CN112053961B - 一种半导体封装及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
一封装件，形成第二封装件，形成第三封装件，接着将所述第一封装件贴装在柔性线路基板的中间区域，将两个所述第二封装件分别贴装在柔性线路基板的相对的两个侧边区域，接着形成多个间隔设置的第一穿孔和第二穿孔，在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱和第二加强柱，所述第一加强柱和所述第二加强柱中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板中的树脂材料的热膨胀系数，接着在所述第一封装件上设置第三封装件，接着将所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装件均贴装至所述第一封装件的侧壁和所述第三封装件的侧壁。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装领域，特别是涉及一种半导体封装及其形成方法。
背景技术
随着人们对电子产品小型化、***化、多功能等方向的持续追求，超大规模集成电路的特征尺寸在不断缩小。相应的，半导体行业也得到了快速发展，电子产品微型化越来越高密度，功能越来越多，产品尺寸越来越小，锡球与锡球之间的距离越来越小。在此基础上，POP堆叠结构也得到了快速的发展，其中，以柔性基板堆叠结构和POP堆叠结构相结合的封装构件中，可以将不同功能的芯片进行纵向和横向堆叠，进而具有高密度集成、封装尺寸更小、产品性能优越、充分利用堆叠空间等优势。而现有的柔性基板堆叠结构和POP堆叠结构相结合的封装构件中，容易出现封装构件剥离，封装构件稳定性差，封装构件失效等缺点。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体封装及其形成方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种半导体封装的形成方法，包括以下步骤：
(1)提供一第一布线基板，在所述第一布线基板的中间区域形成第一凹槽，在所述第一布线基板上形成第一导电柱和第二导电柱，将第一半导体芯片贴装在所述第一布线基板上，并使得所述第一半导体芯片的一部分嵌入到所述第一凹槽中，接着在所述第一布线基板上形成第一封装胶层，所述第一封装胶层包裹所述第一导电柱、第二导电柱和所述第一半导体芯片，所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出，所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，接着在所述第一布线基板的背面植球，以形成第一封装件。
(2)提供一第二布线基板，在所述第二布线基板的中间区域形成第二凹槽，将第二半导体芯片贴装在所述第二布线基板上，并使得所述第二半导体芯片的一部分嵌入到所述第二凹槽中，接着在所述第二半导体芯片的背面叠置第三半导体芯片和第四半导体芯片，所述第三半导体芯片和所述第四半导体芯片相邻且间隔设置，接着在所述第二布线基板上形成第二封装胶层，接着在所述第二封装胶层中形成分别电连接至所述第三半导体芯片和第四半导体芯片的第一导电通孔和第二导电通孔，在所述第一导电通孔和所述第二导电通孔上分别形成第一焊球和第二焊球，接着在所述第二线路基板的背面植球，以形成第二封装件。
(3)提供第一载板，在所述第一载板上形成第一钝化层，在所述第一钝化层上形成第一重布线层，在所述第一重布线层上形成第三导电柱和第四导电柱，将第五半导体芯片贴装在所述第一重布线层上，接着在所述第一重布线层上形成第三封装胶层，所述第三封装胶层包裹所述第三导电柱、第四导电柱和所述第五半导体芯片，所述第三导电柱的一部分从所述第三封装胶层的侧面露出，所述第四导电柱的一部分从所述第三封装胶层的上表面露出，接着在所述第四导电柱上植球，接着去除所述第一载板，以形成第三封装件。
(4)提供一柔性线路基板，将所述第一封装件贴装在所述柔性线路基板的中间区域，将两个所述第二封装件分别贴装在所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域，接着在所述第一、第二封装件上设置第二载板。
(5)接着对所述所述柔性线路基板的中间区域、所述第一布线基板以及所述第一半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第一穿孔，接着对所述所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域、第二线路基板以及所述第二半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第二穿孔。
(6)接着在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱和第二加强柱，所述第一加强柱和所述第二加强柱中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板中的树脂材料的热膨胀系数，接着去除所述第二载板。
