CN112099132A - 切断移动的光纤 - Google Patents

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斯里尼瓦斯·雷迪
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Abstract

本发明公开一种切断移动的光纤。这个光纤100包括一个芯102从中央纵轴延伸112到第一半径r1.并且光纤100包括第一沟槽区域106从第二半径r2延伸到第三半径3，也包括第二沟槽区域108从第三半径r3延伸到第四半径半径r4，还包括一个包层区域110从第四半径r4延伸到第五半径r5。

Description

切断移动的光纤
技术领域
本发明涉及有关光纤领域。特别地,是目前的披露有关切断换档的光纤用高模场直径切断的切断移动的光纤。
背景技术
背景科学和技术的进步,各种现代技术正在受雇用于通信目的.最重要的现代通信技术是使用各种光纤的光纤通信技术.光纤用传输信息作为光脉冲从一端到另一端.电信业一直努力为了实现设计高光信噪比和低损耗。正在进行的研究建议,G.654.E类别的光纤是G.654.B的改进版本和G.652.D的替代品面临400G传输的挑战在长途的沟通中由于非线性效应。此外,重大的挑战在400G15长途通讯由于非线性效应影响.此外,重大的挑战在400G15长途通讯由于非线性效应影,低光信对噪音比和低损失.正在进行的研究建议,G.654.E类别的光纤是G.654.B的改进版本和G.652.D的替代品面临400G传输的挑战在长途的沟通中由于非线性效应。此外,重大的挑战在400G长途通讯由于非线性效应影响.此外,重大的挑战在400G长途通讯由于非线性效应影响,低光信对噪音比和低损失.
鉴于上面声明讨论,需要一种光纤那克服了上面的缺点.
发明内容
本公开的主要目的是提供光纤同大模场直径。
本公开的又一个目的是提供低损失光纤。
在一个方面，本公开提供了一种切断移动的光纤。光纤包括芯。另外，光纤包括第一个沟槽区域。此外，光纤包括第二个沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一个相对折射率Δ1。芯的第一个相对折射率Δ1在大概0到0.12的范围内。另外，第一个沟槽区域由相对折射率Δ3限定。第一个沟槽区域具有第一阿尔法α沟槽1。第二个沟槽区域与第一个沟槽区域相邻。第二个沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二个沟槽区域具有第二个阿尔法α沟槽2。包层区域围绕第二个沟槽区域。光纤100在1550纳米下具有小于或等于0.17dB/km的衰减。光纤的模场直径在大概12微米至13微米的范围内。光纤在折射率分布的芯和沟槽区域中有了逐渐变化。
在本公开的一个实施例中,光纤有高达0.1分贝/100匝的宏观弯曲损对应于在约30毫米的弯曲半径处的1550纳米的波长和对应于每100匝的0.1分贝的宏观弯曲损耗。在弯曲半径约为30毫米时，波长为1625纳米。
在本公开的一个实施例中,光纤有色散在范围内17皮秒每纳米公里到23皮秒左右在1550纳米的波长.在本公开的一个实施例中,光纤还包含一个缓冲包层区域.缓冲包层区域是被定义为第二个相对折射率Δ2另外,缓冲包层区域分开核心和第一个沟槽区域。
在本公开的一个实施例中,光纤还包含一个缓冲包层区域.缓冲包层区域是被定义为第二个相对折射率Δ2.另外,缓冲包层区域分开核心和第一个沟槽区域。
在本公开的实施例中,核心有了第一个半径r1.第一个半径r1是在范围中2.5微米到5微米5和2微米到3.15微米。
在本公开的实施例中,光纤还包含一个缓冲包层区域.缓冲包层区域第二个半径r2.第二个半径r2是在范围中之一5微米到7微米和3微米到6微米.缓冲包层区域有了大概0的第二个相对折射率Δ2。
在本公开的实施例中,包层区域有了第五个半径r5.第五个半径r5是大概62.5微米.包层区域有了约为0的第三相对折射率Δ5。
在本公开的实施例中，第一个沟槽区域有第三是在半径r3.第三个半径r3是在至少一个范围内12微米到16微米和12微米至20微米.相对折射率Δ3是在--0.25到-0.35和-0.3到-0.46中的至少一个的范围内.第一沟槽区域的第一个沟槽阿尔法a沟槽-1是在约3到6和1.5到2中的至少一个的范围内。
在本公开的实施例中，第二个沟槽区域有了第四半径r4.第四半径r4是在24微米到24微米28微米和26微米到30微米中的至少一个的范围内.对折射率Δ4是在0.4至0.55和0.41到0.57中的至少一个的范围内。第二个沟槽区域的第二阿尔法α沟槽2是在3至6和5到9中的至少一个的范围内。
在本公开的实施例中，第二个沟槽区域的相对折射率Δ4大于第一个沟槽区域的相对折射率Δ3。
