CN111987241A - 减压干燥装置 - Google Patents

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CN111987241A CN202010390887.5A CN202010390887A CN111987241A CN 111987241 A CN111987241 A CN 111987241A CN 202010390887 A CN202010390887 A CN 202010390887A CN 111987241 A CN111987241 A CN 111987241A
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Abstract

本发明提供一种减压干燥装置,其使基片上的溶液在减压状态下干燥,溶液包含沸点相互不同的多种溶剂,减压干燥装置具有收纳基片的容器,在容器内具有:用于载置基片的载置台;溶剂收集部,其暂时收集从载置于载置台上的基片气化了的溶液中的溶剂;和使溶剂收集部在上下方向上移动的移动机构,容器在载置台的周边的比该载置台靠下侧的位置设置有排气口,该排气口与用于对该容器的内部进行排气的排气装置连接,溶剂收集部设置在俯视时比载置于载置台上的基片靠外侧的位置,且在比基片靠外侧的位置通过移动机构而在上下方向上移动。根据本发明,能够使包含沸点相互不同的多种溶剂的溶液的干燥时间在基片的面内均匀。

Description

减压干燥装置
技术领域
本发明涉及减压干燥装置。
背景技术
专利文献1中公开有使收纳在腔室内的基片上的溶液在减压状态下干燥的减压干燥装置。在该减压干燥装置中设置有溶剂收集网。溶剂收集网由网状板构成,用于暂时收集从基片气化了的溶液中的溶剂,以与基片相对的方式设置在腔室内。在专利文献1中公开的减压干燥装置中,通过设置该溶剂收集网,能够使得干燥时间在基片的面内变得均匀。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-59597号公报。
发明内容
本发明提供一种使包含沸点相互不同的多种溶剂的溶液的干燥时间在基片的面内均匀的技术。
本发明的一个方式是一种使基片上的溶液在减压状态下干燥的减压干燥装置,上述溶液包含沸点相互不同的多种溶剂,上述减压干燥装置具有收纳上述基片的容器,在上述容器内具有:用于载置上述基片的载置台;溶剂收集部,其暂时收集从载置于上述载置台上的上述基片气化了的上述溶液中的溶剂;和使上述溶剂收集部在上下方向上移动的移动机构,上述容器在上述载置台的周边的比该载置台靠下侧的位置设置有排气口,该排气口与用于对该容器的内部进行排气的排气装置连接,上述溶剂收集部设置在俯视时比载置于上述载置台上的上述基片靠外侧的位置,且在比上述基片靠外侧的位置通过上述移动机构而在上下方向上移动。
依据本发明,能够使包含沸点相互不同的多种溶剂的溶液的干燥时间在基片的面内均匀。
附图说明
图1是用于说明现有技术所存在的问题的图。
图2是表示第1实施方式的减压干燥装置的概略结构的截面图。
图3是表示第1实施方式的减压干燥装置的概略结构的俯视图。
图4是表示第1实施方式的减压干燥处理时的腔室内的状态的截面图。
图5是表示第2实施方式的减压干燥装置的概略结构的截面图。
图6是表示第2实施方式的减压干燥处理时的腔室内的状态的截面图。
图7是表示第3实施方式的减压干燥装置的概略结构的截面图。
图8是表示第3实施方式的减压干燥处理时的腔室内的状态的截面图。
附图标记的说明
1、1a、1b 减压干燥装置
10 腔室
13a 排气口
20 载置台
40、60、80 溶剂收集部
P 排气装置
S1 低沸点溶剂
S2 高沸点溶剂
W 基片
具体实施方式
在现有技术中,已知有利用有机EL(Electroluminescence)的发光的发光二极管即有机发光二极管(OLED:Organic Light Emitting Diode)。使用该有机发光二极管的有机EL显示器不仅薄型轻量且耗电低,而且在响应速度、视野角、对比度方面优异,由于具有这些优点,因此作为下一代平板显示器(FPD)近年来受到瞩目。
有机发光二极管具有在基片上的阳极与阴极之间夹着有机EL层的结构。有机EL层例如从阳极侧起依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层而形成。在形成这些有机EL层的各层(特别是空穴注入层、空穴输送层和发光层)时,例如使用如下方法:通过以喷墨方式向分散配置在基片上的与各色像素对应的堤堰中排出有机材料的液滴,从而在堤堰内涂敷该像素的有机材料的膜。