(7)接着在所述第一封装件上设置第三封装件，并使得第二导电柱与所述第四导电柱电连接，接着将所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装件均贴装至所述第一封装件的侧壁和所述第三封装件的侧壁，并使所述第一焊球电连接至所述第三导电柱，所述第二焊球电连接至所述第一导电柱。
优选的，在所述步骤(1)中，所述第一导电柱比所述第二导电柱更靠近所述第一布线基板的边缘，所述第一导电柱的高度小于所述第二导电柱的高度，所述第一半导体芯片正装或倒装在所述第一凹槽中，通过减薄所述第一封装胶层以使得所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，通过切割所述第一布线基板以及所述第一封装胶层的边缘区域以使得所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出。
优选的，在所述步骤(2)中，所述第二凹槽的尺寸大于所述第二半导体芯片的尺寸，进而使得所述第二半导体芯片与所述第二凹槽之间具有间隙，所述第二封装胶层的一部分嵌入到所述间隙中，所述第三半导体芯片和第四半导体芯片与所述第二半导体芯片之间通过绝缘粘结层进行固定。
优选的，在所述步骤(3)中，所述第三导电柱比所述第四导电柱更靠近所述第一重布线层的边缘，所述第三导电柱的高度小于所述第四导电柱的高度，通过减薄所述第三封装胶层以使得所述第四导电柱的一部分从所述第三封装胶层的上表面露出，通过切割所述第一钝化层、第一重布线层以及第三封装胶层的边缘区域以使得所述第三导电柱的一部分从所述第三封装胶层的侧面露出。
优选的，在进行所述步骤(5)之前，在所述第一、第二封装件与所述柔性线路基板之间均设置一保护层。
优选的，在所述步骤(6)中，所述第一加强柱和第二加强柱的材料为聚酰亚胺、环氧树脂、硅树脂、聚酯、丙烯酸树脂、苯酚树脂中的一种。
本发明还提出一种半导体封装，其采用上述方法形成的。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
在本发明的半导体封装的形成过程中，通过在第一封装件中形成从所述第一封装胶层的侧面露出的第一导电柱以及从所述第一封装胶层的上表面露出的第二导电柱柱；在第二封装件中形成第二半导体芯片，以及设置在所述第二半导体芯片的背面的第三半导体芯片和第四半导体芯片；通过在第三封装件中形成从所述第三封装胶层的侧面露出的第三导电柱以及从所述第三封装胶层的上表面露出的第四导电柱，上述各结构的设置可以方便第一、第二、第三封装件的电连接，进而可以提高第一、第二、第三封装件的连接复杂度，进而可以实现半导体封装的功能多样化。通过将所述第一封装件贴装在所述柔性线路基板的中间区域且将两个所述第二封装件分别贴装在所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域，进而形成多个间隔设置的第一穿孔和第二穿孔，并在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱和第二加强柱，所述第一加强柱和所述第二加强柱中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板中的树脂材料的热膨胀系数，由于第一、第二加强柱的热膨胀系数较小，进而在使用过程中不会对柔性线路基板产生过大的膨胀应力，进而不会导致柔性线路基板产生裂纹，同时第一、第二加强柱的存在可以加强各封装件与柔性线路基板的接合稳定性。
附图说明
图1-图7为本发明实施例中半导体封装的各形成过程的结构示意图。
具体实施方式
要了解的是以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施提供的主体的不同部件。以下叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化公开内容的说明。当然，这些仅为范例并非用以限定本公开。例如，以下的公开内容叙述了将一第一部件形成于一第二部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一部件与上述第二部件是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的部件形成于上述第一部件与上述第二部件之间，而使上述第一部件与上述第二部件可能未直接接触的实施例。另外，公开内容中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字是为了简化与清晰的目的，并
非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。
再者，为了方便描述附图中一元件或部件与另一(多个)元件或(多个)部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似的用语。除了附图所绘示的方位之外，空间相关用语也涵盖装置在使用或操作中的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
