T1可以电耦接在通过其施加显示驱动电压VDD的驱动电压线DVL与用来检测感测信号的感测线SL之间。
因此,当第一栅电极GE1耦接至感测像素电极701时,可以通过从接收超声波的压电器件PD输出的信号来使第一薄膜晶体管接通和关断,并且可以通过感测线SL来检测感测信号。
这样,在本公开内容的实施方式中,感测层700设置在薄膜晶体管层500之下,并且感测信号使用包括在薄膜晶体管层500中的第一薄膜晶体管T1来检测。因此,可以在显示面板110的有源区域A/A中执行超声感测。
此外,由于用于超声感测的第一薄膜晶体管T1和用于显示驱动的第二薄膜晶体管T2设置在同一层中,可以在不增加设置第一薄膜晶体管T1的过程的情况下容易地实现执行超声感测的感测像素SPXL。
可替选地,当需要时,可以将用于超声感测的第一薄膜晶体管T1和用于显示驱动的第二薄膜晶体管T2设置在不同的层中。
图6和图7是示出根据本公开内容的实施方式的包括感测层700的显示面板110的截面结构的其他示例的图。
参照沿着图6中的线A-A’截取的像素的截面,根据本公开内容的实施方式的显示面板110可以包括设置有多个第一薄膜晶体管T1的第一薄膜晶体管层510以及设置有多个第二薄膜晶体管T2的第二薄膜晶体管层520。
第二薄膜晶体管层520可以设置在第一薄膜晶体管层510上。
具体地,第一薄膜晶体管层510可以包括聚酰亚胺层501和缓冲层502。第一有源层ACT1、第一栅极绝缘层513、第一栅电极GE1和第一层间绝缘层514可以设置在缓冲层502上。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以通过形成在第一层间绝缘层514中的孔耦接至第一有源层ACT1,并且第一保护层515可以设置在第一层间绝缘层514上。
第二薄膜晶体管层520可以设置在第一保护层515上。
第二薄膜晶体管层520可以顺序地堆叠有例如第二有源层ACT2、第二栅极绝缘层523、第二栅电极GE2、第二层间绝缘层524和第二保护层525。
平坦化层506和507可以设置在第二保护层525上,并且包括发光器件ED的显示层600可以设置在平坦化层506和507上。
感测层700可以设置在第一薄膜晶体管层510之下。
感测层700可以包括:设置在聚酰亚胺层501之下并且电耦接至第一栅电极GE1的感测像素电极701、设置在感测像素电极701之下的压电材料702、以及设置在压电材料702之下的感测公共电极703。
感测像素电极701可以设置在聚酰亚胺层501的凹部900中。
感测像素电极701可以通过设置在孔中的连接电极800电耦接至第一栅电极GE1,所述孔形成在设置在第一栅电极GE1之下的第一栅极绝缘层513、缓冲层502和聚酰亚胺层501中。连接电极800可以由与第一栅电极GE1的材料相同的材料形成。
可替选地,如在图7的示例中,感测像素电极701可以通过设置在形成在第一层间绝缘层514中的孔以及形成在第一栅极绝缘层513、缓冲层502和聚酰亚胺层501中的孔中的连接电极800电耦接至第一栅电极GE1,第一层间绝缘层514设置在第一栅电极GE1上,第一栅极绝缘层513、缓冲层502和聚酰亚胺层501设置在第一栅电极GE1之下。连接电极800可以由与第一源电极SE1和第一漏电极DE1相同的材料形成。
此外,如前所述,当第一栅电极GE1设置在第一有源层ACT1之下时,感测像素电极701可以通过设置在孔中的连接电极800耦接至第一栅电极GE1,所述孔形成在缓冲层502和聚酰亚胺层501中。
当需要时,反射层可以设置在感测公共电极703之下,以将从感测层700向下引导的超声波反射回到感测层700。
这样,用于通过感测层700进行感测的第一薄膜晶体管T1和用于驱动设置在显示层600中的发光器件ED的第二薄膜晶体管T2可以设置在不同的层上。
由于用于感测的第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2设置在不同的层中,因此可以在不影响显示像素DPXL的布置结构的情况下设置感测像素SPXL。
也就是说,在高清晰度显示面板110的情况下,可能缺少在显示像素DPXL中设置用于感测的第一薄膜晶体管T1的区域。此外,显示像素DPXL和感测像素SPXL在环境下可能需要不同的分辨率。
在这种情况下,第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以以感测像素SPXL和显示像素DPXL彼此交叠的方式设置在不同的层中。因此,可以在不影响显示像素DPXL的布置结构的情况下设置感测像素SPXL。
此外,通过在用于显示驱动的第二薄膜晶体管层520之下设置用于超声感测的第一薄膜晶体管层510和感测层700,可以容易地设置包括内置在显示面板110中的压电器件PD的感测层700。
图8A至图8F是示出根据本公开内容的实施方式的制造显示面板110的示例性过程的图。
参照图8A,在基板1000上设置牺牲层1100。然后,在牺牲层1100上设置电极图案,以实现感测层700的感测像素电极701。
