CN112015056A

CN112015056A - 套刻偏差值的修正方法、电子设备及计算机可读存储介质

Info

Publication number: CN112015056A
Application number: CN202010746691.5A
Authority: CN
Inventors: 张利斌; 韦亚一; 冯耀斌; 陆聪
Original assignee: Institute of Microelectronics of CAS; Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Current assignee: Institute of Microelectronics of CAS; Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Priority date: 2020-07-29
Filing date: 2020-07-29
Publication date: 2020-12-01
Anticipated expiration: 2040-07-29
Also published as: CN112015056B

Abstract

本申请公开了一种套刻偏差值的修正方法、电子设备及计算机可读存储介质。该方法包括：提供一包含多个曝光区域的晶圆；选择若干曝光区域，从所选的曝光区域中确定若干待测套刻标识；对每一待测套刻标识的图像进行多次计算，获得若干套刻偏差测量值；计算套刻偏差测量值的平均值和标准差，分别以平均值和标准差作为套刻偏差值和测量误差值；根据各测量误差值的大小设置与其呈负相关的权重；利用各测量误差值和设置的权重对各套刻偏差值进行加权赋值修正。本申请的方法将套刻偏差测量值的平均值和标准差分别作为套刻偏差值和测量误差值，基于测量误差值对套刻偏差进行了修正，在计算套刻修正参数时充分考虑测量误差的影响，提升了套刻修正准确性。

Description

套刻偏差值的修正方法、电子设备及计算机可读存储介质

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种套刻偏差值的修正方法、电子设备及计算机可读存储介质。

背景技术

套刻修正技术对于集成电路非常重要，特别是随着工艺节点不断降低，核心尺寸不断缩小，要求套刻偏差值也不断缩小，但是工艺和测量影响并不会随着节点缩小等比例降低，使得其在套刻修正技术中所占据的比重越来越大。

现有的套刻修正技术的基本方法为：获取已经带有对照层和当前层的晶圆，在套刻测量机台上测量套刻误差，并直接对晶圆套刻误差进行修正。在测量一个晶圆的套刻数值时，并不会得到套刻偏差的误差值。

现有技术的处理过程一般忽略测量误差的影响，也就不会计算测量误差；或者是计算测量误差时，需要使用一批晶圆组中的至少3个晶圆并计算套刻偏差，操作复杂且精确度不高。但是，这种获取套刻测量误差的方法往往不能反映单片晶圆或某些区域套刻标识的测量误差。特别是，对于复杂的三维堆叠结构，或经过热处理之后的晶圆，其套刻修正算法往往使用逐场曝光方法(CPE)，该方法一般只能对一批晶圆组的一个晶圆进行套刻测量，该晶圆若存在工艺随机波动，或测量波动，基于现有的技术不仅难以发现该问题，而且会出现过修正的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种套刻偏差值的修正方法、电子设备及计算机可读存储介质。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种套刻偏差值的修正方法，包括：