在别的一个方面，本公开提供了一种光纤。光纤包括芯，另外,光纤包括第一个沟槽区域。而且,光纤包括第二个沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一相对折射率Δ1。芯的第一个相对折射率Δ1在0到0.12的范围内。而且，第一个沟槽区域有相对折射率Δ3。第一个沟槽区域具有第一阿尔法α沟槽_1。第二个沟槽区域是相邻同第一沟槽区域。第二个沟槽区域有相对,折射率Δ4。也,第二个沟槽区域有第二个阿尔法α沟槽2。相对折射率Δ4大比相对折射率Δ3。包层区域周围第二个沟槽区域。光纤100在1550纳米的波长下有小于或等于0.17dB/km的衰减.光纤的模场直径在约12微米至13微米的范围内。光纤在折射率分布的芯和沟槽区域有逐渐变化。
在本发明的一个实施例中，光纤的弯曲损耗高达0.1分贝/100匝，对应于1550纳米的弯曲半径约30毫米，宏弯损耗高达0.1分贝/100匝对应波长在弯曲半径约为30毫米时为1625纳米。
在本公开的实施例中，光纤在1550纳米的波长下有在每纳米公里约17微微秒到每纳米公里23微微秒的范围内的色散。而且,光纤的电缆截止波长可达1530纳米。
在本公开的实施例中，光纤还包括缓冲包层区域。缓冲包层区域有第二了相对折射率Δ2。而且，分开缓冲包层区域将芯和第一沟槽区域。
在本公开的实施例中，芯具有第一半径r1。第一半径r1在2.5微米到5微米和2微米到3.15微米中的至少一个的范围内。
在本公开的实施例中，光纤进一步包括缓冲包层区域。缓冲包层区域有第二个半径r2。第二个半径r2是在5微米到7微米和3微米到6微米中的至少一个的范围内.缓冲包层区域具有约0的第二个相对折射率Δ2。
在本公开的实施例中，包层区域有了第五个半径r5。第五个半径r5是大概62.5微米。包层区域有了大概0的第三个相对折射率Δ5。
在本公开的实施例中，第一第三个沟槽区域有第三个半径r3。第三个半径r3是在12微米到16微米和12微米到20微米中的至少一个的范围内。相对折射率Δ3是在-0.25到-0.35和-0.3到-0.46中的至少一个的范围内。第一个沟槽区域的第一阿尔法α沟槽1是在约3到6和1.5到2中的至少一个的范围内。
在本公开的实施例中，第二个沟槽区域有第四个半径r4。第四个半径r4是在24微米到28微米和26微米到30微米中的至少一个的范围内。相对折射率Δ4是在-0.4到-0.55和-0.41到-0.57中的至少一个的范围内。第二个沟槽区域的第二个阿尔法α沟槽2是在3到6和5到9中的至少内。
在本公开的实施例中，第二个沟槽区域有第四个半径r4。第四个半径r4是在24微米到28微米和26微米到30微米中的至少一个的范围内。相对折射率Δ4是在-0.4到-0.55和-0.41到-0.57中的至少一个的范围内。第二个沟槽区域的第二个阿尔法α沟槽2是在3到6和5到9中的至少内。
本公开涉及一种切断移动的光纤。光纤包括芯。另外，光纤包括第一个沟槽区域。此外,光纤包括第二沟槽区域。还有,光纤包括包层区域。芯有第一个相对折射率Δ1。芯的第一个相对折射率Δ1在约0至0.12的范围内。还有,第一个沟槽区域有相对折射率Δ3。第一个沟槽区域有第一阿尔法α沟槽-1。第二沟槽区域与第一沟槽区域相邻。第二个沟槽区域有相对射率Δ4。也,第二个沟槽区域有第二个阿尔法α沟槽2。包层区域围绕第二个沟槽区域。光纤100在1550纳米的波长下有小于或等于0.17dB/km的衰减。光纤的模场直径在约12微米到13微米的范围内。光纤有了模场直径在约12微米到13微米.光纤在折射率分布的芯和沟槽区域有逐渐变化.
附图说明
已经如此概括地描述了本公开，现在将参考附图，其中:
图1示出了根据本公开的各种实施例的光纤的横截面视图；和
图2示出了光纤的折射率轮廓，同本公开的各种实施例.
应注意，附图旨在呈现本公开的示例性实施例的说明。这些图不旨在限制本公开的范围。还应注意，附图不一定按比例绘制。
具体实施方式
现在将结合附图详细参考本公开的所选实施例。这里描述的实施例不旨在限制本公开的范围，并且本公开不应该被解释为限于所描述的实施例。在不脱离本公开的范围和精神的情况下，本公开可以以不同的形式实施。应当理解，附图旨在和提供以示出下面描述的本公开的实施例，并且不一定按比例绘制。在附图中，相同的标号始终表示相同的元件，并且可夸大某些组件的厚度和尺寸以提供更好的清晰度和易于理解。
应当注意,这儿的术语语“第一个”，“第二个”等不表示任何顺序,排行,数量或重要性,但,而是用于区分一个元素与另一个元素。而且,本文中的术语“一”和“一个”不表示数量的限制,但表示存在至少一个所引用的项目。
图1示出了根据本公开的各种实施例的光纤100的截面图。一般来说，光纤是能够传输光信号的玻璃或塑料的细股。在本公开的实施例中，光纤100被配置为以高光信噪比，低非线性效应，低等待时间和低衰减来长距离传输信息。本公开的光纤100完全符合ITU(国际电信联盟-电信标准化部门)-G.654E标准的要求.