请参阅图1～图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1～图7所示，本实施例提供一种半导体封装及其形成方法。
在本实施例中，如图1所示，首先进行步骤(1)，提供一第一布线基板100，在所述第一布线基板100的中间区域形成第一凹槽，在所述第一布线基板100上形成第一导电柱101和第二导电柱102，将第一半导体芯片103贴装在所述第一布线基板100上，并使得所述第一半导体芯片103的一部分嵌入到所述第一凹槽中，接着在所述第一布线基板100上形成第一封装胶层104，所述第一封装胶层104包裹所述第一导电柱101、第二导电柱102和所述第一半导体芯片103，所述第一导电柱101的一部分从所述第一封装胶层104的侧面露出，所述第二导电柱102的一部分从所述第一封装胶层104的上表面露出，接着在所述第一布线基板100的背面植球105，以形成第一封装件。
在所述步骤(1)中，所述第一导电柱101比所述第二导电柱102更靠近所述第一布线基板的边缘，所述第一导电柱101的高度小于所述第二导电柱102的高度，所述第一半导体芯片103正装或倒装在所述第一凹槽中，通过减薄所述第一封装胶层104以使得所述第二导电柱102的一部分从所述第一封装胶层104的上表面露出，通过切割所述第一布线基板100以及所述第一封装胶层104的边缘区域以使得所述第一导电柱101的一部分从所述第一封装胶层104的侧面露出。
在具体的实施例中，所述第一布线基板100具体可以是印刷线路板或陶瓷布线基板，所述第一半导体芯片103可以是晶体管、晶闸管、二极管、逻辑处理芯片、SOC芯片等合适的芯片。当所述第一半导体芯片103正装在所述第一凹槽时，所述第一半导体芯片103通过金属引线与所述第一布线基板100，当所述第一半导体芯片103倒装在所述第一凹槽时，所述第一半导体芯片103通过导电凸块与所述第一布线基板100电连接。
形成第一封装件的具体工艺为：在所述第一布线基板100上形成光刻胶掩膜，所述光刻胶掩膜预留有多个开口，接着在多个所述开口中沉积导电材料以形成分别形成所述第一导电柱101和所述第二导电柱102，其中，所述导电材料可以为铜、铝、镍、钛、钯、银、钨、铬中的一种或多种的组合，所述导热材料通过电镀、化学镀、化学气相沉积或物理气相沉积工艺形成。更具体的，所述导电材料包括铜，其而通过电镀工艺形成，接着在所述第一布线基板100的第一凹槽安装第一半导体芯片103，接着在所述第一布线基板100上模塑形成第一封装胶层104，所述第一封装胶层可以为环氧树脂，所述第一封装胶层104包裹所述第一导电柱101、第二导电柱102和所述第一半导体芯片103，接着通过减薄所述第一封装胶层104以使得所述第二导电柱102的一部分从所述第一封装胶层104的上表面露出，通过切割所述第一布线基板100以及所述第一封装胶层104的边缘区域以使得所述第一导电柱101的一部分从所述第一封装胶层104的侧面露出，以得到所述第一封装件。
在本实施例中，如图2所示，接着进行步骤(2)，提供一第二布线基板200，在所述第二布线基板200的中间区域形成第二凹槽，将第二半导体芯片201贴装在所述第二布线基板200上，并使得所述第二半导体芯片201的一部分嵌入到所述第二凹槽中，接着在所述第二半导体芯片201的背面叠置第三半导体芯片202和第四半导体芯片203，所述第三半导体芯片202和所述第四半导体芯片203相邻且间隔设置，接着在所述第二布线基板200上形成第二封装胶层204，接着在所述第二封装胶层204中形成分别电连接至所述第三半导体芯片202和第四半导体芯片203的第一导电通孔205和第二导电通孔206，在所述第一导电通孔205和所述第二导电通孔206上分别形成第一焊球207和第二焊球208，接着在所述第二线路基板200的背面植球209，以形成第二封装件。
在所述步骤(2)中，所述第二凹槽的尺寸大于所述第二半导体芯片201的尺寸，进而使得所述第二半导体芯片201与所述第二凹槽之间具有间隙，所述第二封装胶层204的一部分嵌入到所述间隙中，所述第三半导体芯片202和第四半导体芯片203与所述第二半导体芯片201之间通过绝缘粘结层进行固定。
在具体的实施例中，所述第二布线基板200具体可以是印刷线路板或陶瓷布线基板，所述第二、第三、第四半导体芯片201-203可以是晶体管、晶闸管、二极管、逻辑处理芯片、SOC芯片等合适的芯片。所述第二半导体芯片201倒装在所述第二凹槽中，所述第二半导体芯片201通过导电凸块与所述第二布线基板200电连接。
