CN112114403B - 一种光开关的定标方法、装置、设备及计算机可读存储介质 - Google Patents

一种光开关的定标方法、装置、设备及计算机可读存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种光开关的定标方法、装置、设备及计算机可读存储介质,所述光开关包括光纤阵列、准直透镜和MEMS反射镜;所述方法包括:将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值;所述多个电压基于预设电压和第一电压步进值获得;所述第一输出通道为所述光纤阵列的任一光纤对应的输出通道;所述初始电压值表示所述第一输出通道的***损耗的最小值对应的电压值;基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得;所述可调的第二电压步进值小于所述第一电压步进值;所述定标电压用于定标所述第一输出通道对应的光功率。

Description

一种光开关的定标方法、装置、设备及计算机可读存储介质
技术领域
本发明实施例涉及光纤技术领域,尤其涉及一种光开关的定标方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
背景技术
目前,微电机***MEMS光开关由于其插损低,偏振不敏感,功耗小,在整个光开关的市场上占比越来越高。已知成熟的MEMS光开关有1x2,1x4,1x8,1x16。近几年MEMS光开关朝着更多通道进行发展,市场对1x32,1x48,1x64,1x128光开关的需求越来越多。而低端口的MEMS光开关定标算法主要采用遍历的方式进行粗定标,以及步进式梯度下降法进行精细定标,在低端口时,定标的时间没有影响,但随着通道数的增加,定标的时间也成指数进行增长。针对该问题,目前尚无有效解决方案。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种光开关的定标方法、装置、设备及计算机可读存储介质,至少可以部分解决上述技术问题。
为了达到上述目的,本发明实施例提供一种光开关的定标方法,所述光开关包括光纤阵列、准直透镜和微电机***MEMS反射镜;所述方法包括:
将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值;所述多个电压基于预设电压和第一电压步进值获得;所述第一输出通道为所述光纤阵列的任一光纤对应的输出通道;所述初始电压值表示所述第一输出通道的***损耗的最小值对应的电压值;
基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得;所述可调的第二电压步进值小于所述第一电压步进值;所述定标电压用于定标所述第一输出通道对应的光功率。
在上述方案中,所述将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值,包括:
将预设第一电压输入至所述光开关之后,依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,根据所述准直透镜的位置调整所述MEMS反射镜的位置,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列的所有外层光纤,固定所述MEMS反射镜的位置;
根据所述MEMS反射镜的位置和所述准直透镜的位置获得所述光纤阵列、所述准直透镜、所述MEMS反射镜的相对位置关系;
将预设第二电压输入至所述光开关之后,基于所述相对位置关系、依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列中由内层向外层螺旋的光纤,获得每次扫描后所述第一输出通道的***损耗;
确定所述MEMS反射镜扫描过程中所述第一输出通道的***损耗的最小值,将所述***损耗的最小值对应的电压值作为初始电压值。
在上述方案中,所述基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压,包括:
基于所述初始电压值和预设的第二电压步进获得所述可调的第二电压步进值;
根据所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压。
在上述方案中,所述基于所述初始电压值和预设的第二电压步进获得所述可调的第二电压步进值,包括:
在二维坐标系下固定第一轴的初始电压值,基于第二轴的初始电压值、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量。
根据所述第二轴的初始电压和所述***损耗的变化量调整所述预设的第二电压步进值,获得所述可调的第二电压步进值。
在上述方案中,所述根据所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压,包括:
在所述***损耗的变化量的方向发生变化的情况下,基于所述可调的第二电压步进值和所述***损耗的变化量的方向更新所述第二轴的初始电压,获得第一输出通道第二轴的定标电压。
在上述方案中,所述基于第二轴的初始电压、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量,包括:
根据所述第二轴的初始电压往正负方向依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得不同电压分别对应的所述第一输出通道的多个***损耗;
根据所述多个***损耗确定所述第一输出通道的***损耗的变化量。
在上述方案中,所述方法还包括:
检测所述定标电压是否满足预设条件;
在所述定标电压不满足预设条件的情况下,重新基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压。
本发明实施例还提供了一种光开关的定标装置,所述光开关包括光纤阵列、准直透镜和MEMS反射镜;所述装置包括:获得单元和确定单元,其中:
所述获得单元,用于将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值;所述多个电压基于预设电压和第一电压步进值获得;所述第一输出通道为所述光纤阵列的任一光纤对应的输出通道;所述初始电压值表示所述第一输出通道的***损耗的最小值对应的电压值;
所述确定单元,用于基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得;所述可调的第二电压步进值小于所述第一电压步进值;所述定标电压用于定标所述第一输出通道对应的光功率。