参照图8B,当完全设置感测像素电极701时,在感测像素电极701上顺序地沉积聚酰亚胺层501和缓冲层。因此,感测像素电极701可以由聚酰亚胺层501覆盖。此外,感测像素电极701的底表面和聚酰亚胺层501的底表面可以位于同一平面上。
参照图8C,在缓冲层502上设置第一有源层ACT1,并且在第一有源层ACT1上设置第一栅极绝缘层513。在第一栅极绝缘层513上设置第一栅电极GE1。
可以在第一栅极绝缘层513、缓冲层502和聚酰亚胺层501中形成孔,以使感测像素电极701露出。然后,可以在孔中设置连接电极800,以将感测像素电极701电耦接至第一栅电极GE1。
可替选地,如在上述示例中,感测像素电极701可以通过在第一栅电极GE1上设置第一层间绝缘层514、在第一层间绝缘层514中形成孔、以及在孔中设置连接电极800来电耦接至第一栅电极GE1。
这样,可以通过仅将设置感测像素电极701和连接电极800的过程添加到在基板1000上沉积薄膜晶体管的过程来实现感测像素SPXL。
参照图8D,在完成感测像素电极701和连接电极800的形成之后,可以通过顺序地沉积第二薄膜晶体管层520和显示层600来设置第二薄膜晶体管T2和发光器件ED,以显示图像。
可以在高温下执行沉积第一薄膜晶体管层510、第二薄膜晶体管层520和显示层600的过程。
参照图8E,当完全沉积显示层600时,通过激光剥离(LLO)从第一薄膜晶体管层510去除基板1000和牺牲层1100。也就是说,可以通过去除牺牲层1100来从第一薄膜晶体管层510去除基板1000。
因此,设置在聚酰亚胺层501之下的感测像素电极701向外露出。
参照图8F,可以在聚酰亚胺层501的底表面上沉积压电材料702,并且可以在压电材料702之下沉积感测公共电极703。
可以在低温下执行沉积压电材料702的过程。
由于压电材料702和感测公共电极703以这种方式设置在第一薄膜晶体管层510之下,因此可以在沉积显示层600的过程之后容易地实现感测层700。
此外,通过在沉积第一薄膜晶体管层510、第二薄膜晶体管层520和显示层600的高温工艺之后在低温工艺中沉积感测层,可以提供工艺便利性并且可以提供具有在其中实现的感测像素SPXL的显示面板110。
根据本公开内容的前述实施方式,通过在形成薄膜晶体管层500和显示层600的过程之后将感测层700设置在薄膜晶体管层500之下,可以容易地实现具有在其中内置的压电器件PD的显示面板110。
在本文中,通过在沉积薄膜晶体管层500之前预先设置用于形成感测层700的感测像素电极701的电极图案,以及然后沉积薄膜晶体管层500,可以容易地实现感测层700。
此外,通过将包括在薄膜晶体管层500中的一些薄膜晶体管耦接至感测层700以及检测感测信号,可以在不增加设置包括在感测像素SPXL中的薄膜晶体管的过程的情况下实现感测像素SPXL。
可替选地,当需要时,用于感测的第一薄膜晶体管T1和用于显示驱动的第二薄膜晶体管T2设置在不同的层中,并且实现显示层600和感测层700。因此,可以在不影响显示像素DPXL的显示分辨率和实现的情况下提供能够在有源区域A/A中进行超声感测的显示面板110。
提出以上描述以使本领域的任何技术人员能够实现和使用本发明的技术构思,并且以上描述是在特定应用及其要求的上下文中提供的。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员而言将是明显的,并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下,本文中定义的一般原理可以应用于其他实施方式和应用。仅出于说明的目的,以上描述和附图提供了本发明的技术构思的示例。也就是说,所公开的实施方式旨在说明本发明的技术构思的范围。因此,本发明的范围不限于所示出的实施方式,而是被赋予与权利要求书一致的最宽范围。本发明的保护范围应当基于所附权利要求书进行解释,并且在其等同方案的范围内的所有技术构思应当被解释为包括在本发明的范围内。
Claims (19)
1.一种显示面板,包括:
薄膜晶体管层,在所述薄膜晶体管层中设置有多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管;
设置在所述薄膜晶体管层上的显示层,在所述显示层中设置有多个发光器件;以及
设置在所述薄膜晶体管层之下的感测层,
其中,所述感测层包括:
设置在所述薄膜晶体管层的底表面上的多个感测像素电极;
设置在所述感测像素电极之下的压电材料;以及
设置在所述压电材料之下的感测公共电极,并且
其中,所述多个第一薄膜晶体管中的至少之一电耦接至所述感测像素电极,并且所述多个第二薄膜晶体管中的至少之一电耦接至所述发光器件,并且