形成第二封装件的具体工艺为：在所述第二布线基板200上形成光刻胶掩膜，利用光刻胶掩膜在所述第二布线基板200中形成第二凹槽，接着将第二半导体芯片201倒装在所述第二布线基板200上，并使得所述第二半导体芯片201的一部分嵌入到所述第二凹槽中，接着在所述第二半导体芯片201的背面通过粘结剂叠置第三半导体芯片202和第四半导体芯片203，所述第三半导体芯片202和所述第四半导体芯片203相邻且间隔设置，接着在所述第二布线基板200上形成第二封装胶层204，所述第二封装胶层204可以为环氧树脂，所述第二封装胶层204包裹所述所述第二布线基板200、所述第二、第三、第四半导体芯片201-203，接着在所述第二封装胶层204中形成分别电连接至所述第三半导体芯片202和第四半导体芯片203的第一导电通孔205和第二导电通孔206，具体的，通过激光烧蚀工艺形成暴露所述第三半导体芯片202和第四半导体芯片203的通孔，进而通过沉积金属铜而分别形成电连接至所述第三半导体芯片202和第四半导体芯片203的第一导电通孔205和第二导电通孔206，接着在所述第一导电通孔205和所述第二导电通孔206上分别形成第一焊球207和第二焊球208，接着在所述第二线路基板200的背面植球209，以形成第二封装件。
在本实施例中，如图3所示，接着进行步骤(3)，提供第一载板300，在所述第一载板300上形成第一钝化层301，在所述第一钝化层301上形成第一重布线层302，在所述第一重布线层302上形成第三导电柱303和第四导电柱304，将第五半导体芯片305贴装在所述第一重布线层302上，接着在所述第一重布线层302上形成第三封装胶层306，所述第三封装胶层306包裹所述第三导电柱303、第四导电柱304和所述第五半导体芯片305，所述第三导电柱303的一部分从所述第三封装胶层306的侧面露出，所述第四导电柱304的一部分从所述第三封装胶层306的上表面露出，接着在所述第四导电柱304上植球，接着去除所述第一载板300(未图示)，以形成第三封装件。
在所述步骤(3)中，所述第三导电柱303比所述第四导电柱304更靠近所述第一重布线层302的边缘，所述第三导电柱303的高度小于所述第四导电柱304的高度，通过减薄所述第三封装胶层306以使得所述第四导电柱304的一部分从所述第三封装胶层306的上表面露出，通过切割所述第一钝化层301、第一重布线层302以及第三封装胶层306的边缘区域以使得所述第三导电柱303的一部分从所述第三封装胶层306的侧面露出。
在具体的实施例中，所述第一载板300可以是不锈钢基板、铜基板、剥离基板、陶瓷基板、半导体基板中的一种。
在具体的实施例中，所述第五半导体芯片305可以是晶体管、晶闸管、二极管、逻辑处理芯片、SOC芯片等合适的芯片。所述第五半导体芯片305与所述第一重布线层302电连接。
形成第三封装件的具体工艺为：在所述第一载板300上形成第一钝化层301，所述第一钝化层301可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及氧化铝中的一种或多种，接着在所述第一钝化层301上形成第一重布线层302，所述第一重布线层302包括介质层和位于所述介质层中的金属布线层。接着在所述第一重布线层302上形成光刻胶掩膜，所述光刻胶掩膜预留有多个开口，接着在多个所述开口中沉积导电材料以形成分别形成所述第三导电柱303和第四导电柱304，其中，所述导电材料可以为铜、铝、镍、钛、钯、银、钨、铬中的一种或多种的组合，所述导热材料通过电镀、化学镀、化学气相沉积或物理气相沉积工艺形成。更具体的，所述导电材料包括铜，其而通过电镀工艺形成。将第五半导体芯片305贴装在所述第一重布线层302上，接着在所述第一重布线层302上形成第三封装胶层306，所述第三封装胶层306包括环氧树脂，所述第三导电柱303比所述第四导电柱304更靠近所述第一重布线层302的边缘，所述第三导电柱303的高度小于所述第四导电柱304的高度，通过减薄所述第三封装胶层306以使得所述第四导电柱304的一部分从所述第三封装胶层306的上表面露出，通过切割所述第一钝化层301、第一重布线层302以及第三封装胶层306的边缘区域以使得所述第三导电柱303的一部分从所述第三封装胶层306的侧面露出，以形成所述第三封装件。
在本实施例中，如图4所示，接着进行步骤(4)，提供一柔性线路基板400，将所述第一封装件贴装在所述柔性线路基板400的中间区域，将两个所述第二封装件分别贴装在所述柔性线路基板400的相对的两个侧边区域，接着在所述第一、第二封装件上设置第二载板401。
其中，在所述步骤(4)中，所述柔性线路基板400包括聚酰亚胺基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板、聚苯醚砜基板、热塑性聚氨酯基板、聚碳酸酯基板、环氧树脂基板、苯酚树脂基板中的一种，所述第二载板401是不锈钢基板、铜基板、铁基板、陶瓷基板中的一种。在具体的实施例中，所述柔性线路基板400包括聚酰亚胺基板，所述第二载板401是不锈钢基板。
在本实施例中，如图5所示，接着进行步骤(5)，接着对所述所述柔性线路基板400的中间区域、所述第一布线基板100以及所述第一半导体芯片103进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第一穿孔402，接着对所述所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域、第二线路基板200以及所述第二半导体芯片201进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第二穿孔403。