提供一包含多个曝光区域的晶圆；所述曝光区域内包含有若干套刻标识；

在每一所述曝光区域中选择若干曝光区域，从所选择的所有曝光区域中确定若干待测套刻标识；

对每一所述待测套刻标识的图像进行若干次计算，获得所述图像的若干套刻偏差测量值；

分别计算每一所述图像的所有套刻偏差测量值的平均值和标准差，分别以所述平均值和所述标准差作为对应图像的套刻偏差值和测量误差值；

根据各所述图像的测量误差值的大小，为各所述测量误差值设置与其呈负相关的权重；

利用各所述测量误差值和设置的权重对各所述套刻偏差值进行加权赋值修正。

进一步地，在所述对每一所述待测套刻标识的图像进行若干次计算之前，所述方法还包括：

获取每一所述曝光区域内的各套刻标识的图像。

进一步地，在所述对每一所述待测套刻标识的图像进行若干次计算，获得所述图像的若干套刻偏差测量值中，对所述图像进行一次计算获得一个套刻偏差测量值，包括：

确定所述图像的中心位置；

在所述图像上确定关于所述中心位置呈中心对称的套刻测量方框组；所述套刻测量方框组包括若干测量方框；

获取各所述测量方框内的像素灰度曲线；

获取对应于各所述像素灰度曲线的套刻偏差测量值。

进一步地，所述确定所述图像的中心位置，包括：采用像素灰度均衡方法或图像边缘分割方法确定所述图像的中心位置。

进一步地，所述套刻测量方框组包括各测量方框完全相同；所述测量方框的尺寸小于所述套刻标识的尺寸。

进一步地，所述根据各所述图像的测量误差值的大小，为各所述测量误差值设置与其呈负相关的权重，包括：

当测量误差值小于或等于所述第一阈值时，所述测量误差值的权重为1；

当测量误差值小于或等于所述第二阈值并且大于所述第一阈值时，该测量误差值的权重为1/(测量误差值-第一阈值)；

当测量误差值大于所述第二阈值时，所述测量误差值的权重为0；其中，第一阈值小于第二阈值。

进一步地，所述对各所述套刻偏差值进行加权赋值修正，包括：

采用加权最小二乘法对各所述套刻偏差值进行加权赋值修正。

进一步地，所述权重的取值区间为[0,1]。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序，以实现上述的套刻偏差值的修正方法。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行，以实现上述的套刻偏差值的修正方法。

本申请实施例的其中一个方面提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请实施例提供的套刻偏差值的修正方法，基于套刻标识的图像计算其测量误差值的大小，计算简便准确，将套刻偏差测量值的平均值作为该位置的套刻偏差值，将套刻偏差测量值的标准差作为该位置的测量误差值，提高了数据准确度，基于测量误差值对套刻偏差进行了修正，使得在计算套刻修正参数时充分考虑测量误差的影响，从而提升了基于单片晶圆的套刻修正准确性。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本申请的一个实施例的套刻偏差值的修正方法流程图；

图2示出了晶圆的示意图；

图3示出了套刻标识的图像示意图；

图4示出了X轴方向的套刻偏差值曲面图；

图5示出了Y轴方向的套刻偏差值曲面图；

图6为晶圆的不同套刻位置的套刻偏差值分布示意图；

图7为修正之后的套刻残差分布图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

对晶圆的套刻修正方法包括曝光区域间的套刻修正方法、曝光区域内的套刻修正方法、逐场曝光修正方法或其中几种的结合等。每一种套刻修正方法均包含线性修正和高阶修正。不同套刻修正方法所需要的套刻标识测量区域和测量数量不同。

本申请的实施例采用的是曝光区域内的套刻修正方法。

如图1所示，本申请的一个实施例提供了一种套刻偏差值的修正方法，包括：

步骤S01，提供一包含多个曝光区域的晶圆。

每一曝光区域内包含有若干套刻标识。

该晶圆可以是硅基晶圆、碳化硅基底晶圆、玻璃基底晶圆、磷化铟基底晶圆或其他任何晶圆，或者是在上述晶圆基底上沉积其他材料而形成的基底晶圆。

对照层和当前层分别指微纳结构制造过程中的参考对照图层和当前图层。对照层和当前层之间存在化学薄膜材料。

图2为晶圆1的示意图，其中每一个方格表示一个曝光区域，选择的曝光区域2。图2中还显示了所选择的曝光区域2内部的套刻标识3和套刻标识3的放大示意图。

套刻标识包括由周期材料构成的AIM(advanced imaging metrology先进图像测量)结构、单一线条结构组成的Bar-in-bar结构、方块结构组合Box-in-box、frame-in-frame结构或其他任何能够基于光学方法正确识别边缘特征并可以计算层间套刻的结构。考虑到目前最常用的可见光或近红外光学最小分辨率要求，所述套刻标识的尺寸不局限于现有的固定周期和尺寸，其最小线条周期可以缩小至1微米，最小线条宽度可以缩小为500纳米，整个套刻标识区域的尺寸可以为10微米或更大。

例如，在实际流片过程中，每一个曝光区域内均有一组套刻标识，一组套刻标识包括至少5个套刻标识。本实施例如图2所示，一个曝光区域2内具有11个套刻标识。

步骤S02，选择若干曝光区域，从所选择的所有曝光区域中确定若干待测套刻标识。

选择套刻补偿方法，确定套刻标识测量位置。在实际流片过程中，每一个曝光区域均有一组套刻标识。所述套刻补偿方法，包括曝光区域间的套刻修正、曝光区域内的套刻修正、逐场曝光修正。每一种修正方法均包含线性修正和高阶修正。不同修正方法所需要的套刻标识测量区域和测量数量不同。本实施例中，以线性逐场曝光修正为例，该套刻补偿方法对每一个曝光区域的套刻标识进行测量，每个曝光区域所需要测量的套刻标识数量不少于5个。本实施例如图2所示，使用11个，以便正确处理靠近晶圆边缘的曝光区域的补偿问题。