其中,所述感测像素电极或所述感测公共电极在第一时段中接收AC信号,并且所述感测像素电极在第二时段中处于浮置状态。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述薄膜晶体管层的底表面包括多个凹部,并且所述感测像素电极设置在所述凹部中。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述感测像素电极的底表面与所述薄膜晶体管层的除了设置有所述凹部的部分以外的底表面位于同一平面上。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述感测像素电极电耦接至所述第一薄膜晶体管的第一栅电极。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述感测像素电极通过包括在设置在所述第一栅电极之下的绝缘层中的孔电耦接至所述第一栅电极。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述感测像素电极通过包括在设置在所述第一栅电极之下的绝缘层和设置在所述第一栅电极上的部分绝缘层中的孔电耦接至所述第一栅电极。
7.根据权利要求4所述的显示面板,还包括连接电极,每个连接电极的一端耦接至所述感测像素电极之一,另一端耦接至所述第一薄膜晶体管之一的第一栅电极。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述连接电极与所述第一薄膜晶体管的第一源电极和第一漏电极分开设置。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述连接电极由与所述第一薄膜晶体管之一的所述第一栅电极、第一源电极或第一漏电极中的至少之一相同的材料形成。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述薄膜晶体管层包括:
第一薄膜晶体管层,在所述第一薄膜晶体管层中设置有所述多个第一薄膜晶体管;以及
设置在所述第一薄膜晶体管层与所述显示层之间的第二薄膜晶体管层,在所述第二薄膜晶体管层中设置有所述多个第二薄膜晶体管。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个第一薄膜晶体管中的至少之一电耦接在驱动电压线与感测线之间,所述驱动电压线电耦接至所述多个第二薄膜晶体管中的至少之一。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述感测公共电极在所述第一时段中接收所述AC信号并且在所述第二时段中接收DC信号,并且
所述感测像素电极在所述第一时段中接收处于使所述第一薄膜晶体管关断的电平的DC信号。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述发光器件在所述第一时段或所述第二时段的至少一部分中被驱动。
14.一种显示装置,包括:
根据权利要求1至13中的任一项所述的显示面板,其中,所述显示面板包括多个显示像素和多个感测像素;以及
感测驱动器电路,所述感测驱动器电路驱动包括在所述显示面板中的所述多个感测像素。
15.一种显示面板,包括:
多个显示像素;以及
设置在与所述显示像素交叠的区域的至少一部分中的多个感测像素,
其中,所述多个感测像素中的每一个包括:至少一个第一薄膜晶体管;以及压电器件,所述压电器件与所述第一薄膜晶体管设置在不同的层中并且电耦接至所述第一薄膜晶体管,
其中,所述多个显示像素中的每一个包括:至少一个第二薄膜晶体管;以及发光器件,所述发光器件与所述第二薄膜晶体管设置在不同的层中并且电耦接至所述第二薄膜晶体管,
其中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置在其中设置有所述压电器件的层与其中设置有所述发光器件的层之间,
其中,所述压电器件包括:
电耦接至所述第一薄膜晶体管的第一栅电极的感测像素电极;
利用所述感测像素电极生成电容的感测公共电极;以及
设置在所述感测像素电极与所述感测公共电极之间的压电材料,并且
其中,所述感测像素电极或所述感测公共电极在第一时段中接收AC信号,并且所述感测像素电极在第二时段中处于浮置状态。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其中,所述感测像素电极设置在包括在设置在所述第一薄膜晶体管之下的绝缘层的底表面上的凹部中,并且
所述感测像素电极的底表面与所述绝缘层的除了设置有所述凹部的部分以外的底表面位于同一平面上。
17.根据权利要求15所述的显示面板,其中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置在不同的层中。
18.根据权利要求15所述的显示面板,其中,所述第一薄膜晶体管电耦接在驱动电压线与感测线之间,所述驱动电压线电耦接至所述第二薄膜晶体管。
19.一种显示装置,包括:
根据权利要求15至18中的任一项所述的显示面板;以及
