CN112103215A - 电池片切片或串焊性能衰减的监控方法 - Google Patents

电池片切片或串焊性能衰减的监控方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112103215A
CN112103215A CN202010955128.9A CN202010955128A CN112103215A CN 112103215 A CN112103215 A CN 112103215A CN 202010955128 A CN202010955128 A CN 202010955128A CN 112103215 A CN112103215 A CN 112103215A
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
battery
series welding
performance
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010955128.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112103215B (zh
Inventor
陈红
李森
冯志强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Trina Solar Co Ltd
Original Assignee
Trina Solar Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Trina Solar Co Ltd filed Critical Trina Solar Co Ltd
Priority to CN202010955128.9A priority Critical patent/CN112103215B/zh
Publication of CN112103215A publication Critical patent/CN112103215A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112103215B publication Critical patent/CN112103215B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H01L31/188Apparatus specially adapted for automatic interconnection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781Batch transfer of wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)

Abstract

本发明提供了一种电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,属于光伏电池制造技术领域。包括在电池片划片后对分片性能测试,并进行分选,分选后的分片根据性能测试的数据范围进行分组并进行组件串焊,组件串焊后对组件进行性能测试。本发明通过电池在组件切半或者串焊前后的性能测试,可更好的监控电池的抗衰减能力,并通过该监控结果来调整电池制程,适合应用于规模化生产的监控。