光纤100包括芯102，缓冲包层区域104，第一沟槽区域106，第二沟槽区域108和包层区域110.一般来说，芯是光纤的内部部分，并且包层是光纤的外部。在本公开的实施例中，芯102沿着光纤100的中心纵向轴线112限定。中心纵向轴线112是穿过光纤100的中心的虚轴.
在本公开的实施例中，光纤100的芯102具有第一个相对折射率Δ1。一般来说，相对折射率是两个区域之间折射率的相对差异的量度。在本公开的实施例中，折射率分布确定光纤100的折射率径之间的关系和光纤100的半径,在本公开的实施例中，在制造预制件之后进行光纤100的制造。而且,在制造光纤100的预制件期间确定光纤100的折射率分布.
用于计算相对折射率的表达式如下：
Δi＝100×(ni2-nclad22×ni2)
其中，nclad：纯二氧化硅的折射率
ni：第i层的折射率；
Δi：第1个层的相对折射率。
另外,芯102具有最大折射率nmax。在本公开的实施例中,芯102有第一个相对折射率Δ1在0到0.12的范围内.在本发明的另一个实施例中，芯102有第一个相对折射率Δ1在约0到0.1的范围内。在本发明的另一个实公开的又一实施例中，光纤100的芯102的第一个相对折射率Δ1的范围可以变化。
而且,核心102有轮廓形状参数阿尔法(α).在本公开的实施例中，对于光纤100的芯102.参数阿尔法α在大约4到9的范围内。在本发明的另一个实施例中，参数阿尔法α在大约5到9的范围内对于光纤100的芯102。在本发明的又一个实施例中，光纤100的芯102的参数阿尔法α的范围可以变化。
而且,，光纤100的芯102有第一个半径r1。在本公开的一个实施例中，第一个半径r1是在大概2.5微米到5微米的范围内。在本发明的另一个实施例中，第一个半径r1是在约2微米到3.15微米的范围内。在本公开的又一个实施例中，光纤100的芯102的第一半径r1的范围可以变化。
光纤100包括缓冲包层区域104.缓冲包层区域104同心地围绕光纤100的芯102.在本公开的实施例中,缓冲包层区域104位于第一半径r1和第二个半径之间.从光纤100的中心纵轴112。缓冲包层区域104有第二个相相对射率Δ2.在本公开的实施例中,缓冲包覆区域104有了零的第二个相相对射率Δ2.在本公开的另一个实施例中，缓冲包层区域104的第二个相对相对率Δ2可以变化。
缓冲包层区域104有第二个半径r2。在本公开的一个实施例中第二个半径r2是在大概3微米到6微米的范围内。在本发明的另一个实施例中，第二个半径R2是在大概3微米到6微米的范围内。在本发明的另一个实施例中，第二半径r2在约3微米至6微米的范围内。在本公开的又一个实施例中，第二半径r2的范围可以变化.
光纤100包括第一个沟槽区域106.而且,第一个沟槽区域106同心地围绕光纤100的缓冲包层区域104.第一个沟槽区域106有相对射率Δ3。在本公开的实施例中，第一个沟槽区域106的相对折射率Δ3是在约0.25到0.35的范围内。在本发明的另一个实施例中，第一个沟槽区106的相对折射率Δ3是在约0.3至0.46的范围内。在本另一个的又一实施例中，第一个沟槽区域106的相对折射率Δ3的范围可以变化。
在本公开的实施例中，第一个沟槽区域106有在约3至6的范围内的第一个阿尔法α沟槽-1。在本另一个的另一实施例中，第一沟槽区域106有1.5到2的第一个阿尔法α沟槽-1.在本发明的又一个实施例中，第一个沟槽区106的第一个阿尔法α沟槽-1的范围可以变化。
第一个沟槽区域106有第三个半径r3。第三个半径r3是在12微米到16微米和12微米到20微米中的至少一个的范围内。在本公开的另一个实施例中，第三个半径r3的范围可以变化。
光纤100包括第二个沟槽区域108.而且,第二个沟槽区域108位于第三半径r3和第四半径r4之间。而且,第二个沟槽区域108同心地围绕光纤100的第一个沟槽区域106.另外,第二个沟槽区域108有相对折射率Δ4。在本公开的一个实施例中，第二个沟槽区域108有相对折射率Δ4的范围。在本公开的另一个实施例中,第二个沟槽区域108有相对折射率Δ4在约0.41到0.57的范围内。在还本公开的另一个实施例中，第二个沟槽区100的相对折射率Δ4的范围可以变化。
而且,第二个沟槽区域108有第二个阿尔法α沟槽-2。在本公开的实施例中,第二个沟槽区域108有在约3到6的范围内的第二个阿尔法α沟槽2.在本另一个的另一实施例中,第二个沟槽区108有第二个阿尔法α沟槽2,其范围为约5到9。在本公开的又一个实施例中，第二个沟槽区108的第二个阿尔法α沟槽-2的范围可以变化。
第二个沟槽区域108有第四个半径r4。第四个半径r4是在24微米到28微米和26微米到30微米中的至少一个的范围内。在本公开的实施例中，第四个半径r4的范围可以变化。
光纤100包括包层区域110.包层区域110同心地围绕光纤100的第二个沟槽区域108.而且,包层区域110位于第四个半径r4和第五个半径r5之间.而且,包层区域110有第三个相对折射率Δ5。在本公开的实施例中，包层区域110有约为零的第三个相对折射率Δ5。在本公开的另一个实施例中，包层区域110的第三个相对折射率Δ5可以变化。
包层区域110有第五个半径r5。在本发明的一个实施例中，第五个半径r5大概62.5微米。在本另一个的一个实施例中，第五个半径r5可以变化。
光纤100在折射率分布的核心和沟槽区域中有逐渐变化。另外，逐渐变化意着光纤100的折射率分布没有急剧变化。
在本公开的实施例中，光纤100的芯102具有最大折射率nmax。缓冲包层区域104有纯二氧化硅的折射率nclad。第一个沟槽区域106有最小折射率ntrench-1。另外,ntrench-1是第一个沟槽区106的最小折射率。第二个沟槽区108有最小折射率ntrench-2。而且,ntrench-2是第二个沟槽区108的最小折射率。而且,用于确定折射率的表达式如下：
(r)＝nma[1-2Δ1(rr1)α]0.5 10
for r≤r1
n(r)＝nclad
for r1≤r<r2 and r≥r4
(r)＝nclad-ntrench-1[1+2Δ3((r3-r)(r3-r2)/)αtrench-1]0.5
for r2≤r<r3
(r)＝ntrench-1-ntrench-2[1+2Δ4((r4-r)(r4-r3)/)αtrench_2]0.5
for r3≤r<r4。
在本公开的实施例中，光纤100的折射率分布提供高光学信噪比,低非线性效应，低等待时间和低衰减。光纤100在1550纳米的波长下具有小于或等于0.17dB/km的衰减。而且,光纤100有大的模场直径和大的有效面积。光纤100的模场有径在约12微米到13微米的范围内。
光纤100有模场直径。在本公开的实施例中，光纤100的模场直径在1550纳米的波长处在约12微米至13微米的范围内。在本公开的另一个实施例中，光纤100的模场直径的范围可以变化。
另外，光纤100具有电缆切断波长。在本公开的实施例中，光纤100的电缆截止波长高达1530纳米.在本公开的另一个实施例中，光纤100的电缆截止波长可以变化。
而且,光纤100有零色散波长。在本公开的实施例中，光纤100的零色散波长在大概1260纳米到1290纳米的范围内。在本公开的实施例中，光纤100的零色散波长可以变化。
而且,，光纤100有分散。在本公开的实施例中,光纤100的分散在对应于1550纳米波长的大概17皮秒/(纳米千米)到23皮秒/(纳米千米)的范围内在本公开的另一个实施例中。对应于1550纳米波长的光纤100的色散可以变化。
在本公开的实施例中，光纤100的色散高达27皮秒/(纳米千米)，对应于1625纳米的波长。在本公开的另一个实施例中，对应于1625纳米波长的光纤100的色散可以变化。