在用喷墨方式排出到基片上的有机材料中包含大量的溶剂。因此,为了除去溶剂,进行使收纳基片的容器内减压并使该基片上的溶液干燥的减压干燥处理。
在该减压干燥处理时,例如存在与基片角部相比基片中央部的溶剂的干燥时间变长等的、干燥时间在基片的面内变得不均匀的情况。在该情况下,例如,先干燥完成了的形成于基片角部的涂敷膜,由于没有干燥完成的基片中央部的气化了的溶剂而溶解。在专利文献1中,如上所述,为了消除在基片面内的溶液的干燥时间的不均匀性,以与基片相对的方式设置有溶剂收集网,由该溶剂收集网收集从基片上的有机材料膜挥发的溶剂。
但是,存在排出到基片上的有机材料中包含低沸点的溶剂和高沸点的溶剂这两者的情况。在该情况下,在减压干燥处理的过程中,如图1中的(A)所示低沸点溶剂S1气化后,如图1中的(B)所示高沸点溶剂S2气化。因此,如专利文献1所述,以与基片W相对的方式设置溶剂收集网N时,在高沸点溶剂S2气化的阶段,在溶剂收集网N残留有低沸点的溶剂S1,使该溶剂收集网N成为不能吸附高沸点溶剂S2的状态。因此,对于高沸点溶剂S2来说,等于不存在溶剂收集网N的状态,所以存在溶液的干燥所需的时间在基片面内变得不均匀的情况。
因此,本发明的目的在于提供一种使包含沸点相互不同的多种溶剂的溶液的干燥时间在基片的面内均匀的技术。
以下,参照附图说明本实施方式的减压干燥装置和减压干燥方法。此外,在本说明书和图面中,关于实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记,从而省略重复的说明。
(第1实施方式)
图2和图3是表示第1实施方式的减压干燥装置的概略结构的图,图2是截面图,图3是俯视图。此外,图3中省略了后述的顶板等的图示。
图2的减压干燥装置1是使通过例如喷墨方式涂敷在基片W上的溶液在减压状态下干燥的装置。另外,减压干燥装置1的处理对象的基片W例如为有机EL显示器用的大型的玻璃基片,其平面尺寸例如为2.2m×2.5mm。
涂敷在处理对象的基片W上的溶液由溶质和溶剂组成,作为减压干燥处理的对象的成分主要是溶剂。
另外,在上述溶液中,作为溶剂使用混合有低沸点溶剂和高沸点溶剂的溶剂。
在本实施方式中,低沸点例如为200~230℃,高沸点为250℃以上。在该情况下,作为低沸点溶剂,例如能够举例4-叔丁基茴香醚。另外,作为高沸点溶剂例如能够举例十二烷基苯。
此外,低沸点和高沸点是相对的,根据试验等有各种各样的决定方法,与其决定结果相应地,低沸点溶剂和高沸点溶剂例如能够从以下记载的材料等适当地选择使用。
1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone、沸点220℃、熔点8℃)、4-叔丁基茴香醚(4-tert-Butylanisole、沸点222℃、熔点18℃)、茴香烯(Trans-Anethole、沸点235℃、熔点20℃)、邻苯二甲醚(1,2-Dimethoxybenzene、沸点206.7℃、熔点22.5℃)、2-甲氧基联苯(2-Methoxybiphenyl、沸点274℃、熔点28℃)、苯基醚(PhenylEther、沸点258.3℃、熔点28℃)、2-乙氧基萘(2-Ethoxynaphthalene、沸点282℃、熔点35℃)、苄基苯基醚(Benzyl Phenyl Ether、沸点288℃、熔点39℃)、2,6-二甲氧基甲苯(2,6-Dimethoxytoluene、沸点222℃、熔点39℃)、2-丙氧基萘(2-Propoxynaphthalene、沸点305℃、熔点40℃)、1,2,3-三甲氧基苯(1,2,3-Trimethoxybenzene、沸点235℃、熔点45℃)、环己基苯(cyclohexylbenzene、沸点237.5℃、熔点5℃)、十二烷基苯(dodecylbenzene、沸点288℃、熔点-7℃)、1,2,3,4-四甲基苯(1,2,3,4-tetr amethylbenzene、沸点203℃、熔点76℃)。
减压干燥装置1以能够减压的方式构成,具有收纳基片W的容器即腔室10。
腔室10例如由不锈钢等的金属材料形成。另外,腔室10具有在上下形成有开口的角筒状的主体部11。
在主体部11的侧壁设置有用于将基片W相对于腔室10内送入送出的送入送出口(未图示)。另外,以封闭主体部11的上侧的开口的方式安装有顶板12,以封闭主体部11的下侧的开口的方式安装有底板13。
在腔室10内的大致中央设置有载置台20。载置台20在作为基片载置面20a的其上表面水平地载置基片W。另外,载置台20在俯视时形成为比基片W尺寸大的矩形形状。在载置台20的下表面中央部,连接有在上下方向延伸的支承部件21的上端部。支承部件21的下端部与腔室10的底板13连接。此外,相对于载置台20以贯通该载置台20的方式设置有升降销(未图示)。升降销是用于与从腔室10的外部***到该腔室10内的基片输送装置(未图示)之间交接基片W的部件。该升降销构成为通过升降机构(未图示)能够自由地上下移动。