在某些实施方式中，在所述对每一所述待测套刻标识的图像进行若干次计算之前，所述方法还包括：

获取每一所述曝光区域内的各套刻标识的图像。如图2所示，套刻标识的图像为光学成像图像。

由于对照层和当前层之间存在材料薄膜，不同材料薄膜对探测光波长的吸收率不同，从而导致光信号对比度不同。为提高套刻测量准确性，使用套刻测量设备进行套刻数值测量时，应合理选择最佳的光学波长，最佳的聚焦深度和视场范围。该晶圆的套刻标识包括对照层上的标识部分和当前层上的标识部分。

步骤S03，对每一所述待测套刻标识的图像进行若干次计算，获得所述图像的若干套刻偏差测量值。

分别对每一待测套刻标识的图像进行若干次测量，分别获得对应于每一图像的若干套刻偏差测量值。例如，图2中所示，该曝光区域具有11个待测套刻标识，则分别针对每个套刻标识的图像进行N次测量，每一待测套刻标识的图像对应具有N各套刻偏差测量值，N为正整数。

具体地，确定待测套刻标识的测量位置，使用套刻测量设备，分别对所选曝光区域内的各待测套刻标识的图像进行若干次测量，获得若干套刻偏差测量值。

光学测量时每个光学像素点对应的实际长度高达数十纳米，而实际套刻偏差值的数值一般为几个纳米，因此，测量算法参数的改变均会得到不同的套刻偏差测量值。若仅使用孤立的套刻偏差测量值进行全局修正，则会对套刻修正结果产生一定影响，特别是某些图形的套刻偏差值非常大，若不考虑其测量误差的影响，则容易对修正效果产生严重不良影响。

具体地，在步骤S03中，对所述图像进行一次计算获得一个套刻偏差测量值，包括：

步骤S31，针对一待测套刻标识的图像，确定该待测套刻标识的图像的中心位置。

所述寻找待测套刻标识的图像的中心位置的方法包括像素灰度均衡方法或图像边缘分割方法等。

所述图像边缘分割方法，包括对对照层的待测套刻标识或当前层的待测套刻标识进行取值，获取中心坐标，中心位置的坐标即中心坐标。在本实施例中，以对照层图像边缘分割方法来确定中心位置，如图3所示，中心位置标记图案401用于标记中心位置。坐标轴包括X轴和Y轴。

当然，由于对照层和当前层之间存在套刻，两者的中心坐标不完全相同，而两者中心坐标的差别直接影响了套刻误差值的测量。因此，可选地，同时以当前层的中心坐标作为该结构的中心坐标，使用本实施例方法的其他步骤计算得到套刻误差值的测量值平均值和测量值标准差。并对上述数值进行综合统计。

步骤S32，在该待测套刻标识的图像上确定关于该中心位置呈中心对称的中心对称型套刻测量方框组。图3中，该中心对称型套刻测量方框组包括内侧的四个测量方框402和外侧的四个测量方框403，共有8个测量方框。

由于待测套刻标识3为对称结构，本实施例为中心对称结构，因此为保证基于套刻标识的图像的套刻偏差测量的准确性，所选用的各套刻测量方框是完全相同的。

此外，为消除套刻边缘结构受到工艺制程影响而出现不同的规律，一般的套刻测量方框应小于每个套刻标识尺寸，如图3所示的套刻测量方框402。

步骤S33，获取各测量方框内的图像的像素灰度曲线。

获取每个测量方框402内的图像的像素灰度曲线。

步骤S34，获取对应于各所述像素灰度曲线的套刻偏差测量值。

在某些实施方式中，在步骤S34中，分别对对照层套刻标识和当前层套刻标识设定不同的扫描参数，形成扫描参数矩阵。可以以像素灰度阈值为参数，设定扫描参数矩阵。也可以用中心位置标志图案401的偏移作为扫描参数，或者也可以用套刻测量方框的尺寸和位置作为扫描参数。然后获取扫描参数矩阵中各元素的套刻偏差测量值。即获取不同参数下的套刻偏差测量值。

步骤S04，分别计算每一所述图像的所有套刻偏差测量值的平均值和标准差，以该平均值作为对应图像的套刻偏差值，以该标准差作为对应图像的测量误差值。

步骤S01-步骤S04为套刻偏差值的获取过程。基于套刻标识的图像计算其测量误差值的大小，以消除测量或较大工艺波动所带来的测量风险；测量误差值的计算简便准确，能够给出更准确的套刻偏差测量值的平均值，并使之作为该位置的套刻偏差值；能够给出套刻偏差测量值的标准差，并使之作为该位置的测量误差值；节省了大量的测量时间，能够有效降低套刻设备对不同晶圆的大量重复测量。