在上述方案中,所述获得单元,还用于将预设第一电压输入至所述光开关之后,依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,根据所述准直透镜的位置调整所述MEMS反射镜的位置,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列的所有外层光纤,固定所述MEMS反射镜的位置;根据所述MEMS反射镜的位置和所述准直透镜的位置获得所述光纤阵列、所述准直透镜、所述MEMS反射镜的相对位置关系;将预设第二电压输入至所述光开关之后,基于所述相对位置关系、依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列中由内层向外层螺旋的光纤,获得每次扫描后所述第一输出通道的***损耗;确定所述MEMS反射镜扫描过程中所述第一输出通道的***损耗的最小值,将所述***损耗的最小值对应的电压值作为初始电压值。
在上述方案中,所述确定单元包括:获得子单元和更新子单元,其中:
所述获得子单元,用于基于所述初始电压值和预设的第二电压步进获得所述可调的第二电压步进值;
所述更新子单元,用于根据所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压。
在上述方案中,所述获得子单元,还用于在二维坐标系下固定第一轴的初始电压值,基于第二轴的初始电压值、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量;根据所述第二轴的初始电压和所述***损耗的变化量调整所述预设的第二电压步进值,获得所述可调的第二电压步进值。
在上述方案中,所述更新子单元,还用于在所述***损耗的变化量的方向发生变化的情况下,基于所述可调的第二电压步进值和所述***损耗的变化量的方向更新所述第二轴的初始电压,获得第一输出通道第二轴的定标电压。
在上述方案中,所述获得子单元,还用于根据所述第二轴的初始电压往正负方向依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得不同电压分别对应的所述第一输出通道的多个***损耗;根据所述多个***损耗确定所述第一输出通道的***损耗的变化量。
在上述方案中,所述装置还包括:检测单元,用于检测所述定标电压是否满足预设条件;在所述定标电压不满足预设条件的情况下,重新基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压。
本发明实施例还提供一种光开关的定标设备,所述光开关的定标设备包括:处理器和用于存储能够在处理器上运行的计算机程序的存储器,其中,所述处理器用于运行所述计算机程序时,执行上述所述方法的步骤。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被至少一个处理器执行时实现上述所述方法的步骤。
本发明实施例提供一种光开关的定标方法、装置、设备及计算机可读存储介质,所述方法包括:将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值;所述多个电压基于预设电压和第一电压步进值获得;所述第一输出通道为所述光纤阵列的任一光纤对应的输出通道;所述初始电压值表示所述第一输出通道的***损耗的最小值对应的电压值;基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得;所述可调的第二电压步进值小于所述第一电压步进值;所述定标电压用于定标所述第一输出通道对应的光功率。在本发明实施例中,通过将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值,基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得,可以大大缩短MEMS光开关的定标时间,从而提高MEMS光开关的定标效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种光开关的定标方法的流程示意图;
图2为采用本发明实施例提供的一种光开关的结构示意图;
图3为采用本发明实施例提供的一种光开关进行测试的结构示意图;
图4为采用本发明实施例提供的输入电压示意图;
图5为本发明实施例提供的一种光开关的定标装置的结构示意图;
图6是本发明实施例一种光开关的定标设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对发明的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示,其示出本发明实施例提供的一种光开关的定标方法流程示意图。所述光开关包括光纤阵列、准直透镜和微电机***MEMS反射镜;所述方法包括:
S101:将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值;所述多个电压基于预设电压和第一电压步进值获得;所述第一输出通道为所述光纤阵列的任一光纤对应的输出通道;所述初始电压值表示所述第一输出通道的***损耗的最小值对应的电压值。
S102:基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得;所述可调的第二电压步进值小于所述第一电压步进值;所述定标电压用于定标所述第一输出通道对应的光功率。
需要说明的是,本实施例中光开关可以为任意的光开关,在此不做限定。作为一种示例,所述光开关可以为微电机***(MEMS)光开关,所述光开关包括光纤阵列、准直透镜和MEMS反射镜。
所述第一输出通道为所述光纤阵列的任一光纤对应的输出通道,在实际应用中所述第一输出通道也可以理解为所述光纤阵列的任一光纤对应的当前的输出通道。
为了方便理解,这里示例出一种光开关的结构示意图,图2为采用本发明实施例提供的一种光开关的结构示意图,如图2所示,所述光开关包括光纤阵列21,准直透镜22,MEMS反射镜23,其中,所述光纤阵列可以为任意的光纤阵列,在此不做限定,作为一种示例,所述光纤阵列可以为二维光纤阵列,该二维光纤阵列可以是MxN的光纤阵列。所述光开关可以通过对所述MEMS反射镜进行加电压控制所述MEMS反射镜进行旋转,使光纤阵列中反射的任一光迁进入任意的输出通道。
光开关的定标方法可以用于光开关进行定标测试的过程中,为了方便理解,这里示例出一种光开关进行测试的结构示意图,图3为采用本发明实施例提供的一种光开关进行测试的结构示意图,如图3所示,31表示光源,32表示光开关,33表示多通道功率计,34表示驱动板以及35表示上位机。所述光开关32可以分别与所述光源31、所述多通道功率计33、所述驱动板34连接,所述上位机35可以分别与所述多通道功率计33、所述驱动板34连接。在实际应用中,可以通过上位机35控制驱动板34通过电压对光开关进行驱动定标,所述上位机35可以为任意的上位机,在此不做限定,作为一种示例,所述上位机可以为个人电脑(Personal Computer,PC)。