另外,在腔室10内,在载置台20的周边的位置且比该载置台20的基片载置面20a靠下侧的位置,形成有多个排气口13a。具体而言,例如,如图3所示,在腔室10的底板13中的、俯视时与载置台20不重叠的区域(即比载置台20靠外侧的位置),以沿着俯视时的载置台20的各个长边排列的方式形成有4个排气口13a。
如图2所示,排气口13a分别与排气管30的一端连接。各排气管30的另一端与用于对腔室10的内部进行排气并减压的排气装置P连接。排气装置P由真空泵构成,例如,使涡轮分子泵和干泵例如从上游侧按照该顺序串联连接而构成。在排气管30的排气装置的上游侧设置有自动压力控制阀(APC(Adaptive Pressure Control)阀)31。在减压干燥装置1中,在使排气装置P的真空泵工作的状态下,通过调节APC阀31的开度,能够控制减压排气时的腔室10内的真空度。
此外,为了利用APC阀31进行上述真空度的控制,在减压干燥装置1中设置有测量腔室10内的压力的压力计(未图示)。上述压力计的测量结果作为电信号被输入到APC阀31中。
在排气口13a安装有保护罩(未图示)以使得异物不能进入到这些排气装置P和APC阀31内。
并且,在腔室10内,设置有暂时收集从载置于载置台20上的基片W气化了的溶液中的溶剂的溶剂收集部40。溶剂收集部40具体而言收集从通过喷墨方式涂敷在基片W上的溶液气化了的溶剂。通过将溶剂收集部40设置在腔室10内,能够调节该腔室10内的气氛中的溶剂浓度。
溶剂收集部40以在俯视时位于比载置在载置台20上的基片W靠外侧的区域的方式配置。在本实施方式中,溶剂收集部40在俯视时配置在与形成于载置台20的周边的排气口13a重叠的位置。因此,相比配置在与基片W相对的位置的情况,通过溶剂收集部40的网而流向排气口13a的气流更容易形成,容易促进溶剂的吸附和脱离。
溶剂收集部40的形状例如为在俯视时包围载置台20的外侧的方环状。另外,溶剂收集部40例如具有多个俯视矩形形状的部件(以下,称为“单元部件”。)41,在图中的例子中,具有4个单元部件41。通过将各单元部件41沿着腔室10的主体部11的侧壁排列,溶剂收集部40整体上形成如上所述的方环状。
溶剂收集部40的各单元部件41具有作为网状板的溶剂收集网(未图示),该网状板为俯视时呈格子状地规则地形成有在厚度方向上贯通的开口的板状部件。溶剂收集网例如由不锈钢、铝、铜、金这样的金属材料等的导热性良好的材料形成。更具体而言,由通过将钢板冷切而制造的金属网构成。另外,溶剂收集网以其热容变小的方式形成。
此外,溶剂收集部40的单元部件41分别由后述的支承部件52从下方支承。
在腔室10内还具有使上述的溶剂收集部40在上下方向上移动的移动机构50。
移动机构50具有导轨51、支承部件52和驱动部53。
导轨51是在上下方向延伸到部件,固定于腔室10的主体部11的侧壁。
支承部件52是在水平方向(图中的左右方向)延伸的部件,支承溶剂收集部40,具体而言,支承溶剂收集部40的单元部件41。该支承部件52通过驱动部53而沿着导轨51自由移动。基于该结构,溶剂收集部40能够上下移动。
另外,减压干燥装置1具有控制部U。该控制部U例如是包括CPU和存储器等的计算机,具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有控制减压干燥装置1中的减压干燥处理的程序。此外,上述程序也可以是记录在计算机可读取的存储介质中的程序,也可以是从该存储介质安装到上述控制部中的程序。程序的一部分或者全部可以通过专用硬件(电路板)来实现。
接着,使用图4说明使用了减压干燥装置1的减压干燥处理。图4是表示减压干燥处理时的腔室10内的状态的截面图。
在使用减压干燥装置1进行的减压干燥处理中,首先,将用喷墨方式涂敷有溶液的基片W载置于载置台20。
接着,排气装置P的干泵工作而将腔室10内减压排气。基于干泵的减压排气进行至腔室10内的压力例如成为10Pa为止。
接着,排气装置P的涡轮分子泵工作,将腔室10内进一步减压排气。
在上述的减压排气时,通过隔热膨胀而使腔室10内的气体冷却,并且通过冷却了的气体来冷却位于后述的吸附位置的热容小的溶剂收集部40。其结果是,溶剂收集部40的温度成为在各时刻的腔室10内的压力下的低沸点溶剂和高沸点溶剂的露点以下(例如8~15℃)。
此外,溶剂收集部40的温度,在直到基片W上的溶剂的蒸发完成为止的期间,维持为在各时刻的腔室10内的压力下的上述露点以下。