感测驱动器电路,所述感测驱动器电路驱动包括在所述显示面板中的所述多个感测像素。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190072886A KR20200144794A (ko) | 2019-06-19 | 2019-06-19 | 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 |
KR10-2019-0072886 | 2019-06-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112117303A CN112117303A (zh) | 2020-12-22 |
CN112117303B true CN112117303B (zh) | 2024-03-22 |
Family
ID=73798916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010553513.0A Active CN112117303B (zh) | 2019-06-19 | 2020-06-17 | 显示面板和显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11081534B2 (zh) |
KR (1) | KR20200144794A (zh) |
CN (1) | CN112117303B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110690244B (zh) * | 2019-10-15 | 2021-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背板、显示面板以及微发光二极管的转移方法 |
CN111339916B (zh) * | 2020-02-24 | 2023-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素电路及其驱动方法、显示面板 |
WO2024011600A1 (zh) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及超声波成像基板 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107564919A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 乐金显示有限公司 | 背板衬底、其制造方法以及使用其的有机发光显示装置 |
CN107665909A (zh) * | 2016-07-27 | 2018-02-06 | 乐金显示有限公司 | 混合型薄膜晶体管以及使用其的有机发光显示装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102548486B1 (ko) * | 2019-02-13 | 2023-06-28 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치 |
-
2019
- 2019-06-19 KR KR1020190072886A patent/KR20200144794A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-06-08 US US16/895,633 patent/US11081534B2/en active Active
- 2020-06-17 CN CN202010553513.0A patent/CN112117303B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN107564919A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 乐金显示有限公司 | 背板衬底、其制造方法以及使用其的有机发光显示装置 |
CN107665909A (zh) * | 2016-07-27 | 2018-02-06 | 乐金显示有限公司 | 混合型薄膜晶体管以及使用其的有机发光显示装置 |
CN107293553A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200144794A (ko) | 2020-12-30 |
CN112117303A (zh) | 2020-12-22 |
US11081534B2 (en) | 2021-08-03 |
US20200403045A1 (en) | 2020-12-24 |
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PB01 | Publication | ||
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