而且,光纤100有低的宏弯曲损耗。在本公开的实施例中，光纤100的宏弯曲损耗高达每100匝0.1分贝，对应于1550纳米的波长。另外,宏弯曲损耗发生在大概30毫米的弯曲半径处。在本公开的又一实施例中，对应于光纤100的1550纳米波长的宏弯曲损耗可以变化。
在本公开的实施例中，光纤100的宏弯曲损耗高达每100匝0.1分贝，对应于1625纳米的波长。另外，宏弯曲损耗发生在大概30毫米的弯曲半径处。在本公开的另一个实施例中，对应于光纤100的1625纳米波长的宏弯曲损耗可以变化。
在本公开的一个实施例中，光纤100有大概4.9微米的第一个半径r1。另外，光纤100有了大概6.2微米的第二个半径r2。而且，光纤100有大概12微米的第三个半径r3。而且，光纤100有了大概25微米的第四个半径r4。而且，光纤100有了大概62.5微米的第五个半径r5。另外，光纤100的芯102有了大概0.12的第一个相对折射率Δ1。另外，光纤100的缓冲包层区域104有大概为零的第二个相对折射率Δ2。而且，光纤100的第一个有大概0.3的相对折射率Δ3。而且，光纤100的第二个沟槽区域108有大概0.43的相对折射率Δ4。另外，光纤100的包层区域110有约为零的第三个相对折射率Δ5。另外，光纤100的芯102有了大概为8的轮廓形状参数阿尔法α。而且，光纤100的第一个沟槽区域有了大概为4的第一个阿尔法α沟槽1。而且，第二个沟槽区域为光纤100有大概为3的第二个阿尔法αtrench2。另外，光纤100的芯102有了大概为8的轮廓形状参数阿尔法α。另外，光纤100的第一个沟槽区域有约为4的第一个阿尔法,α沟槽1.而且,第二个沟槽区域为光纤100有大概为3的第二个阿尔法α沟槽2。而且，光纤100在1550纳米的波长下有了大概12微米的模场直而且,光纤100有了大概1271纳米的零色散波长。又,光纤100在1550纳米的波长下有了大概21.5皮(纳米千米)的色散。另外，光纤100在波长1625纳米处有了大概26皮秒/(纳米千米)的色散。另外，光纤100有了大概1480纳米的电缆切断波长。另外，光纤100的宏弯曲损耗为每100转约0.01分贝对应于弯曲半径为30毫米的1550纳米波长。而且,在弯曲半径为30毫米时，宏弯曲损耗约为每100匝0.045分贝，对应于约1625纳米的波长。
在本公开的另一个实施例中，光纤100有了2.5微米的第一个半径r1。另外，光纤100有了大概5.4微米的第二个半径r2。另外，光纤100有了大概12微米的第三个半径r3。另外，光纤100有了大概28微米的第四个半径r4。而且，光纤100有了大概62.5微米的第五个半径r5。另外，光纤100的芯102有了大概0.1的第一个相对折射率Δ1.另外，光纤100的缓冲包层区域104有了大概为零的第二个相对折射率Δ2。而且,光纤100的第一个沟槽区域106具有了大概0.28的相对折射率Δ3。此外，光纤100的第二个沟槽区域108有了大概0.4的相对折射率Δ4。又，光纤100的包层区域110有了大概为零的第三个相对折射率Δ5。另外，光纤100的芯102有了大概为7的轮廓形状参数阿尔法α。而且，光纤100的第一个沟槽区域有了大概为4的第一个数阿尔法α沟槽1。而且，第二个沟槽区域为光纤100有了大概为5的第二个阿尔法α沟槽2另外，光纤100在1550纳米的波长下有了大概12.5微米的模场直径。另外，光纤100有了大概1282纳米的零色散波长。又，光纤100在1550纳米的波长下有了大概20.6皮秒/(纳千米)的色散。另外，光纤100在波长1625纳米处有了大概25.1皮(纳米千米)的色散。而且,光纤100具有了大概1475纳米的电缆切断波长。另外，光纤100在30毫米的弯曲半径下有了对应于1550纳米波长的每100匝约0.014分贝的宏观弯曲损耗。而且,宏弯曲损耗为每100匝约0.045分贝，对应于在约30毫米的弯曲半径下约1625纳米的波长。
在本公开的又一个实施例中，光纤100有光纤100有了大概2.5微米的第一个半径r1。另外，光纤100有了大概5.4微米的第二个半径r2。而且,光纤100有了大概12微米的第三个半径r3。而且,光纤100有了大概24.4微米的第四个半径r4。而且，光纤100有了大概62.5微米的第五个半径r5。另外，光纤100的芯102有了大概0.1的第一个相对折射率Δ1。而且,光纤100的缓冲包层区域104有了大概为零的第二个相对折射率Δ2。另外，光纤100的第一个沟槽区域106有了大概0.28的相对折射率Δ3。另外，光纤100的第二个沟槽区域108有了大概0.53的相对折射率Δ4。而且，光纤100的包层区域110有了大概为零的第三个相对折射率Δ5。而且，光纤100的芯区域有了大概5的轮廓形状参数阿尔法α，第一个沟槽区域有了大概3的第一个阿尔法α沟槽1，第二个沟槽区域有了大概3.另外，光纤100在1550纳米的波长下有了大概12.2微米的模场直径。另外，光纤100有了大概1280纳米的零色散波长。又,光纤100在1550纳米的30个波长处有了大概20.65皮秒/(纳米千米)的色散。另外，光纤100在波长1625纳米处有了大概25.32皮秒/(纳米千米)的色散。而且，光纤100有了大概1480纳米的电缆切断波长。而且，光纤100在30毫米的弯曲半径处有了对应于1550纳米波长的大约0.012分贝/100转的宏弯曲损耗。另外，宏弯曲损耗为每100匝约0.04分贝，对应于在约30毫米的弯曲半径下约1625纳米的波长。
在本公开的又一个实施例中，光纤100有了大概3.01微米的第一个半径r1。另外，光纤100有了大概6.12微米的第二个半径r2。而且,光纤100有了大概13.687微米的第三个了大概半径r3。而且,光纤100有了大概26.26微米的第四个半径r4。而且，光纤100有了大概62.5微米的第五个半径r5。另外，光纤100的芯102有了大概0.1的第一个相对折射率Δ1。另外,光纤100的缓冲包层区域104有了大概为零的第二个相相对,折射率Δ2.另外,光纤100的第一个沟槽区域106有了大概0.34的相对折射率Δ3。而且,光纤100的第二个沟槽区域108有了大概0.44的相对折射率Δ4。又，光纤100的包层区域110有了大概为零的第三个相对折射率Δ5。另外,光纤100的芯区域有了大概8的轮廓形状参数阿尔法α。另外，光纤100的第一个沟槽区域有了大概为4的第一个阿尔法α沟槽1。另外，光纤100的第二个沟槽区域有了大概4的第一个阿尔法α沟槽2。而且,光纤100有模场直径约为12.26微米，波长为1550纳米。而且,光纤100有了大概1277纳米的零色散波长。又，光纤100在1550纳米的波长下有了大概21.5皮秒/(纳米千米)的色散。另外，光纤100在波长1625纳米处有了大概25.8皮秒/(纳米千米)的色散。另外，光纤100有了大概1520纳米的电缆切断波长。而且,光纤100在弯曲半径为30毫米时有对应于1550纳米波长的每100匝约0.03分贝的宏观弯曲损耗。而且，光纤100在弯曲半径为30毫米时有对应于1550纳米波长的每100匝约0.03分贝的宏观弯曲损耗。