另外,通过上述的减压排气,腔室10内的压力达到低沸点溶剂的蒸气压(意味着在这时的基片W的温度下的蒸气压。以下同样。)P1时,如图4中的(A)所示,低沸点溶剂S1气化。气化了的低沸点溶剂S1如上所述吸附在被冷却的吸附位置的溶剂收集部40。上述吸附位置是指,在基片面内为了使溶剂均匀地干燥而能够均匀地吸附该溶剂的上下方向上的预先确定的位置。
在基片W上的低沸点溶剂S1的干燥完成了的时刻,如图4中的(B)所示,溶剂收集部40向比载置台20靠下方的、排气口13a附近的干燥位置下降。这是为了将吸附于溶剂收集部40的低沸点溶剂S1从该溶剂收集部40除去。通过如上所述进行下降,尽快将吸附于溶剂收集部40的低沸点溶剂S1除去。从溶剂收集部40脱离的低沸点溶剂S1经由排气口13a被排出。此外,所谓“基片W上的低沸点溶剂S1的干燥完成了的时刻”具体是例如排气装置P的涡轮分子泵的工作开始后经过了预先确定的时间的时刻。
接着,在由溶剂收集部40所收集的低沸点溶剂S1的除去完成了的时刻,溶剂收集部40如图4中的(C)所示返回到比干燥位置靠上方的吸附位置。此外,所谓“由溶剂收集部40所收集的低沸点溶剂S1的除去完成了的时刻”例如是在排气装置P的涡轮分子泵的工作开始后经过了预先确定的时间的时刻。
之后,在腔室10内的压力降低,达到高沸点溶剂S2的蒸气压P2时,高沸点溶剂S2气化。在该时刻,由于低沸点溶剂S1从溶剂收集部40被除去了,因此气化了的高沸点溶剂S2能够被吸附于溶剂收集部40。即,溶剂收集部40对于高沸点溶剂S2也能够发挥功能。因此,高沸点溶剂S2的干燥所需的时间在基片面内变得均匀。
在基片W上的高沸点溶剂S2的除去完成之后,排气装置P的涡轮分子泵中的排气也继续进行。这是因为要将由溶剂收集部40所收集的高沸点溶剂S2从该溶剂收集部40除去。从溶剂收集部40脱离的高沸点溶剂S2经由排气口13a被排出。
例如继续进行在涡轮分子泵中的排气,直到从涡轮分子泵工作经过了预先确定的时间为止,由此,从溶剂收集部40除去高沸点溶剂的步骤结束。
此外,在进行该步骤时,也可以使溶剂收集部40向排气口13a附近的位置下降。
从溶剂收集部40除去高沸点溶剂的步骤结束后,排气装置P停止。之后,腔室10内的压力恢复至大气压之后,将基片W从腔室10送出。至此,使用减压干燥装置1进行的减压干燥处理结束。
如以上所述,在本实施方式中,排气口13a设置在载置台20的周边的比载置台20靠下侧的位置,溶剂收集部40设置在俯视时比载置于载置台20上的基片W靠外侧的区域。并且,在本实施方式中,设置有使溶剂收集部40在上下方向上移动的移动机构50。因此,在基片W上的低沸点溶剂S1的除去完成之后,通过使溶剂收集部40向排气口13a侧下降等,能够将吸附在该溶剂收集部40的低沸点溶剂S1从该溶剂收集部40尽快除去。因此,在高沸点溶剂S2气化的时刻,能够使从基片W气化而被吸附于溶剂收集部40的低沸点溶剂S1已经从该溶剂收集部40脱离并排出。由此,在要使基片W上的高沸点溶剂S2气化时,能够用溶剂收集部40吸附高沸点溶剂S2,即能够使溶剂收集部40发挥功能。其结果是,能够使包含低沸点溶剂S1和高沸点溶剂S2这两者的溶液的干燥所需的时间在基片面内均匀。并且,由此,能够防止像素内膜形状在基片W内的不一致、在基片W内的膜厚分布的不一致、以及在一个像素内的膜厚分布的不一致的发生。
并且,在本实施方式中,为了从溶剂收集部40尽快除去低沸点溶剂,能够使腔室10内的压力尽快达到高沸点溶剂S2的蒸气压。因此,能够缩短直到高沸点溶剂从基片W干燥完成的时间。
而且,在进行由溶剂收集部40所收集的高沸点溶剂的除去步骤时,通过使溶剂收集部40向排气口13a的附近的干燥位置下降,能够尽快从溶剂收集部40除去高沸点溶剂。因此,能够缩短包括溶剂收集部40的干燥在内的减压干燥处理整体所需的时间。
此外,在本实施方式中,溶剂收集部40不仅设置于在俯视时设置有排气口13a的区域即与载置台20的长边相对的区域,而且也设置于没有设置排气口13a的区域即与载置台20的短边相对的区域。但是,溶剂收集部40的设置在与载置台20的短边相对的区域的部分也可以省略。
另外,在本实施方式中,溶剂收集部40以在俯视时呈方环状的方式设置,但溶剂收集部40的与上述方环的角部对应的部分(图3的点划线部K)可以省略。这是为了抑制具有较快地干燥倾向的基片角部的较快的干燥。
此外,溶剂收集部40的各单元部件41具有的溶剂收集网的开口,例如以其开口率在该溶剂收集网的面内均匀的方式形成,但这些开口也可以在该溶剂收集网的面内不均匀,使热容根据场所而不同。例如,可以在溶剂收集网的靠近基片角部附近的位置部分,使开口率较小热容较大,而在其它的部分使开口率较大热容较小。由于热容越小越容易被冷却,溶剂越容易吸附,因此通过如上所述构成,能够抑制具有较快地干燥倾向的基片角部的较快的干燥。
在图2等的例子中,溶剂收集部40的各单元部件41以在水平方向上延伸的方式配置,但也可以相对于水平方向倾斜地配置,也可以以在上下方向上延伸的方式配置。
另外,在以上的例子中,排气口13a设置于底板13,但只要在载置台20的下侧周边的比该载置台20靠下侧,排气口就也可以设置在腔室10的主体部11的侧壁。
此外,在图示的例子中,作为溶剂收集部40的位置的上述吸附位置为比载置台20靠上方的位置,但也可以是上下方向上的载置台20与排气口13a之间的位置。
(第2实施方式)
图5是表示第2实施方式的减压干燥装置的概略结构的截面图。
在第2实施方式中,如图5所示,减压干燥装置1a具有与溶剂收集部40同样的溶剂收集部60,这些溶剂收集部40、60在上下方向上层叠。在本实施方式中,溶剂收集部40配置在下层,溶剂收集部60配置在上层。另外,减压干燥装置1a还具有使溶剂收集部60在上下方向上移动的移动机构70。
移动机构70具有支承部件71和驱动部72。移动机构70和移动机构50共用导轨51。
支承部件71是在水平方向(图中左右方向)上延伸的部件,支承溶剂收集部60。该支承部件71通过设置在比驱动部53靠上方的驱动部62而能够沿着导轨51自由移动。根据该结构,溶剂收集部60能够在溶剂收集部40的上方上下移动。
接着,关于使用减压干燥装置1a的减压干燥处理,利用图6说明与使用第1实施方式的减压干燥装置1的减压干燥处理的不同点。图6是表示减压干燥处理时的减压干燥装置1a的腔室10内的状态的截面图。
在使用减压干燥装置1a进行的减压干燥处理中,利用排气装置P的干泵和涡轮分子泵将腔室10内减压排气,当腔室10内的压力达到低沸点溶剂的蒸气压P1时,如图6中的(A)所示低沸点溶剂S1气化。伴随因减压排气引起的隔热膨胀,位于吸附位置的溶剂收集部40被冷却,因此气化了的低沸点溶剂S1被吸附于该溶剂收集部40。
此外,这时,溶剂收集部60位于比吸附位置靠上方的待机位置距离基片W较远,而且没有如溶剂收集部40那样被冷却,因此低沸点溶剂S1没有被吸附于该溶剂收集部60。
在基片W上的低沸点溶剂S1的干燥完成了的时刻,溶剂收集部40如图6中的(B)所示向排气口13a的附近的干燥位置下降,与此同时,溶剂收集部60向吸附位置下降。通过使溶剂收集部40向干燥位置下降,吸附在溶剂收集部40的低沸点溶剂S1被除去。另外,通过使溶剂收集部60向吸附位置下降,该溶剂收集部60由通过减压排气时的隔热膨胀而冷却了的腔室10内的气体冷却。
并且,在腔室10内的压力降低,达到高沸点溶剂S2的蒸气压P2时,高沸点溶剂S2气化。气化了的高沸点溶剂S2被吸附于冷却了的溶剂收集部60。
在基片W上的高沸点溶剂S2的干燥完成了的时刻,保持继续进行基于排气装置P的减压排气,溶剂收集部60如图6中的(C)所示向下方的位置移动。由此,能够尽快除去吸附于溶剂收集部60的高沸点溶剂S2。此外,“基片W上的高沸点溶剂S2的干燥完成了的时刻”具体是例如排气装置P的涡轮分子泵的工作开始后经过了预先确定的时间的时刻。
在本实施方式中,使溶剂收集部40、60层叠,并且设置有使溶剂收集部40、60在上下方向上移动的移动机构50、70。因此,能够一边将吸附于溶剂收集部40的低沸点溶剂S1从该溶剂收集部40除去,一边用溶剂收集部60吸附高沸点溶剂S2。在第1实施方式中,当腔室10内的压力达到高沸点溶剂S2的蒸气压P2时低沸点溶剂S1已经从溶剂收集部40被除去,但也有可能在达到蒸气压P2时该低沸点溶剂S1的除去还未完成。在该情况下,在本实施方式中,从腔室10内的压力到达高沸点溶剂S2的蒸气压P2的阶段,能够由溶剂收集部60吸附高沸点溶剂S2,因此能够使包含低沸点溶剂S1和高沸点溶剂S2这两者的溶液的干燥所需的时间更加可靠地在基片面内均匀。
并且,在进行由溶剂收集部60所收集的高沸点溶剂的干燥步骤时,使溶剂收集部60向排气口13a的附近的位置下降,能够使吸附于溶剂收集部60的高沸点溶剂尽快被除去。因此,能够缩短包括溶剂收集部60的干燥在内的减压干燥处理整体所需的时间。
(第3实施方式)
图7是表示第3实施方式的减压干燥装置的概略结构的截面图。
在第3实施方式中,如图7所示,减压干燥装置1b除了溶剂收集部40,还具有以与载置于载置台20的基片W相对的方式设置的另外的溶剂收集部80。另外,减压干燥装置1b还具有使溶剂收集部80在上下方向上移动的另外的移动机构90。
移动机构90具有支承部件91。
支承部件91为能够在上下方向上自由伸缩地构成的部件,从上方支承溶剂收集部80。支承部件91的一端与溶剂收集部80连接,另一端与顶板12连接。根据该结构,溶剂收集部80能够上下移动。
接着,关于使用减压干燥装置1b的减压干燥处理,利用图8说明与使用了第1实施方式的减压干燥装置或使用了第2实施方式的减压干燥装置1a的减压干燥处理的不同点。图8是表示减压干燥处理时的减压干燥装置1b的腔室10内的状态的截面图。
在使用减压干燥装置1b进行的减压干燥处理中,利用排气装置P的干泵和涡轮分子泵将腔室10内减压排气,当腔室10内的压力达到低沸点溶剂的蒸气压P1时,如图8中的(A)所示低沸点溶剂S1气化。伴随因减压排气引起的隔热膨胀,位于吸附位置的溶剂收集部40被冷却,因此气化了的低沸点溶剂S1被吸附于该溶剂收集部40。
此外,这时,溶剂收集部80位于待机位置距离基片W较远,而且没有如溶剂收集部40那样被冷却,因此低沸点溶剂S1没有被吸附于该溶剂收集部80。
在基片W上的低沸点溶剂S1的干燥完成了的时刻,如图8中的(B)所示,溶剂收集部40向排气口13a的附近的干燥位置下降,与此同时,溶剂收集部80向吸附位置下降。通过使溶剂收集部40向干燥位置下降,吸附于溶剂收集部40的低沸点溶剂S1被除去。另外,通过使溶剂收集部80向吸附位置下降,该溶剂收集部80由通过减压排气时的隔热膨胀而被冷却的腔室10内的气体冷却。
并且,腔室10内的压力降低,达到高沸点溶剂S2的蒸气压P2时,高沸点溶剂S2气化。气化了的高沸点溶剂S2被吸附于冷却了的溶剂收集部80。
基片W上的高沸点溶剂S2的除去完成之后也继续进行利用排气装置P的涡轮分子泵的排气。如图8(C)所示,这是为了将由溶剂收集部80收集的高沸点溶剂S2从该溶剂收集部80除去。
如以上所述,在本实施方式中,设置有与载置在载置台20的基片W相对的溶剂收集部80,和使溶剂收集部80在上下方向上移动的另外的移动机构90。因此,能够一边将吸附于溶剂收集部40的低沸点溶剂S1从该溶剂收集部40除去,一边用溶剂收集部80吸附高沸点溶剂S2。因此,与第2实施方式同样地,能够更可靠地使包括低沸点溶剂S1和高沸点溶剂S2这两者的溶液的干燥所需要的时间在基片面内均匀。
此外,在本实施方式中,虽然构成为用溶剂收集部40吸附低沸点溶剂S1,并用溶剂收集部80吸附高沸点溶剂S2,但也可以构成为用溶剂收集部40吸附高沸点溶剂S2,并用溶剂收集部80吸附低沸点溶剂S1。
此外,在以上的说明中,被涂敷于处理对象的基片上的溶液所含有的溶剂是由低沸点溶剂和高沸点溶剂构成的2种溶剂的混合溶剂,但也可以为沸点彼此不同的3种以上的溶剂的混合溶剂。
在使用上述3种以上的溶剂的混合溶剂的情况下,例如,在第2实施方式中,溶剂收集网层叠3层以上,在第3实施方式中,在俯视时位于载置台20上的基片W的外侧的溶剂收集部层叠2层以上。
溶剂的干燥时间在基片面内的不均匀性在基片W大型化时变得更加显著。因此,以上的各实施方式的减压干燥装置在以大型的基片W为干燥处理对象的情况下尤其有用。
本发明的实施方式的全部内容应理解为例示,而不是限制性的内容。上述的实施方式只要不脱离附加的权利请求保护范围及其主旨,就可以以各种方式进行省略、置换、变更。
此外,以下所述的结构也属于本发明的技术范围内。
(1)一种使基片上的溶液在减压状态下干燥的减压干燥装置,上述溶液包含沸点相互不同的多种溶剂,上述减压干燥装置具有收纳上述基片的容器,在上述容器内具有:用于载置上述基片的载置台;溶剂收集部,其暂时收集从载置于上述载置台上的上述基片气化了的上述溶液中的溶剂;和使上述溶剂收集部在上下方向上移动的移动机构,上述容器在上述载置台的周边的比该载置台靠下侧的位置设置有排气口,该排气口与用于对该容器的内部进行排气的排气装置连接,上述溶剂收集部设置在俯视时比载置于上述载置台上的上述基片靠外侧的位置,且在比上述基片靠外侧的位置通过上述移动机构而在上下方向上移动。
依据上述(1),排气口设置在载置台的周边的比载置台靠下侧的位置,溶剂收集部设置在俯视时比载置于载置台上的基片靠外侧的区域。并且,设置有使溶剂收集部在上下方向上移动的移动机构。因此,通过在基片上的低沸点溶剂的除去完成了之后使溶剂收集部向排气口侧下降等,能够将吸附于该溶剂收集部的低沸点溶剂从该溶剂收集部尽快除去。因此,接着低沸点溶剂而将高沸点溶剂从基片上除去时,能够使溶剂收集部发挥功能。由此,能够使包含低沸点溶剂和高沸点溶剂这两者的溶液的干燥所需的时间在基片面内均匀。
另外,依据上述(1),例如能够使直到来自基片的高沸点溶剂的干燥完成为止的时间缩短。
(2)在上述(1)所记载的减压干燥装置中,具有控制部,上述控制部控制上述移动机构,使得在上述溶液所包含的低沸点的溶剂由上述溶剂收集部收集之后,该溶剂收集部向下方移动,并且在上述低沸点的溶剂从移动到下方后的上述该溶剂收集部脱离之后,该溶剂收集部向上方移动。
(3)在上述(1)所记载的减压干燥装置中,上述溶剂收集部在上下方向上层叠多层,上述移动机构使层叠多层的上述溶剂收集部在上下方向上移动。
依据上述(3),能够更可靠地使包含低沸点溶剂和高沸点溶剂这两者的溶液的干燥所需的时间在基片面内均匀。
另外,能够缩短包含溶剂收集部的干燥在内的减压干燥处理整体所需的时间。
(4)在上述(3)所记载的减压干燥装置中,具有控制部,上述控制部控制上述移动机构,使得在上述溶液所包含的低沸点的溶剂由层叠多层的上述溶剂收集部中的下层的上述溶剂收集部收集之后,上述层叠多层的上述溶剂收集部向下方移动。
(5)在上述(1)所记载的减压干燥装置中,具有以与载置于上述载置台上的上述基片相对的方式设置的其他溶剂收集部。
依据上述(5),能够更可靠地使包含低沸点溶剂和高沸点溶剂这两者的溶液的干燥所需的时间在基片面内均匀。
(6)在上述(5)所记载的减压干燥装置中包括:使上述其他溶剂收集部在上下方向上移动的其他移动机构;和控制部,上述控制部控制上述其他移动机构,使得在上述溶液所包含的低沸点的溶剂由上述溶剂收集部收集之后,上述其他溶剂收集部向下方移动。
(7)一种使用减压干燥装置使基片上的溶液在减压状态下干燥的减压干燥方法,其中,上述溶液包含沸点相互不同的多种溶剂,上述减压干燥装置具有收纳上述基片的容器,在上述容器内具有:用于载置上述基片的载置台;和溶剂收集部,其暂时收集从载置于上述载置台上的上述基片气化了的上述溶液中的溶剂,上述容器在上述载置台的周边的比该载置台靠下侧的位置设置有排气口,该排气口与用于对该容器的内部进行排气的排气装置连接,上述溶剂收集部设置在俯视时比载置于上述载置台上的上述基片靠外侧的位置,该减压干燥方法包括:对上述容器内进行排气,并且用上述溶剂收集部收集上述溶液所包含的低沸点的溶剂的步骤;与收集上述低沸点的溶剂的步骤相连续地对上述容器内进行排气,并且使上述溶剂收集部所收集的低沸点的溶剂脱离的步骤;和与使上述低沸点的溶剂脱离的步骤相连续地对上述容器内进行排气,并且用上述溶剂收集部收集上述溶液所包含的高沸点的溶剂的步骤。

Claims (7)

1.一种使基片上的溶液在减压状态下干燥的减压干燥装置,其特征在于:
所述溶液包含沸点相互不同的多种溶剂,
所述减压干燥装置具有收纳所述基片的容器,
在所述容器内具有:
用于载置所述基片的载置台;
溶剂收集部,其暂时收集从载置于所述载置台上的所述基片气化了的所述溶液中的溶剂;和
使所述溶剂收集部在上下方向上移动的移动机构,
所述容器在所述载置台的周边的比该载置台靠下侧的位置设置有排气口,该排气口与用于对该容器的内部进行排气的排气装置连接,
所述溶剂收集部设置在俯视时比载置于所述载置台上的所述基片靠外侧的位置,且在比所述基片靠外侧的位置通过所述移动机构而在上下方向上移动。
2.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于:
具有控制部,
所述控制部控制所述移动机构,使得在所述溶液所包含的低沸点的溶剂由所述溶剂收集部收集之后,该溶剂收集部向下方移动,并且在所述低沸点的溶剂从移动到下方后的所述该溶剂收集部脱离之后,该溶剂收集部向上方移动。
3.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于:
所述溶剂收集部在上下方向上层叠多层,
所述移动机构使层叠多层的所述溶剂收集部在上下方向上移动。
4.如权利要求3所述的减压干燥装置,其特征在于:
具有控制部,
所述控制部控制所述移动机构,使得在所述溶液所包含的低沸点的溶剂由层叠多层的所述溶剂收集部中的下层的所述溶剂收集部收集之后,所述层叠多层的所述溶剂收集部向下方移动。
5.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于:
具有以与载置于所述载置台上的所述基片相对的方式设置的其他溶剂收集部。
6.如权利要求5所述的减压干燥装置,其特征在于,具有:
使所述其他溶剂收集部在上下方向上移动的其他移动机构;和
控制部,
所述控制部控制所述其他移动机构,使得在所述溶液所包含的低沸点的溶剂由所述溶剂收集部收集之后,所述其他溶剂收集部向下方移动。
7.一种使用减压干燥装置使基片上的溶液在减压状态下干燥的减压干燥方法,其特征在于:
所述溶液包含沸点相互不同的多种溶剂,
所述减压干燥装置具有收纳所述基片的容器,
在所述容器内具有:
用于载置所述基片的载置台;和
溶剂收集部,其暂时收集从载置于所述载置台上的所述基片气化了的所述溶液中的溶剂,
所述容器在所述载置台的周边的比该载置台靠下侧的位置设置有排气口,该排气口与用于对该容器的内部进行排气的排气装置连接,
所述溶剂收集部设置在俯视时比载置于所述载置台上的所述基片靠外侧的位置,
该减压干燥方法包括:
对所述容器内进行排气,并且用所述溶剂收集部收集所述溶液所包含的低沸点的溶剂的步骤;
与收集所述低沸点的溶剂的步骤相连续地对所述容器内进行排气,并且使所述溶剂收集部所收集的低沸点的溶剂脱离的步骤;和
与使所述低沸点的溶剂脱离的步骤相连续地对所述容器内进行排气,并且用所述溶剂收集部收集所述溶液所包含的高沸点的溶剂的步骤。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115366546A (zh) * 2021-05-21 2022-11-22 广东聚华印刷显示技术有限公司 干燥装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022234716A1 (ja) * 2021-05-06 2022-11-10 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、減圧乾燥処理方法、減圧乾燥処理の所要時間の短縮方法
JP2023020269A (ja) * 2021-07-30 2023-02-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186419A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法
JP2010169308A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Panasonic Corp 乾燥装置
JP2013249998A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Konica Minolta Inc 塗布膜の乾燥装置及び乾燥方法
CN104228329A (zh) * 2013-06-06 2014-12-24 东京毅力科创株式会社 干燥装置和干燥处理方法
CN107871828A (zh) * 2016-09-23 2018-04-03 东京毅力科创株式会社 减压干燥装置和减压干燥方法
CN108987310A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 东京毅力科创株式会社 减压干燥装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6909617B2 (ja) 2016-09-30 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置
JP2018059597A (ja) 2016-10-07 2018-04-12 大日本印刷株式会社 保冷保温箱

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186419A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法
JP2010169308A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Panasonic Corp 乾燥装置
JP2013249998A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Konica Minolta Inc 塗布膜の乾燥装置及び乾燥方法
CN104228329A (zh) * 2013-06-06 2014-12-24 东京毅力科创株式会社 干燥装置和干燥处理方法
CN107871828A (zh) * 2016-09-23 2018-04-03 东京毅力科创株式会社 减压干燥装置和减压干燥方法
CN108987310A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 东京毅力科创株式会社 减压干燥装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115366546A (zh) * 2021-05-21 2022-11-22 广东聚华印刷显示技术有限公司 干燥装置
CN115366546B (zh) * 2021-05-21 2024-03-29 广东聚华印刷显示技术有限公司 干燥装置

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