在具体的实施例中，在进行所述步骤(5)之前，在所述第一、第二封装件与所述柔性线路基板400之间均设置一保护层，所述保护层可以是底填材料，进而在后续的刻蚀处理中也去除部分的所述保护层以分别形成所述第一穿孔402和所述第二穿孔403。
在本实施例中，如图6所示，接着进行步骤(6)，接着在所述第一穿孔402和所述第二穿孔403中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱501和第二加强柱502，所述第一加强柱501和所述第二加强柱502中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板400中的树脂材料的热膨胀系数，接着去除所述第二载板401。
在所述步骤(6)中，所述第一加强柱501和第二加强柱502的材料为聚酰亚胺、环氧树脂、硅树脂、聚酯、丙烯酸树脂、苯酚树脂中的一种。通过热压合、狭缝涂布、注塑、模塑、涂覆、喷涂等工艺形成所述第一加强柱501和第二加强柱502，通过设置所述第一加强柱501和所述第二加强柱502中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板400中的树脂材料的热膨胀系数，由于第一、第二加强柱的热膨胀系数较小，进而在使用过程中不会对柔性线路基板产生过大的膨胀应力，进而不会导致柔性线路基板产生裂纹，同时第一、第二加强柱的存在可以加强各封装件与柔性线路基板的接合稳定性。
在本实施例中，如图7所示，接着进行步骤(7)，接着在所述第一封装件上设置第三封装件，并使得第二导电柱102与所述第四导电柱304电连接，具体的，第二导电柱102与所述第四导电柱304之间通过焊球进行电连接，还可以在将所述第三封装件设置在所述所述第一封装件上之后，在所述第一封装件和所述第三封装件之间填入树脂材料以提高二者的稳固性，接着将所述柔性线路基板400的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装件均贴装至所述第一封装件的侧壁和所述第三封装件的侧壁，并使所述第一焊球207电连接至所述第三导电柱303，所述第二焊球208电连接至所述第一导电柱101。
如图7所示，本发明还提出一种半导体封装，其采用上述方法形成的。
在其他实施例中，本发明公开的一种半导体封装的形成方法，包括以下步骤：
(1)提供一第一布线基板，在所述第一布线基板的中间区域形成第一凹槽，在所述第一布线基板上形成第一导电柱和第二导电柱，将第一半导体芯片贴装在所述第一布线基板上，并使得所述第一半导体芯片的一部分嵌入到所述第一凹槽中，接着在所述第一布线基板上形成第一封装胶层，所述第一封装胶层包裹所述第一导电柱、第二导电柱和所述第一半导体芯片，所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出，所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，接着在所述第一布线基板的背面植球，以形成第一封装件。
(2)提供一第二布线基板，在所述第二布线基板的中间区域形成第二凹槽，将第二半导体芯片贴装在所述第二布线基板上，并使得所述第二半导体芯片的一部分嵌入到所述第二凹槽中，接着在所述第二半导体芯片的背面叠置第三半导体芯片和第四半导体芯片，所述第三半导体芯片和所述第四半导体芯片相邻且间隔设置，接着在所述第二布线基板上形成第二封装胶层，接着在所述第二封装胶层中形成分别电连接至所述第三半导体芯片和第四半导体芯片的第一导电通孔和第二导电通孔，在所述第一导电通孔和所述第二导电通孔上分别形成第一焊球和第二焊球，接着在所述第二线路基板的背面植球，以形成第二封装件。
(3)提供第一载板，在所述第一载板上形成第一钝化层，在所述第一钝化层上形成第一重布线层，在所述第一重布线层上形成第三导电柱和第四导电柱，将第五半导体芯片贴装在所述第一重布线层上，接着在所述第一重布线层上形成第三封装胶层，所述第三封装胶层包裹所述第三导电柱、第四导电柱和所述第五半导体芯片，所述第三导电柱的一部分从所述第三封装胶层的侧面露出，所述第四导电柱的一部分从所述第三封装胶层的上表面露出，接着在所述第四导电柱上植球，接着去除所述第一载板，以形成第三封装件。
(4)提供一柔性线路基板，将所述第一封装件贴装在所述柔性线路基板的中间区域，将两个所述第二封装件分别贴装在所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域，接着在所述第一、第二封装件上设置第二载板。
(5)接着对所述所述柔性线路基板的中间区域、所述第一布线基板以及所述第一半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第一穿孔，接着对所述所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域、第二线路基板以及所述第二半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第二穿孔。
(6)接着在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱和第二加强柱，所述第一加强柱和所述第二加强柱中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板中的树脂材料的热膨胀系数，接着去除所述第二载板。
(7)接着在所述第一封装件上设置第三封装件，并使得第二导电柱与所述第四导电柱电连接，接着将所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装件均贴装至所述第一封装件的侧壁和所述第三封装件的侧壁，并使所述第一焊球电连接至所述第三导电柱，所述第二焊球电连接至所述第一导电柱。
在一些其他实施例中，在所述步骤(1)中，所述第一导电柱比所述第二导电柱更靠近所述第一布线基板的边缘，所述第一导电柱的高度小于所述第二导电柱的高度，所述第一半导体芯片正装或倒装在所述第一凹槽中，通过减薄所述第一封装胶层以使得所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，通过切割所述第一布线基板以及所述第一封装胶层的边缘区域以使得所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出。
在一些其他实施例中，在所述步骤(2)中，所述第二凹槽的尺寸大于所述第二半导体芯片的尺寸，进而使得所述第二半导体芯片与所述第二凹槽之间具有间隙，所述第二封装胶层的一部分嵌入到所述间隙中，所述第三半导体芯片和第四半导体芯片与所述第二半导体芯片之间通过绝缘粘结层进行固定。
在一些其他实施例中，在所述步骤(3)中，所述第三导电柱比所述第四导电柱更靠近所述第一重布线层的边缘，所述第三导电柱的高度小于所述第四导电柱的高度，通过减薄所述第三封装胶层以使得所述第四导电柱的一部分从所述第三封装胶层的上表面露出，通过切割所述第一钝化层、第一重布线层以及第三封装胶层的边缘区域以使得所述第三导电柱的一部分从所述第三封装胶层的侧面露出。
在一些其他实施例中，在进行所述步骤(5)之前，在所述第一、第二封装件与所述柔性线路基板之间均设置一保护层。
在一些其他实施例中，在所述步骤(6)中，所述第一加强柱和第二加强柱的材料为聚酰亚胺、环氧树脂、硅树脂、聚酯、丙烯酸树脂、苯酚树脂中的一种。
在一些其他实施例中，本发明还提出一种半导体封装，其采用上述方法形成的。
如上所述，本发明的一种半导体封装及其形成方法具有如下有益效果：在本发明的半导体封装的形成过程中，通过在第一封装件中形成从所述第一封装胶层的侧面露出的第一导电柱以及从所述第一封装胶层的上表面露出的第二导电柱柱；在第二封装件中形成第二半导体芯片，以及设置在所述第二半导体芯片的背面的第三半导体芯片和第四半导体芯片；通过在第三封装件中形成从所述第三封装胶层的侧面露出的第三导电柱以及从所述第三封装胶层的上表面露出的第四导电柱，上述各结构的设置可以方便第一、第二、第三封装件的电连接，进而可以提高第一、第二、第三封装件的连接复杂度，进而可以实现半导体封装的功能多样化。通过将所述第一封装件贴装在所述柔性线路基板的中间区域且将两个所述第二封装件分别贴装在所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域，进而形成多个间隔设置的第一穿孔和第二穿孔，并在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱和第二加强柱，所述第一加强柱和所述第二加强柱中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板中的树脂材料的热膨胀系数，由于第一、第二加强柱的热膨胀系数较小，进而在使用过程中不会对柔性线路基板产生过大的膨胀应力，进而不会导致柔性线路基板产生裂纹，同时第一、第二加强柱的存在可以加强各封装件与柔性线路基板的接合稳定性。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种半导体封装的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)提供一第一布线基板，在所述第一布线基板的中间区域形成第一凹槽，在所述第一布线基板上形成第一导电柱和第二导电柱，将第一半导体芯片贴装在所述第一布线基板上，并使得所述第一半导体芯片的一部分嵌入到所述第一凹槽中，接着在所述第一布线基板上形成第一封装胶层，所述第一封装胶层包裹所述第一导电柱、第二导电柱和所述第一半导体芯片，所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出，所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，接着在所述第一布线基板的背面植球，以形成第一封装件；