Description

电池片切片或串焊性能衰减的监控方法
技术领域
本发明属于光伏电池制造技术领域,涉及一种电池片切片或串焊性能衰减的监控方法。
背景技术
目前电池片大部分采用自动划片焊接的方式进行封装,自动划片机对电池进行切割会导致电池的性能损失;而自动焊接机采用光热对组件焊带进行加热将焊带融化,使之和电池的银主栅形成银锡合金,光热对电池性能有较大的影响,若电池抗机械损伤或光热衰减能力不同,会导致同块组件因为电池片衰减不一样导致功率达不到预期甚至出现EL明暗片。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题,提供一种电池片切片或串焊性能衰减的监控方法。
为达到上述目的,本发明采用了下列技术方案:
进一步的,在电池划片前后对性能测试监控。
进一步的,在电池串焊前后性能测试监控。
进一步的,在电池片划片后对分片性能测试,并进行分选,分选后的分片根据性能测试的数据范围进行分组并进行组件串焊,组件串焊后对组件进行性能测试。
进一步的,所述的性能测试包括IV测试、IR测试、EL测试和PL测试中的一种或几种。
进一步的,所述的性能测试包括IV测试和EL测试。
进一步的,电池片划片后进行IV测试,先根据IV测试的数据范围分成若干大组,再对每个大组中进行EL测试,再根据每个大组中的EL测试数据范围将每个大组中的分片分成若干小组,每个小组中的分片进行组件串焊,之后再进行性能测试。
进一步的,电池片划片后进行IV测试,先根据IV测试的数据范围分成若干大组,再对每个若干大组中进行EL测试,再根据每个大组中的EL测试数据范围将每个大组中的分片分成若干小组,每个小组中的分片进行组件串焊,之后再进行IV测试,根据IV测试数据范围将串焊后组件分成若干大组,再对每个大组中的组件进行EL测试,再根据每个大组中的EL测试数据范围将每个大组中的组件分成若干小组,再对每个小组进行组件制备。
进一步的,所述的电池片划片为1/2划片、1/3划片或更小的划片。
与现有的技术相比,本发明的优点在于:
对电池划片或串焊前后性能监控,稳定或提升电池抗衰减能力,可有效的减少功率损失提升质量可靠性。本发明通过电池在组件切半或者串焊前后的性能测试,可更好的监控电池的抗衰减能力,并通过该监控结果来调整电池制程,适合应用于规模化生产的监控。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现,部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
具体实施方式
实施例1
一种电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,在电池划片前后对性能测试监控。性能测试包括IV测试、IR测试、EL测试和PL测试中的一种或几种
优选,性能测试包括IV测试和EL测试。具体的说,相对电池片整片进行IV测试,并根据数值范围进行分组,数值范围可以自行制定,为自定义标准。进行分组后,对每组再进行EL测试,同样的,根据数值范围进行分组,数值范围可以自行制定,为自定义标准。分组后的电池片整片进行切片处理。
电池片切片或划片为1/2划片、1/3划片或更小的划片。这里所述的更小的划片是指1/4、1/5或更小比例。
划片后,对不同的切片进行IV测试,并根据数值范围进行分组,数值范围可以自行制定,为自定义标准。进行分组后,对每组再进行EL测试,同样的,根据数值范围进行分组,数值范围可以自行制定,为自定义标准。分组后的切片进行后续的串焊处理。
实施例2
一种电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,在电池串焊前后性能测试监控。
性能测试包括IV测试、IR测试、EL测试和PL测试中的一种或几种优选,性能测试包括IV测试和EL测试。
具体的说,在电池串焊前,电池片整片已经经过了划片处理,电池片切片或划片为1/2划片、1/3划片或更小的划片。这里所述的更小的划片是指1/4、1/5或更小比例。
划片后,对不同的切片进行IV测试,并根据数值范围进行分组,数值范围可以自行制定,为自定义标准。进行分组后,对每组再进行EL测试,同样的,根据数值范围进行分组,数值范围可以自行制定,为自定义标准。分组后的切片进行后续的串焊处理。
切片串焊后,形成串焊组件,对串焊组件进行IV测试,并根据数值范围进行分组,数值范围可以自行制定,为自定义标准。进行分组后,对每组再进行EL测试,同样的,根据数值范围进行分组,数值范围可以自行制定,为自定义标准。分组后的串焊组件再进行组件制备。
实施例3
目前太阳能电池性能测试有IV性能测试,EL性能测试,PL性能测试等。所有的性能测试均在电池端进行性能测试测试及分选后,进入组件端进行组件工段,在组件端进行切片后然后进行串焊等后道工序。组件焊接机的光热对电池有影响,会导致电池性能的下降,不同电池工艺管理下的电池抗焊接机的光热衰减能力不同。组件划片机的机械损伤对电池也有影响,会导致电池性能的下降,不同电池工艺管理下的电池抗焊接机的机械损伤衰减能力不同。
本实施例提供了一种电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,在电池片划片后对分片性能测试,并进行分选,分选后的分片根据性能测试的数据范围进行分组并进行组件串焊,组件串焊后对组件进行性能测试。
在组件串焊前,电池片整片已经经过了划片处理,电池片切片或划片为1/2划片、1/3划片或更小的划片。这里所述的更小的划片是指1/4、1/5或更小比例。
性能测试包括IV测试、IR测试、EL测试和PL测试中的一种或几种。
优选,性能测试包括IV测试和EL测试。电池片划片后进行IV测试,先根据IV测试的数据范围分成若干大组,再对每个大组中进行EL测试,再根据每个大组中的EL测试数据范围将每个大组中的分片分成若干小组,每个小组中的分片进行组件串焊,之后再进行性能测试。
更具体的说,电池片划片后进行IV测试,先根据IV测试的数据范围分成若干大组,再对每个若干大组中进行EL测试,再根据每个大组中的EL测试数据范围将每个大组中的分片分成若干小组,每个小组中的分片进行组件串焊,之后再进行IV测试,根据IV测试数据范围将串焊后组件分成若干大组,再对每个大组中的组件进行EL测试,再根据每个大组中的EL测试数据范围将每个大组中的组件分成若干小组,再对每个小组进行组件制备。
需要说的是,IV测试和EL测试范围的划分,可以自行制定,为自定义标准。
应用例1
根据实施例3提供的方法,监控某车间新工艺串焊衰减的电性能效率差异,来判定该工艺变更在抗衰减上的差异,对车间4套工艺方案进行监控测试。数据如下表:
Figure BDA0002678339980000051
不同的工艺抗衰减性不一样,方案2最佳。
上述方案1-4为PERC电池背钝化不同的工艺叠加电注入退火的工艺不同窗口搭配。具体窗口为钝化工艺的钝化温度以及电注入退火工艺的不同电流。A代表温度设定范围为(480℃-500℃)B代表温度设定范围为(500℃-520℃)C代表电流设定范围为(8A-10A)D代表温度设定范围为(6A-8A)。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本发明的精神。

Claims (8)