本实施例中,所述多个电压基于预设电压和第一电压步进值获得可以理解为以预设电压为首次输入至所述光开关的电压,再依次以第一电压步进值改变输入至所述光开关的电压,以获得多个电压,其中,所述预设电压可以根据实际情况进行确定,在此不做限定,作为一种示例,所述预设电压可以理解为首次输入至所述光开关的电压,所述预设电压可以为0-60v的任意电压;所述第一电压步进值可以根据实际情况进行确定,在此不做限定,作为一种示例,所述第一电压步进值为大步进电压值,可以为0.7~2V之间的任意值,所述第一电压步进值可以理解为当前输入的电压与前一次的电压差值。在实际应用中,可以以预设电压为首次输入至所述光开关的电压,再依次以第一电压步进值增加和/或减少输入至所述光开关的电压,以获得多个电压,例如,预设电压为30v,第一电压步进值为1v,所述多个电压可以为30v、31v、32v、……;或者所述多个电压可以为30v、29v、28v、……。该过程可以理解为回形或者环形粗扫描或以大步进进行快速扫描。
将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值可以为将多个电压依次输入至所述光开关,记录每个电压输入至所述光开关对应所有输出通道对应的插损值,再基于每个电压输入至所述光开关对应所有输出通道对应的插损值确定所有输出通道中任一光纤对应的输出通道的初始电压值;其中,该初始电压值可以理解为通过粗扫完成后,确定所有输出通道中任一光纤对应的输出通道的电压预估值。
所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得可以为根据所述第一输出通道的***损耗确定所述第一输出通道的***损耗的变化量,再根据所述第一输出通道的***损耗的变化量和所述初始电压值确定所述可调的第二电压步进值。
基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压可以理解为基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值实时更新所述第一输出通道的定标电压,以找到最佳的定标电压。
所述定标电压用于定标所述第一输出通道对应的光功率可以理解为所述定标电压用于多通道功率计输出所述第一输出通道对应的光功率。
为了方便理解,这里示例所述光纤阵列为二维光纤阵列,所述光开关从二维光纤阵列的一根光纤进光,经过准直透镜会聚到MEMS反射镜上,经过MEMS反射镜的反射,进入到对应的出射通道。在实际应用中,粗扫过程确定的MEMS反射镜角度,距离实际角度存在一定的偏差。
在所述光开关进行精细扫描的过程中,以一个通道为例,在粗扫过程中获得的UX和UY附近进行精细调节,使得当前通道的IL最小。
所述光开关角度偏差,在光路上的可以通过高斯光束矩阵传输变化进行仿真分析。经过计算输出通道的***损耗IL及MEMS反射镜角度与实际角度的角度偏差θ的关系满足以下表达式(1),由于光开关的使用角度比较小,公式简化如下。其中ω是指从入射光纤出射的高斯光束经过准直透镜变换之后的束腰半径。λ为波长。输出通道的***损耗IL及MEMS反射镜角度与实际角度的角度偏差θ的关系为二次函数的关系,如以下表达式(1)所示:
Figure BDA0002696798390000091
所述MEMS反射镜,可以通过X轴的电压和Y轴的电压进行驱动,控制所述MEMS反射镜在二维方向进行旋转。不同的芯片设计,驱动电压和旋转角度的对应关系也不同。为方便讲述,以最简单的芯片为例,旋转角度θ和驱动电压U关系接近线性关系满足以下表达式(2):
θ=kU                                                     (2)
其中k为常数。
本实施例描述的算法适用所有光开关的响应曲线。在空间坐标系中总旋转角度θ和X方向的旋转角度θx,Y方向的旋转角度θy的关系满足以下表达式(3):
Figure BDA0002696798390000092
由于开关需要的角度比较小,可以近似为以下表达式(4):
Figure BDA0002696798390000093
在驱动电压U通过X轴的电压和Y轴的电压进行驱动的情况下,上述表达式(2)可以用以下表达式(5):
Figure BDA0002696798390000094
所述的MEMS光开关精细扫描过程,以一个通道为例,假定这个通道需要的芯片角度为θ目标,结合上述表达式(1)、(5),可以直接转换成插损IL和转角的关系满足以下表达式(6)、(7):
Figure BDA0002696798390000095
Figure BDA0002696798390000101
由于MEMS光开关θ目标一般在5°以内,对应弧度小于0.09;上述IL和电压的关系可以简化为以下表达式(8):
Figure BDA0002696798390000102
将上述表达式(8)取梯度,可以得到以下表达式(9):
Figure BDA0002696798390000103
由上述表达式(9)可知,电压步进值(ΔUx、ΔUy)和变化的***损耗ΔIL以及当前的电压(Ux、Uy)有关系,因此,可以根据IL的变化值ΔIL以及当前的电压值(Ux、Uy)时刻调整电压步进值(ΔUx、ΔUy)。
在本发明实施例中,通过将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值,基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得,可以大大缩短MEMS光开关的定标时间,从而提高MEMS光开关的定标效率。
在本发明一种可选实施例中,所述将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值,包括:将预设第一电压输入至所述光开关之后,依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,根据所述准直透镜的位置调整所述MEMS反射镜的位置,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列的所有外层光纤,固定所述MEMS反射镜的位置;根据所述MEMS反射镜的位置和所述准直透镜的位置获得所述光纤阵列、所述准直透镜、所述MEMS反射镜的相对位置关系;将预设第二电压输入至所述光开关之后,基于所述相对位置关系、依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列中由内层向外层螺旋的光纤,获得每次扫描后所述第一输出通道的***损耗;确定所述MEMS反射镜扫描过程中所述第一输出通道的***损耗的最小值,将所述***损耗的最小值对应的电压值作为初始电压值。
本实施例中,主要考虑到光开关的每一个输出通道,都有对应X轴和Y电压值。由于MEMS光开关中二维光纤阵列的排布不规范,以及制程中的内部元器件的位置关系,会导致输出通道对应的电压关系图并不规范而采取的措施。
需要说明的是,这里所说的“预设第一电压”和“预设第二电压”可以根据实际情况进行确定,在此不做限定。作为一种示例,所述预设第一电压可以为1v;所述预设第二电压可以为30v。