在本公开的又一个实施例中，光纤100有了大概3.05微米的第一个半径r1。另外，光纤100有了大概6.405微米的第二个半径r2。另外，光纤100有了大概14.22微米的第三个半径r3。而且,光纤100有了大概26.0226微米的第四个半径r4。而且，光纤100有了大概62.5微米的第五个半径r5。另外，光纤100的芯102有了大概0.1的第一个相对折射率Δ1。另外，光纤100的缓冲包层区域104有了大概为零的第二个相对折射率Δ2。另外，光纤100的第一个沟槽区域106有了大概0.34的相对折射率Δ3。另外，光纤100的第二个沟槽区域108有了大概0.42的相对折射率Δ4。而，光纤100的包层区域110有了大概为零的第三个戚折折射率Δ5。而且，芯区光纤100有了大概6的轮廓形状参数阿尔法α。另外，第一个沟槽区光纤100有了大概5的第一个阿尔法α沟槽1。另外，第二个沟槽区光纤100有了大概为3的第二个阿尔法α沟槽2。另外，光纤100在1550纳米波长下有了大概12.56微米的模场直径。而且，光纤100有了大概1276纳米的零色散波长。又，光纤100在1550纳米的波长下有了大概21.6皮秒/(纳米千米)的色散。另外，光纤100在波长1625纳米处有了大概26皮秒/(纳米千米)的色散。另外，光纤100有了大概1520纳米的电缆切断波长。此外，光纤100在30毫米的弯曲半径处有了大概应于1550纳米波长的每100匝约0.038分贝的宏观弯曲损耗。而且,宏弯曲损耗为每100匝约0.09分贝，对应于弯曲半径为30毫米时约1625纳米的波长。
在本公开的又一个实施例中，光纤100有了大概2.62微米的第一个半径r1。另外，光纤100有了大概3.8微米的第二个半径r2。另外，光纤100有了大概14微米的第三个半径r3。而且,光纤100有了大概27.7微米的第四个半径r4。而且，光纤100有了大概62.5微米的第五个半径r5。另外，光纤100的芯102有了大概0.1的第一个切断折射率Δ1。另外，光纤100的缓冲包层区域104有了大概为零第二个相对折射率Δ2。另外，光纤100的第一个沟槽区域106有了大概0.33的相对折射率Δ3。而且，光纤100的第二个沟槽区域108有了大概0.42的相对折射率Δ4。又,光纤100的包层区域110有了大概为零的第三个相对折射率Δ5。而且，芯区光纤100有了大概为6的轮廓形状参数阿尔法α。另外，第一个沟槽区光纤100有了大概1.5的第一个阿尔法α沟槽1。而且，第二个沟槽区光纤100有了大概为7的第二个阿尔法α槽2。而且，光纤100在1550纳米波长下有了大概12.47微米的模场直径。另外，光纤100有了大概1293纳米的零色散波长。又,光纤100在1550纳米的波长下有了大概19.9皮秒/(纳米-千米)的色散。另外，光纤100在波长1625纳米处有了大概24.5皮秒/(纳米-千米)的色散。另外，光纤100有了大概1500纳米的电缆切断波长。而且，光纤100在弯曲半径为30毫米时有对应于1550纳米波长的每100匝约0.026分贝的宏观弯曲损耗。此外，在弯曲半径为30毫米时，宏弯曲损耗约为每100匝0.08分贝，对应于约1625纳米的波长。
在这公开的又一个实施列中，光纤100有2.5微米的第一半径r1，光纤100还有3.8微米的半径r2.此外，光纤100还有14微米的第三半径r3.此外，光纤100还有27.7微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是0.1。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率大约是零。并且光纤的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.33。而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是-0.42。也，光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约是零。并且，光纤100的芯区域具有轮廓参数α大约是6。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是1.5。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是7。并且，光纤100有模字段直径大约是12.47微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1293纳米。光纤100也有大约19.9皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约24.5皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1510纳米。并且，光纤100具有大约0.02分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径。而且，大约0.08分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
在这公开的又一个实施列中，光纤100有2.55微米的第一半径r1，光纤100还有3.85微米的半径r2.此外，光纤100还有14.5微米的第三半径r3.此外，光纤100还有27.85微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是0.1。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率Δ2大约是零。并且，光纤100的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.34.而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是0.42。也，光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约零。并且，光纤100的芯区域具有轮廓参数α大约是6。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是1.5。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是8。并且，光纤100有模字段直径大约是12.58微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1293纳米。光纤100也有大约19.9皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约24.5皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1525纳米。并且，光纤100具有大约0.026分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径。况且，大约0.07分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
在这公开的又一个实施列中，光纤100有2.5微米的第一半径r1，光纤100还有3.8微米的半径r2.此外，光纤100还有14微米的第三半径r3.此外，光纤100还有27微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是0.1。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率Δ2大约是零。并且光纤100的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.34。而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是0.42。也，光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约0。并且，光纤100的芯区域具有轮廓参数α大约是6。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是1.5。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是8。并且，光纤100有模字段直径大约是12.47微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1293纳米。光纤100也有大约19.9皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约24.5皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1550纳米。并且，光纤100具有大约0.04分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径。而且，大约0.093分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