针对一幅待测套刻标识的图像进行多次测量，得到若干个套刻偏差测量值，计算该图像的所有套刻偏差测量值的平均值和标准差，以该标准差作为测量误差值，以该平均值作为套刻偏差值。

本实施例中，分别得到了X轴方向和Y轴方向的套刻偏差值曲面分布图，如图4和图5所示。明显地，不同参数值下所获得的套刻偏差值不同，这也正是不建议使用固定套刻参数及其计算结果作为最终套刻偏差值的原因。本实施例中，由于套刻标识图像对比度良好，图像受到测量误差影响极小，X方向的测量误差值仅为0.35纳米，Y方向的测量误差值仅为0.16纳米。

本实施例采用曝光区域内的套刻修正方法，以曝光区域内的线性逐场曝光修正方法为例，该套刻修正方法需要对每一个曝光区域的套刻标识进行测量，每个曝光区域所需要测量的套刻标识数量不少于5个。本实施例如图2所示，使用11个套刻标识，以便正确处理靠近晶圆边缘的曝光区域的修正问题。

步骤S05，根据各所述图像的测量误差值的大小，为各所述测量误差值设置与其呈负相关的权重。

步骤S05包括：

S51、设定第一阈值和大于所述第一阈值的第二阈值；

S52、当测量误差值小于或等于所述第一阈值时，所述测量误差值的权重为1；

S53、当测量误差值小于或等于所述第二阈值并且大于所述第一阈值时，该测量误差值的权重为1/(测量误差值-第一阈值)；

S54、当测量误差值大于所述第二阈值时，所述测量误差值的权重为0。

具体地，对于较大的测量误差值，为该测量误差值设定一个较小的权重，而对于较小的测量误差值，为该测量误差值设定一个较大的权重。之所以这样设置，是为了实现当测量误差值较大时相应减少其影响，以降低较大的测量误差值对修正的影响程度，从而避免较大的测量误差值对修正产生不良影响，并相应提高较小的测量误差值对修正的影响程度，从而促使较小的测量误差值对修正产生有利影响。例如，设定一个测量误差阈值A，当测量误差值小于或等于A时，统一将测量误差值的权重设置为1；当测量误差值大于A时，将测量误差值的权重设置为1/(测量误差值-A)。例如，当A等于1纳米时，所有测量误差值小于1纳米的套刻标识的权重为1，所有测量误差值大于1纳米的套刻标识的权重为1/(测量误差值-A)。此外，为了更有效地控制修正参数，可以设定最大允许的测量误差阈值B(B>A)，当测量误差值大于B时，设定该测量误差值的权重设置为0，即使得该测量误差值无效，使其对修正结果不能产生任何影响。例如，可以将B设定为A的整数倍。之所以设定B值，主要是因为某些套刻标识，比如缺陷或边缘位置的标识，特别容易受到干扰而产生较大的测量误差值。

图6为晶圆的不同套刻位置的套刻偏差分布示意图。可以看到，不同位置具有不同的测量误差值。因此，在使用套刻补偿方法计算晶圆所有曝光区域的修正参数时，应充分考虑每个位置的测量误差值。

步骤S06，利用各所述测量误差值和设置的权重对各所述套刻偏差值进行加权赋值修正。

所述进行加权赋值修正采用加权最小二乘法进行加权赋值修正，对各套刻偏差值进行基于加权的最小拟合，以降低较大测量误差值数据对拟合参数的影响。

以线性套刻补偿算法为例，该算法的通用公式为：

dx(X,Y,x,y)＝T_X+M_X*X-R_X*Y+k₃*x+k₅*y

dy(X,Y,x,y)＝T_Y+M_Y*Y+R_Y*Y+k₄*y+k₆*x

其中，(X,Y)表示曝光区域间补偿算法所使用的晶圆坐标系坐标；(x,y)表示曝光区域内补偿算法所使用的曝光区域坐标系坐标。dx(X,Y,x,y)和dy(X,Y,x,y)分别表示X轴方向上的测量偏差和Y轴方向上的测量误差。其余参数为线性套刻补偿算法的常数项以矩阵形式表示，其中，下标表示测量点，假设一共测试了n个数据点，则其计算公式可以写成如下形式：

通常情况，使用最小二乘法计算上述算法的常数项。以X方向套刻补偿算法为例，最小二乘法的目的是求解理论得到的dx与实际测试套刻误差值δx之间的最小值。即，评价函数(CF)写为：

本实施例对上式进行修改，即考虑权重影响，并且权重是基于测量误差值设定的。假设每一个测量点的权重为Wi，那么新的评价函数为：

这里，设定权重的赋值只能在0和1之间选取，即取值区间为[0,1]。在某些实施方式中，如果测量误差值远大于设定值，则将对应的权重赋值为0，即排除该点参与运算。

本实施例中，使用加权套刻修正算法，并设定基本套刻测量误差常数A，一方面可以避免误差几乎为0的数据其绝对权重异常偏大而影响全局修正效果，同时又避免某些套刻偏差较大的数据对整体修正参数的污染。

使用加权后的套刻修正参数更符合实际情况，所得到的残差更能反映真实工艺情况。图7显示了最终修正之后的套刻残差分布图。

本申请的另一个实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序，以实现上述的套刻偏差值的修正方法。

本申请的另一个实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行，以实现上述的套刻偏差值的修正方法。

本申请实施例的修正方法基于权重进行套刻偏差值修正，极大地抑制了由于工艺或测量而导致的套刻误差及其对整体套刻修正参数的影响。

本申请实施例提供的方法的优点包括：测量误差值的计算简便准确，能够给出更准确的套刻偏差测量值的平均值，并使之作为该位置的套刻偏差值。能够给出套刻偏差测量值的标准差，并使之作为该位置的测量误差值，以及之后基于该测量误差值的权重。该方法避免了使用固定参数来确定套刻偏差值存在的极大误差，同时使用标准差来表明该点计算结果的准确性。该方法节省了大量的测量时间，能够有效降低套刻设备对不同晶圆的大量重复测量。基于权重进行套刻偏差值修正，可以有效筛查不合理数据，并对不同数据赋予不同权重，以更好代表晶圆整体套刻行为，不至于将测量的随机风险带入到工艺控制中。该方法提高了对工艺的分析能力和修正精度。

本申请实施例的修正方法在现有的技术基础上，增加了对单一晶圆套刻标识的测量误差计算方法，并基于套刻测量误差对套刻修正技术进行了修正，使得在计算套刻修正参数时充分考虑测量误差的影响，从而提升了基于单片晶圆的套刻修正准确性。特别是，将提高基于CPE的修正准确性，提高对晶圆整体误差来源及分布的分析能力，提升自动修正和全局修正效果。

需要说明的是：

术语“模块”并非意图受限于特定物理形式。取决于具体应用，模块可以实现为硬件、固件、软件和/或其组合。此外，不同的模块可以共享公共组件或甚至由相同组件实现。不同模块之间可以存在或不存在清楚的界限。

在此提供的算法和显示不与任何特定计算机、虚拟装置或者其它设备固有相关。各种通用装置也可以与基于在此的示教一起使用。根据上面的描述，构造这类装置所要求的结构是显而易见的。此外，本申请也不针对任何特定编程语言。应当明白，可以利用各种编程语言实现在此描述的本申请的内容，并且上面对特定语言所做的描述是为了披露本申请的最佳实施方式。

类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本申请的示例性实施例的描述中，本申请的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本申请要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本申请的单独实施例。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上所述实施例仅表达了本申请的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种套刻偏差值的修正方法，其特征在于，包括：

选择若干曝光区域，从所选择的所有曝光区域中确定若干待测套刻标识；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对每一所述待测套刻标识的图像进行若干次计算之前，所述方法还包括：

获取每一所述曝光区域内的各套刻标识的图像。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对每一所述待测套刻标识的图像进行若干次计算，获得所述图像的若干套刻偏差测量值中，对所述图像进行一次计算获得一个套刻偏差测量值，包括：

确定所述图像的中心位置；

获取各所述测量方框内的像素灰度曲线；

获取对应于各所述像素灰度曲线的套刻偏差测量值。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定所述图像的中心位置，包括：采用像素灰度均衡方法或图像边缘分割方法确定所述图像的中心位置。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述套刻测量方框组包括各测量方框完全相同；所述测量方框的尺寸小于所述套刻标识的尺寸。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各所述图像的测量误差值的大小，为各所述测量误差值设置与其呈负相关的权重，包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对各所述套刻偏差值进行加权赋值修正，包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述权重的取值区间为[0,1]。

9.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序，以实现如权利要求1-8中任一所述的套刻偏差值的修正方法。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行，以实现如权利要求1-8中任一所述的套刻偏差值的修正方法。