将预设第一电压输入至所述光开关之后,依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压可以为将预设第一电压输入至所述光开关之后,依次采用第一电压步进值增加输入至所述光开关的输入电压或者将预设第一电压输入至所述光开关之后,依次采用第一电压步进值减少输入至所述光开关的输入电压。为了方便理解,这里进行示例说明,假设预设第一电压为1v,第一电压步进值为1v,将1v电压输入至所述光开关之后,依次采用1v电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压可以为依次输入至所述光开关的输入电压为2v、3v、4v、……。该过程可以理解为回形或者环形粗扫描。
根据所述准直透镜的位置调整所述MEMS反射镜的位置,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列的所有外层光纤,固定所述MEMS反射镜的位置主要是针对光开关中的光纤阵列、准直透镜和MEMS反射镜三者的中心可能不在同一轴线上,导致输入通道对应的电压关系图并不规范,通过对所述光开关由外层向内层螺旋式的输入电压,根据所述准直透镜的中心位置调整所述MEMS反射镜的位置,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列的所有外层光纤,固定所述MEMS反射镜的位置,以便测试过程中可以快速的找到所述述光纤阵列的所有外层光纤对应的外圈通道,避免在外圈通道的冗余位置消耗时间,该过程可以在开关的制作过程中进行完成,将预设第一电压输入至所述光开关之后,依次采用第一电压步进值对所述光开关由外层向内层螺旋式的输入电压。
根据所述MEMS反射镜的位置和所述准直透镜的位置获得所述光纤阵列、所述准直透镜、所述MEMS反射镜的相对位置关系;其中,所述相对位置关系为所述光纤阵列、所述准直透镜、所述MEMS反射镜的同轴关系,即所述光纤阵列、所述准直透镜、所述MEMS反射镜的中心在同一条直线上。
将预设第二电压输入至所述光开关之后,基于所述相对位置关系、依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列中由内层向外层螺旋的光纤,获得每次扫描后所述第一输出通道的***损耗可以为将预设第二电压输入至所述光开关之后,基于所述固定的相对位置关系、依次采用第一电压步进值增加或减少输入至所述光开关的输入电压,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列中由内层向外层螺旋的光纤,获得每次扫描后所述第一输出通道的***损耗。为了方便理解,这里进行示例说明,假设预设第二电压为3v,第一电压步进值为1v,将30v电压输入至所述光开关之后,依次采用1v电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压可以为依次输入至所述光开关的输入电压为31v、32v、33v、……。
在实际应用中,对所述光开关输入电压一般为在X轴方向和Y轴方向上施加的电压,为了方便理解,这里示例出采用本发明实施例提供的输入电压示意图,图4为采用本发明实施例提供的输入电压示意图,如图4所示,41表示MxN的光纤阵列对应的输出通道,42表示每个输出通道对应X轴方向上施加的电压,43表示每个输出通道对应Y轴方向上施加的电压。在所述光开关的制作过程中,可以将X轴方向和Y轴方向上施加的预设第一电压设置为0v,第一电压步进值设置为1v,保持X轴方向施加0v电压不变,Y轴方向上施加电压由0v、1v、2v、3v、……、60v,再保持Y轴方向施加60v电压不变,X轴方向上施加电压由60v、59v、58v、57v、……、0v,依次采用第一电压步进值对所述光开关由外层向内层螺旋式的输入电压,依次类推,在此不再示例说明,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列的所有外层光纤,固定所述MEMS反射镜的位置,确定所述光纤阵列、所述准直透镜、所述MEMS反射镜的相对位置关系;该相对位置关系可以便于测试过程中可以快速的找到所述述光纤阵列的所有外层光纤对应的外圈通道,避免在外圈通道的冗余位置消耗时间。
在所述光开关的测试定标过程中,可以将X轴方向和Y轴方向上施加的预设第一电压设置为30v,第一电压步进值设置为1v,保持X轴方向施加30v电压不变,Y轴方向上施加电压由30v减少第一电压步进值1v至29v,再保持Y轴方向施加29v电压不变,X轴方向上施加电压由30v减少第一电压步进值1v至29v……,依次采用第一电压步进值对所述光开关由内层向外层螺旋式的输入电压,依次类推,在此不再示例说明,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列中由内层向外层螺旋的光纤,获得每次扫描后所述第一输出通道的***损耗,该测试过程中可以快速的找到所述述光纤阵列的所有外层光纤对应的外圈通道,避免在外圈通道的冗余位置消耗时间,效率高,时间短。
在本发明一种可选实施例中,所述基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压,包括:基于所述初始电压值和预设的第二电压步进获得所述可调的第二电压步进值;根据所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压。
本实施例中,基于所述初始电压值和预设的第二电压步进获得所述可调的第二电压步进值可以为基于所述初始电压值、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量大小和变化量方向;根据所述初始电压值和所述变化量大小调整所述预设的第二电压步进值,获得所述可调的第二电压步进值。其中,所述初始电压值可以为初始电压的大小值,在二维坐标系中,所述初始电压值可以为x轴和y轴的电压。
根据所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压可以为在所述变化量方向发生变化的情况下,基于所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压。
需要说明的是,本发明实施例中,所述预设的第二电压步进值可以根据实际情况进行确定,在此不做限定。所述预设的第二电压步进值小于所述第一电压步进值。作为一种示例,所述预设的第二电压步进值可以为0.1~0.5V,可以理解为固定的小步进值,所述预设的第二电压步进值可以记为ustep
基于所述初始电压值、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压可以为在所述初始电压值附件依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压。作为一种示例,所述初始电压值可以记为U初始值,所述预设的第二电压步进值可以记为ustep,在所述初始电压值附件依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压可以为从U初始值-n1ustep到U初始值+n2ustep输入至所述光开关的输入电压,其中n1,n2的取值范围为2~10,进而获取n1+n2+1个电压对应当前通道的IL值,将上一次当前通道的IL值减去当前通道的IL值,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量,如果该变化量的大小大于零,则该变化量的方向为正(1);如果该变化量的大小小于零,则该变化量的方向为负(-1)。再根据IL的变化量以及当前的电压值进行调整预设的第二电压步进值ustep,获得可调的第二电压步进值,该可调的第二电压步进值可以记为ustep-变,在实际应用中可调的第二电压步进值获得可以通过以下表达式(10):
ustep-变=ηΔIL×U                                             (10)
其中,η代表的是一个线性比例换算系数,取值范围一般为:1~7x10-3,ΔIL为第一输出通道的***损耗的变化量,U可以为第一输出通道的初始电压值,也可以为第一输出通道更新后的初始电压值,即为第一输出通道的当前电压值。
公式(10)可以不断迭代,直到IL变化量的方向发生变化的情况下,迭代停止,基于所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压,该标电压可以记为U1,如下表达式(11):
U1=U±ustep-变                                               (11)
其中,±表示第一输出通道的***损耗的变化量的方向。
在本发明一种可选实施例中,所述基于所述初始电压值和预设的第二电压步进获得所述可调的第二电压步进值,包括:在二维坐标系下固定第一轴的初始电压值,基于第二轴的初始电压值、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量。根据所述第二轴的初始电压和所述***损耗的变化量调整所述预设的第二电压步进值,获得所述可调的第二电压步进值。
需要说明的是,本发明实施例中,二维坐标系可以为x轴和y轴坐标系,第一轴可以是x轴,也可以是y轴,对应的,第二轴可以是y轴,也可以是x轴。为了方便理解,二维坐标系下x轴的初始电压值记为Ux初始值,y轴的初始电压值记为Uy初始值,其中,Ux初始值,Uy初始值可以理解为基于预设电压和第一电压步进值通过粗扫描,获取了第一输出通道定标电压的非精确电压值。
在二维坐标系下固定第一轴的初始电压值,基于第二轴的初始电压值、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压可以理解为在二维坐标系下先固定一个轴的初始电压值为确定值,再在另一个轴的初始电压值附件依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,即调整另一个轴的电压,该过程可以理解为精扫描的过程,也可以称为反馈式变步进式精细扫描。
在本发明一种可选实施例中,所述根据所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压,包括:在所述***损耗的变化量的方向发生变化的情况下,基于所述可调的第二电压步进值和所述***损耗的变化量的方向更新所述第二轴的初始电压,获得第一输出通道第二轴的定标电压。
本发明实施例中,所述***损耗的变化量的方向发生变化表面所述***损耗的变化量的趋势发生变化,例如,所述***损耗的变化量的趋势可能由变小的趋势突然变大,或由变大的趋势突然变小。
基于所述可调的第二电压步进值和所述***损耗的变化量的方向更新所述第二轴的初始电压,获得第一输出通道第二轴的定标电压可以为根据所述第二轴的初始电压、所述可调的第二电压步进值和所述***损耗的变化量的方向获得新的所述第二轴的初始电压,即为更新所述第二轴的初始电压,获得第一输出通道第二轴的定标电压。
在本发明一种可选实施例中,所述基于第二轴的初始电压、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量,包括:根据所述第二轴的初始电压往正负方向依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得不同电压分别对应的所述第一输出通道的多个***损耗;根据所述多个***损耗确定所述第一输出通道的***损耗的变化量。
本实施例中,根据所述第二轴的初始电压往正负方向依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得不同电压分别对应的所述第一输出通道的多个***损耗可以理解为在所述第二轴的初始电压附件依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得不同电压分别对应的所述第一输出通道的多个***损耗;其中,正负方向为第二轴的正方向或负方向,当第二轴为x轴时,正负方向为x轴的正方向或x轴的负方向;当第二轴为y轴时,正负方向为y轴的正方向或y轴的负方向。
为了方便理解,这里示例说明,假设所述第二轴的初始电压为30v,预设的第二电压步进值为0.5v,根据所述第二轴的初始电压往正负方向依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压可以为29.5v、30v、30.5v、31v等。
为了方便理解,这里还示例出实际应用的情形,一种情况下,首先固定X方向的电压值为Ux初始值,然后依次采用预设的第二电压步进值ustep改变输入至所述光开关的输入电压,例如,从Uy初始值-n1ustep到Uy初始值+n2ustep,获取n1+n2+1个电压对应当前通道的IL值,如果IL是变小趋势,即上一次当前通道的IL值与当前通道的IL值的差值大于零,则IL变化量的方向为正(1),若是变大趋势,即上一次当前通道的IL值与当前通道的IL值的差值小于零,则IL变化量的方向为为负(-1);在实际应用中,该IL变化量的方向也可以理解为Y轴的方向,记为Ydircetion;其他情况为0;其中ustep的通常取值范围为0.1~0.05V;其中n1,n2的取值范围为2~10;在反馈式变步进式精细扫描过程中,在得到了Y轴的方向,并且Y轴的方向不为0,首先以预设的第二步进ustep,沿Y轴方向进行加电调节,之后的步进值根据IL的变化量以及当前的电压值进行调整,ustep-变=ηΔIL×Uy,不断迭代,直到IL变化量的方向发生变化的情况下,迭代停止,Uy1=Uy+Ydircetionustep-变更新当前Y轴的电压值为Uy1;其中η代表的是一个线性比例换算系数,取值范围一般为:1~7x10-3。
另一种情况下,首先固定y方向的电压值为Uy初始值,然后依次采用预设的第二电压步进值ustep改变输入至所述光开关的输入电压,例如,然后依次采用预设的第二电压步进值ustep改变输入至所述光开关的输入电压,从Ux初始值-n1ustep到Ux初始值+n2ustep,获取n1+n2+1个电压对应当前通道的IL值,如果IL是变小趋势,即上一次当前通道的IL值与当前通道的IL值的差值大于零,则IL变化量的方向为正(1),若是变大趋势,即上一次当前通道的IL值与当前通道的IL值的差值小于零,则IL变化量的方向为为负(-1);在实际应用中,该IL变化量的方向也可以理解为Y轴的方向,记为Ydircetion;其他情况为0;其中ustep的通常取值范围为0.1~0.05V;其中n1,n2的取值范围为2~10。在反馈式变步进式精细扫描过程中,在得到了X轴的方向,并且X轴的方向不为0,首先以预设的第二步进ustep,沿X轴方向进行加电调节,之后的步进值根据IL的变化量以及当前的电压值进行调整,ustep-变=ηΔIL×Ux,不断迭代,直到IL变化量的方向发生变化的情况下,迭代停止,即Ux1=Ux+Xdircetionustep-变,直到IL变大迭代停止,更新当前X轴的电压值为Ux1;其中η代表的是一个线性比例换算系数,取值范围一般为:1~7x10-3
该反馈式变步进式精细扫描的过程中,还可以以新的电压位置点Ux1,Uy1,重复上边的X轴方向判定,X轴精扫,Y轴方向判定,Y轴精扫过程,获得Ux2,Uy2,默认当前电压就是当前通道的最佳值。
在本发明一种可选实施例中,所述方法还包括:
检测所述定标电压是否满足预设条件;
在所述定标电压不满足预设条件的情况下,重新基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压。
需要说明的是,本发明实施例中,在所述定标电压不满足预设条件的情况下可以为在所述定标电压对应的***损耗不满足预设条件的情况下,其中,所述预设条件可以为以所述定标电压对应的坐标点的位置为起点,采用莱维飞行算法采集多个坐标点对应的电压,分别获得每个电压对应的***损耗;若该每个电压对应的***损耗中存在小于所述定标电压对应的***损耗,即为所述定标电压不满足预设条件的情况。
重新基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压可以参照上述描述,在此不再赘述。
在实际应用中,所述定标电压是通过大电压步进值的粗扫描和可调的小电压步进值的精扫描获得最佳点电压,而莱维飞行的算法是将大电压步进值和小电压步进值的随机组合,通过莱维飞行采集多个点,每个点对应一组电压值,采集的点数一般小于20,若每组电压值对应的IL存在小于精扫获得最佳点电压值对应的IL,说明精扫的电压不是最佳值,需要重新精扫;否者精扫的电压确定为最佳值,即为定标电压。该过程可以理解为对定标电压进行检查或校验的过程,可以避免局部最优,产生误判的情况。
在本发明实施例中,通过将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值,基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得,可以大大缩短MEMS光开关的定标时间,从而提高MEMS光开关的定标效率,并且增加检查的部分,可以避免局部最优,产生误判的情况。
基于相同的发明构思,图5为本发明实施例提供的一种光开关的定标装置的结构示意图,如图5所示,该装置50包括:获得单元501和确定单元502,其中:
所述获得单元501,用于将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值;所述多个电压基于预设电压和第一电压步进值获得;所述第一输出通道为所述光纤阵列的任一光纤对应的输出通道;所述初始电压值表示所述第一输出通道的***损耗的最小值对应的电压值;
所述确定单元502,用于基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得;所述可调的第二电压步进值小于所述第一电压步进值;所述定标电压用于定标所述第一输出通道对应的光功率。
在一些实施例中,所述获得单元501,还用于将预设第一电压输入至所述光开关之后,依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,根据所述准直透镜的位置调整所述MEMS反射镜的位置,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列的所有外层光纤,固定所述MEMS反射镜的位置;根据所述MEMS反射镜的位置和所述准直透镜的位置获得所述光纤阵列、所述准直透镜、所述MEMS反射镜的相对位置关系;将预设第二电压输入至所述光开关之后,基于所述相对位置关系、依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列中由内层向外层螺旋的光纤,获得每次扫描后所述第一输出通道的***损耗;确定所述MEMS反射镜扫描过程中所述第一输出通道的***损耗的最小值,将所述***损耗的最小值对应的电压值作为初始电压值。
在一些实施例中,所述确定单元502包括:获得子单元和更新子单元,其中:
所述获得子单元,用于基于所述初始电压值和预设的第二电压步进获得所述可调的第二电压步进值;
所述更新子单元,用于根据所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压。
在一些实施例中,所述获得子单元,还用于在二维坐标系下固定第一轴的初始电压值,基于第二轴的初始电压值、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量;根据所述第二轴的初始电压和所述***损耗的变化量调整所述预设的第二电压步进值,获得所述可调的第二电压步进值。
在一些实施例中,所述更新子单元,还用于在所述***损耗的变化量的方向发生变化的情况下,基于所述可调的第二电压步进值和所述***损耗的变化量的方向更新所述第二轴的初始电压,获得第一输出通道第二轴的定标电压。
在一些实施例中,所述获得子单元,还用于根据所述第二轴的初始电压往正负方向依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得不同电压分别对应的所述第一输出通道的多个***损耗;根据所述多个***损耗确定所述第一输出通道的***损耗的变化量。
在一些实施例中,所述装置还包括:检测单元,用于检测所述定标电压是否满足预设条件;在所述定标电压不满足预设条件的情况下,重新基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压。
本发明实施例提供一种光开关的定标装置,也是通过将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值,基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值根据所述第一输出通道的***损耗和所述初始电压值获得,可以大大缩短MEMS光开关的定标时间,从而提高MEMS光开关的定标效率。其中,前述光开关的定标装置中的一些名词在上述一种光开关的定标方法中已经解释在此不再赘述。
本发明提供一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序处理器被处理器执行时实现上述方法实施例的步骤,而前述的存储介质包括:移动存储设备、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本发明实施例还提供一种光开关的定标设备,包括:处理器和用于存储能够在处理器上运行的计算机程序的存储器,其中,所述处理器用于运行所述计算机程序时,执行存储在存储器中的上述方法实施例的步骤。
图6是本发明实施例一种光开关的定标设备的硬件结构示意图,该光开关的定标设备60包括:至少一个处理器601和存储器602;可选地,所述光开关的定标设备60还可包括至少一个通信接口603;光开关的定标设备60中的各个组件可通过总线***604耦合在一起,可理解,总线***604用于实现这些组件之间的连接通信。总线***604除包括数据总线之外,还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见,在图6中将各种总线都标为总线***604。
可以理解,存储器602可以是易失性存储器或非易失性存储器,也可包括易失性和非易失性存储器两者。其中,非易失性存储器可以是只读存储器(ROM,Read Only Memory)、可编程只读存储器(PROM,Programmable Read-Only Memory)、可擦除可编程只读存储器(EPROM,Erasable Programmable Read-Only Memory)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM,Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)、磁性随机存取存储器(FRAM,ferromagnetic random access memory)、快闪存储器(Flash Memory)、磁表面存储器、光盘、或只读光盘(CD-ROM,Compact Disc Read-Only Memory);磁表面存储器可以是磁盘存储器或磁带存储器。易失性存储器可以是随机存取存储器(RAM,Random AccessMemory),其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明,许多形式的RAM可用,例如静态随机存取存储器(SRAM,Static Random Access Memory)、同步静态随机存取存储器(SSRAM,Synchronous Static Random Access Memory)、动态随机存取存储器(DRAM,Dynamic Random Access Memory)、同步动态随机存取存储器(SDRAM,SynchronousDynamic Random Access Memory)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM,Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)、增强型同步动态随机存取存储器(ESDRAM,Enhanced Synchronous Dynamic Random Access Memory)、同步连接动态随机存取存储器(SLDRAM,SyncLink Dynamic Random Access Memory)、直接内存总线随机存取存储器(DRRAM,Direct Rambus Random Access Memory)。本发明实施例描述的存储器602旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
本发明实施例中的存储器602用于存储各种类型的数据以支持光开关的定标设备60的操作。这些数据的示例包括:用于在光开关的定标设备60上操作的任何计算机程序,如获得基于所述第一图像和所述第二图像确定所述待检测隧道衬砌存在缺陷的里程范围等,实现本发明实施例方法的程序可以包含在存储器602中。
上述本发明实施例揭示的方法可以应用于处理器601中,或者由处理器601实现。处理器601可能是一种集成电路芯片,具有信号的处理能力。在实现过程中,上述方法的各步骤可以通过处理器601中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器601可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP,Digital Signal Processor),或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。处理器601可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤,可以直接体现为硬件译码处理器执行完成,或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于存储介质中,该存储介质位于存储器602,处理器601读取存储器中的信息,结合其硬件完成前述方法的步骤。
在示例性实施例中,光开关的定标设备60可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC,Application Specific Integrated Circuit)、DSP、可编程逻辑器件(PLD,Programmable Logic Device)、复杂可编程逻辑器件(CPLD,Complex Programmable LogicDevice)、现场可编程门阵列(FPGA,Field-Programmable Gate Array)、通用处理器、控制器、微控制器(MCU,Micro Controller Unit)、微处理器(Microprocessor)、或其他电子元件实现,用于执行上述方法。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的设备和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,如:多个单元或组件可以结合,或可以集成到另一个***,或一些特征可以忽略,或不执行。另外,所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口,设备或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,也可以分布到多个网络单元上;可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理单元中,也可以是各单元分别单独作为一个单元,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中;上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
本领域普通技术人员可以理解:实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成,前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,执行包括上述方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:移动存储设备、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
或者,本发明上述集成的单元如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机、服务器、或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分。而前述的存储介质包括:移动存储设备、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种光开关的定标方法,其特征在于,所述光开关包括光纤阵列、准直透镜和微电机***MEMS反射镜;所述方法包括:
将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值;所述多个电压基于预设电压和第一电压步进值获得;所述第一输出通道为所述光纤阵列的任一光纤对应的输出通道;所述初始电压值表示所述第一输出通道的***损耗的最小值对应的电压值;
在二维坐标系下固定第一轴的初始电压值,基于第二轴的初始电压值、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量;
根据所述第二轴的初始电压和所述***损耗的变化量调整所述预设的第二电压步进值,获得可调的第二电压步进值;
基于所述初始电压值和所述可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值小于所述第一电压步进值;所述定标电压用于定标所述第一输出通道对应的光功率。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值,包括:
将预设第一电压输入至所述光开关之后,依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,根据所述准直透镜的位置调整所述MEMS反射镜的位置,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列的所有外层光纤,固定所述MEMS反射镜的位置;
根据所述MEMS反射镜的位置和所述准直透镜的位置获得所述光纤阵列、所述准直透镜、所述MEMS反射镜的相对位置关系;
将预设第二电压输入至所述光开关之后,基于所述相对位置关系、依次采用第一电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,使得所述MEMS反射镜分别扫描到所述光纤阵列中由内层向外层螺旋的光纤,获得每次扫描后所述第一输出通道的***损耗;
确定所述MEMS反射镜扫描过程中所述第一输出通道的***损耗的最小值,将所述***损耗的最小值对应的电压值作为初始电压值。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述初始电压值和所述可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压,包括:
根据所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述可调的第二电压步进值更新所述初始电压值,获得第一输出通道的定标电压,包括:
在所述***损耗的变化量的方向发生变化的情况下,基于所述可调的第二电压步进值和所述***损耗的变化量的方向更新所述第二轴的初始电压,获得第一输出通道第二轴的定标电压。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于第二轴的初始电压、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量,包括:
根据所述第二轴的初始电压往正负方向依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得不同电压分别对应的所述第一输出通道的多个***损耗;
根据所述多个***损耗确定所述第一输出通道的***损耗的变化量。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
检测所述定标电压是否满足预设条件;
在所述定标电压不满足预设条件的情况下,重新基于所述初始电压值和可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压。
7.一种光开关的定标装置,其特征在于,所述光开关包括光纤阵列、准直透镜和MEMS反射镜;所述装置包括:获得单元和确定单元,其中:
所述获得单元,用于将多个电压依次输入至所述光开关,获得第一输出通道的初始电压值;所述多个电压基于预设电压和第一电压步进值获得;所述第一输出通道为所述光纤阵列的任一光纤对应的输出通道;所述初始电压值表示所述第一输出通道的***损耗的最小值对应的电压值;
所述确定单元包括:获得子单元和更新子单元,其中:
所述获得子单元,用于在二维坐标系下固定第一轴的初始电压值,基于第二轴的初始电压值、依次采用预设的第二电压步进值改变输入至所述光开关的输入电压,获得所述第一输出通道的***损耗的变化量;根据所述第二轴的初始电压和所述***损耗的变化量调整所述预设的第二电压步进值,获得可调的第二电压步进值;
所述更新子单元,用于基于所述初始电压值和所述可调的第二电压步进值确定所述第一输出通道的定标电压;所述可调的第二电压步进值小于所述第一电压步进值;所述定标电压用于定标所述第一输出通道对应的光功率。
8.一种光开关的定标设备,其特征在于,所述光开关的定标设备包括:处理器和用于存储能够在处理器上运行的计算机程序的存储器,其中,所述处理器用于运行所述计算机程序时,执行权利要求1至6任一项所述方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被至少一个处理器执行时实现如权利要求1至6中任一项所述方法的步骤。
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