(2)提供一第二布线基板，在所述第二布线基板的中间区域形成第二凹槽，将第二半导体芯片贴装在所述第二布线基板上，并使得所述第二半导体芯片的一部分嵌入到所述第二凹槽中，接着在所述第二半导体芯片的背面叠置第三半导体芯片和第四半导体芯片，所述第三半导体芯片和所述第四半导体芯片相邻且间隔设置，接着在所述第二布线基板上形成第二封装胶层，接着在所述第二封装胶层中形成分别电连接至所述第三半导体芯片和第四半导体芯片的第一导电通孔和第二导电通孔，在所述第一导电通孔和所述第二导电通孔上分别形成第一焊球和第二焊球，接着在所述第二布线 基板的背面植球，以形成第二封装件；
(3)提供第一载板，在所述第一载板上形成第一钝化层，在所述第一钝化层上形成第一重布线层，在所述第一重布线层上形成第三导电柱和第四导电柱，将第五半导体芯片贴装在所述第一重布线层上，接着在所述第一重布线层上形成第三封装胶层，所述第三封装胶层包裹所述第三导电柱、第四导电柱和所述第五半导体芯片，所述第三导电柱的一部分从所述第三封装胶层的侧面露出，所述第四导电柱的一部分从所述第三封装胶层的上表面露出，接着在所述第四导电柱上植球，接着去除所述第一载板，以形成第三封装件；
(4)提供一柔性线路基板，将所述第一封装件贴装在所述柔性线路基板的中间区域，将两个所述第二封装件分别贴装在所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域，接着在所述第一、第二封装件上设置第二载板；
(5)接着对所述所述柔性线路基板的中间区域、所述第一布线基板以及所述第一半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第一穿孔，接着对所述所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域、第二线路基板以及所述第二半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第二穿孔；
(6)接着在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱和第二加强柱，所述第一加强柱和所述第二加强柱中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板中的树脂材料的热膨胀系数，接着去除所述第二载板；
(7)接着在所述第一封装件上设置第三封装件，并使得第二导电柱与所述第四导电柱电连接，接着将所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装件均贴装至所述第一封装件的侧壁和所述第三封装件的侧壁，并使所述第一焊球电连接至所述第三导电柱，所述第二焊球电连接至所述第一导电柱。
2.根据权利要求1所述的半导体封装的形成方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述第一导电柱比所述第二导电柱更靠近所述第一布线基板的边缘，所述第一导电柱的高度小于所述第二导电柱的高度，所述第一半导体芯片正装或倒装在所述第一凹槽中，通过减薄所述第一封装胶层以使得所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，通过切割所述第一布线基板以及所述第一封装胶层的边缘区域以使得所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出。
3.根据权利要求1所述的半导体封装的形成方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，所述第二凹槽的尺寸大于所述第二半导体芯片的尺寸，进而使得所述第二半导体芯片与所述第二凹槽之间具有间隙，所述第二封装胶层的一部分嵌入到所述间隙中，所述第三半导体芯片和第四半导体芯片与所述第二半导体芯片之间通过绝缘粘结层进行固定。
4.根据权利要求1所述的半导体封装的形成方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，所述第三导电柱比所述第四导电柱更靠近所述第一重布线层的边缘，所述第三导电柱的高度小于所述第四导电柱的高度，通过减薄所述第三封装胶层以使得所述第四导电柱的一部分从所述第三封装胶层的上表面露出，通过切割所述第一钝化层、第一重布线层以及第三封装胶层的边缘区域以使得所述第三导电柱的一部分从所述第三封装胶层的侧面露出。
5.根据权利要求1所述的半导体封装的形成方法，其特征在于：在进行所述步骤(5)之前，在所述第一、第二封装件与所述柔性线路基板之间均设置一保护层。
6.根据权利要求1所述的半导体封装的形成方法，其特征在于：在所述步骤(6)中，所述第一加强柱和第二加强柱的材料为聚酰亚胺、环氧树脂、硅树脂、聚酯、丙烯酸树脂、苯酚树脂中的一种。
7.一种半导体封装，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的方法形成的。
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- 2020-09-10 CN CN202010949498.1A patent/CN112053961B/zh active Active
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