在这公开的又一个实施列中，光纤100有2.5微米的第一半径r1，光纤100还有3.8微米的半径r2.此外，光纤100还有14.微米的第三半径r3.此外，光纤100还有27.7微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是0.1。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率Δ2大约是零。并且，光纤100的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.34.而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是0.42。也，光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约零。并且，光纤100的芯区域具有轮廓参数α大约是6。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是1.5。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是7。并且，光纤100有模字段直径大约是12.47微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1293纳米。光纤100也有大约19.9皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约24.5皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1510纳米。并且，光纤100具有大约0.02分贝的宏湾损耗每100匝对应1510纳米波长在30毫米的弯曲半径。况且，大约0.08分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
在这公开的又一个实施列中，光纤100有2.62微米的第一半径r1，光纤100还有3.8微米的半径r2.此外，光纤100还有14微米的第三半径r3.此外，光纤100还有27.7微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是0.1。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率Δ2大约是零。并且光纤100的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.32。而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是0.42。光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约0。并且，光纤100的芯区域具有轮廓参数α大约是6。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是1.5。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是7。并且，光纤100有模字段直径大约是12.58微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1294纳米。光纤100也有大约19.9皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约24.16皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1510纳米。并且，光纤100具有大约0.03分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径。而且，大约0.08分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
在这公开的又一个实施列中，光纤100有3.1微米的第一半径r1，光纤100还有5.9微米的半径r2.此外，光纤100还有18微米的第三半径r3.此外，光纤100还有27微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是0.1。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率Δ2大约是零。并且，光纤100的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.34.而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是0.42。也，光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约零。并且，光纤100的芯区域具有轮廓参数α大约是8。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是2。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是6。并且，光纤100有模字段直径大约是13微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1285纳米。光纤100也有大约21.1皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约25.4皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1530纳米。并且，光纤100具有大约0.053分贝的宏湾损耗每100匝对应1510纳米波长在30毫米的弯曲半径。况且，光纤100具有大约0.1分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
在这公开的又一个实施列中，光纤100有2.1微米的第一半径r1，光纤100还有3.2微米的半径r2.此外，光纤100还有18微米的第三半径r3.此外，光纤100还有26.2微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是0.05。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率Δ2大约是零。并且光纤100的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.45。而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是0.53。也，光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约0。并且，光纤100的芯区域具有轮廓参数α大约是8。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是2。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是7。并且，光纤100有模字段直径大约是12.2微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1287纳米。光纤100也有大约20.1皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约24皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1520纳米。并且，光纤100具有大约0.03分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径。而且，大约0.07分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
在这公开的又一个实施列中，光纤100有2.1微米的第一半径r1，光纤100还有3.2微米的半径r2.此外，光纤100还有13微米的第三半径r3.此外，光纤100还有29微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是0.2。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率Δ2大约是零。并且，光纤100的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.35.而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是0.53。也，光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约零。并且，光纤100的芯区域具有轮廓参数α大约是7。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是2。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是7。并且，光纤100有模字段直径大约是12.14微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1286纳米。光纤100也有大约19.9皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约24.4皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1485纳米。并且，光纤100具有大约0.023分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径。况且，光纤100具有大约0.072分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
在这公开的又一个实施列中，光纤100有2.1微米的第一半径r1，光纤100还有3.2微米的半径r2.此外，光纤100还有13微米的第三半径r3.此外，光纤100还有29微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是0.02。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率Δ2大约是零。并且光纤100的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.35。而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是-0.53。也，光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约0。并且，光纤100的芯区域102具有轮廓参数α大约是7。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是2。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是7。并且，光纤100有模字段直径大约是12.14微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1286纳米。光纤100也有大约19.9皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约24.4皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1485纳米。并且，光纤100具有大约0.023分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径。而且，光纤100具有大约0.072分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
在这公开的又一个实施列中，光纤100还有3微米的半径r2.此外，光纤100还有13微米的第三半径r3.此外，光纤100还有29微米的第四半径r4.并且，光纤100还有62.5微米的半径r5.此外，光纤100的芯102具有第一相对折射率Δ1就是零。此外,光纤100的缓冲包层104具有第二相对折射率Δ2大约是零。并且，光纤100的第一沟槽区域106具有相对折射率Δ3大约是-0.38.而且，光纤100的第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4大约是-0.56。也，光纤100的包层区域110具有第三相对折射率Δ5是大约零。此外，光纤100的第一沟槽区域有第一αtrench-1大约是2。并且，光纤100的第二沟槽区域有第二αtrench-2大约是7。并且，光纤100有模字段直径大约是11.9微米在1550纳米的波长。而且，光纤100有零弥散波长大约是1286纳米。光纤100也有大约20皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长。此外，光纤100有大约24.4皮秒/(纳米-公里)的弥散在1625纳米的波长。并且，光纤100具有电缆切断波长大约是1520纳米。并且，光纤100具有大约0.013分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径。况且，光纤100具有大约0.038分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。也，宏湾损耗发生在30毫米的弯曲半径。
图2说明光纤100的折射率分布200符合跟这次公开的各种实施列。这个折射率分布200说明光纤100的折射率和光纤100的半径之间的关系。(如图1所示)。
这个公开提供现有技术的许多优点。这次公开提供一种有效面积达的光纤。并且，光纤有大的模场直径。况且，光纤有低的非线性效果。并且，光纤有低的光纤衰减。也，光纤有低的潜伏期。此外，光纤有高光信噪比。
目前技术的具体实施列的以上描述已经出于为说明插图和描述的目的。它们并非旨在穷或限制这目前技术在精确范围形式的公开，并显然，在上述教导许多改正和变化是可能的。这个实施列被选择与描述以最好的解释目前技术的原理和实际应用，此可能使别的人员能够最好的利用目前技术和很多改性的各种实施列，适合预期的特定用途。据了解，可能考虑各种遗漏所以境况可能暗示方法，但偌旨在涵盖用途与试行在不脱离精神或本技术的要求范围。

Claims (19)

1.一种切断移动的光纤，其特征在于，光纤100包括:一个芯(102),芯具有第一相对折射率Δ1，芯102的第一相对折射率Δ1大约是0-0.12；
第一沟槽区域106，第一沟槽区域具有相对折射率Δ3，第一沟槽区域具有第一αtrench-1；
第二沟槽区域108，第二沟槽区域108与第一沟槽区域106相邻，第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4，第二沟槽具有第二αtrench-2，但相对折射率Δ4>相对折射率Δ3；第二沟槽区域也有一个包层区域110，包层区域110包围第二沟槽区域108；
光纤100具有衰减小于或等于0.17db/km在1550纳米的波长，光纤100具有一个模场直径在12微米至13微米的范围内；
光纤100具有逐渐变化在芯还在折射率分布的沟槽区域。
2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，光纤100具有其0.1分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径还是0.1分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径其中一个。
3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，光纤100有大约17皮秒/(纳米-公里)至23皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长，并且光纤100具有电缆切断波长达到1530纳米。
4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，光纤100具有一个缓冲包层区域104，缓冲包层区域104具有第二相对折射率Δ2，缓冲包层区域104分离芯102和第一沟槽区域106。
5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，芯102具有第一半径r1，第一半径r1就是2.5微米-5微米还是2微米-3.15微米。
6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，并且光纤100包括一个缓冲包层区域104，缓冲包层区域104具有第二半径r2，第二半径r2就是5微米-7微米还是3微米-6微米其中之一。缓冲包层区域104具有一个第二相对折射率Δ2大约是零。
7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，包层区域110具有第五r5，r5大约是62.5微米，包层区域110具有第三相对折射率Δ5大约是零。
8.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第一沟槽区域区域106具有第三半径r3，第三半径r3就是12微米-16微米还是12微米-20微米其中之一，但相对折射率Δ3是-0.25至-0.35还是-0.3至-0.46其中之一，第一沟槽区域106的第一αtrench1就是3-6还是1.5-2其中之一。
9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第二沟槽区域108具有第四半径r4，第四半径r4就是24微米-28微米还是26微米-30微米其中之一，相对折射率Δ4就是-0.4至-0.55还是-0.41至-0.57其中之一，第二沟槽区域108的第二αtrench2就是3-6还是5-9其中之一。
10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，相对折射率Δ4>相对折射率Δ3。
11.一种切断移动的光纤，其特征在于，光纤100包括:
一个芯102，芯102具有第一相对折射率Δ1，Δ1大约是0-0.12的范围内，第一沟槽区域106，第一沟槽区域106具有一个相对折射率Δ3，第一沟槽区域具有第一αtrench1；
第二沟槽区域108，第二沟槽区域108与第一沟槽区域106相邻，第二沟槽区域108具有一个相对折射率Δ4，第二沟槽区域具有第二αtrench2，相对折射率Δ4>相对折射率Δ3；一个包层区域110,包层区域110包围第二沟槽区域108,
光纤100具有小于或等于0.17db/km的衰减在1550纳米的波长,光纤100具有一个模场直径大约是12微米-13微米,
光纤100具有逐渐变化在芯也变化在折射率分布的构成区域。
12.如权利要求11所述的光纤，其特征在于，光纤100具有至少一个0.1分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径还有0.01分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径。
13.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，光纤100有大约17皮秒/(纳米-公里)-23皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长,光纤100具有电缆切断波长达到1530纳米。
14.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，光纤100还有一个缓冲包层区域104,缓冲包层区域104具有第二相对折射率Δ2,但缓冲包层区域104分离芯102和第一沟槽区域106。
15.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，芯02有第一半径r1,第一半径r1是至少一个2.5微米-5微米还是2微米-3.15微米。
16.光纤100所声称在索赔11,光纤还有缓冲包层区域104,缓冲包层区域104具有一个第二半径r2,第二半径r2是至少一个5-7微米还是3-6微米,缓冲包层区域104具有第二相对折射率光纤100所声称在索赔11大约是零。
17.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，包层区域110具有第五半径r5大约是62.5微米,但包层区域110具有第三相对折射率Δ5大约是零。
18.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第一沟槽区域106具有第三半径r3,第三半径r3是至少一个12微米-16微米还是12微米-20微米,但相对折射率Δ3是至少一个-0.25至-0.35还是-0.3至-0.46,第一沟槽区域106的第一αtrench1是至少3-6还是1.5-2。
19.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第二沟槽区域108具有第四半径r4,第四半径r4是至少一个24微米-28微米还是26微米-30微米,但相对折射率Δ4是至少一点-0.4至-0.55还是-0.41至-0.57,第二沟槽区域108的第二αtrench2相当至少3-6还是5-9。
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