1.一种电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,其特征在于,在电池划片前后对性能测试监控。
2.一种电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,其特征在于,在电池串焊前后性能测试监控。
3.一种电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,其特征在于,在电池片划片后对分片性能测试,并进行分选,分选后的分片根据性能测试的数据范围进行分组并进行组件串焊,组件串焊后对组件进行性能测试。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,其特征在于,所述的性能测试包括IV测试、IR测试、EL测试和PL测试中的一种或几种。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,其特征在于,所述的性能测试包括IV测试和EL测试。
6.根据权利要求5任意一项所述的电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,其特征在于,电池片划片后进行IV测试,先根据IV测试的数据范围分成若干大组,再对每个大组中进行EL测试,再根据每个大组中的EL测试数据范围将每个大组中的分片分成若干小组,每个小组中的分片进行组件串焊,之后再进行性能测试。
7.根据权利要求5任意一项所述的电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,其特征在于,电池片划片后进行IV测试,先根据IV测试的数据范围分成若干大组,再对每个若干大组中进行EL测试,再根据每个大组中的EL测试数据范围将每个大组中的分片分成若干小组,每个小组中的分片进行组件串焊,之后再进行IV测试,根据IV测试数据范围将串焊后组件分成若干大组,再对每个大组中的组件进行EL测试,再根据每个大组中的EL测试数据范围将每个大组中的组件分成若干小组,再对每个小组进行组件制备。
8.根据权利要求1或3所述的电池片切片或串焊性能衰减的监控方法,其特征在于,所述的电池片划片为1/2划片、1/3划片或更小的划片。
CN202010955128.9A 2020-09-11 2020-09-11 电池片切片或串焊性能衰减的监控方法 Active CN112103215B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010955128.9A CN112103215B (zh) 2020-09-11 2020-09-11 电池片切片或串焊性能衰减的监控方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010955128.9A CN112103215B (zh) 2020-09-11 2020-09-11 电池片切片或串焊性能衰减的监控方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112103215A true CN112103215A (zh) 2020-12-18
CN112103215B CN112103215B (zh) 2024-01-30

Family

ID=73752371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010955128.9A Active CN112103215B (zh) 2020-09-11 2020-09-11 电池片切片或串焊性能衰减的监控方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112103215B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113629168A (zh) * 2021-07-07 2021-11-09 宁夏小牛自动化设备有限公司 一种电池片划片串焊一体化设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105489698A (zh) * 2015-11-23 2016-04-13 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 一种可提升焊带利用率的太阳能组件
CN106098837A (zh) * 2016-06-06 2016-11-09 正信光电科技股份有限公司 光伏组件生产工艺
CN109714001A (zh) * 2018-12-27 2019-05-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种太阳能电池切割损伤的检测方法
CN110808310A (zh) * 2018-08-06 2020-02-18 君泰创新(北京)科技有限公司 降低太阳能电池芯片切割效率损耗的方法及光伏组件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105489698A (zh) * 2015-11-23 2016-04-13 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 一种可提升焊带利用率的太阳能组件
CN106098837A (zh) * 2016-06-06 2016-11-09 正信光电科技股份有限公司 光伏组件生产工艺
CN110808310A (zh) * 2018-08-06 2020-02-18 君泰创新(北京)科技有限公司 降低太阳能电池芯片切割效率损耗的方法及光伏组件
CN109714001A (zh) * 2018-12-27 2019-05-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种太阳能电池切割损伤的检测方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113629168A (zh) * 2021-07-07 2021-11-09 宁夏小牛自动化设备有限公司 一种电池片划片串焊一体化设备
CN113629168B (zh) * 2021-07-07 2024-01-02 宁夏小牛自动化设备股份有限公司 一种电池片划片串焊一体化设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN112103215B (zh) 2024-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110416156B (zh) 太阳能电池分片的制备工艺
CN110466083B (zh) 硅棒边皮料的利用方法
CN111599896B (zh) 一种光伏电池片的制备方法、光伏电池片及组件
Eiternick et al. High quality half-cell processing using thermal laser separation
CN108694276B (zh) 一种计算串并联光伏组件输出特性的方法
Kaule et al. Mechanical damage of half-cell cutting technologies in solar cells and module laminates
CN112103215A (zh) 电池片切片或串焊性能衰减的监控方法
CN107195713A (zh) 光伏叠瓦组件
CN103094381A (zh) 一种太阳能电池组件
WO2009055208A1 (en) Process testers and testing methodology for thin-film photovoltaic devices
Baliozian et al. Thermal laser separation of PERC and SHJ solar cells
CN108335991A (zh) 一种双玻组件绝缘耐压自动测试装置
CN116799106A (zh) 晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法
CN111540811A (zh) 一种晶硅电池片的切割方法
CN111106208A (zh) 一种异质结切片电池的制备方法
CN112736160A (zh) 一种电池片的制备方法与应用
CN112713222A (zh) 一种降低组件电流失配损失的电池片制备方法
CN111883424A (zh) 一种硅片晶圆划片工艺
CN105336812B (zh) 全背电极接触晶体硅太阳能电池片的切割方法
CN110732503A (zh) 垂直腔面发射激光器芯片筛选方法及装置
Gerenton et al. Silicon heterojunction and half-cell configuration: optimization path for increased module power
CN112687763B (zh) 一种钝化接触晶体硅电池制备方法
CN112713226A (zh) 一种hjt电池的边缘钝化方法
Rahman et al. Temperature effect of photovoltaic module under partial shading operation condition
CN111952406A (zh) 一种电池片制备方法及电池组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant